1.

APLICACIONES DEL SEV

El Sondeo Elctrico Vertical es una herramienta ampliamente utilizada por su

sencillez y la relativa economa del equipo necesario. El objetivo de este estudio es
delimitar capas del subsuelo obteniendo sus espesores y resistividades; y finalmente
tratar de identificar el tipo de roca de acuerdo con su resistividad.

El SEV es aplicable cuando el objetivo tiene una posicin horizontal y una extensin
mayor que su profundidad. Tal es el caso del estudio de capas tectnicas,
hidrolgicas, etc. Tambin es adecuado para trabajar a poca profundidad sobre
topografas suaves como complemento de las calicatas elctricas, con el objetivo de
decidir la profundidad a la cual realizar el perfil de resistividades, como ocurre por
ejemplo en Arqueologa.

Las aplicaciones ms comunes de estos estudios son:

Estudios para la localizacin de aguas subterrneas.

Investigaciones tectnicas para la bsqueda de petrleo.
Estudios para investigaciones geolgicas.
Estudios para la localizacin y cubicacin aproximada de materiales de
construccin.
Estudios de cimentacin para ingeniera civil.
Localizacin de diversos materiales minerales.

Un SEV puede realizarse sobre cualquier combinacin de formaciones geolgicas,

pero para que la curva de resistividad aparente sea interpretable, el subsuelo debe
estar representado por capas horizontales y homogneas. En muchos casos la
realidad se acerca lo suficiente a esta restriccin terica como para que los
resultados sean aprovechables; en otros casos el procedimiento no es aplicable.
 Perfiles hidrogeolgico y geoelctricos de un acufero costero

En la fig. Se reproduce la configuracin hidrogeolgica de un acufero libre costero,

sobrepuesto a una secuencia de margas terciarias en la pennsula del Cabo Verde (Dakar).

2. LIMITACIONES DEL SEV

Estas limitaciones pueden ser:

Su alta sensibilidad a pequeas variaciones de la conductividad cerca de

la superficie, debido a: Por ejemplo al contenido de humedad.
El SEV no es adecuado para contactos verticales, fallas, diques, etc.
Una topografa accidentada puede tener un efecto similar al provocado
por la humedad, ya que el flujo de corriente se concentra en los valles y
se dispersa en las colinas. Como resultado se distorsionan las superficies
equipotenciales produciendo falsas anomalas debido solo a la
topografa.
en materiales detrticos la resistividad aumenta con el del tamao grano.
3. MTODOS DE EJECUCIN.

Para estos estudios se apoya de dispositivos electrodicos tales como los de Wenner y
Schlumberger, este ltimos es ms utilizado debido a las ventajas que este presenta.

La profundidad de penetracin de la corriente elctrica depende de la separacin de los

electrodos inyectores AB. Si la distancia entre los electrodos AB aumenta, la corriente
circula a mayor profundidad pero su densidad disminuye.

Medida de la resistividad elctrica

La Ilustracin 4 muestra el principio de medida de la resistividad del suelo: se inyecta

una corriente I entre el par de electrodos AB y se mide la tensin DV entre el par de
electrodos MN.

Imagen: Curva Dispositivo tetraelectrdico para la medida de la resistividad del

suelo.

Si el medio es homogneo de resistividad R, la diferencia de tensin es (Orellana, 1982):

1 1 1 1
= ( + )
2

Donde AM, AN, BM, BN son las distancia entre electrodos. La resistividad viene dada
por
La expresin:

=

Donde k es igual a:
 1 1 1 1 1
= 2( + )

Es un factor geomtrico que depende nicamente de la disposicin de los electrodos.
Dos dispositivos tetraelectrdicos lineales (los cuatro electrodos estn en lnea) en los
que si Intercambiamos los electrodos de inyeccin y deteccin presentan unos
coeficientes de dispositivo:
1 1 1 1 1
1 = 2( + )

1 1 1 1 1
2 = 2( + )

Dado que las distancias cumplen AM=MA, AN=NA, etc., se obtiene que K1 = K2. Luego
si el medio es homogneo, para una misma corriente de inyeccin las diferencias de
potencial ledas V1 y V2 sern iguales. Por tanto la resistividad medida ser
independiente de la posicin de los electrodos de inyeccin y deteccin cuando estos
se intercambian. Esta propiedad se conoce con el nombre de principio de
reciprocidad, que se cumple tambin para medios heterogneos (Orellana, 1982).
No obstante, en la prctica no es conveniente colocar los electrodos M y N tan
separados como suelen estar los A y B, pues al ser grande la distancia entre los
primeros, la medida se vera afectada por las corrientes telricas, corrientes parsitas
industriales, etc., cuyo efecto aumenta proporcionalmente con la distancia entre M y
N.

Los clculos anteriores se basan en la consideracin de que el suelo es homogneo

e istropo. Cuando el medio no es homogneo, se obtiene la resistividad aparente a,

y su valor depende, adems del factor geomtrico K, de las resistividades de los

diferentes materiales. A partir de la interpretacin de las resistividades aparentes
medidas en un terreno se podrn extraer conclusiones sobre la composicin
estructural del subsuelo.

La constant K se denomina coeficiente geometrico del dispositivo ,porque depende

solamente de las distancias entre los cuatro electrodos .si se trabaja con distancias
predeterminadas ,los valores de K ya se llevan calculados .

Para deducir la formula siguente :

=

No hemos necesitado suponer que los electrodos A,B,M Y N ,esten en un disposion
 especial ,de modo que ,colocandolos en cualquier posicion (ver figura ) ,para obtener
la resistividad del subsuelo ,simplemente hay que dividir la lectura del voltimetro por
la lectura del amperimetro y multiplicarlo por K. el valor de obtenido seria la
resistividad real del terreno si este fuera homogeneo ,perop es habitual que la
obtenida sea una mezcla de las resistividades de diversos materiales .por tanto ,lo
denominamos resistividad aparente .

Figura: medida de la resistividad aparenre .los cuatro electrodos aparecen dispuestos

de modo aleatorio.

4.2.1. DISPOSITIVOS TETRAELECTRDICOS LINEALES BSICOS

En el trabajo real, los cuatro electrodos se colocan con una estructura determinada, es lo
que se denomina dispositivo electrodico. Los ms utilizados disponen los cuatro
electrodos alineados y simtricos respecto al centro, aunque hay muchos dispositivos en
que no estn alineados. En cualquier dispositivo electrnico, si conocemos el factor
geomtrico k, la corriente elctrica I inyectada por los electrodos A y B, y la diferencia
de potencial entre los Electrodos M y N, podemos calcular la resistividad aparente
mediante =k V/I. Los dispositivos tetraelectrdicos lineales ms utilizados son los
siguientes:
4.2.1.1. Dispositivo Wenner.

El dispositivo wenner es el ms utilizado en pases anglosajones, mantiene idnticas las

tres distancias: AM=MN=NM, de modo que si se mueven A Y B, tambin hay que mover M
y N.
 Ilustracin 5. Dispositivo Wenner.

El factor geomtrico del dispositivo se deduce de:

1 1 1 1 1
= 2( + )

Donde k= 2na

4.2.1.2. Dispositivo Schulumberger.

Se trata de una composicin simtrica de los electrodos AMNB dispuestos en lnea,

Donde la distancia de los electrodos detectores MN es mucho menor que la de los
Inyectores AB (Ilustracin 6). Generalmente AB /5 > MN > AB/20. En la prctica MN se
mantiene tan pequeo como sea posible siempre que se puedan conseguir lecturas
correctas del voltmetro. Para este dispositivo se simplifica k a: K= (AM.AN/MN).

Ilustracin 6. Dispositivo Schulumberger.

El coeficiente del dispositivo en este caso es:

Si definimos L = b + a/2, el factor geomtrico se puede expresar como:

Si la distancia de separacin de los electrodos M y N tiende a cero, el factor geomtrico

Queda.

que tiende a infinito. Sin embargo la resistividad aparente es finita ya que

V en

decrece al mismo tiempo que a. Tendremos, pues.

Donde E es el campo elctrico. La idea del dispositivo Schlumberger consiste, pues, en

utilizar una distancia MN muy corta, de tal modo que pueda tomarse como vlida la
ecuacin anterior. Los desarrollos tericos se establecen suponiendo que lo que
medimos realmente es el campo E, el cual en la prctica se toma igual a DV/a. Trabajar
con el campo elctrico conlleva ventajas tericas a la hora de trabajar con expresiones
analticas, el inconveniente es que la tensin diferencial medida disminuye linealmente
con la separacin a, y es inversamente proporcional al cuadrado de la distancia L.
Adems, la precisin de las mediciones geoelctricas de campo est muy limitada por
heterogeneidades irrelevantes del terreno (ruido geolgico). En ciertos casos, el
electrodo B se lleva a gran distancia de los dems de modo que no influya sobre el valor
de DV observado. Se tiene entonces el dispositivo denominado Schlumberger
asimtrico, o semi-Schlumberger.

4.2.1.3. Dispositivo polo-dipolo

En este dispositivo el electrodo B se lleva a una gran distancia (tericamente en el

infinito) de los otros tres (Ilustracin 7).
 Ilustracin 7. Dispositivo polo-dipolo.

El factor geomtrico del dispositivo en este caso es:

Cuando a << b este dispositivo es equivalente al semi-Schlumberger. Una variacin del

dispositivo polo-dipolo se obtiene moviendo uno de los electrodos de potencial, por ejemplo
N, a un punto distante (tericamente al infinito). En este caso el factor geomtrico es K=
2b que coincide con la expresin del dispositivo Wenner, por lo que tambin recibe el
nombre de dispositivo half-Wenner (Telford, Geldart y Sheriff, 1990).

REALIZACION DE UN SEV .CURVA DE RESISTENCIA APARENTE

Vamos a referirnos en adelante a sondeos electricos realizados mediante un dispositivo

schlumberger ,abreviadamente SEV.

Las distancias a las que se situan los electrodos dependen de los objetos planteados y
del modo de trabajo del investigador .por ejemplo , si queremos investigar hasta una
profundidad de 150 metros ,el SEV podria empezar con AB/2 =2 metros y terminar en
AB/2 =300 metros, realizando en ese intervalo de 15 a 25 medidas de resistividad
aparente. Las medidas se van espaciando de modo que al representarse en escala
logaritmica queden equidistantes.

Los resultados se representan en un grafico logaritmico :en abcisas la distancia AB/2 de

cada medida , y en ordenadas la resistividad aparente de cada punto .esta curva es la
que vamos a interpretar.
Fig . en el campo se va representando cada medida en un grafico como este