Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y Telecomunicaciones

APELLIDOS Y NOMBRES: N DE MATRICULA:

Lozano Torres, Franz Kenneth 15190258

CURSO: TEMA:

DISPOSITIVOS EL TRANSISTOR BIPOLAR

ELECTRONICOS NPN. MODELO 2N3904 (Si).
CARACTERSTICAS
BSICAS.

INFORME: FECHAS: NOTA:

PREVIO REALIZACION: ENTREGA:

NUMERO:
15 DE JUNIO DEL 22 DE JUNIO
07 2017 DEL 2017

GRUPO: PROFESOR:
NUMERO: HORARIO:
06 JUEVES Ing. Luis Paretto
2pm 4pm
Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

I. Tema:

EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN. CARACTERSTICAS

BSICAS."

II. Cuestionario previo:

2. Determinar el punto de operacin del circuito del experimento utilizando un

transistor bipolar NPN de modelo 2N3904. Llenar las tablas 2, 3 y 5.

Caractersticas del transistor modelo TR85:

Transistor Description Case Diag N Maximum Typical Maximum
Code and Style Collector Forward Collector
Application Current Current Dissipation
(Amp)(Ic) (Hfe)() (Watts) (Pd)
2N3904 NPN-Si T092 TI6 0.6 200 0.5

El circuito a analizar es el siguiente:

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS 2

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En esta experiencia iremos variando los valores del potencimetro P1, por ello
expresamos nuestro circuito de la siguiente forma:

= 1 + 1

Luego hallamos un circuito equivalente aplicando el Teorema de Thvenin:

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS 3

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Donde:
2 2
= ; =
+ 2 + 2

Hallamos los valores mximos de y :

12
= = 9.84 ; = = 12
+ 1 + 220

Haciendo = ( = ):

2 (12 ) (22 )
= = 3.38 ;
+ 2 56 + 22
2 (56 ) (22 )
= = 15.79
+ 2 56 + 22
= 1 ; = 220 ; 0.7 (Silicio) ; = ; ; = 200

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )

3.38 0.7
= = 8.96
15.79
+ 220 +
200
En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) = 12 (8.96 ) (1.22 ) 1.07
Hallamos y :
3.38 0.7
= = 44.66
+ ( + 1) 15.79 + (201) (220 )
= = (8.96 ) (220 ) 1.97

TABLA 2 ( = )
() () () () ()
. 44.66 1.07 . 1.97

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS 4

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Haciendo = ( = ):

2 (12 ) (22 )
= = 2.93 ;
+ 2 68 + 22
2 (68 ) (22 )
= = 16.62
+ 2 68 + 22
= 1 ; = 220 ; 0.7 (Silicio) ; = ; ; = 200

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )

2.93 0.7
= = 7.36
16.62
+ 220 + 200

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) = 12 (7.36 ) (1.22 ) 3.02
Hallamos y :
2.93 0.7
= = 36.65
+ ( + 1) 16.62 + (201) (220 )
= = (7.36 ) (220 ) 1.62

TABLA 3 ( = )
() () () () ()
. 36.65 1.62 . 1.62

Con estos valores podemos trazar nuestra recta de carga y ubicar los puntos de
trabajo Q1 y Q2:

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Haciendo = ( = ):

2 (12 ) (22 )
= = 1.48 ;
+ 2 156 + 22
2 (156 ) (22 )
= = 19.28
+ 2 156 + 22
= 1 ; = 220 ; 0.7 (Silicio) ; = ; ; = 200

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )

1.48 0.7
= = 2.47
19.28
+ 220 + 200

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) = 12 (2.47 ) (1.22 ) 8.99
Hallamos :
1.48 0.7
= = 12.28
+ ( + 1) 19.28 + (201) (220 )

Haciendo = ( = ):

2 (12 ) (22 )
= = 0.80 ;
+ 2 306 + 22
2 (306 ) (22 )
= = 20.52
+ 2 306 + 22
= 1 ; = 220 ; 0.7 (Silicio) ; = ; ; = 200

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )

0.80 0.7
= = 0.31
20.52
+ 220 + 200

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En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) = 12 (0.31 ) (1.22 ) 11.62
Hallamos :
0.80 0.7
= = 1.54
+ ( + 1) 20.52 + (201) (220 )

Haciendo = ( = ):

2 (12 ) (22 )
= = 0.46 ;
+ 2 556 + 22
2 (556 ) (22 )
= = 21.16
+ 2 556 + 22
= 1 ; = 220 ; 0.4 (Suposicin) ; = ; ; = 200

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )

0.46 0.4
= = 0.18
21.16
+ 220 +
200
En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) = 12 (0.18 ) (1.22 ) 11.78
Hallamos :
0.46 0.4
= = 0.92
+ ( + 1) 21.16 + (201) (220 )

Haciendo = ( = ):

2 (12 ) (22 )
= = 0.24 ;
+ 2 1056 + 22
2 (1056 ) (22 )
= = 21.55
+ 2 1056 + 22

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS 7

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= 1 ; = 220 ; ( 0) ; = ; ; = 200

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )

0.24 0.24
= = 0
21.55
+ 220 +
200
En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) = 12 (0 ) (1.22 ) 12
Hallamos :
0.24 0.24
= = 0
+ ( + 1) 16.62 + (201) (220 )

TABLA 5
R
() 2.47 0.31 0.18 0
() 12.28 1.54 0.92 0
() 8.99 11.62 11.78 12

Notamos que, a medida que el valor de R aumenta (P1 aumenta), el transistor pasa
a la zona de corte, donde la corriente de colector (Ic) es mnima y el voltaje
colector-emisor (Vce) es mximo.

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS 8