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Electrónica Análoga Facultad Físico-mecánica Ingeniería Mecatrónica

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FACULTAD DE INGENIERIAS

LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGA

EDINSON DAVID NAVAS A. - U00097296 ANDRES LEONARDO CARRILLO - U00096167 JULIÁN ARTURO MEJÍA ESPITIA - U00097144

PRACTICA 1

CARACTERISTICAS DEL DIODO

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE BUCARAMANGA FACULTAD DE INGENIERÍAS FISICOMECÁNICAS INGENIERÍA MECATRÓNICA BUCARAMANGA

2017

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PROGRAMA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BUCARAMANGA - UNAB

CARACTERÍSTICAS DEL DIODO DE UNION M.Sc. Hernando González Acevedo

Integrantes

Edison David Navas Argüello U00097296 Andrés Leonardo Carrillo Peña U00096167 Julián Arturo Mejía Espitia U00097144

OBJETIVOS

Analizar, comprender y entender como fluye la corriente a través de un circuito de diodos y resistores.

Comparar el voltaje, corriente y resistencia del diodo a usar o implementar en el circuito propuesto para el desarrollo de la práctica.

Interpretar y comparar los datos obtenidos por simulación, con los obtenidos durante la practica con ayuda del montaje mostrado en la guía.

Conocer las características de los diodos de silicio y germanio mediante el concepto de la física de semiconductores y los conocimientos previos de lo mencionado anteriormente.

INTRODUCCIÓN:

Un diodo es un elemento electrónico que tiene un cierto comportamiento cuando se le induce una corriente eléctrica a través de él, pero depende de las características de esta corriente para que el dispositivo tenga un comportamiento que nos sea útil. La gran utilidad del diodo esta en los dos diferentes estados en que se puede encontrar dependiendo de la corriente eléctrica que este fluyendo en él, al poder tener estos dos estados, estos dos comportamientos los diodos tienen la opción de ser usados en elementos electrónicos en los que estos facilitan el trabajo. El diodo está hecho de cristal semiconductor, como el silicio, con impurezas en él para crear una región que contiene portadores de carga negativa (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde el cristal conduce una corriente de electrones del lado n, pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo.

MARCO TEORICO:

Semiconductor: es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Diodo: es un elemento electrónico que tiene un cierto comportamiento cuando se le induce una corriente eléctrica a través de él, pero depende de las características de esta corriente para que el dispositivo tenga un comportamiento que nos sea útil.

Datasheet de Diodos utilizados en la simulación & en el montaje.

Datasheet: 1N914

Datasheet: 1N4007 (Práctico)

Datasheet: 1N4148 (Germanio - Práctico)

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TRABAJO PREVIO

Simulación del diodo de silicio 1N914 en Polarización Directa & Inversa

de silicio 1N914 en Polarización Directa & Inversa Diodo de silicio 1N914 en Polarización Directa Diodo

Diodo de silicio 1N914 en Polarización Directa

Inversa Diodo de silicio 1N914 en Polarización Directa Diodo de silicio 1N914 en Polarización Inversa Tabla

Diodo de silicio 1N914 en Polarización Inversa

Tabla 1. Característica voltaje corriente del Diodo de silicio 1N914

 

Polarización

 

Polarización

V

AK

Directa I D , mA

V

AK

Inversa I D , μA

0.00

0

0.0

0.0

0.05

0

-2.5

0.03

0.10

0

-5.0

0.07

0.15

0

-7.5

0.11

0.20

0.02

-10.0

0.14

0.25

0.08

-12.5

0.18

0.30

0.25

-15.0

0.21

0.35

0.81

-17.5

0.25

0.40

2.58

-20.0

0.28

0.45

8.05

-22.5

0.32

0.50

29

-25.0

0.35

0.55

85.2

-27.5

0.39

0.65

819

-30.0

0.42

0.70

2.96

-32.5

0.46

0.75

8.61

-35.0

0.49

0.80

26.8

-37.5

0.53

0.85

84.6

-40.0

0.56

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Simulación del diodo de Germanio OA90 en Polarización Directa & Inversa

de Germanio OA90 en Polarización Directa & Inversa Diodo de Germanio OA90 en Polarización Directa Diodo

Diodo de Germanio OA90 en Polarización Directa

Inversa Diodo de Germanio OA90 en Polarización Directa Diodo de Germanio OA90 en Polarización Inversa Tabla

Diodo de Germanio OA90 en Polarización Inversa

Tabla 2. Característica voltaje corriente del Diodo de Germanio OA90

V

AK

Polarización Directa I D , mA

V

AK

Polarización Inversa I D , μA

0.00

0.0

0.0

0.0 mA

0.05

32

μA

-2.5

0.05

mA

0.10

78

μA

-5.0

0.05

mA

0.15

140

μA

-7.5

0.05

mA

0.20

248

μA

-10.0

0.05

mA

0.25

403

μA

-12.5

0.05

mA

0.30

629

μA

-15.0

0.05

mA

0.35

910

μA

-17.5

0.05

mA

0.40

1.22

mA

-20.0

0.05

mA

0.45

1.68

mA

-22.5

0.11

mA

0.50

2.35

mA

-25.0

32.5

mA

0.55

2.80

mA

-27.5

109

mA

0.65

4.12

mA

-30.0

160

mA

0.70

4.82

mA

-32.5

218

mA

0.75

5.71

mA

-35.0

265

mA

0.80

6.42

mA

-37.5

314

mA

0.85

7.36

mA

-40.0

369

mA

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PROCEDIMIENTO

Curva características voltaje corriente del diodo de silicio

1. Identifique los extremos del ánodo y cátodo de un diodo de silicio 1N4154 y arme el circuito mostrado en la figura 1, estando el diodo en polarización directa.

en la figura 1, estando el diodo en polarización directa. Fig. 1 Polarización del diodo 2.

Fig. 1 Polarización del diodo

2. Quite el diodo del circuito y mida su resistencia, Invertida las puntas de la conexión y mida de nuevo la resistencia del diodo. Dado que la batería del medidor empleado para medir la resistencia tiene una polaridad, las puntas de prueba del medidor también estarán polarizadas. Anote ambas lecturas.

Resistencia de diodo de silicio

Resistencia de diodo de silicio

Polarizado Directamente

7.41 k Ω

Polarizado Inversamente

Impedancia infinita.

3. Ajuste la fuente de CD variable de acuerdo con los valores de VAK que se muestran en la tabla 1. Mida y anote la corriente ID para cada valor de VAK.

acuerdo con los valores de V AK que se muestran en la tabla 1. Mida y

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4. Invierta la posición del diodo de manera que tenga polarización inversa. De nuevo fije la fuente DC variable de acuerdo con los valores indicados en la tabla 1. Mida y anote el valor de ID. Esta corriente es pequeña y quizá requiera un amperímetro o multímetros que lean corriente del orden de los microampers.

que lean corriente del orden de los microampers. 5. Trace la curva característica de un diodo

5. Trace la curva característica de un diodo en el papel cuadriculado; para ello grafique VAK en el eje x e ID en el eje y. Tome nota de que los valores de polarización directa de VAK se considera positivos y los valores de polarización inversa se consideran negativos. La corriente de polarización directa que pasa por el diodo se considera de valores positivos dados que la corriente fluye del cátodo al ánodo. Los valores de la corriente producidos por la polarización inversa del diodo se deben a corriente de fuga y fluyen en dirección opuesta a la de los valores de la corriente directa. Así, hay números “negativos” en el eje y. Calcule sus escalas numéricas de manera que en el eje x positivo se representa voltajes entre 0 y 3V y en el eje x negativo aparezcan voltajes entre 0 y 50V. A su vez, la escala del eje y deberá servir para todo el intervalo de corrientes correspondientes a la polarización directa e inversa de esta manera se obtendrá una grafica que cuente con dos escalas por cada eje y con el cambio en 0.

Característica voltaje corriente (Diodo de Silicio)

 

Diodo de Silicio

 

V

AK

Polarización Directa I D , mA

V

AK

Polarización Inversa I D , μA

0.00

0.0

0.0

0.0

0.05

0.0

-2.5

0.2

μA

0.10

0.1

μA

-5.0

0.5

μA

0.15

0.1

μA

-7.5

0.8

μA

0.20

0.2

μA

-10.0

1.1

μA

0.25

0.4

μA

-12.5

1.4

μA

0.30

1.4

μA

-15.0

1.6

μA

0.35

5 μA

-17.5

2

μA

0.40

17.7

μA

-20.0

2.2

μA

0.45

58.2

μA

-22.5

2.4

μA

0.50

184.4

μA

-25.0

2.8

μA

0.55

554.3

μA

-27.5

3

μA

0.65

4.63

mA

-30.0

3.3

μA

0.70

11.72

mA

-32.5

3.6

μA

0.75

36.57

mA

-35.0

3.8

μA

0.80

140.6

mA

-37.5

4.2

μA

0.85

245.8

mA

-40.0

4.4

μA

Característica voltaje corriente (Diodo de Silicio)

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Análoga Facultad Físico-mecánica Ingeniería Mecatrónica Característica voltaje – corriente (Diodo de Germanio)

Característica voltaje corriente (Diodo de Germanio)

V

AK

Polarización Directa I D , mA

V

AK

Polarización Inversa I D , μA

0.00

0.0

0.0

0.0

0.05

0.0

-2.5

0.2

μA

0.10

0.1

μA

-5.0

0.5

μA

0.15

0.1

μA

-7.5

0.8

μA

0.20

0.2

μA

-10.0

1.1

μA

0.25

0.5

μA

-12.5

1.4

μA

0.30

1.5

μA

-15.0

1.6

μA

0.35

3.8

μA

-17.5

2

μA

0.40

10.9

μA

-20.0

2.2

μA

0.45

30.3

μA

-22.5

2.4

μA

0.50

89.5

μA

-25.0

2.8

μA

0.55

258.3

μA

-27.5

3

μA

0.65

2.08

mA

-30.0

3.3

μA

0.70

5.79

mA

-32.5

3.6

μA

0.75

13.09

mA

-35.0

3.8

μA

0.80

27.82

mA

-37.5

4.2

μA

0.85

53.32

mA

-40.0

4.4

μA

Característica voltaje corriente (Diodo de Germanio)

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Análoga Facultad Físico-mecánica Ingeniería Mecatrónica 6. En la gráfica que obtuvo en el paso anterior, dibuje

6. En la gráfica que obtuvo en el paso anterior, dibuje con varios colores, las curvas de la primera, segunda y tercera aproximaciones para el diodo.

la primera, segunda y tercera aproximaciones para el diodo. Observaciones Grafica:  Se pude evidenciar que

Observaciones Grafica:

Se pude evidenciar que el diodo de Germanio polariza más rápidamente (0.3V) que el de Silicio (0.7V) en Directa, pero al ser polarizados en inversa estos tienen una variación muy mínima que está por debajo de los μA (por ello se puede decir que se comportan iguales con corriente inversa).

Se puedo observar que el diodo de germanio se polariza más rápido, sin embargo este no permite grandes cambios de corrientes en comparación con el de silicio, que una vez polarizado nos da grandes variaciones de corriente con pequeños deltas de voltaje.

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7. Calcule la resistencia másica (rB) de su diodo mediante dos puntos localizados en la parte lineal de la porción de polarización directa de la curva obtenida para los calores VAK y ID. Sustituya estos valores

en la fórmula

r

B

V

AK

I

D

Diodo de Silicio:

Mediante una linealización de los datos obtenidos en el laboratorio se obtuvo un promedio entre dos de los datos tanto de VAK como de ID:

Diodo Germanio:

=

0.825 193.2 = 4.27Ω

0.825 = 40.57 = 20.335Ω

8. Polarice el diodo de silicio en directa y fije un valor para la tensión de la fuente. Acerque un cautin y registre el valor de la corriente y la tensión del diodo para cinco valores diferentes de temperatura.

 

Diodo de Silicio

 
 

Amb

40 C

 

45 C

50 C

60

C

Voltaje Vd

0.7

0.63

 

0.61

0.604

0.59

Corriente Id

11.68 mA

12.08 mA

 

12.09mA

12.13mA

12.17mA

 

Diodo De Germanio

 
 

Amb

40 C

45 C

50 C

60

C

Voltaje Vd

0.7 V

0.612 V

0.592 V

0.58 V

0.57 V

Corriente Id

5.88 mA

6.22mA

6.28mA

6.3mA

6.38mA

PREGUNTAS

¿En qué condiciones se activa un diodo de unión? Explique. Consulte las mediciones realizadas y anotadas en la tabla 1. La fuente de alimentación se encarga de disminuir la barrera de potencial de la zona de carga espacial o lo que se conoce como región de agotamiento, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

¿Hay mucha variación en las corrientes inversas de la tabla 1, tanto para el diodo de silicio como el de germanio? Comente que dio lugar a los resultados obtenidos. En la práctica de laboratorio el diodo de silicio y germanio tuvieron el mismo comportamiento al ser polarizados inversamente. En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería.

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¿Cuáles son las limitaciones, en caso de haberlas, de: a) la polarización directa y b) la polarización inversa? ¿En este experimento se rebasaron las limitaciones? Haga referencia a las mediciones para apoyar su respuesta. Las limitaciones que presenta la práctica son el material del que está compuesto cada elemento electrónico. Y estas vienen especificadas en el datasheet.

¿Cómo podría identificar el ánodo de un diodo que no esté marcado? Induciéndole un voltaje mayor al de polarización (0.7), y verificando en cual hay mayor pasó de corriente en el circuito.

¿Qué efecto tiene la temperatura en la corriente y tensión de un diodo? La variación de temperatura en un diodo causa excitación en la región donde se sitúan los electrones, creando un aumento así en la corriente y una disminución en el voltaje.

Conclusiones:

Con esta práctica se pudo identificar los tres estados en que trabaja un diodo polarización inversa (el diodo conduce corriente y actúa como corto), polarización inversa (el diodo no conduce y se comporta como circuito abierto) y la región de ruptura se comporta como regulador de tensión debido a que mantiene un voltaje constante.

En la curva característica del diodo de germanio y silicio, se puede observar que en contraste con las curvas características ideal o teórica, los diodos tardan más en polarizarse directamente según las gráficas obtenidas en lo experimental.

En la práctica de temperatura, se puede concluir que el diodo a mayor temperatura permite un mayor paso de corriente debido a que los electrones se excitan y provocan un mayor flujo de carga. Por esta razón es importante que los circuitos tengan disipadores de calor, debido a que si surge un sobrecalentamiento es posible que los circuitos se averíen.