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PEQUEA SEAL
DISEO USANDO PARMETROS Y y S
POLARIZACIN
REDES TPICAS DE ADAPTACIN EN LA ENTRADA Y
SALIDA
INTRODUCCIN
Est basado en la siguiente bibliografa, tanto desde el punto de vista terico como
de los ejemplos e imgenes que se incluyen:
RF CIRCUIT DESIGN Chris Bowick Howard W. Sams & Co., Inc. 1982
ISBN 0-672-21868-2
POLARIZACIN
Hay dos caractersticas importantes que tienen un efecto profundo sobre el punto
de funcionamiento de continua del transistor: VBE y
Pretendemos minimizar los efectos de estos parmetros.
El voltaje base emisor baja cuando la temperatura sube 2,5 mV/C. Recordamos
que un transistor de silicio tiene VBE=0,7V a 25C.
Veamos el proceso: si VBE baja, se permite fluir ms corriente de base, lo que
produce ms corriente de colector. Buscaremos mtodos para evitar este
comportamiento porque tal como dijimos deseamos mantener estable la corriente
de colector para mantener estables los parmetros del transistor aunque cambie la
temperatura.
En primer lugar, veamos el efecto del voltaje de emisor, VE. (Ver Fig. 1). El
descenso en VBE con la temperatura causara un aumento en la corriente de
emisor, y as un aumento en VE. Este aumento en VE constituye una
realimentacin negativa que tiende a polarizar en reversa la unin base emisor,
logrando un descenso en la corriente de colector.
Tngase en cuenta que tampoco es deseable un VE demasiado alto ya que puede
causar prdida de potencia y una seal de AC menor.
Puede agregarse un capacitor en paralelo con RE para anular su comportamiento
en RF y mejorando la ganancia de AC.
Como norma general Ve se puede elegir entre 2 y 4 V.
Ecuacin 1
RB
I C I C1 1
1 2 RE
Donde,
IC1= la corriente de colector en = 1,
1= el valor menor de
2= el valor mayor de
= 2 - 1
RB = el paralelo entre R1 y R2 (en Fig. 1)
RE= la resistencia del emisor.
Vemos que para disminuir la influencia de debemos mantener pequeo RB/ RE.
Debemos notar que de esta forma se disminuye adems la ganancia de corriente
del amplificador. A grandes rasgos, esa relacin debe ser menor de 10.
Ejemplo
VE = 2,5 volts.
RE = VE / IE
RC = (VCC - VC) / IC
= (20 - 10) / 10 x 10-3
= 1000 ohms.
IB = I C /
= 0, 2 mA.
VBB = VE + VBE
= 2.5 + 0.7
= 3.2 volts.
IBB = 1. 5 mA
R1 = VBB / IBB
= 3.2 / 1.5 x 10-3 ohms
= 2133 ohms
Ejemplo
Figura 2. Red de polarizacin 2.
2. Asumir valores para VBB e IBB para proveer una corriente constante, IB.
VBB = 2 volts.
IBB = 1 mA.
IB = I C /
= 0.2 mA.
RB = (VBB - VBE) / IB
=(2 - 0.7) / (0.2 x 10-3)
= 6500 ohms.
R1 = VBB / IBB
= 2 / (1 x 10-3)
= 2000 ohms
Ejemplo
Figura 3. Red de polarizacin 3.
IB = I C /
= 0.2 mA.
RF = (VC - VB) / IB
= (10 - 0.7) / (200 x 10-6)
= 46.5 K
Ecuacin 2
V
I D I DSS 1 GS
Vp
Ejemplo
Figura 4. Red de polarizacin 4.
Rd = (VCC - VD) / ID
= 10 V / 10 mA
= 1000 ohms.
VP = -6 volts.
IDSS = 5 mA.
VGS = VP ( 1 - ID / IDSS )
= -6 ( 1 - 10x10-3 / 5x10-3)
= 2.48 volts.
VS = 2.5 volts
RS = VS / ID
= 2.5 / 10 x 10-3
= 250 ohms.
VG = VGS + VS
= 2.48 + 2.5
= 4.98 volts.
R1 = 220 K
Ejemplo
RD = (VCC - VD) / ID
= (20 - 10) / (10 x 10-3)
= 1000 ohms
VP = - 6 volts
IDSS = 5 mA
VGS = VP ( 1 - ID / IDSS )
= -6 ( 1- 10x10-3 / 5x10-3 )
= 2.48 volts.
RS = VS / ID
= VGS / ID
= 2.48 / (10 x 10-3)
= 248 ohms
Para aplicaciones de bajo ruido, baja potencia se usa el punto A. El FET acta en
un valor bajo de corriente.
Para bajo ruido y ganancia de potencia ms alta, se recomienda B.
Para potencia ms alta, aunque aun usando clase A, punto C.
Para mayor eficiencia, operando en clase AB o B, la corriente drain a source se
debe decrecer, punto D.
USANDO PARMETROS Y
Ecuacin 3
yr y f
C
2 g i g o Re y r y f
Donde,
= la magnitud del producto entre corchetes
yr = admitancia de transferencia reversa,
yf = admitancia de transferencia directa,
g1 = conductancia de entrada,
g0 = conductancia de salida
Re = la parte real del producto entre parntesis.
Ecuacin 4
2g i G S g o G L
K
y r y f Re y r y f
donde,
GS = La conductancia de la fuente
GL = La conductancia de la carga
GANANCIA DE POTENCIA
La ecuacin general es:
2
yf Re(YL )
G
yr y f
YL yo Re( yi
2
)
yo YL
Dicha ecuacin se aplica a circuitos sin realimentacin. Tambin puede ser usado
con circuitos con realimentacin externa si son usados los parmetros Y
compuestos.
Se puede apreciar:
a) No tiene en cuenta prdidas en la red. No computa prdidas por desadaptacin
a la entrada ni a la salida del transistor.
b) La ganancia es independiente de la admitancia de la fuente.
2
4G S G L y f
GT
y i YS y o YL y f y r
2
Ecuacin 6
2
yf
MAG
4 gig o
Cuando el factor de estabilidad de Linvill es menor que uno nos asegura que el
transistor es incondicionalmente estable. No van a ocurrir oscilaciones para
ninguna combinacin de fuente y carga que sean utilizadas. As que la estabilidad
se elimina como un requerimiento para el resto del diseo.
Ecuacin 7
2 g g
i o
Re y f y r y f y r
2 2
GS
2g o
Ecuacin 8
Im y f y r
BS jbi
2go
Ecuacin 9
2 g g
i o
Re y f y r y f y r
2 2
GL
2 g1
Ecuacin 10
GS g o
gi
Ecuacin 11
Imy f y r
BL jbo
2g i
Donde,
GS = la conductancia de la fuente.
BS = la susceptancia de la fuente.
GL = la conductancia de la carga.
BL = la susceptancia de la carga.
Im = la parte imaginaria del producto entre parntesis.
Veamos un ejemplo
Ejemplo 1.
Un transistor tiene los siguientes parmetros Y a 100 MHz, con VCE = 10 volts e IC
= 5 mA.
y1 = 8 + j5.7 mmhos
y0 = 0.4 + j1.5 mmhos
yf = 52 - j20 mmhos
yr = 0.01 - j0.1 mmho
Solucin
= 0.71
= 242.5
= 23.8 dB
La ganancia real que podemos lograr ser un poco menor que esto debido a yr y a
prdidas en los componentes.
Utilizando las ecuaciones 7 a 11, se calculan las admitancias de la fuente y la
carga para adaptacin simultnea conjugada.
Para la fuente, usando la Ecuacin 7:
= 6.95 mmhos
Y, con la Ecuacin 8:
= j12.41 mmhos
Ing. Rafael Sotelo 18
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
GL = (GSg0) / g1
= (6.95)(0.4) / 8
= 0.347 mmho
= -j1.84 mmhos
o,
ZL = 0.495 + j2.62 ohms
Figura 8.
C1 = 1 / XN
= 24.5 pF
y,
L1 = N / B
= 72 nH
= 4.18 pF
y,
= 358 nH
Figura 9
Ejemplo 2
Solucin.
= 231. 2
= 23.64 dB
EL AMPLIFICADOR UNILATERALIZADO
NEUTRALIZACIN
Una vez elegidas GS y GL el resto del diseo sigue por el procedimiento ya visto
para el amplificador sin realimentacin.
GS
k y r y f Re y r y f
gi
gi
2 go
GL
k y r y f Re y r y f
go
go
2 gi
BS
GS g i Z o
bi
k y r y f Re y r y f
BL
GL g o Z o bo
k y r y f Re y r y f
Donde,
BS bi GL g o BL bo k L M 2GL g o
Z
k L M
L yr y f
M Re y r y f
Z 4 k L M 2M Z 2
D 2 NZ k L M A2 N 2
4 2
Donde,
k L M
A M,
2
N Im yr y f ,
y,
G L GS
R
go gi
R se puede calcular para cualquier factor de estabilidad usando la ecuacin:
y f yr Re y f yr
1 R 2 k
2 gi go
SENSITIVIDAD
YL g K
i
yo YL yi yo YL g i
Ke j
go yi
donde,
y f yr
K
gi go
arg y f yr
Ke j K cos j sin