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CICLO : III
SECCIN : B
ALUMNO (S) :
2017-II
EL TRANSITOR COMO INTERRUPTOR Y AMPLIFICADOR
I. OBJETIVOS
Identificar los tipos de transistores NPN y PNP, utilizando el probador
de diodos del multmetro.
2.1. TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar
una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se encuentra
prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, aunque
casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
Interruptor en posicin 2:
Los Transistores son amplificadores ideales, cuando se aplica una seal de C.A.
en los terminales de entrada, en los terminales de salida aparece una
reproduccin amplificada de la misma seal.
En el circuito de emisor comn que se muestra en la figura, se transmite la seal
del circuito de base emisor y sale del circuito colector emisor. De esta manera
el elemento emisor del
transistor es comn tanto al circuito de entrada como al de salida.
TRANSISTOR PUNTUAL
El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar
junction transistor) se fabrica sobre un monocristal de
material semiconductor como el germanio, el silicio o el arseniuro de galio,
cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor elctrico y las
de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy
controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones
PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se
obtienen contaminando el sustrato con tomos de
elementos donantes de electrones, como el arsnico o el fsforo; mientras
que las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva o
huecos) se logran contaminando con tomos aceptadores de electrones,
como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN,
donde la letra intermedia siempre corresponde a la regin de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo
general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se
establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una
puerta..
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que
controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de
entrada.
FOTOTRANSISTOR