Proiect

1.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT361.
Tranzistorul este un dispozitiv avnd o structur de tip p-n-p, la care regiunea din
mijloc, adic baza trebuie s fie foarte subire i puin dotat cu impuriti. Se
consider a nota cu E-emitorul, cu B-baza i C-colectorul.
Pentru faricarea tranzistorului KT361, care este de tip p-n-p, se folosete metoda
planar. Din punct de vedere constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cu
aceea c toate straturile sunt realizate pe una i aceeai parte a plachetei, deaceea i
electrozii sunt plasai pe aceeai parte.
Masca n form de oxid de siliciu SiO2 , o primim prin metoda oxidrii termice a
suprafeelor de siliciu, care posed urmtoarele proprieti:
1. Masca de oxid este legat organic cu suprafaa plachetei, avnd un contact trainic
cu ea, ceea ce exclude ptrunderea difuzorului n locul dintre masc i suprafa.
2. Grosimea mtii de oxid (aproximativ un micron) este destul pentru aprarea
prilor respective a plachetei mpotriva atomilor ce difuzeaz.
3. Stratul d oxid n acelai timp cu funcia de mascare ndeplinete i funcia de
aprare (nseamn i a p-n jonciunii, care iese la suprafa) de la influiena
diferitor factori externi. n cazul, tehnologiilor de aliere i mesa pentru asta este
nevoie de a folosi metode speciale de protecie.
Ciclul de fabricare planar a tranzistorului p-n-p este ilustrat n figura 1. Se ea o
plachet din Si tip-n, care n structura rezultant joac rolul de colector. Pe aceast
plachet peste prima masc de oxid se efectuiaz difuzia acceptorului (de obicei bor)
i se primete stratul p al bazei. Apoi peste a doua masc se face difuzia donorilor (de
obicei fosfor) astfel primim stratul emitorului. n sfrit cu ajutorul celei de-a treia
mti de oxid se conecteaz contactele omice din aluminiu la toate cele trei straturi i
n continuar esunt lipite la aceste contacte srmulie subiri care joac rolul de
piciorue ale tranzistorului.
n varianta considerat placheta este aleas cu o rezisten destul de mare, pentru a
asigura o tensiune de strpungerea a jonciunii colectorului necesar.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Mod Coal N Document Semn. Data 3 - 3 -9/28/20179/28/2017
SiO2
a)
b)
E B C
d)
Figura 1. Etapele de fabricare a tranzistorului planar de tip p-n-p.

a) placheta naintea difuziei bazei.
b) placheta naintea difuziei emitorului.
c) placheta naintea alierii contactelor omice.
d) Structura rezultant a tranzistorului de tip p-n-p.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
2. Procedee fizice n tranzistorul bipolar cu structura
p-n-p.
Structura sinplificat a unui tranzistor de tip p-n-p este prezentat n fig. 2,a ,
iar reprezentarea schematic a tranzistorului n fig. 2,b.
La aplicarea tensiunei la jonciunile tranzistorului bipolar, se observ c o
jonciune este polarizat direct iar alta indirect. Astfel la conectarea direct a
tranzistorului, jonciunei creia i s-a aplicat tensiune pozitiv se numete jonciunea
emitorului, iar stratul exterior ce-i corespunde se numete emitor (E); strtul din mijloc
se numete baz (B). Cea dea doua jonciune polarizat indirect se numete
jonciunea colectorului iar stratul exterior ei colector (C).
Deoarece straturile exterioare ale emitorului i colectorului sunt de acelai tip
n dependen de conectarea tranzistorului pot fi schimbate cu locul. Acest
conectare se numete inversoare. La conectarea inversoare parametrii tranzistorilor
reali se deosebesc esenial de parametrii tranzistorilor conectai direct.
n dependen de tehnologia de fabricare a tranzistorului concentraia
impuritilor n baz poate fi distribuit uniform sau neuniform. La distrbuia
uniform lipsete cmpul electric intern astfel purttorii de sarcin, nimerii n baz,
se mic n ea datorit procesului de difuzie. Astfel de tranzistoare se numesc fr
drift.
La distribuia neuniform a impuritilor n baz exist un cmp electric
interior i purttorii minoritari se mic n baz datorit procesului de difuzie i de
Coala
UTM FRT TLC 101 001
drift, ns procesul de drift este majoritar. Aceti tranzistori se numesc tranzistori cu
drift.
La fabricarea tranzistorilor, emitorul i colectorul se realizeaz din materiale cu
rezisten joas, iar baza - relativ cu o rezisten mare (zeci sute de ohmi). Cu toate
acestea regiunea emitorului are o rezistivitate puin mai mic dect cea a colectorului.
La aplicarea tensiunii U EB i U CB
la bornele tranzistorului (fig. 3) jonciunea
emitorului este polarizat direct, iar a colectorului indirect.

n rezultatul micorrii tensiunii de barier, golurile din regiunea emitorului
difundeaz prin jonciunea p-n n baz (are loc injecia golurilor), iar electronii din
W
IE IC
E C E C
p n p
IB B
B a) b)
Fig. 2,a,b.
baz difundeaz n emitor. Deoarece rezistivitatea bazei este mare concentraia

purttorilor minoritari crete i devine mai mare ca cea a purttorilor majoritari.
Pentru preuirea cantitativ a componentelor curentului total prin jonciunea p-n se
utilizeaz coeficientul de injecie:
I Ep I Ep I En I Ep IE ,
unde I Ep i I En sunt componentele curentului format de goluri i electroni prin

jonciunnea p-n; I E este curentul total a jonciunii p-n.
Golurile, injectate n baz , formeaz n apropierea jonciunii p-n o sarcin
spaial, care n decursul timpului compenseaz electronii, care vin din reeaua
exterioar de la sursa U EB . Analogic are loc compensarea electronilor cu gourile din
regiunea emitorului, dar deoarece injecia golurilor din emitor este mare aceste
Coala
UTM FRT TLC 101 001
porocese pot fi neglijate. Electronii ce vin n baz de la reeaua de alimentare
formeaz curentul bazei I B , care este orientat din baz.
Din cauza difernei de concentraie n baz are loc recombinarea unor purttori
de sarcin iar ceilali ajung la colector. Astfel dac lrgimea bazei ar fi destul de mare
(W>3L), atunci toi purttorii injectai n baz ar recombin n ea,
ceia ce nseamn c curentul colector ar fi egal cu curentul de scurgere care este egal
cu curentul care apare la polarizarea indirect a jonciunii p-n. ns n toi tranzistorii
reali limea bazei W este mult mai mic dect lungimei de difuzie, adic W<<0,2L.
De aeasta timpul de via a purttorilor minoritari de sarcin n
E n B C p
p
IE IB IB IC
UEB UCB
Fig. 3
baz este mult mai mare dect timpul necesar pentru trecerea lor prin baz. Cea mai
mare parte a golurilor injectai n baz nu reuesc s recombine cu electronii, iar
nimerind n apropierea jonciunii colectorului sunt accelerai de ctre cmpul electric
i astfel fiind atrai n colector (acest proces se numete extracia purttorilor).
Electronii, numrul crora este egal cu numrul golurilor, care au ieit prin
jonciunea tranzistorului, la rndul su pleac prin electrodul bazei formnd curentul
I B , orientat spre baz.
n aa fel, curentul ce trece prin baz este format de dou componente de sens
opus. Dac n baz procesul de recombinare ar lipsi atunci aceti cureni ar fi egali iar
curentul rezultant ar fi nul. ns deoarece n orice tranzistor are loc recombinarea,
curentul jonciunii emitorului este puin mai mare ca cel al colectorului. Valoarea
Coala
UTM FRT TLC 101 001
relativ a purttorilor minoritari ce au ajuns la colector sunt caracterizai de
coeficientul de transfer:
C E I Cp I Ep ,
unde C , E - concentraia golurilor care au trecut prin jonciunile colectorului i

emitorului; I Cp , I Ep - curenii colector i emitor formai de goluri.
Golurile n baz sunt purttori minoritatri i uor trec prin jonciunea blocat a
colectorului. n timpul, determinat de constanta dielectric de relaxare , golurile
recombin cu electronii. Dac ar lipsi recombinarea n baz, ceia ce nseamn c ar
exista numai injecia unilateral, atunci toi purttorii de sarcin, injectai de emitor,
ar ajunge la colector. ns n realitate numai o parte din curentul emitorului sunt
goluri i numai o parte ajung la colector. De aceasta curentul colectorului,
provocat de injecia purttorilor minoritari de sarcin prin jonciunea emitorului, este:
I C I E ; ,
unde - coeficientul de transfer al curentului emitorului.

nafar de curentul, provocat de injectarea n baz a purttorilor minoritari de
sarcin,prin jonciunea p-n, polarizat indirect, mai curge un curent nedirijabil numit
curent de scurgere I CB 0 . Cauza apariiei este aceiai ca i la monojonciunea p-n.
Astfel curentul total al colectorului este:
I C I E I CB 0 (1)
Schimbarea tensiunii la jonciunea emitorului duce la schimbarea cantitii
purttorilor minoritari de sarcin injectai n baz i respectiv schimbarea curentului
colector.
3. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale (borne) i poate fi conectat n
circuit dup unul din montajele fundamentale, prezentate n fig.4; montajele
fundamentale sunt denumite i conexiuni fundamentale.
Figura 4. Montajele sau conexiunile fundamentale pentru tranzistorul pnp.

aconexiunea emitor comun(EC); bconexiunea baz comun(BC); cconexiunea colector comun(CC).
n oricare dintre conexiunile fundamentale se disting dou circuite: un circuit de

intrare, n care se aplic semnalul pentru prelucrare i un circuit de de ieire, n care
se obine semnalul prelucrat. Una din bornele tranzistorului face parte din ambele
circuite i se ia ca electrod de referin; acest electrod (terminal) este denumit i
electrod comun. Lund n consideraie care dintre cele trei borne ale tranzistorului
este considerat electrod comun se disting trei conexiuni fundamentale i anume:
conexiunea baz comun (BC); conexiunea emitor comun (EC); conexiunea colector
comun (CC).Cele mai folosite snt primele dou caracteristici statice.
Caracteristicile statice da relaia dintre dou mrimi de la bornele tranzistorului
cnd a treia este meninut constant.
3.1 Caracteristicile statice n conexiune BC.

Coala
UTM FRT TLC 101 001
Cuplarea tranzistorului n schem baz comun, adic electrodul comun este
baza. n aceast conexiune caracteristicile statice de intrare prezint dependena
dintre curentul la intrare care prezint curentul emitorului IE, cnd tensiunea aplicat
la jonciunea emitorului este meninut constant, iar tensiunea la colector se
schimb.
Dup formele sale, caracteristicile statice snt apropiate de caracteristicile volt-
amper ale diodei. Diferena dintre caracteristicile de intrare primite, pentru diferite
tensiuni la colector nu snt mari, mai ales n conexiunea baz comun fa de cele
ale diodei.
n caracteristicile volt-amper n conexiunea baz comun la intrare este
prezentat dependena IE=f(UBE), cnd UCB=const., iar la ieire avem dependena
IC=f(UCB), cnd IE=const..
Conform figurei 5, n care avem prezentate caracteristicile de intrare, observm o
zon n care ramurile cresc liniar, aceast liniaritate depinde de puterea tranzistorului.
n general ramurile au form exponenial i se descrie bine de expresia:
IE=A(eU -1)A eU ;
EB EB
(1).
n acest ecuaie =q/kt (la temperatura T=290K 40 v-1), iar semnul
tensiunilor de intrare UEB se i-a astfel nct la deplasarea direct a jonciunii
emitoruluimrimile s fie pozitive. Mrimea A se determin cu ajutorul formulei
Figura 5. Schema de cuplare a tranzistorului n baz comun

i caracteristica de intrare corespunztoare.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
I ES
A ; (2).
(1 inv )
unde IES curentul de saturaie a jonciunii emitorului;

inv coeficientul de trnsfer dup curent al tranzistorului, n curent continuu
la conectarea indirect.
Trebuie de menionat c i inv depind de curentul continuu la emitor i de tensiunea
aplicat la jonciunea colectorului.
n regiunea curenilor mari la cuplarea direct caracteristicile de ieire se
ndreapt, astfel unghiul de nclinare depinde de rezistena de volum a materialului
semiconductor, conectai n serie cu jonciunea emitorului.
Pentru schema cu BC defazajul ntre tensiunile de intrare i ieire lipsete, adic
faza tensiunii la amplificare nu se inverseaz. Trebuie de spus c schema cu BC are
distorsiuni mai mici dect etajul pe schema cu EC.
Caracteristicile de ieire reprezint dependena dintre curentul colectorului IC i
tensiunea UBC aplicat la jonciunea baz-colector.
n caracteristici destingem trei zone:
- Zona (1) n care caracteristicile au o form liniar i snt nclinate sub un
unghi mic fa de axa absciselor se numete activ normal. Unghiul mic de nclinare
ne arat dependena mic ntre curentul colectorului i tensiunea la colector. Aici
jonciunea emitor-baz este polarizat direct, iar jonciunea colector-baz este
polarizat indirect.
-Zona (2) este regiunea de blocare (sau tiere), n care ambele jonciuni snt
polarizate indirect. n consecin curentul emitorului este negativ, iar curentul
colectorului poate fi mai mic dect ICB0, conform relaiei IC=IE+ICB0.
-Zona (3) este regiunea de saturaie, n care ambele jonciuni snt polarizate
direct. Se observ c rezistena dinamic de ieire UCB/IC cnd IE= const. are valori
mult mai mici dect n zona (1), nclinarea zonelor fiind mult diferit de orizontal.
Aceasta este explicabil, ntruct la ieire se simte rezistena dinamic a jonciunii
colector-baz, care acum este direct polarizat .
-Zona (4) este zona n care are loc strpungerea tranzistorului. Coala
UTM FRT TLC 101 001
n fine, mai exist o zon activ invers, care nu este vizibil pe grafic.
n conexiunea baz comun, n regiunea activ normal zona de cretere a
curentului colectorului este aproximativ egal cu cea a emitorului i caracteristicile
snt practic identice pentru toate tipurile de tranzistoare.
Figura 6.Caracteristica de ieire

pentru tranzistorul cuplat n baz comun.
Unul dintre coeficienii cei mai utilizai de electroniti este coeficientul de transfer
dup curent i prezint raportul dintre amplitudine sau mrimea tensiunii variabile
care acioneaz la intrare i la ieire unui amplificator. Intrarea amplificatorului
prezint circuitul emitor baz, iar ieirea o constituie urmtorul circuit, adic baz
colector.
Se observ un lucru destul de important n tranzistor , i anume rezistena la intrare
este foarte mic fa de cea la ieire, n curent alternativ. Deaceia n tranzistor la
conectarea n baz comun, curentul la ieire nu depinde de rezistena sarcinii i este
egal cu:
Iie=-h21BIint;
Unde parametrul h21B se numete coeficientul de tarnsfer dup curent la un semnal
mic n schema cu baz comun n regim de scurtcircuitare a circuitului colectorului
Coeficientul h21B este o caracteristica a trnsferului unui semnal slab.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Raportul dintre curentul colectorului i cel al emitorului este notat prin KI i se
numete coeficientul de transfer dup curent:
IC
KI <1.
IE
3.2 Caracteristicile statice n conexiune EC.
Circuitul care polarizeaz tranzistorul n regiunea activ normal a caracteristicilor

statice este prezentat n figura 7.
Considernd tranzistorul un nod, aplicnd teorema lui Khirchhoff vom avea:
IE=IC+IB;
iar relaia fundamental este dat de formula:
IC=IE+ICB0;
Eliminnd din relaiile (1) i (2) IEvom obine:
IC=( IC+IB)+ ICB0;
de unde:
1
IC IB I CB 0
1 1
Se observ c:
I C I CB 0 I I CB 0 I C
C
1 I E I C I CB 0 I B I CB 0 I B
Cu ajutorul relaiei (5) se definete factorul static de ampligicare n curent n

conexiunea emitor comun. Acest factor se noteaz prin sau cu h21E.
Rezult c:

;
1
IC=IB+(+1)ICB0;
Produsul (+1)ICB0 se noteaz cu ICE0 i este curentul rezidual dintre emitor i colector,
cn dbaza este conectat n gol.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Trebuie s observm c numeric factorul static de amplificare este de ordinul
sutelor, iar ICE0 este circa de dou ordine mai mare dect ICB0
n asemenea conectare a tranzistorului pentru caracteristica de intrare curentul bazei
este funcie de tensiunea aplicat la baz-emitor, adic IB=f(UBE) cnd UCE= const., iar
pentru caracteristica de ieire avem IC=f(UCE) cnd IB= const..
n figura 8 este prezentat caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar n conexiune
emitor comun.
Figura 7.Circuitul de polarizare.
Figura 8.Caracteristica de intrare ale

tranzistorului bipolar n conexiunea EC.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Pe aceast caracteristic observm c caracteristica (I) se afl mai la stnga dect cea
de-a doua, deoarece ele snt caracteristicile unei diode, formate de dou jonciuni.
Caracteristica a II-a determin curentul de intrare, care este de baz, iar caracteristica
I-a arat curentul de intrare egal cu suma curenilor printre dou jonciuni paralele
deplasate n sens direct.
Caracteristicile II i III trec mai la dreapta fa de prima, fiindc curentul bazei este
numai o parte din curentul emitorului. Diferena dintre caracteristica II i III const n
aceia c la o anumit tensiune i mai mare ca ea jonciunea colectorului este deplasat
n sens indirect, iar la o tensiune mai mic jonciunea este deplasat direct.
n figura (9) este prezentat caracteristica de ieire pentru tranzistorul de tipul
n-p-n. Aici parametrul caracteristicilor este curentul bazei i nu dl emitorului.
Figura 9. Caracteristicile de ieire ale tranzistorului

bipolar n conexiunea EC.
Ele se deosebesc mult de cele n baz comun . n primul rnd prin aceia c ICE0
este de 50-100 ori mai mare, dect curentul ICB0, iar n al doilea rnd nclinaia
caracteristicilor este mai mare fa de cea n baz comun. n al terilea rnd, la aceiai
cretere a curentului bazei este diferit de cea a colectorului. i n fine caracteristicile
nu ajung la axa ordonatelor.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
La tensiuni mici la colector se urmrete o cdere brusc a curentului
colectorului cu micorarea tensiunii la emitor-colector i idnependena curentului
colectorului de cel al bazei. Se spune ca n acest moment tranzistorul intr n regim
de saturie, aceasta explic la tensiuni mici ale colector-emitor ambele jonciuni p-n
att a emitorului ct i a colectorului snt deplasate n sens direct.
Menionm c aceast tensiune UCE la care apare regimul de saturaie, este
destul de mic.
3.3 Cuplarea tranzistorului bipolar n-p-n n colector

comun.
n figura 4b este prezentat schema de cuplare a tranzistorului n colector

comun. Tensiunea pe emitor n aceast cuplare are aceiai polaritate ca i cea de la
intrare, avnd valori apropiate de ea.
Coeficientul de transfer dup curent reprezint raportul dintre curentul
emitorului i curentul bazei:
IE
KI 1
IB
Proprietatea cea mai de pre a conexiunii n colector comun este rezistena de intrare
foarte joas. Datorit rezistenei de intrare reduse tranzistorul n conexiunea colector
comun este echivalent unui generator de tensiune care se schimb neesenial la
variarea rezistenei de sarcin (bineneles pn cnd rezistena de sarcin nu
depete cu mult rezistena de ieire a generatorului).
4.Scheme echivalente a tranzistorului bipolar la diferite

frecvene de funcionare. Coala
UTM FRT TLC 101 001
4.1. Frecven joas.
Tranzistorul bipolar n funcie de parametrii circuitului n care este conectat are

diferite comportri. n acest compartiment vom cerceta tranzistorul la frecven joas.
Jonciunea colectorului, ct i jonciunea emitorului snt caracterizate prin nite
capaciti datorate de existena straturilor cu sarcini spaiale n regiunea jonciunii.
Deoarece jonciunea emitorului este alimentat n sens direct n capacitatea total a
acestei jonciuni va predomina componenta de difuzie a capacitii; invers, pentru
jonciunea colectorului alimentat n sens invers, va predomina capacitatea de barier
Ccb. Dei la o jonciune p-n valoarea capacitii de difuzie, n curent alternativ efectul
capacitii de barier colectorului (i emitorului) se face simit pentru frecvene care
nu sunt suficient de joase, astfel nct schema echivalent a tranzistorului lucrnd la
frecvene joase mai mari de 1000 Hz de exemplu, trebuie s fie completat prin
luarea n consideraie a acestor capaciti i n special prin considerarea capacitii
colectorului.
Capacitatea de difuzie a emitorului CBE a fost reprezentat punctat, subliniindu-se
astfel ralul ei este secundar fa de cel al capacitii de barier a colectoruluiCBC.
Expresiile capacitilor jonciunilor colectorului i emitorului se pot afla prin
rezolvarea ecuaiei Poisson pentru sarcinile spaiale din jonciunea respectiv. La
rndul ei, sarcina spaial poate fi exprimat prin diferite relaii n funcie de modul n
care snt distribuite impuritile n regiunea p i n care formeaz jonciunea. n toate
cazurile ns, capacitatea jonciunii va depinde invers proporional de tensiunea
aplicat jonciunii. Se arat c pentru jonciuni(deci i tranzistoare) obinute prin
1 1
aliere 1 pe cnd la jonciunile obinute prin cretere 1 . Pentru tensiuni
U 2
U 3
UC0=5 (V), capacitatea colectorului pentru tranzistori obinui prin aliere, este
aproximativ 20-30 pF. Pentru tranzistori obinui prin cretere, la o tensiune UC0=5
(V) , capacitatea colectorului este aproximativ 10 pF.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Figura 10. Schema echivalent a tranzistorului
la frecven joas(la conectarea n emitor comun)
4.2 Frecvene medii.
O deosebire esenial ntre schemele echivalente ale tranzistorului la frecven

joas i medie nu este, numai c frecvene joase mai apare i capacitatea CBC.
Figura 11. Schema echivalent a tranzistorului

la frecven medie(la conectarea n emitor comun)
4.3. Frecvene nalte. Circuitul echivalent Giacoletto.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Figura 12. Circuitul echivalent Giacoletto
(conexiune baz comun).
n figura 12. este schema circuitului echivalent Gicoletto, pentru un tranzistor

montat n conexiunea BC.
Dup cum se vede se pot distinge trei regiuni: regiunea 1 corespunde jonciunii
emitor-baz, care fiind direct polarizat poate fi echivelent cu o rezisten rBE, de
cteva sute de n paralel cu o capacitate CBE, de ordinul a sute de pF(capacitate de
difuzie).
Regiunea 2 modeleaz fenomenul de transport al purttorilor prin baz, cu ajutorul
generatorului de curent gmUEB i al rezistenei rCE (de ordinul a zeci de k), ce
corespunde difuziei purttorilor de la emitor spre colector. Totodat, rezistena rBB
este rezistena extrinsec a bazei (baza inactiv) i este n jur de 100 .
Regiunea 3 reprezint jonciunea colector-baz (invers polarizat), care se
nlocuiete cu o rezisten rBC de valoare mare (de ordinul 1M) i cu capacitatea CBC
de ordinul a civa pF (capacitatea debarier).
Punctul B corespunde regiunii active a bazei i este logic ca generatorul de curent
s depind doar de cderea de tensiune dintre emitor i baza activ (UEB).
Coeficientul de proporionalitate gm se numete panta tranzistorului i se definete
ca raportul dintre creterea infinitezimal a curentului de colector i creterea
infinitezimal a tensiunii baz-emitor care o genereaz, celelalte mrimi fiind
constante.
Aadar:
I C e
gm IC
U BE kT
i se poate demonstra c:
g m rBE h21 B
n fine, pentru ca circuitul s fie complet s-au mai figurat i capacitile parazite
dintre terminale (care sunt exerioare capsulei), i anume CEC, CBC i CEB. Acestea sunt
de ordinul a 1-4 pF, deci intervin n calcul doar la frecvene foarte nalte i din acest
motiv de cele mai multe ori se pot neglija. De menionat c exceptnd rCB i rEB care o
Coala
UTM FRT TLC 101 001
variaie mic, ceilali parametri ai circuitului Giacoletto propriu-zis depind puternic
de punctul de funcionare static(de exemplu rCB scade cu IC, iar CBE crete cu IC).
5. Parametrii H ai tranzistoarelor bipolare.

n oricare circuit de utilizare tranzistorul poate fi prezentat ca un cuadripol activ la
intrarea cruia avem tensiunea U1 i curge curentul I1 , iar la ieire tensiunea U2 i
curentul I2.
Figura 13. Reprezentarea tranzistorului ca un cuadripol.
Dup cum se tie din teoria circuitelor, legtura dintre tensiune i curent poate fin
prezentat cu o funcie ce depinde de dou necunoscute iar argumente pot fi oricare
dou din: U1, I1, U2, I2. Se utilizeaz doar cele patru de mai jos:
I1=f1(U1;U2)
I2=f2(U1;U2)
U1=1(I1;U2)
U2=2(I1;U2)
Aceste funcii pot fi scrise n form diferenial:
Coala
UTM FRT TLC 101 001
5.1. Legtura dintre parametrii h i parametrii fizici ai
tranzistorului.
Pentru tranzistoare cel mai des se folosesc parametrii h,deoarece ei sunt mai
comozi pentru msurri. Sistemul de ecuaii care arat legtura dentre tensiune i
curent cu parametrii h are forma:
dU1=h11dI1 h12dU2
dI2= h21dI1 h22dU2 (3)
Menionm c relaia (3) s-a obinut din relaia (2).

Sensul fizic al parametrilor h este urmtorul:
dU 1
h11 (4)-rezistena de intrare cnd la ieire avem scurtcircuit.
dI 2 dU 2 0
dU 1
h12
dU 2
(5)-coeficientul de transfer dup tensiune cnd la intrare avem
dI 1 0
mers n gol
dI 2
h21
dI 1
(6)-coeficientul de transfer dup curent cnd la ieire asigurm
dU 2 0
regim de scurtcircuit.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
dI 2
h22
dU 2
(7)-conductibilitatea de ieire cnd la intrare avem mers n gol.
dI 2 0
La ridicarea parametrilor h asigurm regimul de funcionare dup curent continuu,

iar parametrii h se msoar dup curent alternativ la valori ale semnalului reduse.
Parametrii h pot fi determinai din caracteristicile statice.
Figura 14. Schema echivalent de conectare n baz comun.
Baz comun: Emitor comun:

h 11B rE rB (1 ) h11E rB rE ( 1)
h 21B h 21E 1 *
rB rE
h 12B h 12E *
rC rC
1 *
h 22B h 22E
rC rC
Din punct de vedere numeric, domeniile uzuale pentru parametrii hibrizi h ai unui
tranzistor bipolar aliat de frecven joas sunt urmtoare:
h11 sute .....k ;
h12 10-4........10-3 ;
h21 zeci.........sute;
Coala
UTM FRT TLC 101 001
h22 zeci S ;
Avantajul principal al descrierii tranzistorului cu paremetrii h l constituie faptul c
acetea se msoar comod. Inconvenentul lor const n faptul c nu se pot utiliza
dect la frecven joas, din urmtorul motiv: doi din aceti parametri (h12 i h22) se
msoar cu condiia de gol la intrare; acesta se realizeaz corect la frecvene joase,
lsnd bornele respective neconectate, dar la frecvene nalte intervine reactana
capacitii dintre borne, care altereaz condiia de gol.
6. Funcionarea tranzistorului bipolar n regim de cheie

electronic.
Regimul de impusuri este caracteristic tranzistorului folosit n cirucuite digitale
logice i de memorie, care larg se utilizeaz n mainile de calcul, n dipozitivele
automaticii digitale, n schemele generatoarelor i transformatoarelor de impulsuri.
Pentru aceste scheme sunt tipice comutarea tranzistorului ntr-un timp scurt din starea
cu tensiunea la colector nalt i curent mic, n starea cu tensiunea colectorului mic
i curent mar(conectare) i comutarea invers (deconectare). n acest caz tensiunea i
curentul n tranzistor se schimb ntr-un diapazon larg, deaceea n cele mai multe
cazuri apare nelinearitatea caracteriticilor lui. Deaceea regimul de impulsuri se mai
numete deasemenea i regim de semnal mare.
Vom vedea schema cea mai simpl a cheie electronice fcute pe baza tranzistorului
bipolar de tip n-p-n, care conine: un tranzistor, care este conectat n schema emitor
comun, rezistenele R, RC n circuitele baz i emitor respectiv. n circuitul emitorului
este conectat sursa de tensiune EC.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Figura 15. Figura 16.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Dac la intrare vom aplica tensiune continu negativ atunci tranzistorul se afl n
regim mers n gol, curentul colectorului ce curge prin rezistena RC practic este
egal cu zero, iar tensiunea de la ieire este egal cu tensiunea sursei de alimentare
EC, ceea ce corespunde strii nchise a cheii electronice. Dac la intrare avem
tensiune pozitiv EB1, atunci n circuitul bazeitranzistorului curge curentul:
U B1 U BE
I B1 unde:UBE- tensiunea baz- emitor.
R
Cu toate acestea prin circuitul colectorului curge curentul IC, care aduce la apariia
unei cderi de tensiune pe rezistena RC, ceea ce corespunde regimului deschis a
cheiei electronice.
Tensiunea de ieire n regim deschis se poate de determinat din caracteristica de

ieire ICf(UCE) la IB=IB1, care este prezentat n figura 16 i este trasat dreapta de
sarcin. De obicei trebuie ca tensiunea Uieire ct se poate de mic i puin s
depind de tensiunea de intrare i de rezistena RC. Aceste cerine sunt satisfcute
n punctul de lucru B ce se afl pe partea abrupt a caracteristicii. Atunci:
Uieire=UCesat, unde UCesat - tensiunea de saturaie, trebuie s satiafac condiia de
existen a regimului de saturaie , adic:
I Csat
I B1 , unde ICsat curentul colectorului n regim de saturaie.

Voi descrie procesele care au loc n cheia electronic, ele sunt ilustrate pe figura 17
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Figura 17 a,b,c,d.
n regiunea 0-t1 ambele jonciuni sunt nchise, i tranzistorul se afl n regim de

mers n gol. n circuitul bazei curge un curent de drift format din purttori minoritari.
Acestui regim i corespunde punctul A din figura 16. Tranzistorul se afl n regim
nchis. Curentul colectorului, dup cum se vede din figura 17 , este mic i egal cu
curentul de scurgere a colectorului IC0. Tensiunea la ieirea cheii electronice este
apropiat de tensiunea EC, iar rezistena tranzistorului este mare:
EC
RNCHIS ;
IC0
n regiunea t1-t2 la intrarea tranzistorului acioneaz impulsul de polaritate pozitiv,

care aduce la comutarea tranzistorului n regim deschis cum jonciunea emitorului aa
i cea a colectorului. n momentul de timp t1 punctul de lucru se afl n A, iar apoi se
depleseaz pe dreapta de sarcin n direcia punctului B. La jonciunea emitorului se
aplic tensiunea de deschidere i dac rezistena bazei RB este mic, el repede trece n
regim deschis (dependea IE=f(t) ). n jonciunea emitorului predomin difuzia
electronilor n baz. Are loc recombinarea parial a electronilor, ns majoritatea lor
trec n jonciunea colectorului i ajung la colector. Rezistena tranzistorului se
micoreaz rapid, iar curentul ICICsat.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Din cauza micorrii tensiunii pe RC se micoreaz tensiunea colectorului, prin
urmare se micoreaz grosimea jonciunii colectorului i a sarcini din el. Are loc
ncrcarea jonciunii colectorului.
n punctul B tranzistorul trece n starea de saturaie. n acest caz se observ
injectarea electronilor din colector n baz. Jonciunea colectorului trece n starea
deschis. n baz se observ recombinarea electronilor cu golurile. Concentraia
golurilor n baz este mic, n comparaie cu concentraia electronilor care vin n
baz. Deaceea n baz are loc acumularea purttorilor minoritari-electroni. Pe
poriunea t1-t2 curentul bazei este: IB=IE-IC. Jonciunea colectorului ncepe s participe
n procesul de conectare cu un anumit timp de reinere tr, care se definete ca timpul
de trecere a purttorilor prin baz.
Timpul de mrire a curentului IC definete durata frontului tf i depinde de viteza de
ncrcare a jonciunii colectorului.
Timpul de comutare din stare deschis n stare nchis este :
tC=tr+tf ;
cum se vede din figura 17.b. tranzistorul a trecut n starea de saturaie, cnd curentul
bazei are valoarea IB4 . Mrirea de mai departe a curentului bazei la valoarea IB5 nu
aduce la mrirea considerabil a curentului colectorului IC n acest caz se mrete
numai gradul de saturaie a tranzistorului i mririi sarcinii de neechilibru n baz.
Starea de saturaie corespunde regimului deschis al tranzistorului. n acest caz
tranzistorul are o rezisten minim Rdeschis, care este egal cu rezistena a dou
jonciuni p-n, polarizate direct:
U Csat
R deschis ;
I Csat
UCsat- tensiunea de rest n tranzistor n stare nchis.

Pe poriunea t2-t3 se termin impulsului de intrare cu polaritate pozitiv, ns
tranzistorul nu de odat se ntoarce n starea iniial. Pe poriunea tp are loc
mprtierea sarcinii de neechilibru n baz. La prima etap de conectare concentraia
purttorilor de sarcin lng jonciunea colectorului rmne practic neschimbat prin
urmare, se pstreaz deplasarea pe linie dreapt. mprtierea se produce pe contul
cmpului accelerator a jonciunii colectorului i recombinarea purttorilor n regiunile
Coala
UTM FRT TLC 101 001
bazei i colectorului. Numai dup o micorare considerabil a purttorilor minoritari
din baz, tranzistorul trece n regimul activ, i punctul de lucru din B trece pe dreapta
de sarcin n punctul A.
La trecerea tranzistorului n regim activ are loc mprtierea definitiv a sarcinii de
neechilibru peste jonciunea colectorului. Capacitatea de ieire a tranzistorului se
ncarc , iar curentul colectorului se micoreaz dup legea exponenial i dup un
aumit timp, care se numete timp de scdere ts (figura 17.d.) primete valoarea iniial
IC0.
7. Funcionarea tranzistoarelor bipolare la frecvene

nalte.
Fie c la ieirea tranzistorului bipolar, care lucreaz n regim activ, avem un semnal
alternativ cu frecvena f. Dac timpul decurgerii a proceselor fizice n tranzistor,
stimulate de schimbarea semnalului de intrare, este de aceiai mrime sau ntrece
perioada lui, atunci frecvena semnalului se numete nalt. n aa fel, sensul de
frecvene nalte este ceva relativ, deoarece este legat cu proprietile ineriale ale
unui tip de tranzistoare concret.
La frecvene nalte rezistenele reactive ale condensatoarelor circuitelor la semnal
mic, pot fi mai mici ca rezistenele difereniale ale jonciunii colectorului i
emitorului. Deaceea parametrii h devin mrimi complexe, care depind de frecven.
Cu mrirea frecvenei din cauza micorrii rezistenelor reative a condensatoarelor se
micoreaz modulul rezistenei de intrare h11 i apare un defazaj ntre tensiunea de
intrare i curent. Micorarea rezistenei reactive a condensatorului CCbar cu creterea
frecvenei, aduce la mrirea modulului conductibilitii de intrare h22 , coeficientului
h12 .
De asemenea i coeficientul h21 depinde de frecven i este strns legat de
procesele fizice ce au loc n tranzistor. Putem s avem h21E =, h21B= gsite din
schema emitor comun i respectiv baz comun. Dependena de frecven a
coeficientului de transfer dup curent n schenma emitor comun i baz comun sunt
Coala
UTM FRT TLC 101 001
prezentate n figura 18 (la scar logaritmic) un sunt prezentate frecvenele
caracteristice:
Figura 18.
Din figur se vede, c la frecvene nalte valoarea h21 se micorez comparativ cu

valoarea ei la frecvene mici. Acest fapt limiteaz diapazonul de frecvene , n care
poate fi utilizat tranzistorul dat pentru amplificarea semnalului.
Cel mai important parametru al tranzistorului la frecvene nalte, care caracterizeaz
proprietile sale ineriale, este frecvena de tiere a coeficientului de transfer dup
curent fT. Ea se definete ca frecvena la care modulul de transfer dup curent n
circuitul emitor comun devine egal cu unitatea.
Se poate arta c pentru ridicarea frecvenei de tiere este nevoie de micorat
grosimea bazei i rezistena rc, adic grosimea regiunii colectorului care posed o
rezisten nalt, de mrit intensitatea cmpului electric n baz, mobilitatea
purttorilor din baz i densitatea curentului. ns la micorarea grosimii bazei se
micoreaz i tensiunea de strpungere. Din cauz c mobilitatea electronilor este de
cteva ori mai mare ca a golurilor rezult c i frecvena de tiere a tranzistorului de
tip n-p-n este mai mare dect ala tranzistoarele de tip p-n-p la aceiai grosime a bazei.
Dependena de frecven a coeficientului de transfer dup curent n schema emitor
comun este aproximat cu o funcie de tipul:
h21E
h 21E
f (1)
1 j
f
h 21 E Coala
UTM FRT TLC 101 001
Parametrul tranzistorului f21E , care este folosit n relaia (1) se numete frecvena
maxim a coeficientului de transfer dup curent n circuitul emitor comun . La
frecven modulul coeficientului de transfer dup curent se micoreaz de 0,707 ori
(pe 3 dB) n comparaie cu mrimea lui la frecven mic.
n regiunea frecvenelor ffh21E modulul de transfer dup curent poate fi prezentat n
forma:
h21E f h 21E
h 21E h21E
f
2
f (2)
1
f h 21E
n figur acestei regiuni i corespunde poriunea liniar (n scar logaritmic), care

la f=fT este extrapolat la unitate. Prin urmare:
fT=h21Efh21E (3)
Deoarece pe poriunea liniar produsul dintre coeficientului de transfer dup curent

i frecven este constant, frecvena de tiere poate fi determinat determinat,
msurnd h21E la orice frecven, care corespunde regiunii liniare.
Dependena de frecven a coeficientului de transfer dup n schema baz comun
deasemenea poate fi aproximat la o funcie de tipul (1):
h21B
h 21B
f (4)
1 j
f
h 21B
unde: fh21B- frecvena maxim a coeficientului de transfer dup curent n schema baz
comun. La aceast frecven coeficientul de transfer dup curent se micoreaz de
0,707 ori n comparaie cu mrimea lui la frecvene joase (figura 18). Frecvena
maxim n schema baz comun fh21B este cu mult mai mare dect n schema emitor
comun:
fh21B= fh21E(1h21E)(1m) (5) unde: m0,20,6

Coala
UTM FRT TLC 101 001
Frecvena cea mai nalt la care tranzistorul mai poate s genereze oscilaii n
circuitul autogeneratorului, se numete frecvena maxim de generare fmax.
Frecvena maxim de generare este legat cu frecvena de tiere cu relaia :
fT
f max (6)
8 rBCCbar
n concluzie, h21E are o variaie monoton descresctoare la frecvene nalte, ceea ce

limiteaz considerabil capacitatea tranzistorului de a amplifica n acest domeniu. Mai
mult dect att, de la frecvena de tiere n sus, el nu mai este capabil nici mcar s
repete semnalul de la intrare, ci l atenueaz.
8. Modelul matematic al tranzistorului.

Pentru a obine modelul matematic al tranzistorului se utilizeaz schema
prezentat n fig. 1. Fiecare jonciune este prezentat n form de o diod simpl, iar
interaciunea dinre ele este reprezentat prin dou generatoare de curent. Dac
jonciunea emitorului este deschis atunci n circuitul colectorului va curge un curent,
puin mai mic ca curentul emitorului (din cauza procesului de recombinare n baz).
Acest curent este obinut de ctre generatorul de curent N I 1 N 1 . Indicele N
reprezint conectarea normal sau direct. Deoarece n caz general tranzistorul poate
fi conectat i indirect, la care jonciunea colectorului este deschis iar cea a
emitorului este nchis, astfel rezult c curentului colector I 2 i corespunde
curentul emitorului I I 2 , n schema echivalent este introdus al doilea generator de
curent I I 2 , unde I - coeficientul de transfer al curentului emitorului.
n aa fel curenii emitor i colector n caz general conin dou componente:
cea injectat ( I 1 sau I 2 ) i cea colectat ( I I 2 sau N I 2 ):
I E I 1 I I 2 , I C N I 1 I 2 . (1)
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Jonciunile emitor i colector sunt analogice jonciunii p-n a diodei. La
conectarea aparte a jonciunilor tranzistorului atunci caracteristica Volt-Amper se
determin la fel ca n cazul diodei. ns dac la una din jonciuni se aplic o tensiune,
iar ieirea cealeilalte jonciune se scurtcircuitez, atunci curentul, care trece prin
jonciunea p-n, la care a fost aplicat tensiunea, se mrete din cauza schimbrii
concentraiei purttorilor minoritari de sarcin n baz.
I 1 I ET e U EB T
1 ; I 2 I CT
e U CT
T 1 , (2)
unde I ET - curentul termic al jonciunii emitorului msurat la scurtcircuitarea

- curentul termic al jonciunii colectorului
electrozilor bazei i colectorului; I CT
msurat la scurtcircuitarea electrozilor bazei i emitorului.
Legtura dintre curenii termici a jonciunilor I CT , I ET , conectai aparte, i
, I ET o primim din relaiile (1) i (2). S
curenii termici a jonciunilor I CT
. Substituim
presupunem c I E 0 , atunci I 1 I I 2 . Cnd U CB T I 2 I CT
aceste relaii n (1) i obinem pentru curentul colectorului urmtoarea ecuaie
I CT
I CT 1 N I .
Respectiv pentru I ET avem I ET I ET 1 N I
Lund n consideraie relaia (2) vom avea urmtoarele relaii pentru curenii
colector i emitor:
I E I ET e U EB T
1 I I CT
e U CT T

1 ; (3)
I C N I ET e U EB T
1 I CT
e U CT T

1 ;
Pe baza legii lui Kirghoff curentul bazei este:

I B I E I C 1 N I ET e U EB T 1 1 I I CT
e UCB T 1 (4)
La utilizarea relaiilor (1)-(4) trebuie de reinut c n tranzistoare la general este
valabil relaia:
N I ET I I CT . (5)
Rezolvnd ecuaia (3) n raport cu I C , vom boine:

I C N I E I e U CB T 1 . (6)
Aceast ecuaie descrie caracteristicile de ieire ale tranzistoarelor.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Dac ecuaia (3) se rezolv n raport cu U EB atunci se obine relaia care
reprezint caracteristicile idealizate de ieire ale tranzistorului:

U EB T I E I E I ET 1 N e UCT T . (7)
n tranzistorul real n afar de curenii termici ale jonciunilor mai sunt i
curenii de generare-recombinare, cureni de canal i de scurgere. Deaceea
, I ET , I ET de regul sunt necunoscute.
I CT , I CT
Dac jonciunea p-n este polarizat indirect atunci curentul termic poate fi
nlocuit cu curentul de scurgere, adic putem considera c I CT I CB 0 i I ET I EB 0 .
Prima aproximare poate fi utilizat i la polarizarea direct. Cu toate acestea la
tranzistorii de siliciu T trebuie substituit prin m T , unde coeficientul
m reprezint influiena curenilor asupra unei jonciuni reale ( m 2 4 ). Utiliznd
aceasta, relaiile (3) i (5) adesea se scriu n alt forma care este mai comod la
calcularea parametrilor circuitelor cu tranzistori reali:
IC
1
A

N I EB 0 e U EB m T

1 I CB 0 e U EB m T

1 ; (8)
IE
1
A

I EB 0 e U EB m T

1 I I CB 0 e UCB m T

1 ; (9)
N I EB 0 I I CB 0 (10)
unde A 1 N I .
Se deosebesc trei regime de baz de funcionare a tranzistorilor bipolari: activ,
de blocare i de saturaie.
n regimul activ una din jonciunile tranzistorului este polarizat direct datorit
tensiunii aplicate din exterior, iar cealalt este polarizat indirect. Astfel n regim de
polarizare normal activ emitorulu este polarizat direct iar tensiunea U EB din
relaiile (3) i (8) are semnul +. Jonciunea colectorului este polarizat indirect
respectiv tensiunea U CB n relaia (3) are semnul -. La conecatrea inversoare a
tranzistorului n ecuaiile (3) i (8) tensiunea U EB i U CB trebuie s aib polaritate
opus. Deosebirea dintre regimul inversor i cel activ are numai caracter cantitativ.
Pentru regimul activ, cnd U CB T i I CT I CB 0 relaia (6) o vom scrie n
forma urmtoare I C N I E I KB 0 , care corespunde absolut cu relaia (1) din punctul
anterior. Coala
UTM FRT TLC 101 001
Lund n consideraie c deobicei N 0 ,9 0 ,995 i 1 N 0 ecuaia (7) poate
fi simplificat:
U EB T ln I E I ET T ln I E 1 N I I EB 0 (11)
n acest mod, ntr-un tranzistor ideal curentul colector i tensiunea emitor-baz
la o anumit valoare a curentului I E nu depind de tensiunea alpicat la jonciunea
colector. n realitate la modificarea tensiunii U CB se modific lrgimea bazei, din
cauza schimbrii dimensiunilor jonciunii colector i respectiv se modific gradientul
concentraiei purttorilor minoritari de sarcin. Astfel la mrirea U CB are loc
micorarea bazei, gradientul concentraiei golurilor n baz i curentul I E se mresc.
n afar de aceasta, se reduce probabilitatea de recombinare a golurilor i se mrete
coeficientul . Pentru menionarea acestui efect, care apare mai pronunat n regimul
activ, n relaia (11) se adaug nc un termen:
I C N I E I CB 0 U CB rC dif (12)
U CB
unde rC dif - rezistena diferenial a jonciunii colectorului blocat.
I C I E const
Aciunea tensiunii U CB asupra curentului I E se observ cu ajutorul

coeficientului de reacie negativ n tensiune:
dU EB
CE , (13)
dU CB I E const
care arat de cte ori trebuie schimbat tensiunea U CB pentru primirea aceleiai
schimbri a curentului I E . Semnul minus arat c pentru meninerea curentului
I E const creterea tensiunii trebuie s aib polaritate opus. Coeficientul CE este
destul de mic ( CE 10 4 10 5 ), deaceea la calcule practice deobicei se exclude

influiena tensiunii colectorului asupra cea a emitorului.
n regim de blocare ambele jonciuni sunt polarizate indirect de ctre tensiunile
aplicate din exterior. Modulul tensiunilor trebuie s ntreac valoarea 3 5 m T .
Dac aceste tensiuni vor fi mai mici atunci tranzistorul va rmne n regim de blocare.
ns curenii electrozilor vor fi mai mari, ca n regim de blocare puternic.
innd cont, c tensiunea U CB i U EB au semn negativ, i avnd n vedere c
U EB 3 m T i U CB 3 m T , relaia (8) devine:
I C 1 A N I EB 0 I CB 0 (14) Coala
UTM FRT TLC 101 001
I E 1 A I EB 0 I I CB 0 .
Substituind n (14) valoarea I EB 0 , gsit din (9), i nlocuind A prin valoarea

sa, obinem:
1 I
I C I CB 0 ,
1 N I
(15)
I 1 N
I E I CB 0 .
N 1 N I
Dac inem cont de faptul c N 1 iar I N atunci expresia (15) se va

simplifica esenial i va avea forma:
I C I CB 0 ,
1 (16)
IE I
N CB 0

unde N 1 ; 1 1 .
N 1
N 1
Din (16) se vede c n regimul de blocare curentul colector are valoarea

minim care este egal cu curentul unei monojonciuni polarizate indirect. Curentul
emitorului are semn opus i esenial mai mic ca curentul colector, aa cum I N .
Deaceea n multe cazuri el se consider egal cu zero.
Curentul bazei n regim de blocare aproximativ este egal cu curentul colector:
I B I E I C I CB 0 . (17)
Acest regim caractreizeaz starea de blocare a tranzistorului, n care rezistena
sa este maxim, iar curenii electrozilor sunt minimi. Regimul este utilizat n
dispozitivele de impulsuri, unde tranzistorii funcioneaz n regim de cheie
electronic.
n regim de saturaie ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate direct
datorit tensiunii aplicate din exterior. Astfel cderea de tensiune pe tranzistor ( U CE )
este minim iar valoarea lui este de zeci de milivoli. Regimul de saturaie apare
atunci cnd curentul colector al tranzistorului este limitat de ctre parametrii sursei de
alimentare i de schema n care este amplasat, unde el nu ntrece o valoare maxim
I C max . n acelai timp parametrii semnalului de intrare luat astfel nct curentul
emitorului este esenial mai mare ca valoarea curentului din reeaua colectorului:
I C max N I E .
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Atunci jonciunea colectorului este deschis, cderea de tensiune pe tranzistor
este minimal i nu depinde de curentul emitorului. Mrimea ei la conectare normal
pentru un curent mic I C I C I CB 0 este egal cu:
1 I
U CE sat T . (18)
I
Pentru conectarea inversoare:

1 N
U CE sat T (19)
N
n regim de saturaie ecuaia (12) devine fals. Deoarece pentru trecerea tranzistorului
din regimul activ n regimul de saturaie este necesar de mrit curentul emitorului (la
conectare normal) n aa mod nct s se ndeplineasc condiia I C max N I E . Iar
valoarea curentului I E , la care se ncepe acest regim, depinde de curentul I C max care
este determinat de parametrii circuitului n care este amplasat tranzistorul.
9.Utilizarea tranzistorului bipolar KT361 n scheme

electronice.
Tranzistoarele bipolare utilizate pot fi ntlnite n schemele electronice n cele trei

modaliti de conexiune BC-baz comun, EC-emitor comun i CC-colector comun.
ns cele mai utilizate sunt EC i CC, datorit particularitilor pe care le posed. Voi
prezenta mai jos o parte din circuitul n care se utilizeaz tranzistorul bipolar KT361:
Este vorba despre un convertor dintr-un receptor
Sursa:
- -
., ..
Coala
UTM FRT TLC 101 001
(.1) -,
88...108 (),
65,8...73 .
- .
, L2,
. ,
FM (88...108 ).
30...35 .
, L1
, L1. - 100...104
.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
, L1
1. 4 .
L2 .
1, 2, 5, 6
-, .
L2 40 ,
4 . L1 - 10 5 .
VT1 - 363, , 361.
. 2 - 315,
--.
.2.
.
.
- U
., ..
[1...5]
() (.1) -
.

, .
Coala
UTM FRT TLC 101 001
.
,
(.2).

VT1, .

VT2. VT2
, R7,
,
VD3, VD4.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
,
. 1,
- VT1.
.
VT1 VT2 , VD2
2. VT2
, VD3, VD4, VT2, VT1
. VT1 ,
,
2
VT2 VT1. , ,
, 2 VT2, VT1, ..

()
R9 , .
R7. ( ) Coala
UTM FRT TLC 101 001
.
2 .
- 16 26 , VD4
- 15 19,5 . R9
( )
. .2
.
VT1 : R9 -
, - -
() 2 - 100
. VT1
.
, VT1
.
R7
. , R9,
VT1 R7.
VT1 ,
3 ,
1...2 .
VT1 - ,
().
2...3 . VT1
.
VT1 -- 972, 829,
827 .. VT2 ,
-- - 203..., 361...,
313, , 209, ..
1
[3, 5]. 1
. Coala
UTM FRT TLC 101 001
20...30%,
.
1
(.3).

()
.
, R7
.
, ( .3
) , .. .
.2 - 70 . R1,
R2-. VT1

(-
-).

.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
10. Parametrii de baz ai tranzistorului KT361.
. U(), U(), Imax(), Pmax(), h21 I, f., ,

361 25 25 100 0.15 20-90 1 250 -
361 20 20 100 0.15 50-350 1 250 -
361 40 40 100 0.15 40-160 1 250 -
361 35 35 100 0.15 50-350 1 250 -
3611 35 35 100 0.15 100-350 1 250 -

p-n-p
361 40 40 50 0.15 20-90 1 250 -
361 35 35 50 0.15 50-350 1 250 -
361 10 10 50 0.15 50-350 1 250 -
361 15 15 50 0.15 250 1 250 -
361 60 60 50 0.15 50-350 1 250 -
Dimensiunile carcasei:
U - -
U - -
U - -
U - -
Imax -
Imax -
-
Pmax

Pmax -

h21 - Coala

UTM FRT TLC 101 001

I -
-
f

-
Tranzistor bipolar, planar de tip p-n-p, de putere mic frecven nalt. Se folosete
n circuite de generare i amplificare din aparatajul radioelectronic.
Masa tranzistorului nu mai mult de 0,5 grame.
Parametrii electrici:
1.Coeficientul de transfer dup curent n schema emitor comun UCB=20V
IE=3mA: h21E =50350
2. Tensiunea colector-baz: UCB=20V
3. Intensitatea curentului colectorului: IE=3 mA
4. Curentul colectorului maxim: ICmax=50 mA
5. Tensiunea de saturare colector-emitor la IC=50 mA, IB=2 mA: UCEsat=0,4 V
6. Tensiunea de saturare baz-emitor la IC=50 mA, IB=2 mA: UBEsat=4 V
7. Capacitatea jonciunii colectorului la UCB=20 V, f=250 MHz: CC=9 pF
8. Capacitatea jonciunii emitorului la UBE=4 V, f=250 MHz: CE=80 pF
9. Curentul de scurgere a emitorului la UBE=4 V
10. Conductibilitatea de ieire la UCB=20 V, IE=3 A, f=250kHz3S
11. Puterea maxim: Pmax=150 mW
12. Temperatura de funcionare: T=233....358oK
Coala
UTM FRT TLC 101 001
11. Rezolvarea problemelor
11.1. Problema 1.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se
efectuieze urmtoarele calcule grafico-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenilor i
tensiunilor n timp i s se determine dac pot aprea distorsiuni neliniare a
semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se calculeze
rezistena de intrare i de ieire a etajului, coeficientul de amplificare dup
curent ki, tensiune kU i putere kP. S se determine puterea util pe sarcin
PR~ i puterea mprtiat pe colectorul tranzistorului.
Se d:
EC=100 V; RS=2.2 k ; IB=0,225 mA; IBm=0,150 mA.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin prin punctele:
EC
(EC,0) i) (0, R ) adic (100,0) i (0 ;45.5 mA)
S
I C max I C min 34 20
I Cm 7 mA
2 2
U U C min 56 26
U CEm C max 15 V
2 2
0,03
U BEm 0,015V
2
I Cm 7
KI 93.33
I Bm 0.075
U CEm 15
KU 1000
U BEm 0,015
K P K I KU 93.33 1000 93333

U EBm 0,015
Rint 200
I Bm 0,075 10 3
PR
2
I Cm RS

2
7 10 3 2.2 10 3.
0.054 W
2 2
PC U CE I C 27.5 10 3 40 1.10 W
Dup nominalele date etajul de amplificare posed distorsiuni neliniare.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
11.2. Problema 2
Conform caracteristicilor curent-tensiune ale tranzistorului bipolar i

parametrilor lui la frecven nalt s se efectuieze urmtoarele calcule pentru etajul
de amplificare:
a) s se calculeze parametrii h i s se construiasc circuitul echivelent al
dispozitivului activ analizat la frecven joas;
b) s se calculeze parametrii fizici ai circuitului echivalent la frecven nalt.
Din cauz c dup nominalele date UCE=20 (V) i IC=32 (mA) nu pot fi
soluionate atunci vom considera datele iniiale ca n problema 1, pentru care am ales
deja punctul de funcionare:
IB=150 A; UCE=40 V prin urmare:
IB=150 0,2=30 ( A)
UCE=40*0,2=8 (V)
Din grafic determinm IIC=1(mA); UBE=0,005 (V); IC=2(mA);
Determinm parametrii hibrizi h:

U BE 0,005
h11 E 16.6 ;
I B U CE const
30 10 6 U CE 10V
I C 2 10 3
h21E 66.66;
I B U CE const
30 10 6 U CE 10V
I CI 1 10 3
h22 E 0,125 mS ;
U CE I B const
8 I B 0 ,15 mA
Schema echivalent a tranzistorului la frecven joas este:
Tranzistorul bipolar KT601A posed urmtorii parametri la frecven nalt:

2; f=20 MHz; CC=15 pF; CE=75 pF; C=600 ps; IC=6 mA; =3.
Determinm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente a tranzistorului la
frecvene nalte:
rC 600 ps
rB 3 3 40 120 ;
CC 15 pF
Coala
UTM FRT TLC 101 001
C C 15 pF
C C1 5 pF ;
3
C C2 C C C C1 15 5 10 pF ;
I C 2
rB rB 120 38 ;
IC 19.5
1
rCE 8 k ;
h22 E
S j 20 I C 20 27.5 10 3 550 mS ;
'
rBE h11E rB
1
rBE 333.3 38 295.3 ;
S 400 10 3
C E j 75 *1012
C BE 3.26 nF ;
lim 6,3 20 10 6
Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecvene nalte:
11.3. Problema 3.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se

determine parametrii etajului de amplificare n regim de recuplare a puterii:
b) s se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest, curentul de intrare i
puterea necesar pentru a o deschide.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin i detetminm Urest=16 (V)
U rest 16
Rcupl 416 ;
I Ccupl 38.5 10 3
PCcupl U rest I Ccupl 16 38.5 103 0,616W ;
I Csat 38.5 10 3
I Bcupl k sat 4 1,65 mA ;
kI 93.33
UBEcupl=0,435 (V)-din grafic.

Pint U BEcupl I Bcupl 1.65 10 3 0,435 0,717 mW
.
11.4. Problema 4.
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Conform datelor din ndrumare s se traseze carcteristicile statice pentru
tranzistorul cu efect de cmp i s se efectuieze urmtoarele calcule grafo-analitice
pentru etajul de amplificare:
b) s se traseze diagramele curenilor i tensiunilor n timp i s se determine
dac pot aprea distorsiuni ale semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se determine
rezistena de intrare i de ieire a dispozitivului analizat i s se calculeze
volorile numerice pentru coeficientul de amplificare dup curent ki, tensiune
kU i putere kP.
Date iniiale:
ED=-15 (V); ID0=0.5(mA);
UDS0=6 (V); UGsm=2 (V);
Ubloc=2.5 (V); IDmax =1.5 (mA);
Pimp=120 (mW);RS=13(kOhm).
Rezolvare:
Ecuaia caracteristicii cutate are forma:
2
U GS U bloc
I D I D max ;
U GS max U bloc
2
U 2.5
I D 6 U GS 2.5 mA
2
I D 1.5 GS ;
2 2.5
Folosind ecuaia primit completm tabelul:
ID, mA 0 0.06 0.24 0.54 0.96 1.5
UGS, V 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0
Dup datele din tabel trasm caracteristica de transfer.

Trasm dreapta de sarcin tiind c :
ED=-15V i RS=13k primim punctele (-15;0) i (0;1.15 10-3)

I Dm I Dm
I Dm 0.15 mA ;
2
I Dm 0.15 10 3
S med 3 mS ;
U GSm 0.05
Utiliznd datele obinute putem calcula urmtorii parametri ai tranzistorului:

kU S med RS 3 10 3 13 10 3 39 ;
Rint RG 1 M
U 0.05
I Gm GSm 0.05 A ;
RG 10 6
k I S med RG 3 10 3 10 6 3000 ;
k P k I kU 3000 39 117000 ; Coala
UTM FRT TLC 101 001
11.5. Problema 5.
Conform carcteristicilor statice ale tranzistorului cu efect de cmp i

parametrilor lui la frecven nalt s se calculeze:
a) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru
frecven joas);
b) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru
frecven nalt);
c) componenta activ a conductibilitii de intrare i modulul pantei dispozitivului
analizat la frecvena de 100 MHz.
Date iniiale:
ID0=3.1 mA; UDS0=4(V);
CGS=7 pF; CGD=1 pF;
rG=50 ;
Rezolvare:
ID0=0,2 3.1 10-3 =0.62 (mA);
UDS0=0,2 4=0.8 (V);
I D 0,62 10 3
S 0,77 mS ;
U DS 0.8
U DS 0.8
RI 1290 ;
I D 0,62 10 3
Prezentm schema echivalent la frecvene joase a tranzistorului cu efect de cmp:
Cu ajutorul parametrilor tranzistorului la frecvene nalte putem determina

elementele schemei echivalente la frecven nalt:
Calculm pentru frecvena de 100 MHz valoarea:

k rC C GS 6,3 10 8 50 7 10 12 0,22 ;
1 0,22
2
1 1 k 2
Rint rC 2 50 1083 ;
g int k 0,22 2
Coala
UTM FRT TLC 101 001
S0
S 0,75 mS .
1 k 2
11.6. Problema 6.
Conform carcteristicilor statice construite ale tranzistorului cu efect de cmp s
se efectuieze calculul proprietilor tranzistorului n regim de rezistor variabil:
a) s se calculeze caracteristica R~ f U DS ;
b) s se calculeze coeficientul de amplificare dup putere pentru regulatorul de
putere montat pe baza tranzistorului cu efect de cmp.
Conform caracteristicii statice construite a tranzistorului cu efect de cmp

(dup rezolvarea problemei 4.), vom calcula caracteristica R=f(UDS);
Aflm punctele de blocare a tranzistorului :
U D U GS U bloc ;
punctul 1 avem: U D 2.6 2.5 0.1 V ; U G 2.6V ;

punctul 2 avem: U D 2.7 2.5 0.2 V ; U G 2.7V
punctul 3 avem: U D 2.8 2.5 0.3 V ; U G 2.8V
punctul 4 avem: U D 2.9 2.5 0.4 V ; U G 2.9V .
punctul 5 avem: U D 3.0 2.5 0.5 V ; U G 3.0V .
Determinm valori ale rezistenei tranzistorului n regim ohmic:

0.1
R~ 1 3
1666 ;
0,06 10
0.2
R~ 2 833 ;
0.24 10 3
0.3
R~ 3 556 ;
0.54 10 3
0.4
R~ 4 416 ;
0.96 10 3
0.5
R ~ 5 333 ;
1.5 10 3
Cu ajutorul punctelor obinute trasm caracteristica: R=f(UGS).
RG 10 6
Amplificarea maxim a regulatorului : k P max
2 R~ min 2 333
1500 .
Coala
UTM FRT TLC 101 001
12.Conform sarcinii primite de la profesor s se
proiecteze un etaj de amplificare dup putere n baza
tranzistorului bipolar n dou variante:cu i fr
transformator.
a) Proiectarea unui etaj de amplificare n audiofrecven cu tranzistor bipolar.
Date iniiale: Uie. max=3.2V
RS=580
Fj=240Hz
Mj=1.10
EC=9V
Calculul amplificatorului de tensiune

1. Alegem tipul tranzistorului conducndu-ne de urmtoarele:
UCEadmis(1,1...1,3)EC=(1.1.....1.3)*9V=(9,9...11,7)
ICadmis2IS.max=2Uie max/RS=6,4/580 =11mA
PCadmis.=ICadmis*UCeadmis=0,011*11=121mW
2. IC0=(1,05...1,20) IS.max=(5,77....6,6)mA
Urest =1
UCE0= Urest+Uie max=1+3.2=4.2V
3.Dup datele acestea am ales tranzistorul KT 354.

4. Determinm valorile nominale pentru RC i RE
Rtot=RC+RE, Rtot=EC/I=9/11.2*10-3=804
Rtot =(0.15...0.25)* RC
R 804
RC= (1.15...1.25) 1.23 654
tot
RE= Rtot- RC=150

Iintr.min= IB.min=Ic.min/min=2mA/75=0.026mA
Iintr.max = IB.max=Ic.max/max=10mA/200=0.05mA
Iintr.med= IB.med=(IBmax-IBmin)/2 = 0.012mA
5. Determinm rezistena de intrare a etajului de amplificare

2U int r .med 2 * 0,02V
Rint r. 1666
2 I int r .med . 2 * 0.012 *10 3 A
Coala
UTM FRT TLC 101 001
R1 * R2

R12 ( 4...6) Rint r ., unde R12 : R12 (4 *1666) 6664
R1 R2
6. Determinm nominalele rezistoarelor de divizare

EC * R12 9 * 6664
R1 66.6k
RE * I C 0 150 * 6 *10 3
R1 * R12 66000 * 6664

R2 7.14k
R1 R12 66000 6664
7. Determinm coeficientul de stabilitate n funcionare a etajului

RE ( R1 R2 ) R1 * R2 150(66000 6664) 66000 * 6664
S 4.12
R1 * R2 66000 * 6664
RE ( R1 R2 ) 150(66000 6664)
max min 200 75
2 2
8. Determinm capacitatea condensatorului de divizare
1 1
Cd 2 1F
2F j Rie ;. M 1 2
j
1859884.5 * 0,45
Rie.=RC+RS=654 +580 =1234

9. Determinm capacitatea condensatorului CE
10
CE 5F
2F j RE
10. Determinm valoarea coeficientului de amplificare a etajului dup

tensiune:
U ie;.med . 3.2
KU (dingrafic ) 160
U int r .med 0,02
b) Proiectarea unui etaj de amplificare dup putere n baza tranzistorului

bipolar cu transformator .
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Date iniiale: Pie.=1.5W
RS=18
Fj=200 Hz
Mj=1,2
EC=24 V
Calculul amplificatorului de tensiune
1.Determinm puterea ce va fi mprtiat pe tranzistorul selectat:
P Pies
P0= P C (0,8...0,9) T (0.7...0.9)
C T
1.5
P 1.87W -puterea cedata de tranzistor
0.8
P0=1.87/0,9=2.1W
2.Determinam valorile ISmax si Uies.max.
ISmax.* Uies.max= Pies ISmax.* Uies.max. / Rs = Pies / Rs
I 2 Smax = Pies / Rs
Pies 1.5
ISmax= = 0,29 A U ies. max I S max * Rs 0,29 *18 5.2V
Rs 18
Conform datelor noastre am ales tranzistorul KT904.

U CE 0 U rest U ies 1 5.2 6.2V
ICo=(1.051.20)ISmax=(0.30.35)A
ICmin=0.27A
ICmax=0.43A
IBmax=1.46mA
IBmin=0.62mA
IBm=0.42mA
UBEmax=0.74V
UBEmin=0.68V
UBEm=0.03V
Toate aceste valori sunt luate din grafic.

Deci calculm rezistenta rezistorului dup curent alternativ.
2U BE .m 2 * 0,03
Rint r 23.8
2 I B .m 2 * 0,00042
2 *U BE .m * 2 * I B.m 4 * 0.03 * 0.42 *10 3

Pint r . 2.1mW
8 8
3.Calculam rezistenta din circuitul emitorului Re:

Coala
UTM FRT TLC 101 001
U RE
RE= -valoarea tensiunii care cade pe rezistenta .
IC0
RE=3V/0.35A=8,6
4. Determinam capacitatea condensatorului ce unteaz rezistorul RE:
1 1
CE 200F
2F j RE 2 * 3,14 *110 * 8.6
5.Rezistenta divizorului de tensiune dup curent alternativ:

R1 R2
R1 2 ; R1 2 (8...12) Rint e 467
R1 R2
E C * R1 2 24 * 467
R1 3.7k
RE * I C 0 10 * 0.3
R1 * R1 2 3700 * 467
R2 535
R1 R1 2 3700 467
6. Determinm coeficientul de amplificare al etajului dup putere

Pies. 1 .5
KP 357ori
Pint r . 4.2 * 10 3
7.Determinam rezistenta sarcinii colectorului dupa curent alternativ si

coeficientul de transformare pentru transformatorul de putere.
U CE max Ec U 24 3
RC 54
I C max c * I C max 0.9 * 0.43
RS 18
n 0.64
RCT 54 * 0.8
8.Determinm rezistena nfurrii transformatorului primar

rT 1 0.5 RC (1 T ) 0.5 * 54 * 0.2 5.4
1 T
rT 2 0.5 RS 2.25
T
9.Inductanta transformatorului primar

RS rT 2 18 2.25 20.25
L1 2
143.1mH
2F j n 2 M 2j 1 6.28 *110 * (0.64) * 0.5 141.47
Coala
UTM FRT TLC 101 001
Anexa:
Coala
UTM FRT TLC 101 001

Proiect

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Proiect

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

1.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT361.

Figura 1. Etapele de fabricare a tranzistorului planar de tip p-n-p.

emitorului este polarizat direct, iar a colectorului indirect.

baz difundeaz n emitor. Deoarece rezistivitatea bazei este mare concentraia

unde I Ep i I En sunt componentele curentului format de goluri i electroni prin

unde C , E - concentraia golurilor care au trecut prin jonciunile colectorului i

unde - coeficientul de transfer al curentului emitorului.

3. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar.

Figura 4. Montajele sau conexiunile fundamentale pentru tranzistorul pnp.

n oricare dintre conexiunile fundamentale se disting dou circuite: un circuit de

3.1 Caracteristicile statice n conexiune BC.

Figura 5. Schema de cuplare a tranzistorului n baz comun

unde IES curentul de saturaie a jonciunii emitorului;

Figura 6.Caracteristica de ieire

3.2 Caracteristicile statice n conexiune EC.

Circuitul care polarizeaz tranzistorul n regiunea activ normal a caracteristicilor

Cu ajutorul relaiei (5) se definete factorul static de ampligicare n curent n

Figura 7.Circuitul de polarizare.

Figura 8.Caracteristica de intrare ale

Figura 9. Caracteristicile de ieire ale tranzistorului

3.3 Cuplarea tranzistorului bipolar n-p-n n colector

n figura 4b este prezentat schema de cuplare a tranzistorului n colector

4.Scheme echivalente a tranzistorului bipolar la diferite

Tranzistorul bipolar n funcie de parametrii circuitului n care este conectat are

4.2 Frecvene medii.

O deosebire esenial ntre schemele echivalente ale tranzistorului la frecven

Figura 11. Schema echivalent a tranzistorului

4.3. Frecvene nalte. Circuitul echivalent Giacoletto.

n figura 12. este schema circuitului echivalent Gicoletto, pentru un tranzistor

5. Parametrii H ai tranzistoarelor bipolare.

Figura 13. Reprezentarea tranzistorului ca un cuadripol.

Aceste funcii pot fi scrise n form diferenial:

Menionm c relaia (3) s-a obinut din relaia (2).

La ridicarea parametrilor h asigurm regimul de funcionare dup curent continuu,

Figura 14. Schema echivalent de conectare n baz comun.

Baz comun: Emitor comun:

6. Funcionarea tranzistorului bipolar n regim de cheie

Tensiunea de ieire n regim deschis se poate de determinat din caracteristica de

n regiunea 0-t1 ambele jonciuni sunt nchise, i tranzistorul se afl n regim de

n regiunea t1-t2 la intrarea tranzistorului acioneaz impulsul de polaritate pozitiv,

UCsat- tensiunea de rest n tranzistor n stare nchis.

7. Funcionarea tranzistoarelor bipolare la frecvene

Din figur se vede, c la frecvene nalte valoarea h21 se micorez comparativ cu

n figur acestei regiuni i corespunde poriunea liniar (n scar logaritmic), care

Deoarece pe poriunea liniar produsul dintre coeficientului de transfer dup curent

fh21B= fh21E(1h21E)(1m) (5) unde: m0,20,6

n concluzie, h21E are o variaie monoton descresctoare la frecvene nalte, ceea ce

8. Modelul matematic al tranzistorului.

unde I ET - curentul termic al jonciunii emitorului msurat la scurtcircuitarea

Pe baza legii lui Kirghoff curentul bazei este:

Aciunea tensiunii U CB asupra curentului I E se observ cu ajutorul

destul de mic ( CE 10 4 10 5 ), deaceea la calcule practice deobicei se exclude

Substituind n (14) valoarea I EB 0 , gsit din (9), i nlocuind A prin valoarea

Dac inem cont de faptul c N 1 iar I N atunci expresia (15) se va

Din (16) se vede c n regimul de blocare curentul colector are valoarea

Pentru conectarea inversoare:

9.Utilizarea tranzistorului bipolar KT361 n scheme

Tranzistoarele bipolare utilizate pot fi ntlnite n schemele electronice n cele trei

Este vorba despre un convertor dintr-un receptor

. U(), U(), Imax(), Pmax(), h21 I, f., ,

361 20 20 100 0.15 50-350 1 250 -

361 40 40 100 0.15 40-160 1 250 -

361 35 35 100 0.15 50-350 1 250 -

3611 35 35 100 0.15 100-350 1 250 -

2 U BE .m 2 * I B.m 4 * 0.03 * 0.42 *10 3