Elecronic Digitala

Comutator electronic cu tranzistor MOS

Aadar, pentru nMOS:

iD 0 dac: vGS V p (tranzistor blocat)

2

iD k vGS V p vDS
vDS
dac: vGS V p ; vDS VDsat ;
2
(tranzistor n regiunea liniar);

iD
k
vGS Vp 2 dac: vGS V p ; vDS VDsat ;
2
(tranzistor n saturaie);
cu: VDsat vGS V p

- factorul de conducie:
Z
k Cox
L
- n mobilitatea purttorilor de sarcin din canal (electroni);
- Cox capacitatea specific a izolatorului, fF / m 2 ;
Z
- geometria tranzistorului:
L
- tranzistor blocat:
- I rez foarte mic (pA), neglijabil (cnd considerm scheme cu
puine tranzistoare!);
- caracteristica de intrare:
- curent foarte mic, I int 10 12 A ;
- rezistena de intrare: Rint 1012 ;
- N max - nelimitat.
- regim tranzitoriu:
a) comutarea tranzistorului intrinsec apariia/dispariia canalului
la aplicarea unui cmp electric foarte rapid timp de comutare neglijabil fa
de ali timpi de comutare, viteza de deplasare a purttorilor n semiconductor;
b) comutarea elementelor extrinseci:
- capacitatea poart surs (canal);
- capacitatea poart dren (canal);
Elecronic Digitala

- capacitatea de barier surs-substrat i dren-substrat;

- capacitile parazite ale contactelor, conductorilor, etc;
- toate neliniare, distribuite i dependente i de sarcin.

Inversor nMOS cu sarcin rezistiv:

* schema:

* caracteristica de transfer:
- vi V pa , vo VoH VDD ;

- vi V pa ; T n saturaie: iRd iDa :

VDD vo
ka
vi V pa 2

Rd 2

vo VDD k a Rd
vi V pa 2
;
2
- pentru: vi Vi1 , TMOS trece n zona liniar: vo Vi1 V pa Vo1 ;

Vi1 V pa VDD a d Vi1 V pa se deduce Vi1 i apoi i Vo1 .

k R 2
2
- vi V pa , T n regiunea liniar: iR iDa :
d

VDD vo vo2
ka vi V pa vo
Rd 2
Elecronic Digitala

2
2 2 2VDD
vo vi V pa vi V pa .
ka Rd ka Rd ka Rd

* nivelele logice:
- VoH VDD ;

2
2 2 2VDD
VoL vo (VoH ) VDD V pa VDD V pa
ka Rd ka Rd ka Rd
- prin dezvoltare n serie:
VDD
VoL
ka Rd VDD V pa
- este necesar ca: Rd ct mai mare i k a ct mai mare;
* marginile de zgomot:
MZL Vi ' (1) VoL ; MZH VoH Vi '' (1)
1 2 8 VDD
Vi ' (1) V pa ; Vi ' ' ( 1) V pa ;
ka Rd ka Rd 3 ka Rd
- tensiunea de transfer logic rezult din relaia: vo (V prL ) V prL ;
- caracteristici de alimentare:
VDD VoL VDD
I DDL ; I DDH 0;
Rd Rd
2
VDD
Pd ; comentarii.
2 Rd
* regimul tranzitoriu:
Elecronic Digitala

- P1-P2: timp de comutare neglijabil;

- P2-P3: T saturat:

1 VDD V pa
2
vo (t ) VDD iD t ; i D k a ;
Cs 2
- se termin faza cnd TMOS intr n zona liniar:
V1 VDsat VDD V pa ; rezult:
CsV pa 2Cs V pa V pa
t1 a
ka
VDD V pa 2 ka VDD V pa VDD V pa VDD V pa
2
2Cs
a
k a VDD V pa
- s-a introdus constanta de timp:

- P3-P4: TMOS n zona liniar:

vo2
iD ka VDD V pa vo se neglijeaz iR :
2 d

vo2
ka VDD V pa vo
dvo
Cs
dt 2
Elecronic Digitala

ka dvo
dt
2VDD V pa vo vo2
se integreaz:
2Cs
ka vo
1 1 1
t dvo
2Cs V DD V pa 2VDD V pa )
vo 2VDD V pa vo

ka 1 vo
t ln
2Cs 2VDD V pa ) 2VDD V pa vo
a 2VDD V pa vo
t ln ;
2 vo
- se deduce:

vo (t ) 2VDD V pa VDD V pa 1 th
1 t
2t

1 e
- timpul de comutare t 2 se deduce:
a
vo (t2 ) 0,1VDD V pa t2 ln 19 1,45 a .
2
* comutarea invers:
- ncrcare prin rezisten fix (de valoare mare) la sursa de tensiune:
- fenomenele fizice: compararea curenilor de descrcare a capacitii cu
curentul de ncrcare a capacitii: tinc tdesc .
t

vo (t ) VDD VoL VDD e Rd C s

t f 2,3Cs Rd - foarte mare

Inversorul NMOS cu sarcin TMOS n zona liniar

- n loc de rezisten se poate folosi un alt tranzistor nMOS ca sarcin

- Rezisten variabil, n funcie de curent
- Tranzistorul de sarcin poate fi conectat a.. s lucreze mereu n regiunea
ohmic (liniar) sau mereu n saturaie (v. mai jos)
- Utile de neles; n general nu se folosesc sub aceast form, dar stau la
baza unor optimizri pentru porile logice mai complexe (se folosete un
tranzistor pMOS ca sarcin)
Elecronic Digitala

- Tranzistorul activ Qa lucreaz pe o caracteristic dat de Vi

- Punctul de funcionare: a.. iD prin Qa i Qs s fie acelai
- Pentru Qs exist o legtur clar ntre VGS i VDS, dat de vo; aceast
legtur trebuie determinat pentru a gsi punctul de funcionare
- Astfel, pentru o valoare dat vo, att VGS ct i VDS sunt fixate, deci
punctul de funcionare al lui Qs nu este oriunde pe curba tipic id(v DS), ci
este fixat
- Familia acestor puncte pentru diverse valori ale lui vo d o curb care este
curba de funcionare a lui Qs
- Punctul de funcionare al schemei este la intersecia curbei de funcionare
a lui Qs cu caracteristica tipic id(vDS) a lui Qa

- Qs mereu n zona ohmic dac VGG > VDD+Vp

- daca VGG = VDD+Vp +, pct de functionare al lui Qs este in zona liniara, la
VDS=VGS-VP-, deci mereu la distanta de inceputul zonei de saturatie (pe o
parabol)
- sunt neceare dou surse de tensiune de alimentare;
- se obine o rezisten dinamic mai mic pentru ncrcarea capacitii de
sarcin;
- tranzistorul de sarcin ocup o suprafa mult mai mic dect o rezisten de
dren;
- nivelul logic UNU este fixat de tensiunea de alimentare VDD ;
- nivelul logic ZERO depinde de geometriile celor dou tranzistoare;
- parametrii statici sunt mai buni ca la circuitul precedent;
- timpii de comutare sunt comparabili cu cei ai schemei precedente.

Inversorul NMOS cu sarcin TMOS saturat

- elimin sursa suplimentar;

Elecronic Digitala

- tranzistor amplificator Qa; tranzistor de sarcin Qs;

- VGS = VDS > VGS - Vp
- deci mereu n zona de saturaie, mereu la distan Vp de grani (parabol)

* caracteristica de transfer:

- vi V pa V p - Ta blocat, Ts n zona liniar:

- iDs VDD V p VoH 0

1 2
2
- VoH VDD V ps VDD V p
- vi V pa V p , Ta deschis la saturaie; Ts n saturaie:
- egalitatea curenilor:

ka
vi V p 2 k VDD vo V p 2
s
2 2
ka
cu notaia: a2 ; rezult:
ks
vo VDD V p avi V p
Elecronic Digitala

- caracteristic liniar, cu panta ce reprezint i amplificarea de tensiune pe care

o realizeaz acest montaj;
- vi V pa V p , Ta n zona liniar, Ts n saturaie:
vo2
ks
VDD V p vo ka vi V p vo
2
2 2
2
- se amplific cu i se ordoneaz dup puterile lui vo ;
ks

vo2 (1 a 2 ) 2vo vi V p a 2 VDD V p VDD V p 0
2

- de aici se deduce simplu vo (vi ) ;

- trecerea ntre cele dou zone:
Vi1 V pa Vi1 V p Vo1 ; se obine:
VDD V p VDD aVp
Vi1 V p ;
1 a 1 a
* tensiunea corespunztoare nivelului logic ZERO:
- pentru vi VoH VDD V p , rezult aproximativ:

VoL 2
VDD V p
2

2a VDD 2V p
- comentarii: a , VDD V p ;
ka Z a Ls
- semnificaia lui a ;
ks Z s La

AADAR, un tranzistor nMOS (comandat cu VDD pe poart) nu poate transmite

tensiunea din dren (VDD) n surs; sursa poate ajunge la VDD-Vp (a.. VGS = VP,
altfel tranzistorul se nchide). Similar, un tranzistor pMOS (comandat cu 0 pe
poart) nu poate transmite tensiunea din dren (0) n surs; sursa poate ajunge la
Vp (a.. VSG = VP, altfel tranzistorul se nchide).

* caracteristici de alimentare:
I DDH 0;

I DDL
ks
VDD V p 2 ka2 VDD V p 2
2 2a
Elecronic Digitala

Pd
ka
VDD VDD V p 2
4a 2
* regim tranzitoriu

- comutarea direct: dac se neglijeaz curentul tranzistorului de sarcin,

descrcarea capacitii de sarcin se face prin tranzistorul amplificator, ca la
inversorul cu sarcin rezistiv:
Elecronic Digitala

- comutarea invers: tranzistorul amplificator se blocheaz i capacitatea de

sarcin se ncarc prin tranzistorul de sarcin ce funcioneaz n zona de
saturaie:

Inversor CMOS

- Aceast schem este cea folosit n circuitele integrate digitale

- parametrii tranzistoarelor:
- tensiunile de prag: V p V p (depind de tehnologie);
n p

- factorii geometrici alei n aa fel nct factorii de conducie s fie ct

mai apropiai:
Zn Z p
kn k p ;
Ln L p
nivelele logice ale inversorului CMOS:
Elecronic Digitala

- cele dou tranzistoare funcioneaz n contratimp;

- nivelele logice nu depind de raportul dintre cei doi factori de conducie;

- din grafice: VoH VDD ; VoL 0

- analitic:

iDp


k p VDD V p VDD VoH
p VDD VoH
2

0;
2
deci: VoH 0;


2
n n VoL
iD kn VDD V p VoL ; deci: VoL 0.
2
Concluzie:
- nivele logice bine precizate, independente de condiiile reale de
funcionare (inversor ideal);
- utilizarea integral a tensiunii de alimentare (inversor ideal).

caracteristica de transfer:
Elecronic Digitala

* 5 zone ale caracteristicii:

* zona I, pentru 0 Vi V pn , Tn blocat, Tp n zona liniar:


k p VDD VoH V p VDD VoH
p VDD VoH
2

0;
2
vo VDD VoH ;

* zona II: vi V pn , Tn saturat; Tp liniar;

V v 2
k p VDD vi V pp VDD vo DD o kn
vi V p
p
;
2

2 2
k 2
- se noteaz: n a i rezult:
kp

vo vi V pp V DD vi V pp
2

a 2 vi V pn ;
2

* zona III: ambele tranzistoare n saturaie, V pn vi V prL :

- panta infinit; rezult tensiunea de prag logic, V prL ;
- panta real;

kn
V n
prL V p
2

kp
V DD V pp V prL ;
2 2
VDD V pp aV pn
V prL ;
1 a
n p
- dac: V p V p V p i kn k p k a 1 :
V
V prL DD ; avantaj (inversor ideal);
2
V
- marginile de zgomot ideale sunt egale cu DD (maxime) (inversor ideal);
2
- tensiunea Vo1 , la care se face treceea Tp n saturaie:

Vo1

VDD a V pp V pn
0,5VDD V p sau:
1 a
Elecronic Digitala

p p
VDS VDD Vo1 vGS V pp VDD V prL V pp , adic:
Vo1 V prL V pp .
* zona IV, pentru: V prL vi VDD V pp : Tn n zona liniar, Tp
saturat:

kp

VDD vi V pp 2
n vo2

kn vi V p vo de unde:
2 2

vo vi V pn 2 1
2
vi V pn 2 VDD vi V pp i:
a

Vo 2 V prL V pn .
* zona V, pentru: VDD V pp vi VDD
vo2
n

kn vi V p vo 0 , de unde: vo VoL 0 .
2

marginile de zgomot statice:

- definite n raport cu tensiunea de prag logic:

VDD V pp aV pn
MZL V prL VoL ;
1 a
aVDD V pp aV pn
MZH VDD V prL
1 a
- pentru un circuit simetric:
MZL MZH 0,5VDD (egale, maxime); (se apropie de inversorul
ideal);
- conform definiiei:
' ''
- se determin Vi ( 1) i Vi (1) pentru tranzistoare cu parametri
simetrici:
dvo
1

2 VDD Vi ' (1) V p 2 Vi ' (1) V p
1

dvi '
2
2 V V (1) V V (1) V
DD i
' 2
p i p
Elecronic Digitala

VDD Vi ' ( 1) V p
- se noteaz: '
x0
Vi ( 1) V p
x 1
2 x 2 2 x 1 4( x 2 1)
x2 1
5
3x 2 2 x 5 0 x1 1; x2
3
VDD Vi ' (1) V p 5 3VDD 2V p
Vi ' (1)
Vi ' ( 1) V p 3 8
dvo
1

2 Vi '' (1) V p 2 VDD Vi '' (1) V p 1
dvi ''
2

2 Vi (1) V p VDD Vi '' (1) V p 2

Vi" ( 1) V p
- se noteaz: "
y0
VDD Vi ( 1) V p
y 1 5
- se obine ecuaia: 2 cu soluia: y ;
y2 1 3
Vi" (1) V p 5 " 5VDD 2V p
Vi (1)
VDD Vi" (1) V p 3 8
- se calculeaz marginile de zgomot:
3VDD 2V p
MZL Vi ' (1) VoL
8
5VDD 2V p 3VDD 2V p
MZH VoH Vi'' (1) VDD MZL
8 8
- egale i mari;
Concluzie: marginile de zgomot statice sunt garantate la valori de:
0,3 0,45VDD .
* importana tensiunii de alimentare asupra caracteristicii de transfer:

VDD 2V p VDD 2V p VDD 2V p

- nu
Elecronic Digitala

caracteristici de intrare

* circuit de protecie la intrare:

- poarta este izolat i poate acumula sarcini electrice;
- deoarece suprafaa este foarte mic, se poate strpunge poarta chiar la
sarcini mici (cmpul electric este foarte mare);
- diodele D1 i D2 limiteaz tensiunea de la intrare;
- rezistena distribuit limiteaz curentul prin D1 i D2 dac se deschid;
- apar diode parazite asociate rezistenei.
- diod Zener de protecie pentru supracreteri ale tensiunii de alimentare.

- se obin:
- Z int foarte mare, 100 M ;
- cureni de intrare foarte mici (inversor ideal) dependeni de VDD
i de temperatur 20 C 100 C :
o o

0,03 nA 1,6 nA la vi 0;
0,036 nA 0,7nA la vi 15V ;
caracteristici de ieire

- rezistenele de ieire date de rezistenele celor dou TMOS n conducie

valori de ordinul sutelor de ;
- numrul de circuite identice ce poate fi comandat este, practic, nelimitat
(inversor ideal);
- limitarea fan-out este dat numai de regimul tranzitoriu;

caracteristici de alimentare
Elecronic Digitala

* tensiunea de alimentare (n interiorul circuitului/ partea de I/O e de obicei

standard): limitat de tehnologie/ puterea disipat (val max), respectiv de Vp/
timpul de comutare (valoarea minim);
* curenii de alimentare: I DDL 0; I DDH 0; Pd 0. (inversor
ideal);
- totui se disip putere datorit curenilor reziduali de ordinul W .
* caracteristica de alimentare iDD (vi ) :

- 0 vi V pn iDD 0;

- Vp
n
vi V prL iDD
kn
2
2
vi V pn ;
- V prL vi VDD V pp iDD
kp
2

VDD vi V pp ;
2

- VDD V pp vi VDD iDD 0 ;

2
kn VDD V p aV p
p n
n
- I DD max iDD (V prL ) Vp
2 1 a

- I DD max
kn VDD V p V p
p n 2

kn k p

VDD V pp V pn
2

2 1 a

2 kn k p
2

- pentru parametri simetrici:

I DD max
k
VDD 2Vp 2 ;
8
- exemplu numeric (tranzistor discret):
Elecronic Digitala

VDD 10V ; V p 1,5V ; k 16 A / V 2 I DD max 100 A .

Nivele logice uzuale (pentru I/O circuitelor digitale)

- Apare (uneori) nevoia de convertoare de nivel, dac sunt circuite cu nivele
de I/O diferite

regimul tranzitoriu

- sarcin capacitiv, C s ;
- fenomene fizice la comutarea in ambele sensuri:

- forma de und complet:

Elecronic Digitala

a) comutarea direct
- P1-P2: se deschide Tn, se nchide Tp; t P P 0 ;
1 2
- P2-P3: Tn deschis n saturaie (se descarc C s ), Tp blocat:

vo (t ) VDD
1 k
VDD V p 2 t ;
Cs 2
- condiia de trecere a lui Tn n regiunea liniar (VDS VGS V p ):
vo (t P2 P3 ) VDD V p ; rezult:
2C Vp Vp 2Cs
t P2 P3 s cu:
k VDD V p
.
k VDD V p 2 VDD V p
- P3-P4: Tn deschis n regiunea liniar, Tp blocat:
vo2
k VDD V p vo
dvo
Cs cu: vo (0) VDD V p ;
dt 2
Elecronic Digitala

2Cs dvo
dt ;
k vo2 2VDD V p vo
t 2Cs 1 1 vo 1 1
dt dvo
0 k VDD V p 2 VDD V p vo 2VDD V p vo

t ln vo 2(VDD V p ln vo VvoDD V p sau:
1
2
vo
vo 2(VDD V p ) 2(VDD V p ) vo
t ln ln
2 vo V V
2 vo
DD p
- se poate explicita tensiunea funcie de timp:
2VDD V p vo 2t
e ;
vo

vo VDD V p VDD V p 1 1 2t
2 2 sau:
2t
e 1 e 1

t

t

e e
vo VDD V p 1 t VDD V p 1 th .
t

t


e e
- timpul t P P se definete ca fiind intervalul de timp dup care s-a parcurs

3 4
0,9V 0,9 VDD V p , adic pentru vo (t P P ) 0,1(VDD V p ) :
2VDD V p 0,1VDD V p
3 4

t P3 P4 ln ln 19 1,45 .
2 0,1VDD V p 2
- durata frontului descresctor:
Vp
t fHL t P2 P3 t P3 P4 1,45 ;
VDD V p
- timpul de propagare pe frontul descresctor:

2(VDD V p ) V prL Vp 3VDD 4V p

t pHL t P2 P3 ln ln
2 V prL VDD V p 2 VDD
Elecronic Digitala

- influena prametrilor circuitului asupra timpilor de comutaie;

b) comutarea invers:
- P4-P5: se deschide Tp, se nchide Tn; t P P 0 ; Consideram kp=kn=k; Vp
4 5
egala.
- P5-P6: Tp deschis n saturaie (se ncarc C s ), Tn blocat:

vo (t )
1 k
VDD V p 2 t (deoarece vo (0) 0 );
Cs 2
- condiia ca Tp s ias din saturaie:
VDD V p VDsat VDD vo (t P5 P6 ) vo (t P5 P6 ) V p
- rezult:
2Cs Vp Vp
t P5 P6 t P2 P3 ;
k VDD V p 2
VDD V p
- P6-P1: Tp deschis n regiunea liniar, Tn blocat:

Cs
dvo
k VDD V p VDD vo
VDD vo
2

dt 2
- condiia iniial: vo (0) V p .
- se noteaz: VDD vo u cu: u (0) VDD V p i dvo du ;
- se obine:
u2
k VDD V p u adic aceeai ecuaie ca
du
Cs la
dt 2
comutarea direct, cu variabila u :
2(VDD V p ) u 2(VDD V p ) (VDD vo )
t ln ln
2 u 2 VDD vo
vo VDD VDD V p 1 th
t

- se obin urmtorii timpi de comutaie, la fel ca la comutarea direct (egali
pentru ca kp=kn=k si Vp identica) :

t P6 P1 ln 19 1,45 ;
2
Elecronic Digitala

Vp
t fLH 1,45 t fHL ;
VDD V p
Vp 2VDD V p VDD V prL
t pLH ln t pHL .
VDD V p 2 VDD V prL
- pentru Vp=VDD/3, se obin : tfLH=tfHL=1.95 i tp=0.75.

Aranjarea tranzistoarelor pentru un inversor CMOS, doua variante de plasare. In

ambele cazuri Z pentru M2 (pMOS) este mai mare decat pentru M1 (nMOS)
de circa 3 ori in aceasta tehnologie. Uzual, se alege Zp= 2Zn.
Aceasta dimensionare este esentiala pentru a garanta k n=kp (aproximativ) si deci
o caracteristica statica simetrica, cu VprL=VDD/2 si regimuri tranzitorii simetrice
(tf, tp egali la trecerea LH si HL).
Elecronic Digitala

Deoarece regimul dinamic depinde de o constant de timp (n care unul din

termeni este chiar Cs), rezult c avem un regim dinamic similar cu al circuitului
RC serie. n consecin, putem echiva, din punct de vedere al regimului dinamic,
un tranzistor MOS cu o rezisten echivalent Re.
Conceptual, putem aproxima Re chiar cu expresia:
2
Re / Cs
k VDD V p
(n practic se pot folosi alte valori, a.. rezultatele calcului simplificat s fie ct
mai aproape de cele msurate efectiv).

OBS. depinde de VDD. Daca pt un circuit dat VDD creste scade (respectiv
fmax creste)

Aceast proprietate simplific analiza regimului dinamic al schemelor cu

tranzistoare MOS. Pentru a putea ine cont uor de factorul de form, se poate
scrie:
2 L
Re R 'e
Z Z,
k'
L
VDD Vp
cu
2
R 'e
k ' VDD V p
care depinde exclusiv de parametrii procesului i de VDD. Astfel, pentru a
impune o anumit Re, se calculeaz uor raportul Z/L necesar.

- concluzii:
- comportare simetric la cele dou tranziii;
- influena puternic a tensiunii de alimentare.
- exemplu numeric:
Zn
VDD 10V ; V p 1,5V ; k 16 A / V 2 ; 5 C s 2 pF
Ln
6ns; t fHL t fLH 1,1 8,7 9,8 ns;
t pHL t pLH 1,1 2,8 3,9 ns.
(pentru un proces in care L=3 m aprox, cu Cox=0.6fF/m2).
Elecronic Digitala

In acelasi caz, dac alimentm la VDD=5V i considerm Z/L=1, =21.4 ns.

Pentru a vedea evoluia cu tehnologia:
-pentru un proces in care L=1 m, Cox=1.75 fF/m2, k=47 A/V2, VDD=2.4V,
=4.63 ns
-pentru un proces in care L=0.1 m, Cox=16 fF/m2, k=400 A/V2, VDD=1.1V,
=0.11 ns=110ps
-pentru un proces in care L=0.05 m, Cox=25 fF/m2, k=810 A/V2, VDD=0.8V,
=0.029 ns=29ps
OBS. Valori reale; valorile scalate conform modelului la camp electric
constant sunt mai mari!

puterea disipat n regim tranzitoriu

- componenta determinat de regimul tranzitoriu al capacitilor de sarcin;

* suma puterilor disipate la cele dou tranziii:
To To

1
Pdis iDn vo dt iDp (VDD vo )dt
2

To o To

2

To
dv 1 2 Cs VDD Cs 2
iDn Cs o ; i v
Dn o dt v dv
o o VDD ;
dt To o To o 2To
Cs 2 2
Pdis VDD CsVDD fo ;
To
- dependena de frecven;
- dependena de ptratul tensiunii de alimentare.
- VDD > VDDmin, a.i. frecventa f0 sa poata fi atinsa (circuitul sa aiba
suficient de mic)
- energie luat de la surs doar la ncrcare (pierderi + energia stocat n
condensator), pierderi la ncrcare i la descrcare

- componenta determinat de fronturile neideale ale impulsurilor de comand

se poate aproxima cu 0.2*CsV2DDf0;
Puterea total disipat n regimul dinamic de inversor va fi deci 1.2*CsV2DDf0;
Aceast formul se pstreaz i pentru blocuri mai complexe. n consecin,
putem determina puterea disipat n regimul dinamic de o schem cu N pori ca
fiind:
Pdis 1.2 NCsmedVDD 2
fo ,
Elecronic Digitala

unde Csmed este capacitatea de sarcin medie pentru o poart.

n consecin, pentru orice cip logic, puterea disipat n regimul dinamic este de
forma K V2DDf0.
n toate aceste relaii f0 e frecvena de comutaie a circuitului/ blocurilor. Dac
ele comut la fiecare semnal de ceas, f0 este frecvena ceasului. Dearece n
general, ntr-un circuit mai complex diversele blocuri nu comut la fiecare ceas,
relaia ntre f0 = *fclk este, cu un coeficient mediu de comutaie (de ex 0.2
etc).
Puterea disipat n regim staionar (de obicei aceasta se calculeaz pentru starea
de sleep), este VDDIleak, unde Ileak este curentul absorbit de la surs n respectiva
stare (dat de catalog).

Reducerea puterii disipate:

a) Reducerea VDD si f cand nu e necesara putere mare de calcul;
i. Schimbare dinamica, in fct de programele care ruleaza la un
moment dat, la procesoarele de uz general
ii. la micro-controllere, se alege f min a.i. programul sa ruleze in t dat
apoi VDD min (pentru respectiva f), conform foii de catalog
b) Sleep/ hibernate oprirea alimentarii unor parti din chip/ sistem, cand nu
sunt folosite (timpul de reactie creste)
OBS la multe circuite (in special cele f complexe) VDD nu poate fi crescut (se
depaseste Pmax) nici scazut (creste t) -> racire suplimentara, resp. scadere f.
Exista si circuite care permit o plaja pentru VDD (la f dat), de ex unele
microcrontrollere

- comparaie cu circuite TTL

Elecronic Digitala

Evoluia cu tehnologia modelul ideal (cmp electric constant)

- ntre dou tehnologii succesive: dimensiunea tranzistoarelor pe fiecare

ax scade cu un factor s=0.7
- Aria scade cu s*s=0.5 (v. legea lui Moore)
- i alte dimensiuni scad (de ex. grosimea izolatorului)
- Model ideal toate mrimile care variaz, variaz, a.. cmpul electric pe
toate cele 3 axe este constant
- Adic ele variaz cu s (sau 1/s):

Mrimea tehnologic/ Valoarea pentru Valoarea pentru

fizic tehnologia i tehnologia i+1
Lungimea canalului L s*L
Limea canalului (pentru Z s*Z
acelai factor de form)
Grosimea izolatorului s*
Capacitatea pe unitatea de Cox= 1/s*Cox (crete)
arie
Factorul de conducie k 1/s*k (crete)
Tensiunea de prag Vp s*Vp
Tensiunea de alimentare VDD s*VDD
(tipic de fapt ea ine
indirect de tehnologie i e
aleas de proiectant)
Curentul nominal prin ID s*ID
tranzistor
Constanta de timp s*
Frecvena ceasului f 1/s*f (crete)
Aria pentru aceeai A s2*A
schem
Aria total (dublare nr de At At (constant)
tranzistoare)
Puterea disipat pentru Pa s2*Pa
acelai circuit
Puterea disipat total P P (constant)
(dublare numr de
tranzistoare, A = const.)
Elecronic Digitala

Evoluia cu tehnologia modelul real actual (f aprox constanta)

- n realitate, acest model nu se mai respect (n ntregime) de mai mult

vreme
- aa cum se tie, n ultimii ani frecvena a rmas (aproximativ) constant
(iar puterea de calcul a crescut prin folosirea de mai multe core-uri).
- Chiar mai devreme, dei f cretea, asta se ntmpla prin creterea puterii
totale
- Principala diferen: la Vp (i deci VDD); motivul: creterea foarte mare a
curentului de pierderi dac Vp este f mic la tensiuni apropiate ca valoare
de Vp, exist curent de pierderi, chiar la VGS=0 (cu att mai mare cu ct
diferena ntre VGS i Vp e mai mic)

- Practic, Vp i VDD au sczut cu un factor aproximativ sv=0.85 (n loc de

s=0.7)
- Efecte: constant de timp f mic, dar crete puterea f mult (dac f crete
cu 1/s)
- Practic, puterea disipat total este constant dac f este (aprox) constant
- Mai mult, scalarea, chiar n condiiile acestea, se face cu eforturi continue
de limitare a curentului de pierderi (materiale izolatore noi, structuri FIN-
FET, SOI, etc. aa cum vom vedea)
Elecronic Digitala

Pori logice CMOS

Inversor three-state:

Dac OE=1 funcionare normal de inversor

OE=0 starea de mare impedan (poarta nu este afectat de valoarea lui
Vo, care poate fi modificat de alt bloc permite interconectarea la o
magistral)

(este nevoie de un inversor suplimentar,

pentru negarea lui OE)

Poarta NAND (I-NU):

Tabela de adevr i schema

corespunztoare:

A B Vo
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0

Poarta NOR (SAU-NU):

Tabela de adevr (cu evidenierea strii tranzistoarelor) i schema

corespunztoare:
Elecronic Digitala

A B Vo T1 T2 T3 T4
0 0 1 on on - -
0 1 0 on - - on
1 0 0 - ? on -
1 1 0 - - on on

- se obs. c pentru a avea ieirea conectat la VDD trebuie ca T1 i T2 s

primeasc pe poart comand (altfel cel puin unul din ele va fi blocat i legtura
la VDD nu se realizeaz)
- n ce stare e T2 cand A=1 i B=0 ?

Poarta AND

Tabela de adevr:

A B Vo
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1

ATENIE: tranzistoarele P-MOS se leag numai la VDD, N-MOS numai

la GND pt a avea nivele VDD/0 (nu VDD-Vp, Vp) .
Dou soluii:
- poart NAND i apoi inversor;
Elecronic Digitala

- poart NOR, cu intrri A\, B\ (negate);

A doua soluie: din tabel, sau pt. c:

+ = . = .

Prima soluie: arie mai mic (1 inversor). Preferat i pt. c permite uor
adugarea de funcionare three-state:

Poarta XOR (SAU Exclusiv):

Tabela de adevr (cu evidenierea ramurilor

de circuit aflate n conducie) i schema
corespunztoare:

A B Vo R1 R2 R3 R4
0 0 0 - - - on
0 1 1 on - - -
1 0 1 - on - -
1 1 0 - - on -
Elecronic Digitala

Dimensionarea tranzistoarelor n porile logice

Pt. inversor: Zp=2Zn

(pt simetria regimurilor de comutaie, precum i a caracteristicii statice, deoarece
kn =2-3kp)
Se poate nota Z (pt tranzistorul NMOS), 2Z (pt tranzistorul PMOS)

Dimensionarea unei ramuri de 2 tranzistoare n serie:

- fie o ramur cu cele dou tranzistoare de tip n, identice

- regimurile de funcionare, a.i. iD1=iD2 i VDS1+VDS2=Vo, cu Vo variind

ntre 1 i 0 (pentru descrcarea lui Cs):
- dac pe cele dou pori se aplic VDD:
VGS1=VDD, VGS2=VDD-VDS1 ;
conform figurii, pct de funcionare n care se deschid tranzistoarele:

VGS1=VDD
iDS

VGS2=VDD-VDS1
iDS1=iDS2

VDS1 VDD
 Elecronic Digitala

- deci comutaia ncepe la un curent sensibil mai mic dect cel al ramurii
cu un singur tranzistor (ca la inversor), comandat cu VGS1=VDD i
conectat cu sursa la mas aprox. jumtate (i deci timpul de comutare
va fi aprox. dublu) OBS - in figura, Vdd= 1V, Vp= 0.3 V
- soluia: creterea factorului de form la ambele tranzistoare T1 i T2
(de ce nu e suficient s cretem doar pentru T2 ?)
- adic limea fiecruia din cele dou tranzistoare trebuie s fie dubl
fa de situaia cnd ramura are un singur tranzistor (ca la inversor) pt
a asigura acelai timp de comutaie: 2Z

Dimensionarea unei ramuri de n tranzistoare n serie:

- dac sunt NMOS, limea lor este nZ
- dac sunt PMOS, limea lor este de n ori cea de la inversor, adic 2nZ

OBSERVAII
1) Dac am crete factorul de form doar pentru T2, curentul ar tinde s
creasc (spre curentul maxim), dar i Vds1 va crete, deci Vgs2 va
scdea! Echilibrul se atinge la ids1=ids2=66% din curentul maxim
(corespunztor schemei cu un singur tranzistor). Acest lucru se poate
verifica rezolvnd ecuaia ids1=ids2, cu ids1 n regiune ohmic i ids2 n
saturaie, rezultnd Vds1 i apoi valoarea curentului. n figur este
reprezentat raportul ntre curentul rezultat i cel maxim, cnd factorul de
form al lui T1 e constant i cel al lui T2 ia valori ntre 1 i 9.

ids2/imax

Z2/L2
Elecronic Digitala

2) Acelai lucru se poate verifica dac modelm fiecare tranzistor printr-o

rezisten echivalent (corespunztoare factorului lui de form). n acest
caz, pentru schema cu un tranzistor Rtot=Re1, pentru schema cu dou
tranzistoare nseriate Rtot=Re1+Re2 i pentru a obine valoarea ce mai sus,
trebuie scazute (la jumtate) ambele rezistene, nu doar Re2!

Dimensionarea unei pori logice:

- considerm Z limea de referin (a tranzistorului N din inversor)
- pentru fiecare ramur cu n tranzistoare NMOS se dimensioneaz
tranzistoarele la nZ
- pentru fiecare ramur cu n tranzistoare PMOS se dimensioneaz
tranzistoarele la 2nZ
Ex : poarta XOR

Evident, aceasta duce la structuri ineficiente pentru numr mare de intrri. De

aceea, pentru mai mult de 3-4 intrri se prefer (n proiectarea respectivului
bloc) s se foloseasc circuite echivalente cu mai puine intrri (precum i alte
tehnici)
De ex., o poart NOR cu 6 intrri se poate implementa cu dou scheme NOR de
3 intrri i o poart AND cu 2 intrri

Caracteristica static a porilor logice

-similar cu cea a inversorului

Elecronic Digitala

-diferene: fie poarta NAND cu 2 intrri, dimensionat ca mai sus

-caracteristica va fi similar cu cea a inversorului dac B=1 i A variaz 0 -1,
apropiat (dar uor deplasat la stnga dac B= variaz 0-1, A =1 i respectiv
mai deplasat la dreapta, dac ambele intrri variaz simultan
-VprL variaz aadar n funcie de intrri!

Caracteristica static a porii NAND pentru

diverse combinaii de intrri: A=1 i B variaz
ntre 0 -1 (o), A= variaz ntre 0 -1 i B = 1(*),
respectiv A=B, ambele variaz ntre 0-1 (+).
Date simulate; caracteristicile nu sunt perfect
verticale la VprL datorit creterii uoare a
curentului i n zona de saturaie

-OBS pentru explicaie, considerai pentru

nceput c primele 2 cazuri sunt identice i
explicai diferena fa de cazul 3 prin
inegalitatea factorilor de conducie ntre
tranzistoarele inversorului echivalent
Elecronic Digitala

Circuite combinaionale mai complexe ex unui circuit de adunare/ scdere pe n

bii

- se adun bit cu bit An+Bn

- trebuie inut cont de transportul de la bitul precedent
- trebuie generat eventualul transport pentru bitul urmtor
- scderea a dou numere = adunarea numrului A cu complementul n
raport cu 2 al numrului B

Tabela de adevr pentru suma a doi bii An + Bn:

An Bn Cn-1 Sn Cn
0 0 0 0 0
0 1 0 1 0
1 0 0 1 0
1 1 0 0 1
0 0 1 1 0
0 1 1 0 1
1 0 1 0 1
1 1 1 1 1

Schema pentru sumatorul pe 1 bit:

Prin conectare, se obine sumatorul pe n bii

Elecronic Digitala

Se observ c S0 este prima ieire care ajunge la valoarea corect (dup 2t pXOR),
iar Sn-1 ultima, deoarece trebuie ateptat ca C0, C1Cn-2 s ajung la valorile
corecte (aproximativ 3(n-1)tp, dac timpii de propagare prin porile XOR i
NAND sunt egali).

Impulsuri eronate pe ieirile porilor. Hazardul la comutaie

Fie o poart NOR, la care intrrile A i B variaz astfel:

A A

B B

Vo Vo

Dac semnalele nu variaz perfect sincronizat, i A este ntrziat fa de B, este

posibil ca la un moment dat A=0, B=0 i ieirea s nceap s comute spre 1 (i
chiar s ajung la nivelul 1 logic).
A B T1 T2 T3 T4 Vo
0 1 1 X X 1 0
0 0 1 1 X X 1
1 0 X 1 1 X 0

Efecte negative:
Elecronic Digitala

- consum de putere
- posibil propagare a semnalului eronat

Evitarea:
- comutarea unei intrri se face cnd cealalt este stabil (adic, dac A
comut, B stabil pt un timp cel puin egal cu tp (altfel se poate pierde
valoarea), sau chiar 2-3 tp pentru a se evita impulsurile nedorite). De
asemenea, pulsurile cu durat prea scurt (uzual circa 2-3 tp) trebuie
evitate.
- Practic, aceasta se ntmpl dac A i B comut sincronizat (v. Circuite
secveniale)

Chiar pentru circuite n care intrrile n schem comut la anumite momente de

timp (sincronizat), apar riscuri de hazard n interiorul schemei:
- expresiile de forma x+x/, precum i xx/ reprezint surse de risc de hazard
(impulsuri eronate) pentru c n timpul comutaiei lui x, x/ va avea pentru un
scurt timp (tp al inversorului) exact valoarea lui x.

Impacteaz schemele complicate! De ex: ax+bx/ - daca a=b=1 i x variaz apare

un risc de impulsuri eronate. Soluia de corectare: se adaug termenul ab. Ea nu
schimb valoarea expresiei, dar garanteaz ieirea 1 cnd a=b=1, indiferent de x
(adic i n timpul comutaiei).
Dar pentru expresia: ab+b/c+a/c/d?
a=c=1 hazard pentru ab+b/c
a/=d=b/=1 hazard pentru b/c+ac/d
b=c/=d=1 - hazard pentru ab+a/c/d
Deci ab+b/c+a/c/d = ab+b/c+a/c/d + ac+a/b/d+bc/d