Taller IV: Electrnica Anloga
2014
Informe 5: Amplificador de voltaje con transistor de efecto campo
Edel Madrid Arroyo
Correo-e: eemadrida@unal.edu.co
Objetivo general:
En este informe se tiene como objetivo estudiar y
analizar experimentalmente el comportamiento de un
dispositivo electrnico conocido como el transistor de
efecto campo, ste dispositivo nos permitir construir
un circuito con la capacidad de amplificar seales de
voltaje. Para esta prctica en especfica se utilizar un
transistor de efecto de campo de metal-oxide-
semiconductor o tambin llamado MOSFET, para ser
ms precisos se utilizar el NMOS 2N7002.
Objetivo especfico:
Con base en un transistor NMOS 2N7002
disear y probar un amplificador de voltaje
Teora:
El MOSFET es el transistor ms utilizado en la
industria microelectrnica, ya sea en circuitos
analgicos o digitales, aunque el transistor de unin
bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo.
Prcticamente, todos los microprocesadores
comerciales estn basados en MOSFETs.
Este transistor consta de un sustrato, que puede ser de
tipo N o P. Un canal, el cual se crea cuando se coloca
voltaje en el drenaje si es de tipo incremental, o ya
est presente si es de tipo decremental. Un aislante,
que corresponde a la parte del xido. Y una
compuerta, la cual realiza la magia en el MOSFET,
que corresponde a la parte del metal, aunque ya no es
de un material metlico si no que es una capa de
silicio policristalino, el cual es muy conductor y
realiza el mismo trabajo que el metal sola hacer
antes. En esta prctica se trabajar con un MOSFET
incremental.
La representacin grfica en un circuito de un
MOSFET incremetal se muestra en la siguiente
imagen, indicando cada terminal:
El funcionamiento de un transistor MOSFET se
puede dividir en tres diferentes regiones de
operacin, dependiendo de las tensiones en sus
terminales:
Corte: Cuando VGS < Vth donde Vth es la tensin
de umbral del transistor.
De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en
esta regin el dispositivo se encuentra apagado. No
hay conduccin entre el surtidor y el drenador, de
modo que el MOSFET se comporta como un
interruptor abierto.
Lineal o Ohmica: Cuando VGS > Vth y VDS <
( VGS Vth )
Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la
tensin de umbral, se crea una regin de agotamiento
en la regin que separa el surtidor y el drenador. Si
esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores
minoritarios (huecos en PMOS, electrones en
NMOS) en la regin de agotamiento, que darn lugar
a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces
a estado de conduccin, de modo que una diferencia
de potencial entre drenador y surtidor dar lugar a
una corriente. El transistor se comporta como una
resistencia controlada por la tensin de compuerta.
Saturacin o activa: Cuando VGS > Vth y VDS >
( VGS Vth )
Cuando la tensin entre drenador y surtidor supera
cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta
sufre un estrangulamiento en las cercanas del
drenador y desaparece. La corriente que entra por el
drenador y sale por el surtidor no se interrumpe, ya
que es debida al campo elctrico entre ambos, pero se adems que no es conveniente que agreguen
hace independiente de la diferencia de potencial entre impedancias al circuito.
ambos terminales.
Simulacin:
Para que el NMOS funcione, debe haber un voltaje
positivo en la compuerta, y su comportamiento, si
est en saturacin, est dado por la siguiente
ecuacin:
ID = K (VGS - VT0)^2
Donde se ve que la corriente por el drenaje depende
de VGS de forma directamente proporcional. Por otro
lado si la fuente (S) no est conectada directamente
conectada a tierra, el voltaje VGS no es igual al voltaje
aplicado en la compuerta, si no que tiende a cambiar
entre 0.5V y 3V, ms el valor tpico de 2.1V.

Simulaciones:
Se puede ver que hay una amplificacin de la seal,
Circuito amplificador de voltaje:
donde la lnea verde es la seal de entrada (100mV) y
la azul la de salida (Aprox. 900mV), el factor de
amplificacin es aproximadamente 9.

Resultados experimentales
Para un voltaje de entrada de 100mV, variando la
resistencia de carga, obtenemos voltajes de salida,
ganancia y error indicados en la siguiente tabla:
Rcarga(K) 0,1 Vsalida(mV) 0,1 Vteorico(mV) Av % de error
100 460,3 900 4,6 48,86
90,5 460,3 899,5 4,6 48,83
80,5 460,3 896,3 4,6 48,64
70,5 460,3 894 4,6 48,51
60,5 460,3 888,9 4,6 48,22
Se escoge V1 en 100mA ya que al coger valores muy
50,5 460,3 883,6 4,6 47,91
grandes se podra llegar a corte. 40,5 460,3 875,5 4,6 47,42
30,5 460,3 862,5 4,6 46,63
Los valores de R3 y R4 se escogen relativamente
20,5 442,8 836,8 4,43 47,08
grandes, para que en el divisor de voltaje se asegure 10,5 399,3 772,1 3,99 48,28
un voltaje de 10V en la compuerta del NMOS: 3 332,2 552,5 3,32 39,87
2,2 321,8 481,8 3,22 33,21
Vin(R4/(R4+R3)) = 10,1V 2 256 460,3 2,56 44,38
0 0 0 0
El valor de R1 se escoge tal que la corriente de
polarizacin en el FET sea de un 1mA: Tabla 1

Cada de tensin en R1 : 8V
Corriente en R1 (la definimos) : 1mA
Por ley de Ohm: R1 = VR1/IR1 = 8k
El valor de R2 se halla con el voltaje y la corriente:
(12V 10V)/1mA = 2k
Sabemos que el aumento del voltaje est dado por:
Av = -R2/(R1//R5), por lo que R5 se escoge
dependiendo del aumento que se quiera, en nuestro
caso la escogeremos de 180.
Imagen 1. Linea amarilla es el voltaje de entrada y la
El valor de la carga se escoge relativamente alto lnea azul es el de salida.
(100K) ya que al escoger valores pequeos, la
corriente aumentar y el voltaje tender a caerse Anlisis de resultados y error
Los capacitores estn para que el punto de operacin De la tabla 1 se observa que en un valor a medida que
no se vea afectado, se escogen con valores pequeos se disminuye la resistencia de carga desde un punto
ya que con las frecuencias tan altas a los que estarn (20,5K), disminuye el voltaje de salida, resultado
sometidos, se comportarn como corto circuitos, de esperarse y concorde con la simulacin, ya que al
disminuir la resistencia, hay un aumento de la
corriente y por lo tanto una cada de voltaje.
Por otro lado y lo ms importante, es ver que los
porcentajes de error son muy grandes, la ganancia
(Av) es prcticamente la mitad y el voltaje de salida
es tambin prcticamente la mitad del esperado. La
principal razn de esta anomala, es que todo el
desarrollo terico se hizo basndose en que la
transconductancia es infinita, conllevando a este tipo
de errores. Por otro lado tambin pudo deberse a mal
funcionamiento de los implementos o calibracin de
los instrumentos de medida.
Los valores de capacitancia tienen un un error del
10% y las resistencias de un 5%. Se hizo lo mximo
posible para evitar errores de medicin, como tomar
datos a la ligera o mal tomados. Sin embargo, hay
otros factores que pudieron afectar a la hora de tomar
buenas medidas, como por ejemplo la calibracin de
los instrumentos de medicin, ligeros cambios de
valores de los implementos debido a cambios de
temperatura o humedad, entre otras.

Conclusiones
Se logr montar un circuito amplificador de voltaje
en base a un transistor de efecto de campo.
La aproximacin terica hecha no es muy buena,
debido a que el error de las medidas fue muy grande.
Para lograr medidas ms acertadas se debe tener en
cuenta que la transconductancia no es infinita.
Como cualquier otro dispositivo, el voltaje de este
circuito se cae al disminuir la resistencia.