3.

MEMORII

3.1. Generaliti

Memorie sau sistem de memorie este ansamblu format din mediul de

memorare i circuitele electronice aferente funcionrii sistemului.
Memorarea datelor se face n modul urmtor:
Datele sub form binar (1,0) sunt nmagazinate n diferite celule
de memorie numite locaii cte 1 bit n fiecare locaie.
Locaiile de memorie pot fi identificate prin adrese.
Numrul maxim de locaii adresabile constituie capacitatea
memoriei. Se exprim n octei sau n multiplii acestuia:
- 1 octet = 8 bii (1 byte)
- 1 Kilooctet = 210 = 1024 octei
- 1 Megaoctet = 220 = 1.048.576 octei.
Numrul de bii dintr-o locaie constituie lungimea cuvntului poate
fi de 4, 8, 12, 16, 24, 32 bii. El ocup de obicei o linie ntreag a matricei de
memorie.
Comanda de scriere Comanda de
MEMORIE
a datelor citire a datelor

Magistrala de
control Registru de
Decodificator
informatii

Introducerea
siextragerea
datelor
Registru de
(magistrala de
date) adrese

Introducerea adreselor
(magistrala de adrese n linii)

Fig.1. Schema bloc a unui sistem de memorare

 Memoria propriu-zis se prezint sub forma unei matrici avnd A
linii i m coloane. n fiecare nod al matricei (intersecia liniei cu o coloan)
este memorat un bit. Capacitatea de memorare va fi de A x m bii.
Celula elementar de memorie poate fi constituit de :
- CBB (latch)
- Capacitate parazit CMOS
- tranzistor MOS cu poart flotant
Liniile matricei, n numr egal cu puteri ale lui 2, sunt conectate
la ieirile decodificatorului (n numr de 2n 0 2n-1 linii) iar intrlile
acestuia sunt conectate la cele n linii ale magistralei de adrese (A 0, A1,An-
1).
Coloanele matricei sunt conectate la magistrala de date prin
intermediul unor circuite 3-state (TSL) comandate prin intermediul
magistralei de control a sistemului.
n funcie de durata de pstrare a datelor (informaiei) n memorie,
acestea se mpart n:
- memorii distructive (volatile)
- memorii nedistructive (nevolatile)

3.2.Memorii ROM (Read Only Memory)

Sunt memorii numai de citire a informaiilor (datelor) nscrise anterior.
Informaia este rezident permanent n codul sistemului. Aceste memorii sunt
de tip nevolatil, adic la deconectarea tensiunii informaia nu se pierde.

Structura unui ROM

m coloane
Vcc
Coloane
Adrese 0
0

Ao 0 Dm-1 Dm-2 D1 Do
A1 1
Magistral
a de A2 D 2
2n linii
Do
adrese n-2n
An-1 2n-1
Ao Do
A1 D1
CS OE
1 1 1 1
Magistrala
de control 2 2 2 2 Adrese Date

3 3 3 3
Dm-1 Dm-2 D1 Do
An-1 Dn-1
Magistrala
de date CS,
Magistrala
OE
de control
 Fig.2. Schema bloc a unei memoriiROM

La aplicarea unui cuvnt de adresare, se obine 1 logic la ieirea

corespunztoare a decodorului D care va selecta linia (adresa)
corespunztoare a matricei. Pe linia selectat, la intersecia cu coloanele, n
nodurile n care exist tranzistoare, acestea intr n conducie, coloana (de bit)
este legat la mas iar n noduri avem 0. Unde nu sunt tranzistoare, coloana
de bit rmne la 1(Vcc). Biii cuvntului nscrisi pe linia (locaia) adresat
sunt aplicai prin intermediul unor circuite latch TSL pe magistrala de date.
Citirea datelor se face cu semnalul OE (output evable). Selectarea
circuitului de memorie se face cu CS (chip select).

3.3. Memorii RAM (Random Acces Memory)

Sunt memorii cu acces aleatoriu. Informaia (datele) pot fi nscrise
pentru a fi citite ori de cte ori dorete utilizatorul. Ele sunt memorii de tip
volatile deoarece la pierderea tensiunii informaia din celulele de memorie se
terge. Exist i memorii de tip nevolatil, la care informaia se pstreaz un
timp ndelungat, ea putnd fi tears de utilizator.
Structural, se prezint tot sub form matriceal, n fiecare nod al
matricei existnd o celul n care poate fi nscris sau ters un bit.

Celula 4095 Celula 4031

A11 63 DIo An Dm
Intrare date
A10 62 An-1 Dm-1
D (inscriere)
A9 Magistrala
6-64 RAM Magistrala
A8 de
adrese de date
A7 1 D0o Iesire date
A1 D1
A6 0 (citire)
Ao D2
Celula 0
Celula 63 63 62 1 0 WE CS
D
Control
6-64 WE - Write Enable (0/1)
CS - chip select (0/1)
A5 A4 A3 A2 A1 Ao
(R/W) Read/Write

Fig.4. Schema bloc a unei memorii RAM

 3.4. Caracteristicile memoriilor
O memorie poate fi caracterizat cu ajutoru unor parametri specifici:
Capacitatea memoriei
Timpul de acces tacc
Timpul la ciclul de nscriere TWC
Timpul la ciclul de citire - TRC
Timpul de remprosptare (refresh ) 2ms

tergerea memoriei se poate face:

cu radiaii ultraviolete sau X (EPROM)
pe cale electric (EEPROM E2PROM)