EXERCCIOS DE MDCELET

1. Todos os transistores MOSFET dados nas figuras seguinte tm o mesmos valores para Vt , Kn , W/L
e = 0. Todos operam na saturao e |VGS| =|VDS| = 3V. Encontre as tenses V1 , V2 , V3 e V4.. Se
adotarmos Vt = 1V e I = 2mA qual o maior valor de um resistor que dever ser colocado em srie com o
dreno para mant-lo na saturao e com os valores de V1 , V2 , V3 e V4 calculados?

2. O transistor NMOS indicado na figura seguinte, tem = 0, Vt = 1V, nCox= 120A/V2 , e

L1=L2=L3=L4=1m. Encontre o valor de largura requerido no gate (W) de cada MOSFET para obter-se os
valores de tenses e corrente indicados no circuito.

3. Nos circuitos da figura abaixo, transistores so caracterizados por Vt=2V , knW/L = 1mA/V2 e = 0.
a) Determine as tenses V1 , V3 , V5 e V7 indicadas.
b) Trocar as fontes de correntes por resistores; determine cada resistor, supondo percorrido pela
mesma corrente que o gerador de corrente substitudo.
4. O MOSFET no circuito da figura seguinte tem RG=10M Vt=1V , knW/L = 0,8mA/V2 e = 0,
determine:
a) Os valores de RD e Rs para que ID = 0,1mA e VD=0;
b) Gm;
c) Se Z for aterrado e o terminal X for conectado a um gerador de resistncia interna de 1M e o
terminal Y conectado a uma carga de 40k, qual o valor do ganho entre a sada e o gerador?
d) Agora, caso o terminal Y seja aterrado, encontre o ganho de tenso de X a Z, com Z em aberto;
e) Considere que o terminal X seja aterrado e Z conectado a uma fonte de corrente de 10A e
100k de resistncia, ento, determine o sinal de sada no ponto Y.

5. No circuito seguinte, o NMOS tem Vt = 0,9V e VA = 50V e opera com VD = 2V. Determine o ganho
vo/vi . Qual o valor do ganho caso o gerador de corrente I seja mudado para 1mA? Eo o valor de V D?

6. O amplificador de sinais mostrado no circuito seguinte, recebe um sinal eltrico de um transdutor

(p.ex. cpsula magntica) e acoplado ao circuito amplificador por meio de um capacitor com
capacitncia elevada. Se o transistor utilizado tem Vt = 1V, e kn W/L = 2mA/V2 , dessa forma determine:
a) ID, VD, VGS e VDS
b) O valor de gm
c) ID, VD, VGS e VDS
d) A impedncia de entrada Rin vista conforme indicada no circuito
e) O ganho vO/vg
f) O ganho vO/vsig
g) Compare os ganhos encontrados nos itens c) e d) fazendo diferenciaes entre os resultados
7. Determine i como uma funo de v, desprezando o efeito de VDS sobre ID na regio de saturao.

8. Considere o circuito seguinte com R2 = 20k, VDD = 3V, Q1 e Q2 tendo L1=L2=0.8m, W1=8m,
nCox = 200A/V2, Vt = 0,6V e lmbda zero.
a) Encontre o valor de R1 requerido para uma corrente de dreno 0,2mA em Q1
b) Encontre W 2 e um novo valor para R2 que estabelea uma corrente em Q2 que opere na regio
de saturao com corrente 0,5mA e uma tenso de dreno 1V.