INFORME DE LABORATORIO

Curso: Electrnica de Potencia Seccin D

Lab. No: 02 Mesa No: 1
Dispositivos semiconductores 29/08/2017
Tema: Fecha:
de potencia
Participantes:
1
Huarcaya Mauri Elmer Adolfo

EMPIECE AQU EL DESARROLLO DE LOS CUESTIONARIOS DE CADA ACTIVIDAD DIDACTICA:

(3Paginas)

1. En los siguientes grficos se muestra la tensin que soporta el diodo en sus putos crticos de cambio
de pulso.

Figura 1: Tensin que soporta el diodo en puntos de cambio de polaridad de la fuente.

Datos obtenidos en la tensin del diodo.

Vfp 2.8v
Von 1.40 v
Vrr 10 .4v
VR 9.40 v
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2. En los siguientes grficos se muestra la corriente en el diodo, el cual se obtuvo de manera indirecta
por medio de la resistencia de 330.

Figura 2: Corriente en el diodo en puntos de cambio de polaridad de la fuente.

Datos obtenidos en la corriente del diodo.

Di f 24.8
1227.722 A / s
dt 0.0202
t1 20 .2us
I F 24 .8mA
diR
862.74 A / s
dt
I rr 27 .87 mA
t rr 30 .8us
I rr t rr
Qrr 429.2 10 9 A.s
2

3. Con los datos obtenidos se obtiene la siguiente grafica de corriente.

Figura 3: Grfico de corriente en el diodo.

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4. Con los datos obtenidos se obtiene la siguiente grafica de tensin.

Figura 4: Grfico de tensin en el diodo.

5. Multiplicando los datos de las figuras anteriores se obtiene la potencia en el diodo el cual se muestra
en la figura 5.

Figura 5: Grfico de potencia en el diodo.

El Qrr es la cantidad de portadores de carga que atraviesan al diodo en el sentido direccion inverso,
debido a un cambio de conduccin directa a una condicin de bloqueo inverso.
(Rashid, 2004,p.36)
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1. Aplicacin:

a. Implementar el circuito y calcular la potencian en un periodo de la seal de entrada.

Figura 6: Circuito para calcular la potencia en un BJT.

b. Para ese procedimiento se mide la corriente de manera indirecta en el colector del transistor con el
canal A del osciloscopio. En la grfica siguiente se muestra la corriente el BJT, adems se muestra la
tensin EC en el BJT por medio del canal A.

Figura 7: Corriente y tensin en un BJT.

c. Al realizar las mediciones correspondientes se obtuvo las siguientes respuestas

Amplitud (Vce) 10.01V

tr (10%) 267nS

ts(10% al 90%) 302.5nS

tc(90% al10%) 3.89uS

Tiempo _ de _ Conduccin 24.48uS

Corriente _ de _ Conduccion 304.5mA

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d. Al multiplicar la seal de tensin y corriente obtenemos la seal de potencia, el cual se muestra en al

figura 8.

Figura 8: Potencia que disipa un BJT.

e. Realizando clculos de rea bajo la curva se obtiene la siguiente potencia disipada en un

ciclo de onda.

b * H b2 * H 2
P(1ciclo)aproximado
2 2
1.14mW * 6.5uS 2.3mW * 2uS
P(1ciclo)aproximado
2 2
P(1ciclo)aproximado (3.71 2.3)nW 6.01nW

OBSERVACIONES

Cuando los dispositivos (BJT, Diodos) trabajan con tensiones de entrada constante,
este disipa potencia despreciable.
Si un dispositivo es sometido a una tensin con mucha frecuencia, este disipa mayor
potencia puesto que genera ms picos de potencia en cada cambio de polaridad.

CONCLUSION.

Los puntos en los cuales la fuente cambia de polaridad son en los cuales se disipa
mayor potencia tanto en BJT y diodos.