Sunteți pe pagina 1din 5

Ministerul Educaiei al Republicii Moldova

Universitatea Tehnic a Moldovei

REFERAT
Lucrarea de laborator nr.1
la disciplina Electronica
Tema: Studierea tranzistoarelor bipolare

A efectuat:
____________ ___________

A verificat:
lect., sup. P.Metlinschi

Chisinau 2016
Scopul lucrarii: Determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in
conexiunea cu baza comuna (BC) si cu emitorul comun (EC) si calcularea parametrilor
hpentru semnale mici.

Schema montajului experimental:

Tabelele cu datele experimentale:


Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului bipolar in
conexiunea BC

UEB, mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280

UCB=
IE, 0V
mA UCB=
-5 V
Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de iesire ale tranzistorului bipolar in
conexiunea BC
UCB, V 0 2 4 6 8 10 12 14
IE =
IC , 5 mA
mA IE =
10 mA
Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului bipolar in
conexiunea EC

UBE, mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280


UCE=
IB, 0V
mA UCE=
-5 V

Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de iesire ale tranzistorului bipolar in


conexiunea EC

UCE, V 0 0.5 1 1.5 2 3 4 6 8 10 12


IB =
IB , 100 A
mA IB =
200 A

Formule de calcul:
Conexiunea BC
Rezistenta de intrare a tranzistorului bipolar in conexiunea BC in regim de scurtcircuit la iesire
DU EB
h11B = ;U CB = const
DI E

Factorul invers de amplificare in tensiune(factorul de reactive in tensiune) in regim de mers in


gol la intrare
DU EB DU EB
h12 B = ; I E = const =
DU CB U CB1 - U CB 2

Factorul de transfer al curentului tranzistorului bipolar in conexiunea BC la regimul de


scurtcircuitare la iesire
DI
h21B = C ;U CB = const
DI E

Admitanta de iesire a tranzistorului in conexiunea BC la regimul de functionare in gol in


circuitul de intrare
DI 'C
h22 B = ; I E = const
DU CB

Conexiunea EC
Rezistenta de intrare a tranzistorului bipolar in conexiunea EC la conditia de scurtcircuit la iesire
DU BE
h11E = ;U CE = const
DI B

Factorul invers de amplificare in tensiune al tranzistorului in conexiunea EC cind baza este in


gol(functionarea in gol la intrare)
DU BE
h12 E = ; I B = const
DU CE

Factorul de transfer al curentului(de amplificare) tranzistorului bipolar in conexiunea EC cind


colectorul este scurtcircuitat
DI
h21E = C ;U CE = const
DI B

Admitanta de iesire a tranzistorului in conexiunea EC cind baza este in gol


DI 'C
h22 E = ; I B = const
DU CE

Valorile parametrilor h determinate din caracteristicile statice si calculate dupa formulele


corespunzatoare:
Baza comuna (BC)
DU EB
h11B = =
DI E
DU EB
h12 B = =
DU CB

DI C
h21B = =
DI E

DI C
h22 B = =
DU CB

Emitor comun (EC):


DU BE
h11E = =
DI B

DU BE
h12 E = =
DU CE

DI C
h21E = =
DI B

DI C
h22 E = =
DU CE
Concluzii: