Sunteți pe pagina 1din 7

Electronic i interfee pentru sisteme ncorporate note de curs pentru uzul studenilor 2015-2016

Tranzistoare bipolare n regim de comutaie

Cureni reziduali n tranzistorul bipolar


Jonciunea CB este polarizat invers (n regim normal de funcionare) astfel c
prin ea va circula curentul corespunztor unei jonciuni p-n polarizate invers.
Acest curent rezidual este de valoare foarte mic, dar, ajungnd n baz, va
circula prin jonciunea BE, fiind echivalent cu un curent de baz care va

produce curentul de colector ICB0 . Curentul ICB0 este curentul care circul

prin colectorul unui tranzistor polarizat normal atunci cnd se ntrerupe


terminalul emitorului.

Curentul echivalent n baz va fi IB+ICB0, iar curentul de colector

corespunztor va fi:

IC=IB+ICB0+ICB0=IB+(+1)ICB0

iar cel din emitor: IE=(+1)(IB+ICB0).

Componenta (+1)ICB0 a curentului de colector se noteaz ICE0 i reprezint

curentul de colector al tranzistorului cu baz n gol:

ICE0=(+1)ICB0

Valoarea curentului rezidual ICB0 este puternic dependent de temperatur:

- la tranzistoarele cu Si se dubleaz la fiecare 6oC (ordinul de mrime este de


zeci de nA);
- la tranzistoarele cu Ge se dubleaz la fiecare 9oC (ordinul de mrime este de
x1...x10A).

Variaia ICB0() face ca punctul static s aib o deriv cu temperatura.

Tranzistorul bipolar n regim de blocare


Un tranzistor poate fi blocat n trei moduri:

1) ntreruperea curentului de baz: IB=0

Prin tranzistor circul ICE0, astfel c, mai ales n punctele de funcionare

corespunztoare curenilor redui de colector, blocarea tranzistorului este


defectuoas. Fa de regimul static, tranzistorul devine doar mai puin
conductiv, blocarea pe aceast cale reprezentnd doar o diminuare, nu

1/7
Electronic i interfee pentru sisteme ncorporate note de curs pentru uzul studenilor 2015-2016

ntotdeauna substanial, a curentului de colector. De aceea, aceast metod de


blocare nu este utilizat.
+Ec
Rc
ICE0= (+1) ICB0
ICB0

IB=0

2) Scurtcircuitarea jonciunii BE: UBE=0; IB=0

+Ec
Rc
ICB0 ICB0

Curentul ICB0 nu mai trece prin jonciunea BE i nu va mai fi amplificat. ICB0

ramne singura component a curentului de colector. Avnd n vedere valoarea

foarte mic a ICB0, mai ales la tranzistoarele cu siliciu, aceast metod de

blocare este foarte des utilizat n practic, pentru eficiena i


economicitatea ei, ntr-o variant mai puin performant: nlocuirea
scurtcircuitului BE cu o rezisten (de valoare relativ mic), dnd
posibilitatea comandrii tranzistorului printr-un curent de baz nenul (un
scurtcircuit permanent ar face tranzistorul nefuncional).

+Ec
Rc
ICB0
ICB0

Rb

Rezistena BE trebuie s fie suficient de mic pentru a oferi o cale

preferenial curentului ICB0, dar suficient de mare pentru a nu reprezenta o

sarcin inacceptabil pentru sursa semnalului de comand.

3) Polarizarea invers a jonciunii BE face ca sensul curentului prin


aceast jonciune s se schimbe, circulnd dinspre emitor spre baz; valoarea
curentului invers prin jonciunea BE este foarte mic, atta timp ct nu este
depit valoarea tensiunii de strpungere (5...6V la tranzistoarele cu Si).

2/7
Electronic i interfee pentru sisteme ncorporate note de curs pentru uzul studenilor 2015-2016

Metoda este rar utilizat practic, fiind ntlnit n circuitele n care


tranzistorul este comandat de un amplificator operaional alimentat diferenial.
Pentru limitarea tensiunii inverse aplicate bazei, se recurge la untarea
jonciunii BE cu o diod antiparalel, ca n figura de mai jos; tensiunea pe baz
n regim de blocare nu va scdea sub -0,7V (cderea de tensiune pe dioda D
polarizat n sens direct) nepunnd n pericol integritatea funcional a
jonciunii BE a tranzistorului.

Tranzistorul bipolar n regim de saturaie


Regimul de saturaie se obine (riguros) cnd ambele jonciuni ale

tranzistorului sunt polarizate direct i UCEsat= UBC- UBE= 0

Tranzistorul se comport ca un scurtcircuit imperfect (n realitate UCEsat 0).

Curentul de colector este determinat (limitat) practic de valoarea rezistenei

din colector (RC):

UCEsat are valori sub 1V (la tranzistoarele de mic putere UCEesat 0,1V).

Dei curentul de colector crete mult, puterea disipat pe tranzistor scade,

deoarece UCE scade foarte mult fa de regimul activ normal:

Pd=UCEsatIC

n practic, puterea disipat de tranzistorul saturat este deseori considerat


nul.

3/7
Electronic i interfee pentru sisteme ncorporate note de curs pentru uzul studenilor 2015-2016

Curentul de baz de saturaie este acela care poate scoate tranzistorul din
r.a.n.:

n saturaie scade mult; saturaia se asigur cu un curent de baz relativ

mare. Situaia n care UCB=0 corespunde regimului de saturaie incipient, caz

n care UCE=UBE.

Regimul de saturaie ideal se poate distinge de funcionarea n r.a.n. dup

valoarea raportului: UCE / UBE, astfel:

U CE
funcionare n r.a.n. i: < 1 saturaie.
U BE
Restriciile vizeaz nedepirea valorilor maxime admisibile ale curenilor de
baz i de colector, pentru a nu distruge sau degrada semiconductorul de baz.

Exemplu de utilizare a unui transistor bipolar n comutaie: comanda unui releu


Releul este un dispozitiv electromagnetic care permite comutarea mecanic a unui
circuit de putere mai mare cu un semnal de putere mic. El este alctuit dintr-
un echipament fix (asiu, soclu cu contacte, bobina, miez feromagnetic i
contactele fixe) i un echipament mobil, alctuit de armtura electromagnetului,
elementele elastice i contactele mobile. Bobina electromagnetului formeaz
circuitul de comand i este complet izolat de contactele releului, conectate
n circuitul de putere mai mare.

Releu electromagnetic

n figura urmtoare sunt reprezentate simboluri pentru cteva tipuri de relee


electromagnetice: n cazul a) releul este de tip ntreruptor i are un singur
contact normal-deschis; n cazul b) releul este de tip comutator i are dou
contacte: unul normal deschis (CA) i unul normal-nchis (CB); cazul c)
reprezint un releu bipolar de tip ntreruptor, avnd dou contacte
independente, iar cazul d) reprezint un releu bipolar de tip comutator, cu dou

contacte normal deschise (A1C1, A2C2) i dou normal nchise (C1B1, C2B2).

4/7
Electronic i interfee pentru sisteme ncorporate note de curs pentru uzul studenilor 2015-2016

Schema tipic pentru comanda unui releu presupune c semnalul de comand este

produs de un circuit electronic de mic putere, sub forma tensiunii Ucom.

Elementele schemei sunt: rezistena de polarizare i protecie Rp, condensatorul

de accelerare Ca, rezistena de blocare Rb, dioda de protecie la polarizare

invers a jonciunii BE a tranzistorului, Dp, tranzistorul T, bobina de

excitaie a releului Lrel i dioda de nul Dn.

n lipsa tensiunii de comand rezistena Rb menine tranzistorul blocat iar

bobina releului este n repaus. Dac tensiunea de comand este negativ, dioda
Dp limiteaz fracia din aceasta aplicat bazei tranzistorului, protejnd astfel
jonciunea BE la polarizare invers.

Cnd tensiunea de comand capt valoarea nominal (de acionare), rezistena Rp

(mpreun cu Rb) limiteaz curentul la o valoare nepericuloas pentru jonciunea

BE a tranzistorului, dar suficient pentru saturarea acestuia. Tensiunea UCE

scade foarte mult (UCEsat = x0,1V), i aproape toat tensiunea de alimentare se

aplic bobinei releului, producnd acionarea acestuia. Condensatorul Ca permite

injectarea, pentru foarte scurt timp, a unui surplus de curent n baza


tranzistorului pentru accelerarea intrrii acestuia n saturaie.
La dispariia tensiunii de comand, tranzistorul se blocheaz, curentul prin
bobina de acionare a releului se ntrerupe, cu tendina de a produce o
supratensiune tranzitorie de autoinducie care se adun cu tensiunea de

alimentare, depind, de regul, UCEmax, producnd distrugerea tranzistorului.

Dioda de nul Dn ofer o cale de evacuare a energiei cmpului electromagnetic

5/7
Electronic i interfee pentru sisteme ncorporate note de curs pentru uzul studenilor 2015-2016

prin nchiderea curentului de autoinducie n bucla Lrel-Dn. Tensiunea

colectorului este astfel limitat la valoarea nepericuloas Ec+0,7V.

Curentul de nul este limitat numai de rezistena dinamic a diodei i de


rezistena bobinei releului, dar dureaz suficient de puin nct s nu aib
efecte distructive.

Tranzistoare compuse. Conexiunea Darlington

Cnd factorul de amplificare n curent continuu al unui tranzistor nu este


suficient aplicaiei, se recomand mrirea amplificrii prin utilizarea
tranzistoarelor compuse conexiuni de dou sau mai multe tranzistoare n care
curentul de intrare este curentul de baz al primului tranzistor (de mic
putere), curentul de colector al acestuia este curent de baz pentru al doilea
tranzistor, iar curentul de ieire este curentul de colector al tranzistorului
de putere de putere medie sau mare.

n primul caz, tranzistorul necesar este obinut prin cuplarea n cascad a dou
tranzistoare n-p-n. Curentul de emitor al primului tranzistor (de mic putere)
reprezint curentul de baz pentru al doilea tranzistor (de medie sau mare
putere). Aceste mrimi trebuie compatibilizate dimensional cu mare atenie.
Tensiunea baz-emitor a tranzistorului echivalent al conexiunii Darlington este

dublul tensiunii baz-emitor a unui tranzistor normal: UBED = 11,5V.

Curentul de colector al conexiunii Darlington (al tranzistorului echivalent)


este (cu foarte bun aproximaie) curentul de colector al tranzistorului de
medie sau mare putere.

IC1=1B1=1B

IE1=(1+1)B=B2

IC2=2B=2(1+1)B

IE2=(2+1)B2=(2+1)(1+1)B=E

IC=IC1+IC2=1B+2(1+1)B= IB(1+1+12)=BD

IE=(21+1+2+1)B=(D+2)B

Ambele tranzistoare trebuie s aib aceeai tensiune maxim colector emitor

(UCEmax). Diferena acestor tensiuni, corespunztoare celor dou tranzistoare,

este egal cu tensiunea baz-emitor a tranzistorului de mic putere (0,5..0,7V)


deci foarte mic, de cele mai multe ori neglijabil.

6/7
Electronic i interfee pentru sisteme ncorporate note de curs pentru uzul studenilor 2015-2016

O tensiune de nivel ridicat pe baza primului tranzistor produce curent de


colector semnificativ al tranzistorului final, care produce o tensiune mic n
colectorul tramzistorului final. Conexiunea este, prin urmare, inversoare.

n al doilea caz, al unui tranzistor p-n-p, tranzistorul de comand de mic


putere este de tip p-n-p, iar tranzistorul de medie sau mare putere este n-p-
n.
Curentul de colector al primului tranzistor este curent de baz pentru al
doilea.
O tensiune de nivel ridicat pe baza primului tranzistor duce la lipsa curentului
de baz al acestuia, deci la blocarea sa, implicnd blocarea celui de-al doilea,
deci o tensiune nul la ieire. Conexiunea este, deasemenea, inversoare.
Tipul conexiunii Darlington (al tranzistorului echivalent) este determinat de
tipul tranzistorului de mic putere.

Ieirea cu colectorul n gol (open-collector)


Pentru asigurarea compatibilitii nivelurilor logice, ieirile circuitelor
numerice pot fi aplicate pe baza unor tranzistoare n-p-n cu emitorul conectat
implicit la masa numeric (masa circuitului logic) i colectorul n gol,
disponibil ca terminal de ieire (figura de mai jos).

Practic, dac masa circuitului numeric este comun cu masa circuitului


controlat, acesta din urm poate avea orice putere, cu condiia s nu depeasc

tensiunile UCB0 i UCE0 i curentul ICmax ale tranzistorului cu colectorul n

gol.

7/7