IMPERFECCIONES CRISTALINAS

LOS DEFECTOS O IMPERFECCIONES AFECTAN LAS PROPIEDADES FISICAS Y

MECANICAS:

AFECTAN LA CAPACIDAD DE FORMACION DE ALEACIONES EN FRIO.

CONDUCTIVIDAD ELECTRICA DE SEMICONDUCTORES
VELOCIDAD DE MIGRACION DE ATOMOS EN ALEACIONES
CORROSION DE METALES

CLASIFICACION DE LAS IMPERFECCIONES DE LA RED CRISTALINA:

1. DEFECTOS PUNTUALES DE DIMENSION CERO

2. DEFECTOS DE LINEA O DE UNA DIMENSION (DISLOCACIONES)
3. DEFECTOS DE DOS DIMENSIONES QUE INCLUYEN SUPERFICIES
EXTERNAS Y LIMITES DE GRANO INTERNOS.

DEFECTOS MACROSCOPICOS TRIDIMENSIONALES: POROS, FISURAS

INCLUSIONES EXTRAAS.
 DEFECTOS PUNTUALES
Son aquellos referidos a nivel atmico o imperfecciones asociadas a los puntos reticulares,
este tipo de defecto rompe la estructura del cristal en dimensiones atmicas. Estos defectos
pueden ser:

Vacancias: Se definen como la ausencia Intersticiales: Son

de un tomo en el esquema peridico de repeticin aquellos tomos de una
de la estructura cristalina, o por la prdida del tomo sustancia que por sus
que se encontraba en esa posicin. O simplemente dimensiones se introduce en un
una posicin atmica desocupada. intersticio, es decir, en un lugar
Se producen: vaco de la estructura propia de
Perturbaciones locales durante el crecimiento de otra sustancia.
los cristales.
Reordenamiento atmico en un cristal.
Deformacin plstica del metal
Enfriamiento rpido de mayores a menores
temperatura.
 DEFECTOS PUNTUALES: CONCENTRACION DE
VACANCIAS

Qv
n n exp
RT
n es la cantidad de atomos por cm3
Q es la energa necesaria para producir un mol de vacancias1.987calK
T es la temperatura en K
 DEFECTOS PUNTUALES: CONCENTRACION DE
VACANCIAS

Concentracin de Vacancias (Cv):

Se define como el cociente del nmero de sitios vacantes entre el
nmero de tomos de la estructura:
Cv = /N

La concentracin de vacancias es una funcin de la energa de

activacin para generar la vacancia y de la temperatura, es decir:

Cv = e-Ev/RT

: Constante propia del material

Ev: Energa de activacin para formar una vacancia
R:Constante de Boltzman = 1,38.10-16erg/K = 8,31.10-7 erg/Kmol =
8,63.10-5 eV/K
 DEFECTOS PUNTUALES EN CRISTALES IONICOS

Los defectos puntuales en los slidos inicos son ms complejos, debido a la

necesidad de mantener la neutralidad elctrica de los mismos.

Si un catin se mueve hacia una posicin intersticial en un cristal inico, una vacante
de catin se crea en la posicin del in. Esta dualidad vacante-defecto intersticial se
llama imperfeccin de FrenKel .
Defecto de Frenkel: Es aquel en el cual un in toma una posicin intersticial.

Cuando dos iones de carga opuesta se pierden en un cristal inico, se crea un par de
huecos debidos al anin y al catin conocido como imperfeccin Scholtky.
Defecto de Schottky: Es aquel en el cual existe una vacancia de un par de iones.
 DEFECTOS DE LINEA (DISLOCACIONES)

Las dislocaciones, en slidos cristalinos son defectos que dan lugar a una
distorsin de la red centrada en torno a una lnea.
Se crean:
1. Durante la solidificacin de los slidos cristalinos
2. Se pueden formar por deformacin plstica del slido cristalino, por
condensacin de vacantes y por emparejamientos atmicos incorrectos en
soluciones slidas.

LAS DISLOCACIONES SON DEFECTOS DE DESEQUILIBRIO Y ALMACENAN

ENERGIA EN LA REGION DISTORSIONADA EN LA RED DEL CRISTAL EN TORNO A
LA DISLOCACION.
 DEFECTOS LINEALES: DISLOCACION DE BORDE

SE CREA EN UN CRISTAL POR

INSERCION DE UN SEMIPLANO
ADICIONAL DE ATOMOS.

UNA , INDICA UNA DISLOCACION DE

BORDE POSITIVA.

UNA T INDICA UNA DISLOCACION DE

BORDE NEGATIVA.

LA DISTANCIA DE DESPLAZAMIENTO
DE LOS ATOMOS EN TORNO A UNA
DISLOCACION SE DENOMINA
DESLIZAMIENTO O VECTOR b DE
BURGERS Y ES PERPENDICULAR A LA
LINEA DE DISLOCACION DE BORDE.

ESTA TIENE UNA ZONA DE ESFUERZO

DE COMPRESION DONDE SE
ENCUENTRA EL SEMIPLANO
ADICIONAL DE ATOMOS Y UNA DE
TENSION POR DEBAJO DEL
SEMIPLANO DE ATOMOS.
DEFECTOS LINEALES: DISLOCACION HELICOIDAL

Se forma en un cristal por aplicacin de esfuerzos de cizalladura en las regiones

de un cristal que han sido separadas por un plano cortante.

Estos esfuerzos introducen en la red una regin de distorsin en forma de espiral

o rampa helicoidal que los planos atmicos trazan alrededor de la lnea de
dislocacin. Esta regin no esta bien definida pero alcanza el ancho de varios
tomos.

En torno a este tipo de dislocacin se crea una tensin de cizalla en la que se

almacena energa.

En este tipo de dislocacin el vector burgers es paralelo a la lnea de dislocacin.

 DISLOCACIONES

La red cristalina se distorsiona alrededor de una lnea. Se crean durante la solidificacin del slido
cristalino, por deformacin plstica del cristal, por condensacin de vacantes, por desajustes de
tamaos atmicos en disoluciones slidas.

Dislocacin de Borde:
Dislocacin tornillo : Se La distancia de
genera en un plano que desplazamiento de los
se somete a un tomos alrededor de
esfuerzo de corte. una dislocacin se
denomina vertor b de
Se provoca un deslizamiento o de
desplazamiento que Burgers y es
genera una superficie perpendicular a la lnea
de un plano en forma de dislocacin [esta es
de espiral semejante al perpendicular al plano
movimiento de un del dibujo].
tornillo.
Hay una zona de
Aqu la lnea de compresin donde se
dislocacin y el vector insert el plano y una
desplazamiento b son de traccin por
paralelos. debajo del mismo.
DEFECTOS LINEALES: MEZCLA DE DISLOCACIONES

La mayor parte de las dislocaciones son

una mezcla de ambas, tienen
componentes de borde y helicoidal.
 DEFECTOS SUPERFICIALES O PLANARES - BORDES DE GRANO

Los defectos superficiales son los lmites o bordes o planos que

dividen un material en regiones, cada una de las cuales tiene la
misma estructura cristalina pero diferente orientacin.

Los bordes de grano son imperfecciones en la superficie que

separa los granos [cristales] de diferentes orientaciones en
materiales policristalinos. Es una regin de tomos mal
distribuidos entre granos adyacentes.

En los metales los lmites de grano se crean durante la

solidificacin cuando los cristales formados a partir de diferentes
ncleos crecen simultneamente y se encuentran unos con
otros.

El borde de grano es una regin estrecha. El empaquetamiento

atmico de los bordes de grano es algo menor que dentro de los
granos.

El ms bajo empaquetamiento atmico tambin permite la

difusin ms rpida de los tomos en la regin de los bordes de
grano.

La energa ms alta de los bordes de grano y su estructura ms

abierta hacen de ellos una regin ms favorable para la
nucleacin y el crecimiento de precipitados.

A temperaturas normales los bordes de grano limitan el flujo

plstico que permite el movimiento de dislocaciones.
 DEFECTOS DE SUPERFICIE

FALLAS DE APILAMIENTO.

Se observa como la interrupcin de la secuencia de apilamiento

ordenado de las estructuras cristalinas

Falla intrnseca: esta AAAAAAA AAAAA

falla se representa BBBBBBB BBBBB
por la falta de parte CCCCCCC CCCCC
de una capa, de AAAAAAA AAAAA
tomos en la BBBBBBB BB
secuencia de CCCCCC CCCCCC
apilamiento.

Fronteras superficiales,
interfases o
planos que separan un AAAAAAA AAAAA
Falla extrnseca: esta
material en BBBBBBB BBBBB
falla se representa
regiones de la misma CCCCCCC CCCCC
por la existencia de
estructura AAAAAAA AAAAA
una capa adicional
cristalina pero con BBBBBBB bbbbbb
en la secuencia de
distintas CCCCCCC bbbbbb
apilamiento
orientaciones CCCCC
cristalogrficas.
 DEFECTOS DE SUPERFICIE

MACLA es un tipo especial de lmite de grano en el cual los tomos de un lado del lmite estn localizados en una
posicin que es la imagen especular de los tomos del otro lado.

Las maclas consisten en agrupaciones homogneas de la misma especie que poseen en comn dos de sus tres
direcciones cristalogrficas principales. Muchas maclas se reconocen fcilmente debido a que en ellas existen
ngulos entrantes dirigidos hacia el interior del cristal.

MACLAS EN UN ACERO
AUSTENITICO 304
 LIMITES DE GRANO
Los bordes de grano son lmites
que separan granos (cristales)
de diferentes orientaciones en
un agregado policristalino.

Se crean durante la
solidificacin cuando los
cristales se han formado a partir
de diferentes ncleos que
crecen simultneamente
juntndose unos a otros. Estructura
bidimensional de
La energa ms alta de los un materia
bordes de grano y su estructura
ms abierta, hacen de ellos una
regin ms favorable para la
nucleacin y el crecimiento de
precipitados. Tambin el ms
bajo empaquetamiento atmico
en los bordes de grano, permite (a) Aceros
la difusin ms rpida de los de bajo
tomos en la regin de los carbono
bordes de grano. A
temperaturas normales, los (b) Oxido de
Bordes de Grano, limitan el Magnesi
flujo plstico creando o
dificultades para el movimiento
 ESTRUCTURA DE GRANO EN LOS MATERIALES
Grano: Regiones de dimensiones menores a 0.1
mm que conservan un orden de largo alcance.
Todo aquello (visto en el microscopio) de
dimensiones superiores a 1 de ancho, puede ser
considerado un grano .

En general, los materiales de grano fino muestran

mejor tenacidad o resistencia al impacto, adems
son ms duros y fuertes que los materiales de Slido Policristalino formado por muchos
grano grueso. granos orientados en forma aleatoria y
separados por fronteras de granos.

Lmite de Grano: Es la frontera entre un cristal y otro, es decir, es el lugar donde la

regularidad cambia de direccin. En los lmites de grano, la energa interna de la estructura
es mayor que en el centro del grano.

Fase: Se define como fase de un sistema de aleacin a una porcin fsicamente

diferenciable y qumicamente homognea (uniforme en su composicin qumica).
"Es una porcin coexistente y homognea qumicamente en un sistema de aleacin. De
composicin qumica y propiedades diferentes a la matriz que la contiene."
 EFECTOS DE LA PRESENCIA DE DEFECTOS

1. La incorporacin de impurezas en materiales semiconductores pueden incrementar

su conductividad.
2. Las propiedades de los materiales pueden modificarse a travs de procesos de
difusin en slidos que involucran movimientos de vacancias y de impurezas
intersticiales (semiconductores).

3. La dureza de los metales puede incrementarse por el agregado de impurezas

intersticiales o sustitucionales, ya que incrementan la tensin en la red. Se
incrementa la resistencia al deslizamiento. Se dificulta la iniciacin y continuidad de
la deformacin plstica.

4. Las dislocaciones estn estrechamente ligadas a los procesos de deformacin

plstica de materiales.

5. La presencia de los bordes de grano afecta las propiedades de los materiales.

6. A mayor tamao de grano, mejor conductividad elctrica pues el borde de grano

impide el movimiento de los electrones.

7. A mayor tamao de grano, menor resistencia mecnica, pues las dislocaciones

tendrn mayor movilidad dentro del cristal.