Bandas de energa y portadores de carga en Semiconductores

En este captulo comenzamos a discutir los mecanismos especficos por los cuales la corriente
fluye en un slido. Al examinar estos mecanismos, aprenderemos por qu algunos materiales son
buenos conductores de corriente elctrica, mientras que otros son conductores pobres. Veremos
cmo la conductividad de un semiconductor se puede variar cambiando la temperatura o el
nmero de impurezas. Estos conceptos fundamentales del transporte de carga constituyen la base
para discusiones posteriores sobre el comportamiento del dispositivo de estado slido.

En el captulo 2 encontramos que los electrones estn restringidos a conjuntos de niveles de

energa discretos dentro de los tomos. Existen grandes lagunas en la escala de energa en la que
no hay estados de energa disponibles. De manera similar, los electrones en slidos estn
restringidos a ciertas energas y no estn permitidos en otras energas. La diferencia bsica entre
el caso de un electrn en un slido y el de un electrn en un tomo aislado es que en el slido el
electrn tiene una gama o banda de energas disponibles. Los niveles discretos de energa del
tomo aislado se difunden en bandas de energas en el slido porque en el slido las funciones de
onda de los electrones en los tomos vecinos se superponen, y un electrn no est
necesariamente localizado en un tomo particular. As, por ejemplo, un electrn en la rbita
externa de un tomo siente la influencia de tomos vecinos, y su funcin de onda total se altera.
Naturalmente, esta influencia afecta el trmino de energa potencial y las condiciones de contorno
en la ecuacin de Schrdinger, y esperamos obtener diferentes energas en la solucin. Por lo
general, la influencia de los tomos vecinos los niveles de energa de un tomo en particular
pueden ser tratados como una pequea perturbacin, dando lugar a desplazamiento y divisin de
los estados de energa en bandas de energa.

3.1.1 Fuerzas de unin en slidos

La interaccin de electrones en tomos vecinos de un slido sirve la funcin muy importante de

mantener el cristal juntos. Por ejemplo, los haluros alcalinos tales como NaCl se tipifican mediante
unin inica. En el enrejado de NaCl, cada tomo de Na est rodeado por seis tomos de Cl
vecinos ms cercanos, y viceversa. Cuatro de los vecinos ms cercanos son evidentes en la
representacin bidimensional mostrada en la figura 3-1a. La estructura electrnica de Na (Z = 11)
es [Ne] 3s1 y Cl (Z = 17) tiene la estructura [Ne] 3s23p5. En la red, cada tomo de Na da su tomo
de 3 tomos de carbono externo, de modo que el cristal est formado por iones con las
estructuras electrnicas de los tomos inertes Ne y Ar (Ar tiene la estructura electrnica [Ne]
3s23p6). Sin embargo, los iones tienen cargas elctricas netas despus del intercambio de
electrones. El ion Na + tiene una carga positiva neta, habiendo perdido un electrn, y el ion Cl-
tiene una carga neta negativa, habiendo ganado un electrn.

Cada ion Na + ejerce una fuerza de atraccin electrosttica sobre sus seis vecinos, y viceversa.
Estas fuerzas coulombicas tiran de la red hasta que se alcanza un equilibrio con fuerzas repulsivas.
Un clculo razonablemente preciso de la separacin atmica puede hacerse considerando los
iones como esferas duras que se atraen juntas (Ejemplo 1 - 1). Una observacin importante en la
estructura de NaCl es que todos los electrones estn estrechamente unidos a tomos. Una vez que
se han hecho los intercambios de electrones entre los tomos de Na y Cl para formar los iones Na
+ y Cl-, las rbitas exteriores de todos los tomos estn completamente llenas. Puesto que los
iones tienen las configuraciones de vaina cerrada de los tomos inertes Ne y Ar, no hay electrones
unidos libremente para participar en el flujo de corriente; como resultado, el NaCl es un buen
aislante.

En un tomo de metal, la cscara electrnica externa slo est parcialmente llena, generalmente
por no ms de tres electrones. Ya hemos observado que los metales alcalinos (por ejemplo, Na)
tienen slo un electrn en la rbita exterior. Este electrn est suelto y se abandona fcilmente en
la formacin de iones. Esto explica la gran actividad qumica en los metales alcalinos, as como su
alta conductividad elctrica. En el metal, el electrn exterior de cada tomo alcalino contribuye al
cristal como un todo, de modo que el slido est compuesto de iones con cscaras cerradas
sumergidas en un mar de electrones libres. Las fuerzas que sostienen la red conjuntamente surgen
de una interaccin entre los ncleos de iones positivos y los electrones libres circundantes. Este es
un tipo de unin metlica. Obviamente, existen diferencias complicadas en las fuerzas de unin
para diversos metales, evidenciadas por la amplia gama de temperaturas de fusin (234 K para Hg,
3643 K para W). Sin embargo, los metales tienen el mar de electrones en comn, y estos
electrones son libres de moverse alrededor del cristal bajo la influencia de un campo elctrico. Un
tercer tipo de unin es exhibido por los semiconductores de la red de diamante. Recordamos que
cada tomo en la red de diamantes Ge, Si o C est rodeado por cuatro vecinos ms cercanos, cada
uno con cuatro electrones en la rbita externa. En estos cristales cada tomo comparte sus
electrones de valencia con sus cuatro vecinos (Fig. 3-1b). La unin entre los tomos vecinos ms
cercanos se ilustra en el diagrama de celosa de los dimetros de la Fig. 1-9. Las fuerzas de unin
surgen de una interaccin mecnica cuntica entre los electrones compartidos. Esto se conoce
como enlace covalente; cada par de electrones constituye un enlace covalente. En el proceso de
comparticin ya no es relevante preguntar qu electrn pertenece a un tomo en particular,
ambos pertenecen al enlace. Los dos electrones son indistinguibles, excepto que deben tener un
giro opuesto para satisfacer el principio de exclusin de Pauli. El enlace covalente tambin se
encuentra en ciertas molculas, como H2.

Como en el caso de los cristales inicos, no hay electrones libres disponibles para la red en la
estructura de diamante covalente de la figura 3-1b. Por este razonamiento Ge y Si tambin deben
ser aisladores. Sin embargo, hemos representado una red idealizada a 0 K en esta figura. Como
veremos en las secciones subsiguientes, un electrn puede ser excitado trmicamente u
pticamente fuera de un enlace covalente y, por lo tanto, libre para participar en la conduccin.
Esta es una caracterstica importante de los semiconductores.

Compuestos semiconductores tales como GaAs tienen uniones mixtas, en las que participan
fuerzas de unin inicas y covalentes. Algn enlace inico es de esperar en un cristal como GaAs
debido a la diferencia en la colocacin de los tomos Ga y As en la tabla peridica. El carcter
inico de la unin se hace ms importante a medida que los tomos del compuesto se separan
adicionalmente en la tabla peridica, como en los compuestos II - VI. Esa estructura electrnica, y
especficamente la idea de que la cscara de valencia ms externa est completa si tiene un
conjunto estable de ocho electrones (Ne, Ar, Kr), es la base de la mayor parte de la qumica y
muchas de las propiedades semiconductoras.

3.1.3 Metales, Semiconductores y Aisladores

Cada slido tiene su propia estructura caracterstica de banda de energa. Esta variacin en la
estructura de la banda es responsable de la amplia gama de caractersticas elctricas observadas
en diversos materiales. La estructura de banda de silicio de la figura 3-3, por ejemplo, puede dar
una buena imagen de por qu el silicio en la red de diamante es un buen aislante. Para llegar a tal
conclusin, debemos considerar las propiedades de las bandas de energa completamente llenas y
completamente vacas en el proceso de conduccin actual.

Antes de discutir los mecanismos del flujo de corriente en slidos, podemos observar aqu que
para que los electrones experimenten aceleracin en un campo elctrico aplicado, deben ser
capaces de moverse a nuevos estados de energa. Esto implica que debe haber estados vacos
(estados de energa permitidos que no estn ya ocupados por electrones) disponibles para los
electrones. Por ejemplo, si relativamente pocos electrones residen en una banda de otra manera
vaca, estn disponibles amplios estados desocupados en los que los electrones pueden moverse.
Por otra parte, la estructura de banda de silicio es tal que la banda de valencia est
completamente llena de electrones a 0 K y la banda de conduccin est vaca. No puede haber
transporte de carga dentro de la banda de valencia, ya que no hay estados vacos disponibles para
que los electrones puedan moverse. No hay electrones en la banda de conduccin, por lo que
ningn transporte de carga puede tener lugar all tampoco. Por lo tanto, el silicio a 0 K tiene una
alta resistividad tpica de los aisladores. Los materiales semiconductores a 0 K tienen bsicamente
la misma estructura que los aisladores: una banda de valencia llena separada de una banda de
conduccin vaca por un intervalo de banda que no contiene estados de energa permitidos (Fig. 3-
4). La diferencia radica en el tamao de la brecha de banda Eg, que es mucho menor en
semiconductores que en aisladores. Por ejemplo, el semiconductor Si tiene un intervalo de banda
de aproximadamente 1,1 eV en comparacin con 5 eV para el diamante. Los espacios
relativamente pequeos de bandas de semiconductores (Apndice III) permiten la excitacin de
electrones de la banda inferior (valencia) a la banda superior (conduccin) por cantidades
razonables de energa trmica o ptica. Por ejemplo, a temperatura ambiente, un semiconductor
con un intervalo de banda de 1 eV tendr un nmero significativo de electrones excitados
trmicamente a travs del intervalo de energa en la banda de conduccin, mientras que un
aislador con Eg = 10 eV tendr un nmero despreciable de tales excitaciones. Por lo tanto, una
diferencia importante entre los semiconductores y los aisladores es que el nmero de electrones
disponibles para la conduccin puede aumentarse considerablemente en los semiconductores por
energa trmica o ptica. En los metales las bandas se superponen o slo se llenan parcialmente.
As, los electrones y los estados de energa vacos se entremezclan dentro de las bandas para que
los electrones puedan moverse libremente bajo la influencia de un campo elctrico. Como se
espera de las estructuras de banda metlica de la figura 3-4, los metales tienen una conductividad
elctrica elevada.

3.1.4 Semiconductores directos e indirectos

El "experimento de pensamiento" de la seccin 3.1.2, en el que tomos aislados se reunieron para

formar un slido, es til para sealar la existencia de bandas de energa y algunas de sus
propiedades. Sin embargo, generalmente se utilizan otras tcnicas cuando se hacen clculos
cuantitativos de estructuras de bandas. En un clculo tpico, se supone que un solo electrn viaja a
travs de una red perfectamente peridica. Se asume que la funcin de onda del electrn est en
forma de una onda plana 1 que se mueve, por ejemplo, en la direccin x con la constante de
propagacin k, tambin llamada vectores de onda. La funcin de onda dependiente del espacio
para el electrn es EQ1.

donde la funcin U (kx, x) modula la funcin de onda segn la periodicidad de la red. Tales
funciones de onda se llaman funciones de Bloch despus del fsico Felix Bloch. En dicho clculo, los
valores de energa permitidos se pueden representar frente a la constante de propagacin k. Dado
que la periodicidad de la mayora de las rejillas es diferente en varias direcciones, el diagrama (E,
k) debe trazarse para las diversas direcciones de cristal y la relacin completa entre E y k es una
superficie compleja que debe ser visualizada en tres dimensiones.

La estructura de bandas de GaAs tiene un mnimo en la banda de conduccin y un mximo en la

banda de valencia para el mismo valor de k (k = 0). Por otro lado, Si tiene su banda de valencia
mxima en un valor diferente de k que su banda de conduccin mnima. As, un electrn que hace
una transicin de menor energa desde la banda de conduccin a la banda de valencia en GaAs
puede hacerlo sin un cambio en el valor k; por otra parte, una transicin desde el punto mnimo en
la banda de conduccin de Si hasta el punto mximo de la banda de valencia requiere algn
cambio en k. As, hay dos clases de bandas de energa semiconductora: directas e indirectas (Fig.
3-5). Podemos demostrar que una transicin indirecta, que implica un cambio en k, requiere un
cambio de momento para el electrn.

Los semiconductores directos e indirectos se identifican en el Apndice III. En un semiconductor

directo como GaAs, un electrn en la banda de conduccin puede caer a un estado vaco en la
banda de valencia, emitiendo la diferencia de energa Eg como un fotn de luz. Por otro lado, un
electrn en la banda de conduccin mnima de un semiconductor indirecto como Si no puede caer
directamente a la banda de valencia mxima, sino que debe sufrir un cambio de momento, as
como cambiar su energa. Por ejemplo, puede pasar por algn estado de defecto (Et) dentro de la
brecha de banda. Discutiremos tales estados de defecto en las Secciones 4.2.1 y 4.3.2. En una
transicin indirecta que implica un cambio en k, parte de la energa se entrega generalmente
como calor a la red en lugar de como un fotn emitido.

Esta diferencia entre las estructuras de banda directa e indirecta es muy importante para decidir
qu semiconductores pueden usarse en dispositivos que requieren salida de luz. Por ejemplo, los
emisores de luz semiconductores y los lseres (Captulo 8) generalmente deben estar hechos de
materiales capaces de transiciones directas de banda a banda o de materiales indirectos con
transiciones verticales entre estados defectuosos.

Los diagramas de banda, como los mostrados en la figura 3-5, son engorrosos para extraer
dispositivos de anlisis y no proporcionan una vista de la variacin de la energa de los electrones
con la distancia en la muestra. Por lo tanto, en la mayora de las discusiones usaremos imgenes
de bandas simples como las mostradas en la Fig. 3-4, recordando que las transiciones electrnicas
a travs de la brecha de banda pueden ser directas o indirectas.

3.1.5 Variacin de Bandas de Energa con Composicin de Aleacin.

A medida que varan las aleaciones ternarias y cuaternarias III-V sobre sus rangos de composicin
(vanse las secciones 1.2.4 y 1.4.1), cambian sus estructuras de banda. Por ejemplo, la Fig. 3-6
ilustra la estructura de bandas de GaAs y AlAs, y la forma en que las bandas cambian con la
composicin x en el compuesto ternario AlxGa1-xAs. El compuesto binario GaAs es un material
directo, con un gap de banda de 1,43 eV a temperatura ambiente. Para referencia, llamamos la
banda de conduccin directa (k = 0) mnima . Tambin hay dos mnimos indirectos ms altos en la
banda de conduccin de GaAs, pero estos estn lo suficientemente lejos por encima de que
pocos electrones residen all (discutimos una excepcin importante en el captulo 10 en el que la
excitacin de alto campo de electrones en los mnimos indirectos conduce a el efecto Gunn).
Llamamos al mnimo mnimo indirecto Ga y al otro X. En AlAs el mnimo directo es mucho ms
alto que el mnimo indirecto X, y este material es por lo tanto indirecto con un gap de banda de
2.16 eV a temperatura ambiente.

En la aleacin ternaria AlxGal-xAs todos estos mnimos de la banda de conduccin se mueven

hacia arriba en relacin con la banda de valencia, ya que la composicin x vara de 0 (GaAs) a 1
(AlAs). Sin embargo, el mnimo indirecto X sube por debajo de los otros, y para composiciones por
encima de aproximadamente 38 por ciento de Al este mnimo indirecto se convierte en la banda
de conduccin ms baja. Por lo tanto, la aleacin ternaria AlGaAs es un semiconductor directo
para las composiciones de Al en la sublattice de la columna III hasta aproximadamente 38 por
ciento, y es un semiconductor indirecto para fracciones de molar Al ms altas. La energa de la
brecha de banda Eg se muestra en color en la figura 3-6c. La variacin de las bandas de energa
para la aleacin ternaria GaAs1-xPx es generalmente similar a la de AlGaAs mostrada en la Fig. 3-6.
GaAsP es un semiconductor directo de GaAs a aproximadamente GaAs.55P.45 y es indirecto de
esta composicin a GaP (ver Fig. 8-11). Este material se utiliza a menudo en LEDs visibles. Dado
que la emisin de luz es ms eficiente para materiales directos, en los que los electrones pueden
caer de la banda de conduccin a la banda de valencia sin cambiar k (y por lo tanto el momento),
los LED en GaAsP generalmente se hacen en materiales crecidos con una composicin menor que
x = 0. 4 5. Por ejemplo, la mayora de los LEDs rojos en este material se hacen alrededor de x = 0,4,
donde el mnimo de sigue siendo el borde de la banda de conduccin ms baja y donde el fotn
resultante de una transicin directa de esta banda a la banda de valencia est en la porcin roja
del espectro (aproximadamente 1,9 eV). El uso de impurezas para mejorar la recombinacin
radiativa en material indirecto se discutir en la Seccin 8.2.

3.2 Cargadores de carga en semiconductores

El mecanismo de la conduccin de corriente es relativamente fcil de visualizar en el caso de un

metal; los tomos de metal estn incrustados en un "mar" de electrones relativamente libres, y
estos electrones pueden moverse como un grupo bajo la influencia de un campo elctrico. Esta
vista de electrones libres est simplificada excesivamente, pero muchas de las propiedades
importantes de conduccin de metales pueden derivarse de tal modelo. Sin embargo, no podemos
dar cuenta de todas las propiedades elctricas de los semiconductores de esta manera. Debido a
que el semiconductor tiene una banda de valencia llena y una banda de conduccin vaca a 0 K,
debemos considerar el aumento en los electrones de banda de conduccin por excitaciones
trmicas a travs del intervalo de banda a medida que se eleva la temperatura. Adems, despus
de que los electrones se excitan a la banda de conduccin, los estados vacos que quedan en la
banda de valencia pueden contribuir al proceso de conduccin. La introduccin de impurezas tiene
un efecto importante en la estructura de banda de energa y en la disponibilidad de portadores de
carga. Por lo tanto, existe una considerable flexibilidad en el control de las propiedades elctricas
de los semiconductores.

3.2.1 Electrones y agujeros.

A medida que se eleva la temperatura de un semiconductor desde 0 K, algunos electrones en la

banda de valencia reciben suficiente energa trmica para ser excitados a travs de la banda de
separacin a la banda de conduccin. El resultado es un material con algunos electrones en una
banda de conduccin por lo dems vaca y algunos estados desocupados en una banda de valencia
de otro modo llena (Fig. 3-7) .2 Por conveniencia, un estado vaco en la banda de valencia se
conoce como un agujero. Si el electrn de banda de conduccin y el orificio son creados por la
excitacin de un electrn de banda de valencia a la banda de conduccin, se les llama par
electrn-hole (abreviado EHP). Despus de la excitacin a la banda de conduccin, un electrn
est rodeado por un gran nmero de estados de energa desocupados. Por ejemplo, el nmero de
equilibrio de EHPs en Si puro a temperatura ambiente es slo aproximadamente 10^10 EHP / cm3,
en comparacin con la densidad de tomos de Si de 5 * 10^22 tomos / cm3. As, los pocos
electrones en la banda de conduccin estn libres para moverse a travs de los muchos estados
vacos disponibles.

El problema correspondiente del transporte de carga en la banda de valencia es algo ms

complicado. Sin embargo, es posible demostrar que los efectos de la corriente en una banda de
valencia que contiene agujeros se pueden explicar simplemente siguiendo la pista de los propios
agujeros. En una banda llena, todos los estados de energa disponibles estn ocupados. Para cada
electrn que se mueve con una velocidad dada, hay un movimiento de electrones igual y opuesto
en otra parte de la banda. Si aplicamos un campo elctrico, la corriente neta es cero porque para
cada electrn j que se mueve con velocidad vj hay un electrn correspondiente j 'con velocidad -vj.
La Figura 3-8 ilustra este efecto en trminos de la grfica de la energa de los electrones vs.
vectores de onda para la banda de valencia. Puesto que k es proporcional al momento de los
electrones, est claro que los dos electrones tienen velocidades dirigidas de forma opuesta. Con N
electrones / cm3 en la banda expresamos la densidad de corriente usando una suma sobre todas
las velocidades de electrones, e incluyendo la carga -q en cada electrn. En un volumen unitario,
EQCU 3-2.

Ahora bien, si creamos un agujero eliminando el electrn j, la densidad de corriente neta en la

banda de valencia implica la suma sobre todas las velocidades, menos la contribucin del electrn
que hemos eliminado: ECUQ 3-2B

Pero el primer trmino es cero, de la Ec. (3 - 2a). As, la corriente neta es + qvj. En otras palabras,
la contribucin actual del agujero es equivalente a la de una partcula cargada positivamente con
velocidad vj, la del electrn faltante. Por supuesto, el transporte de carga se debe en realidad al
movimiento del nuevo electrn no compensado (j '). Su contribucin actual (-q) (-vj) es equivalente
a la de una partcula positivamente cargada con velocidad + vj. Por simplicidad, es habitual tratar
estados vacos en la banda de valencia como portadores de carga con carga positiva y masa
positiva.

Una simple analoga puede ayudar a entender el comportamiento de los agujeros. Si tenemos dos
botellas, una completamente llena de agua y otra completamente vaca, podemos preguntarnos:
"Habr algn transporte neto de agua cuando inclinamos las botellas?" La respuesta es "no". En
el caso de la botella vaca , la respuesta es obvia. En el caso de la botella completamente llena
tambin, no puede haber ningn movimiento neto de agua porque no hay espacio vaco para que
el agua se mueva hacia adentro. Del mismo modo, una banda de conduccin vaca completamente
desprovista de electrones o una banda de valencia completamente llena de electrones no puede
dar lugar a un movimiento neto de electrones, y por lo tanto a la conduccin actual.
A continuacin, imaginamos la transferencia de algunas gotitas de agua de la botella llena en la
botella vaca, dejando detrs algunas burbujas de aire, y nos hacemos la misma pregunta. Ahora,
cuando inclinamos las botellas, habr un transporte neto de agua: las gotas de agua rodarn hacia
abajo en una botella y las burbujas de aire se movern cuesta arriba en la otra. De forma similar,
unos pocos electrones en una banda de conduccin, por lo dems vaca, se mueven en oposicin a
un campo elctrico, mientras que los agujeros en una banda de valencia que de otra forma se
llena se mueven en la direccin del campo. La analoga de la burbuja es imperfecta, pero puede
proporcionar una sensacin fsica de por qu la carga y la masa de un agujero tienen signos
opuestos a los de un electrn. En todas las discusiones siguientes nos concentraremos en los
electrones en la banda de conduccin y en los agujeros en la banda de valencia. Podemos dar
cuenta del flujo de corriente en un semiconductor por el movimiento de estos dos tipos de
portadores de carga. Dibujamos bandas de valencia y de conduccin en una escala de energa de
electrones E, como en la figura 3-8. Sin embargo, debemos recordar que en la banda de valencia,
la energa del agujero aumenta de manera opuesta a la energa de los electrones, porque los dos
portadores tienen carga opuesta. Por lo tanto, la energa del orificio aumenta hacia abajo en la
figura 3-8 y los orificios, buscando el estado de energa ms bajo disponible, se encuentran
generalmente en la parte superior de la banda de valencia. En contraste, los electrones de banda
de conduccin se encuentran en la parte inferior de la banda de conduccin.

Sera instructivo comparar los diagramas de banda (E, k) con los diagramas de bandas
"simplificados" que se utilizan para el anlisis rutinario de dispositivos (Fig. 3-9). Como se describe
en los Ejemplos 3-1 y 3-2, un diagrama (E, k) es un grfico de la energa total de electrones
(potencial ms cintico) en funcin del vector de onda de electrones dependiente de la direccin
del cristal (que es proporcional a la momento y por lo tanto la velocidad) en algn punto en el
espacio. Por lo tanto, el fondo de la banda de conduccin corresponde a la velocidad de electrones
cero o energa cintica, y simplemente nos da la energa potencial en ese punto en el espacio. Para
los orificios, la parte superior de la banda de valencia corresponde a energa cintica cero. Para los
diagramas de banda simplificados, trazamos los bordes de las bandas de conduccin y de valencia
(es decir, la energa potencial) en funcin de la posicin en el dispositivo. Las energas ms altas en
la banda corresponden a la energa cintica adicional del electrn. Adems, el hecho de que el
borde de la banda corresponde a la energa potencial del electrn nos dice que la variacin del
borde de la banda en el espacio est relacionada con el campo elctrico en diferentes puntos del
semiconductor. Mostraremos esta relacin explcitamente en la Seccin 4.4.2.

En la figura 3-9, un electrn en la posicin A ve un campo elctrico dado por la pendiente del
borde de la banda (energa potencial) y gana energa cintica (a expensas de la energa potencial)
movindose al punto B. De manera correspondiente, en el diagrama (E, k), el electrn comienza en
k = 0, pero se mueve a un vector de onda no nulo kB. El electrn pierde entonces la energa
cintica al calor mediante los mecanismos de dispersin (discutido en la seccin 3.4.3) y regresa a
la parte inferior de la banda en B. Las pendientes de los bordes de la banda (E, x) en diferentes
puntos del espacio reflejan la energa elctrica local campos en esos puntos. Por lo tanto, si el
campo elctrico entre A y B no era constante, como se muestra en la figura 3-9, la pendiente del
borde de la banda tampoco sera constante, sino que vara en cada punto que refleja la magnitud y
la direccin del campo elctrico local. En la prctica, el electrn puede perder su energa cintica
en etapas por una serie de eventos de dispersin, como se muestra por las lneas discontinuas
coloreadas.