Formulas

.|1 |.|2 | 2 1 2
= = 9,0109 = 0 = 8,851012
2 2 40 2
.
= :carga generadora del campo = 1 = 1,61019 = 9,11031
2

Densidad lineal de carga unidad: (

) = .

Densidad superficial de carga unidad: (

2
) = .

Densidad volumtrica de carga unidad: (

3
) = .

Anillo con carga uniforme Campo generado por un anillo

.0 .. 1 ..
= Siendo: 0 una carga de prueba = .
( 2 + 2 )3 20 ( 2 + 2 )3
la carga del anillo
altura del 0 respecto al anillo
la fuerza resultante en el eje z
Disco con carga uniforme Campo generado por un disco

.20 .
= . (1 ) = (1 )
2 2 + 2 20 2 + 2

Campo generado por una varilla Lnea de carga uniforme Campo generado por un Cascaron

. 0 . 1
= = si r<R =0 si rR =
2 2 40 2
2 + 4 2 + 4

Siendo R: el radio del cascaron

r: la distancia del centro

Campo generado por una esfera con carga uniforme

1 . 4
Si r<R = = 3
40 3 3
1
Si rR = = .
40 2

Dipolo elctrico
.
= Momento dipolar = .
3
( 2 + ) 2
4

con direccin igual a la recta que une las 2 cargas, con sentido de (-) a (+)
Ley de Gauss

Flujo = . . A= rea o superficie

Lnea infinita de carga = = 2 rea del cilindro 2pi radio por altura
20

Hoja infinita de carga =
20
Ley de Ohm
.
= Unidad () para material conductor cualquiera: = = 2


= Unidad: = L
t

E= Unidad: =

Fem es trabajo sobre carga

Leyes de Kirchhoff

= Intensidad en el nodo b<Va =

E + = 0 =

E = 0
Si hay ms de una resistencia en paralelo: =
1 +2
1 1
Resistencia en paralelo: = ( + ) = 1 + 2
1 2

Prefijo Smbolo Factor

Metales comunes Resistividad (. )
tera T x1012 (un billn)
Plata 1.62x10-8
giga G x109 (mil millones)
Cobre 1.69x10-8
Aluminio 2.75x10-8 mega M x106 (un milln)

Hierro 9.68x10-8 kilo k x103 (mil)

Platino 10.6x10-8 hecto h x102 (cien)
deca da x101 (diez)
Semiconductores
Silicio puro 2.5x103 deci d x10-1 (un dcimo)
centi c x10-2 (un centsimo)
Aislantes comunes mili m x10-3 (un milsimo)
Agua pura 2.5x105
micro x10-6 (un millonsimo)
Vidrio x1010 x1014
nano n x10-9 (un milmillonsimo)
Poliestireno >1014
pico p x10-12 (un billonsimo)