FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

CURVAS CARACTERSTICAS DEL

OSCILADOR GUNN
INFORME PREVIO N1

EE 545 M

Estudiantes:

Gutierrez, Elvis
Sandro
Chavez Huacachino, Manuel Isidro 2013
Valverde Gonzales Hernn Rafael 20132514F

Profesor:

Ing. Armando Cajahuaringa

Curso:

Microondas

Ciclo Acadmico:

2017-2
I. DESARROLLO TEORICO
DIODO GUNN
Es un diodo que se utiliza en la electrnica de alta frecuencia. Se
diferencia de los diodos comunes porque tiene regiones solo tipo N. En
las 3 regiones que posee, dos de ellas estn dopadas con el tipo N y
divididas con una lamina dopada ligeramente. Cuando se aplica un
voltaje en los terminales de esta, en la zona intermedia , se genera un
alto gradiente elctrico.
EFECTO GUNN
Este efecto se utiliza para la generacin de oscilaciones en el rango de
microondas en los semiconductores.
Este efecto solo se da en materiales de tipo N y habr las oscilaciones
se originan si hay campo elctrico.

GUIA DE ONDA
Son estructuras metlicas que permite transmitir las ondas
electromagnticas de un punto a otro. Las estructuras pueden ser
paraleleppedos, cuadradas, cilndricas, etc.
Generalmente las frecuencias varian de 300MHz hasta 300 GHz.
 II. OBJETIVOS DE LA EXPERIENCIA

Determinacin de la curva del diodo Gunn.

Hallar las frecuencias de corte y resonancia.
Familiarizarse con el uso del frecuencmetro de absorcin para medir
frecuencias de las seales que se propagan en la gua de onda.

III. CIRCUITO DE MICROONDAS

737 01: OSCILADOR GUNN

737 06: AISLADOR DE FERRITA
73709: ATENUADOR VARIABLE
737 035: TRANSICIN GO/COAXIAL
737 03: COAX. DETECTOR

IV. RESPUESTA A LAS PREGUNTAS

P1) a) El diodo Gunn es una unin p-n?
Es un dispositivo electrnico que se le conoce como dispositivo de electron transferido
(TED).
Este dispositivo es diferente a los diodos de unin p-n, por lo que no conduce en
una sola direccin y no puede rectificar corriente alterna.
En la curva de comportamiento de este dispositivo existen 3 zonas: 2 de ellas son
altamente dopadas de tipo N en cada terminal con una capa delgada de bajo dopado
tipo n entre ellas.
Adems presenta un comportamiento de resistencia negativa, esta se aprovecha para
hacer osciladores de microondas.
b) Describa brevemente el efecto Gunn?
Generacin de potencia de microondas (potencia con frecuencias de microondas de
unos pocos GHz) cada vez que el voltaje aplicado a un dispositivo semiconductor
excede el valor de tensin crtico o valor de voltaje umbral, se presentarn oscilaciones
si es conectado a un circuito tanque adecuado.
 c) Cules son los materiales utilizados en la construccin del diodo Gunn?
Estos dispositivos son fabricados de un semiconductor de tipo-n. Los materiales ms
comunes son Arsenio-Galio (GaAs) y Fosforo-Indio (InP). Para fabricar estos
dispositivos se usan material de tipo n porque el efecto de electron transferido es solo
aplicable a electrones.

d) Qu es la resistencia negativa?
Es el comportamiento que exhibe el dispositivo en cierta regin de su curva V/I. Esto
significa que la corriente incrementa cuando el voltaje decrece. Esto permite al diodo Gunn
amplificar seales, pudiendo ser usado en amplificadores y osciladores.

P2) Puede cualquier dispositivo de resistencia negativa usarse para la amplificacin?

Los dispositivos que presenten el comportamiento de resistencia negativa gracias a la
caracterstica que en el caso fluya una corriente menor produzca un voltaje mayor, pueda
funcionar como un amplificador.

P3) a) Dibujar el circuito equivalente en la banda X del diodo Gunn de GaAs.

Voltaje resistivo: El cual presenta un

comportamiento de acuerdo al voltaje DC que
sea aplicado sobre el diodo.

Voltaje capacitivo: Debido a la capacitancia

del diodo presenta un voltaje que es
dependiente de la constante dielctrica
efectiva del material del diodo.

b) Mencione las principales caractersticas del diodo Gunn del laboratorio.

Inicialmente la corriente comienza a aumentar en este diodo, pero despus de alcanzar
un cierto nivel de voltaje (a un valor de tensin especificado llamado valor de voltaje
umbral), la corriente disminuye antes de aumentar de nuevo. La regin donde cae la
corriente se denomina regin de resistencia negativa, y debido a esto oscila. En esta
regin de resistencia negativa, este diodo acta como oscilador y amplificador, como en
esta regin, el diodo se habilita para amplificar seales.
Valores tpicos:
VOLTAJE DE POLARIZACIN: 9V
POTENCIA DE SALIDA: 300mW
CORRIENTE DE OPERACIN: 950mA
EFICIENCIA: 3.5%

c) Puede el diodo Gunn usarse para un amplificador?

A pesar de que su uso principal es como oscilador, s se pueden usar como amplificador.
Estos comportamientos que se mencionan se dan gracias a la caracterstica de resistencia
negativa.

d) Cules son los otros nombres de Diodo Gunn y Gunn oscilador?

TED (Transferred Electron Device) y Transferred Electron Oscillator, en referencia al
principio que presenta en su funcionamiento.
P4) Mencione algunas aplicaciones de Diodo Gunn.

Se utiliza como osciladores Gunn para generar frecuencias que van desde 100mW 5GHz a
1W 35GHz salidas. Estos osciladores de Gunn se utilizan para las comunicaciones de radio,
las fuentes militares y comerciales del radar.
Utilizado como sensores para detectar intrusos, para evitar el descarrilamiento de trenes.
Se utilizan como generadores de microondas eficientes con una gama de frecuencias de
hasta cientos de GHz.
Se utiliza para detectores de vibracin remotos y tacmetros de medicin de velocidad de
rotacin.
Se utiliza como un generador de corriente de microondas (generador de diodos Pulsed
Gunn).
P5) Indicar lo que significa cada letra(s) de los trminos IMPATT, TRAPATT, y PIN que
hacen referencia a los tipos de diodos.
IMPATT: Impact Ionization Avalanche Transit Time
TRAPATT: Trapped Plasma Avalanche Triggered Transit Time
PIN: P region, Intrinsic region, N region

P6) a) Cul es el uso de un diodo de cristal (detector)?

Se usan principalmente para detectar la seal portadora en una seal que recepciona. En
este caso detectar la seal de microondas obtenida por la sonda y proveer la corriente
rectificada.

b) Qu es un dispositivo de ley cuadrtica?

Es aquel dispositivo que produce una corriente de salida que es proporcional al cuadrado
de la seal de voltaje de entrada.

c) Mencione las condiciones para que un diodo de cristal pueda funcionar como un
dispositivo de ley cuadrtica.
La corriente rectificada debe ser menor que 20uA o la potencia de entrada debe ser menor
que 10mW.

P7) a) Nombre los tipos de diodos de cristal utilizados.

b) Dibujar el circuito equivalente de un cristal detector de microondas.
c) Adems de la deteccin de seales, cules son las otras aplicaciones del diodo de
cristal?
P8) a) Qu diodo de cristal se utiliza comnmente para las operaciones de banda X (cdigo
de fabricante)?
b) Dar a la relacin entre la corriente de salida y la tensin de entrada para un diodo de
cristal.
P9) a) Qu es una gua de onda?
b) Definir la longitud de onda de una gua de onda.
c) Defina la longitud de onda de corte de una gua de onda.
d) Escribir la relacin entre la longitud de onda en la gua, longitud de onda de corte y
longitud de onda en el espacio libre.
P10) Defina lo que es el modo dominante en una gua de ondas. Mencione el modo dominante
de guas de ondas rectangulares y circulares.
P11) Sila dimensin ms amplia de una gua de onda rectangular es 2.2 cm, cul es su
frecuencia de corte y su longitud de onda es el modo dominante?
P12) De la gua de laboratorio, indique las dimensiones de las dimensiones a y b de la gua
de onda; b) Indique el rango de frecuencias de la banda X. corresponden a la
frecuencias de corte para el modo dominante?
P13) Dibuje el espectro de los 6 modos de propagacin que corresponden a las frecuencias
de corte mas bajas en una G.O. rectangular de banda X
P14) Cul es el rango de frecuencias preferida para la operacin de las gua de ondas? Por
qu?
P15) Es la gua de onda equivalente a un filtro de paso alto o el filtro de paso bajo? Explicar
P16) a) Qu es el modo TE y el modo TM? b) En la notacin TEmn y TMmn que
representan la m y n?

V. BIBLIOGRAFIA
Gunn diode, Revolvy, [Pgina
web]https://www.revolvy.com/main/index.php?s=Gunn%20diode
Gunn diode, Tarun Agarwal, [Pgina web] https://www.elprocus.com/gunn-diode-
working-characteristics-and-its-applications/
The Gunn Effect, Johannes Kepler Universitt Linz,
https://www.nhn.ou.edu/~johnson/Education/Juniorlab/Microwave/Gunn%20Effect.p
df
http://uspas.fnal.gov/materials/08UCSC/mml17_nonlinear_circuit_elements.pdf
Gunn diode, Ian Poole, [Pgina web] http://www.radio-
electronics.com/info/data/semicond/gunndiode/transferred-electron-device-
oscillators-circuits.php
Some numerical and experimental observations on the growth of oscillations in an X-
band gunn oscillator, B. C. Sarkar1, C. Koley, A. K. Guin , and S. Sarkar.