Sunteți pe pagina 1din 10

2.2. Fotodioda: Tipuri. Principiu de functionare. Rol. Parametri.

Fotodioda este un tip de,detector de lumin, utilizat pentru a converti lumina n


curent sau tensiune n funcie de modul de funcionare al dispozitivului. Acesta cuprinde filtre
optice, lentile ncorporate i zone de suprafa. Aceste diode au un timp de rspuns lent cnd
crete suprafaa fotodiodei. Fotodiodele sunt similare cu diodele semiconductoare obinuite,
dar ele pot fi vizibile pentru a lsa lumina s ajung la partea delicat a dispozitivului.

O fotodiod este o diod de tip jonciune PN care consum energie luminoas pentru a
produce curent electric. Uneori este numit i fotodetector, detector de lumin i foto-senzor.
Aceste diode sunt special concepute pentru a funciona n condiii de polarizare invers, ceea
ce nseamn c partea de tip P a fotodiodei este asociat cu borna negativ a bateriei, iar
partea de tip N este conectat la borna pozitiv a bateriei. Aceast diod este foarte complex
la lumin, astfel nct atunci cnd lumina cade pe diod, ea schimb uor lumina n curent
electric. Celula solar este, de asemenea, marcat ca o fotodiod de zon mare, deoarece
transform energia solar n energie electric, dei celulele solare funcioneaz numai n
lumin puternic.

Unele fotodiode vor arta ca o diod emitoare de lumin. Terminalul mai mic al diodei este
terminalul catodic (-), n timp ce captul mai lung al diodei este terminalul anodic(+). La
fotodiodele n capsul metalic terminalul de lng chei este anodul (+),iar la fotodiodele n
capsul din plastic transparent electrodul mai subire este Anodul (+).

Fig.Identificarea terminalelor fotodiodei dup forma capsulei


Modul de functionare al fotodiodei

O diod de jonciune normal p-n permite o cantitate mic de curent electric n condiii de
polarizare invers. Pentru a crete curentul electric n condiii de polarizare invers, trebuie s
generm mai muli transportatori minoritari.

Tensiunea invers extern aplicat diodei jonciunii p-n va furniza energie transportatorilor
minoritari, dar nu va crete populaia transportatorilor minoritari.

Cu toate acestea, un numr redus de transportatori minoritari sunt generai din cauza tensiunii
externe inverse de polarizare. Purttorii minoritii generai la N- sau P- se vor recombina n
acelai material nainte de trecerea jonciunii. n consecin, nu exist fluxuri de curent
electric datorate acestor suporturi de ncrcare. De exemplu, transportatorii minoritari generai
n materialul de tip P experimenteaz o for respingtoare de la tensiunea extern i ncearc
s se deplaseze spre N-. Cu toate acestea, nainte de trecerea jonciunii, electronii liberi se
recombin cu orificiile din acelai material. Ca urmare, nu circula curent electric.Pentru a
depi aceast problem, trebuie s aplicm energie extern direct n regiunea de epuizare
pentru a genera mai muli transportatori de incarcare.

Un tip special de diode denumit fotodiod este proiectat s genereze un numr mai mare de
suporturi de ncrcare n regiunea epuizrii. n fotodiode, folosim lumin sau fotoni ca energie
extern pentru a genera suporturi de ncrcare n regiunea de epuizare.

Dei exist numeroase tipuri de fotodiode disponibile pe pia i toate funcioneaz pe


aceleai principii de baz, dei unele sunt mbuntite prin alte efecte. Funcionarea
diferitelor tipuri de fotodiode funcioneaz ntr-un mod uor diferit, dar funcionarea de baz a
acestor diode rmne aceeai. Tipurile fotodiodelor pot fi clasificate pe baza construciei i
funcioneaz dup cum urmeaz:

fotodioda de tip PN
fotodioda de tip PIN
fotodioda in avalansa

Aceste diode sunt utilizate pe scar larg n aplicaiile n care este necesar detectarea
prezenei luminii, culorii, poziiei, intensitii. Principalele caracteristici ale acestor diode
includ urmtoarele:

Linearitatea diodei este bun n ceea ce privete lumina incident


Zgomotul este sczut.
Rspunsul este larg spectral
Greutate redus i compact
Viata lunga
Fotodioda de tip PN

Jonctiunea fotodiodei de tip PN este prima form de fotodioda. Aceasta este cea mai utilizata
fotodioda nainte de dezvoltarea fotodiodelor de tip PIN. O fotodiod cu jonciunea de tip PN
este format din dou straturi, i anume semiconductor de tip P i semiconductor de tip N

Atunci cnd energia luminii externe este alimentat la fotodioda jonciunii P-N, electronii de
valen din regiunea de epuizare ctig energie.

Dac energia luminoas aplicat fotodiodei este mai mare decat decalajul de band al
materialului semiconductor, electronii de valen obin suficient energie i rupe legtura cu
atomul printe. Electronul de valen care rupe legarea cu atomul printe va deveni electron
liber. Electronii liberi se deplaseaz liber dintr-un loc n altul prin transportul curentului
electric.

Atunci cnd electronul de valen prsete carcasa de valen, un spaiu gol este creat n
carcasa valenei la care a prsit electronul de valen.In acest spaiu gol din carcasa de
valen este numit un orificiu. Astfel, att electronii liberi ct i aceste orificii sunt generate ca
perechi. Mecanismul de generare a perechilor electron-orificiu prin utilizarea energiei
luminoase este cunoscut ca efectul fotoelectric interior.

Transportatorii minoritari din regiunea de epuizare


experimenteaz fora datorit cmpului electric al regiunii
de epuizare i a cmpului electric extern. De exemplu,
electronii liberi din regiunea de epuizare au fora
repulsiv i atractiv de la ionii negativi i pozitivi prezeni la
marginea regiunii epuizrii la partea de tip P i la partea de tip N.
Ca rezultat, electronii liberi se ndreapt spre regiunea N. Cnd electronii liberi ajung n
regiunea N, acetia sunt atrai de terminalele pozitive ale bateriei. n mod similar, aceste
orificii se mic n direcie opus.
Regiunea electric a regiunii de epuizare puternic i cmpul electric extern mresc viteza de
rulare a electronilor liberi. Datorit acestei viteze mari de deviaie, transportatorii minoritari
(electroni i orificii libere) generati n regiunea de epuizare vor traversa jonciunea P-N
nainte de a se recombina cu atomi. n consecin, creterea transportului minoritar crete.

Atunci cnd nu se aplic nici o lumin pentru fotodioda cu prtinire invers, acesta are un mic
curent invers datorit tensiunii externe. Acest mic curent electric n absena luminii se
numete curent de ntuneric. Este notat cu (ID).

ntr-o fotodiod, curentul inversat este independent de tensiunea invers. Curentul inversat
depinde n cea mai mare parte de intensitatea luminii.

n fotodiode, cea mai mare parte a curentului electric este purtat de purttorii de sarcin
generai n regiunea de epuizare, deoarece suporturile de ncrcare din regiunea de epuizare au
o vitez de derapare ridicat i o vitez de recombinare sczut, n timp ce purttorii de
sarcin din partea N- sau P- au o rat ridicat de recombinare. Curentul electric generat n
fotodiod datorit aplicrii luminii se numete fotocurent.

Curentul total prin fotodiod este suma curentului de ntuneric i a fotocurentului. Curentul
de ntuneric trebuie redus pentru a crete sensibilitatea dispozitivului.Curentul electric care
curge printr-o fotodiod este direct proporional cu numrul incidenei de fotoni.

Fotodioda de tip PIN

Fotodiodele de tip PIN sunt dezvoltate de la fotodiodele jonciunii de tip PN. Funcionarea
fotodiodei de tip PIN este similar fotodiodei cu jonciune de tip PN, cu excepia faptului c
fotodioda PIN este fabricat diferit pentru a mbunti performanele sale.Fotodioda PIN este
dezvoltat pentru a crete viteza curentului i viteza de rspuns a operatorului minoritar.
Fotodiodele de tip PIN genereaz mai mult curent electric dect fotodiodele jonciunii de tip
PN cu aceeai cantitate de energie luminoas.

O fotodiod cu jonciune de tip PN este format din dou straturi, i anume semiconductor de
tip P i semiconductor de tip N, n timp ce fotodioda de tip PIN este format din trei straturi, i
anume un semiconductor tip P, un semiconductor tip N i un semiconductor intrinsec I.

n fotodioda PIN, un strat numit semiconductor intrinsec este plasat ntre semiconductorul tip
P i semiconductorul de tip N pentru a crete curentul purttor al minoritii.

Semiconductor de tip P

Dac se adaug impuriti trivalente la semiconductorul intrinsec, se formeaz un


semiconductor de tip P.

n semiconductori de tip P, numrul de electroni liberi din banda de conducie este mai mic
dect numrul de orificii din banda de valen. Prin urmare, orificiile sunt purttorii
majoritii de ncrctur, iar electronii liberi sunt purttorii de incarcare minoritara. n
semiconductori de tip P, orificiile transport cea mai mare parte a curentului electric.

Semiconductor de tip N

Dac se adaug impuriti pentavalente la semiconductorul intrinsec, se formeaz un


semiconductor de tip N.

n semiconductori de tip N, numrul de electroni liberi din banda de conducie este mai mare
dect numrul de orificii din banda de valen. Prin urmare, electronii liberi sunt purttorii
majoritii de ncrctur, iar orificiile sunt purttorii de incarcare minoritara. n
semiconductori de tip N, electronii liberi transport cea mai mare parte a curentului electric.
Semincoductor intrinsec

Semiconductorii intrinseci sunt forma pur a semiconductorilor. n semiconductorul intrinsec,


numrul de electroni liberi din banda de conducie este egal cu numrul de orificii din banda
de valen. Prin urmare, semiconductorul intrinsec nu are suport de ncrcare pentru a efectua
curent electric.Cu toate acestea, la temperatura camerei se genereaz un numr mic de
suporturi de ncrcare. Acest numr mic de ncrcturi va purta curent electric.

O fotodiod PIN este format din regiunea P i regiunea N separate printr-un strat intrinsec
foarte rezistent. Stratul intrinsec este plasat ntre regiunea P i regiunea N pentru a mri
limea regiunii de epuizare.

Semiconductorii de tip P i N sunt puternic dopai. Prin urmare, regiunea P i regiunea N a


fotodiodei PIN au un numr mare de suporturi de ncrcare pentru a purta curent electric. Cu
toate acestea, suporturile de ncrcare nu vor purta curent electric n condiii de polarizare
invers.Pe de alt parte, semiconductorul intrinsec este un material semiconductor neoprit.
Prin urmare, regiunea intrinsec nu are suporturi de ncrcare pentru a efectua curent electric.

Sub condiie de prtinire invers, transportatorii majoritari de incarcare din regiunea N i


regiunea P se ndeprteaz de jonciune. Ca rezultat, limea regiunii de epuizare devine foarte
mare. Prin urmare, transportatorii majoritari nu vor purta curent electric in conditii de
inversare.

Cu toate acestea, transportatorii minoritari vor purta curent electric deoarece au forta
respingatoare din campul electric extern.n fotodioda PIN, suporturile de ncrcare generate n
regiunea de epuizare poart cea mai mare parte a curentului electric. Purttorii de sarcin
generai n regiunea P sau regiunea N poart doar un curent electric mic.

Atunci cnd energia luminoas sau fotonic este aplicat diodei PIN, cea mai mare parte a
energiei este observat de ctre regiunea intrinsec sau de epuizare datorit limii largi de
epuizare. Ca urmare, se genereaz un numr mare de perechi de electroni.

Electronii liberi generai n regiunea intrinsec se deplaseaz spre partea N, n timp ce


orificiile generate n regiunea intrinsec se deplaseaz spre partea P. Electronii liberi i
orificiile mutate dintr-o regiune n alta regiune poart curent electric.

Cnd electronii i orificiile libere ajung n regiunea N i n regiunea P, ele sunt atrase spre
bornele pozitive i negative ale bateriei.
Populaia transportatorilor minoritari n fotodioda PIN este foarte mare n comparaie cu
fotodioda jonctiunii de tip PN. Prin urmare, fotodioda PIN transporta curentul electric al
minoritarilor mare.Cnd se aplic presiunea de polarizare nainte la fotodioda PIN, se
comport ca o rezisten.

tim c, capacitatea este direct proporional cu mrimea electrozilor i invers proporional


cu distana dintre electrozi. n fotodioda PIN, regiunea P i regiunea N acioneaz ca electrozii
i regiunea intrinsec acioneaz ca dielectric.Distana de separare dintre regiunea P i
regiunea N n fotodioda PIN este foarte mare datorit limii largi de epuizare. Prin urmare,
fotodioda PIN are o capacitate redus comparativ cu fotodioda jonciunii de tip PN.

n fotodioda de tip PIN, cea mai mare parte a curentului electric este purtat de suporturile de
ncrcare generate n regiunea de epuizare. Purttorii de sarcin generai n regiunea P sau n
regiunea N poart doar un curent electric mic. Prin urmare, creterea limii regiunii de
epuizare mrete curentul electric al transportatorului minoritar.

Avantajele fotodiodelor de tip PIN

Lime larg de band


Eficien cuantic ridicat
Vitez mare de rspuns

Fotodioda in avalansa
Funcionarea fotodiodelor in avalan este similar cu jonciunea de tip PN i cu fotodioda de
tip PIN, cu excepia faptului c se aplic o tensiune de polarizare ridicat n cazul
fotodiodelor in avalan pentru a obine o multiplicare .

Aplicarea unei tensiuni de polarizare invers ridicat la fotodioda in avalan nu va crete


direct generarea de suporturi de ncrcare. Cu toate acestea, ea furnizeaz energie perechilor
electron-orificii generate de lumina incident.

Cnd energia luminoas este aplicat fotodiodelor in avalan, perechile electron-orificii sunt
generate n epuizare. Generarea perechilor electron-orificii are o for datorit cmpului
electric de cmp i a cmpului electric extern.

In fotodioda in avalan o tensiune de polarizare foarte mare invers furnizeaz o cantitate


mare de energie transportatorilor minoritari (perechi de electroni-orificii). Transportatorii
minoritari care ctig o cantitate mare de energie sunt accelerai la viteze mai mari.

Atunci cnd electronii liberi care se mic la vitez mare se ciocnesc cu atomul, ei distrug mai
muli electroni liberi. Electronii eliberai recent sunt accelerai din nou i se ciocnesc cu ali
atomi. Din cauza acestei coliziuni continue cu atomi, se genereaz un numr mare de
transportatori minoritari. Astfel, fotodiodele de avalan genereaz un numr mai mare de
suporturi de ncrcare dect fotodiodele de tip PN i PIN. Fotodiodele in avalan sunt
utilizate n aplicaiile n care ctigul ridicat este un factor important.

Avantajele fotodiodelor in avalan

Sensibilitate crescut
Cretere mai mare

Dezavantaje ale fotodiodelor in avalan

Genereaz un nivel ridicat de zgomot dect o fotodiod de tip PN

Moduri de operare a fotodiodei

Sunt doua moduri de operare a fotodiodei: modul fotovoltaic sau modul


fotoconductiv.Selectarea modului de operare al fotodiodei depinde de cerinele de vitez ale
aplicaiei i de cantitatea de curent de ntuneric care este tolerabil.
Mod fotovoltaic

n modul fotovoltaic, fotodioda este imparial. Cu alte cuvinte, la fotodiod nu se aplic


tensiune extern n modul fotovoltaic.n modul fotovoltaic, curentul nchis este foarte sczut.
Fotodiodele operate n modul fotovoltaic au o vitez mic de rspuns.Fotodiodele operate n
modul fotovoltaic sunt utilizate n general pentru aplicaii cu vitez mic sau pentru detectarea
nivelurilor sczute de lumin.

Mod fotoconductiv

n modul fotoconductiv, la fotodiod se aplic o tensiune de polarizare invers extern.


Aplicarea unei tensiuni de polarizare invers mrete limea zonei de epuizare i reduce
capacitatea jonciunii, ceea ce duce la o vitez de rspuns crescut. Deversiunea invers
mrete i curentul de ntuneric.

Fotodiodele operate n mod fotoconductiv au un curent de zgomot ridicat. Aceasta se


datoreaz curentului de saturaie invers care trece prin fotodiod.

Curentul de intuneric

Curentul de intuneric este curentul de scurgere care curge n fotodiod n absena luminii.
Curentul de ntuneric din fotodiod crete atunci cnd temperatura crete. Materialul utilizat
pentru a construi fotodioda afecteaz i curentul de ntuneric.

Diferitele materiale folosite pentru a construi fotodiode sunt: Siliciu (Si), germaniu, (Ge),
fosfid de galiu (GaP), indiu galiu arsen (InGaAs), indiu arsen antimoniu (InAsSb) mercur
cadmiu telur (MCT, HgCdTe).

Germaniu, indiu, arsen , telurul ,mercurul cadmiu,etc genereaz un curent de ntunric,


deoarece sunt foarte sensibili la temperatur.

Viteza de reacie a siliciului, a fosforului de galiu, a arsenului de galiu, de indiu i a arsenului


de indiu, galiu este extins.

Parametrii de performan ai unei fotodiode

responsivitatea
responsivitatea este raportul fotocurentului generat la puterea incident a luminii.
eficiena cuantic
Eficiena cuantic este definit ca raportul dintre numrul de perechi de electroni-
orificii(fotoelectroni) generai la fotonii incidenti.

Timp de rspuns sau timp de tranzit

Timpul de rspuns al unei fotodiode este definit ca timpul necesar ca purttorii de sarcin
generai de lumin s treac printr-o jonciune P-N.

Aplicaii fotodiod (exista diferite aplicaii ale fotodiodelor)

Compact disc playere


Detectoare de fum
Aplicaii spaiale
Fotodiodele sunt utilizate n aplicaii medicale, cum ar fi tomografia computerizat,
instrumentele de analiz a probelor i pulsometrele.
Fotodiodele sunt utilizate pentru comunicaiile optice.
Fotodiodele sunt folosite pentru a msura intensitile luminoase extrem de sczute.

https://www.elprocus.com/photodiode-working-principle-applications/
http://www.physics-and-radio-electronics.com/electronic-devices-and-
circuits/semiconductor-diodes/photodiodesymboltypes.html