Universidad de Concepcin

Facultad de Ingeniera
Depto. de Ingeniera Elctrica

Dispositivos Semiconductores - 543 241

Tarea 1

1. Resuelva la(s) ecuacin(es) de onda de Schrodinger unidimensional e invariante en el tiempo

para la barrera de potencial de la figura. Considere que la energa de la partcula es siempre menor a
Vo.

a) Calcule el ndice de reflexin de partculas, R, como la razn entre el flujo de partculas

reflejadas y el flujo de partculas incidentes (10p). (b) Qu se puede concluir a partir del valor
obtenido de R? (10p) (c) Es probable encontrar partculas incidentes en la regin 2? (10p)
2. Explique utilizando un diagrama de bandas de energa por qu en una muestra de silicio a
temperatura ambiente de 25C encontramos electrones en la banda de conduccin (10p).
3. La concentracin de electrones en el Si a 300 K es n0 = 5x104 cm-3. (a) Determine p0. Es un
material tipo p o n? (5p) (b) Determine la posicin del nivel de Fermi con respecto al nivel
intrnseco (5p).
4. Considerando una temperatura de 300 K, determine la mxima concentracin de electrones en
una muestra de silicio tipo n y la mxima concentracin de huecos en una tipo p para las cuales se
cumple la aproximacin de Boltzman. (10p)
5. (a) Determine la posicin del nivel de Fermi con respecto al nivel intrnseco en una muestra de
silicio a 300 K que se dopa con tomos de fsforo en concentraciones de 1015 cm-3. (b) Calcule la
concentracin de electrones para la parte (a).
6. En una juntura pn de silicio a 300 K y considerando los siguientes parmetros: Na=1017; Nd=1015,
p=10x10-6, n=0.1x10-6, n=700, p=450, A=10-4 m. (a) Calcule el nivel de fermi a 300 K en la
regin n y p. (b) Dibuje el diagrama de bandas de energa y determine el potencial de juntura V0 y
W. (c) Calcule las constantes de difusin Dn y Dp y las longitudes de vida media para los electrones
y huecos (Ln y Lp). (d) Calcule la corriente de saturacin Inversa del diodo, I0, y calcule la corriente
en el diodo para V0=0.5 V.

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