Universidad Nacional Autnoma de Mxico

Facultad De estudios Superiores Cuautitln

Ingeniera Mecnica Elctrica

Control Electromecnico Grupo: 2602

Profesor: ngel Isaas Lima Gomez

Alumno: Garca Mendoza Juan David
Fecha de entrega: 04 de Mayo de 2017
Semestre: 2017-II

Transistor IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee las caractersticas de las
seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo
voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de
control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.

Funcionamiento

Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende inmediatamente, la

corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero.
La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la seal en la puerta es aplicada. Para
encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La
seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar que
el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de colector ID es igual a la
corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as
por una seal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de
potencia en la puerta es muy baja.

El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal G. La transicin del

estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la
frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y
viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un valor bajo
cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un
voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se autolimita.

Caractersticas tcnicas

ICmax Limitada por efecto Latch-up.

VGEmax Limitada por el espesor del xido de silicio.

Se disea para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la
nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar
una proteccin electrnica cortando desde puerta.

VCEmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, ser VCEmax=BVCB0
Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados
de 6.5 kV).

La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores)

Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.

En la actualidad es el dispositivo ms usado para potencias entre varios kW y un par de MW,

trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Bibliografa

https://www.ecured.cu/Transistor_IGBT