Captulo 5 Junciones.

Objetivos

1. Determine el diagrama de banda de una unin p-n en equilibrio y utilice la ecuacin de Poisson
para calcular campos elctricos y potenciales.

2. Determine los componentes del flujo de corriente en un diodo "ideal", y por qu la fuga inversa
en un diodo ideal es independiente del sesgo; estudio de aplicaciones en rectificadores.

3. Comprender la capacidad de agotamiento debido a las cargas de dopante, y capacidad de

difusin debido a los portadores mviles.

4. Estudio de efectos de segundo orden: inyeccin de alto nivel, generacin-recombinacin en la

regin de agotamiento, resistencia en serie y uniones graduadas.

5. Estudiar las uniones metal-semiconductor (Schottky y hmico) y heterojunciones, en trminos

de nivel de vaco, afinidad electrnica y funcin de trabajo.

La mayora de los dispositivos semiconductores contienen al menos una unin entre el material de
tipo p y el material de tipo n. Estas uniones p-n son fundamentales para el desempeo de
funciones tales como rectificacin, amplificacin, conmutacin y otras operaciones en circuitos
electrnicos. En este captulo discutiremos el estado de equilibrio de la unin y el flujo de
electrones y agujeros a travs de una unin en estado estacionario y condiciones transitorias. Esto
es seguido por una discusin de las uniones metal-semiconductor y heterojunctions entre los
semiconductores que tienen diversas bandas prohibidas. Con los antecedentes proporcionados en
este captulo sobre propiedades de unin, podemos discutir dispositivos especficos en captulos
posteriores.

5.1 Fabricacin de uniones p-n.

Aunque este libro trata principalmente de cmo funcionan los dispositivos en lugar de cmo se
hacen, es instructivo tener una visin general del proceso de fabricacin con el fin de apreciar la
fsica del dispositivo. Ya hemos discutido en el captulo 1 cmo los sustratos de cristal nico y las
capas epitaxiales necesarios para los dispositivos de alta calidad se cultivan, y cmo el dopaje se
puede variar en funcin de la profundidad. Sin embargo, no hemos discutido cmo el dopaje se
puede variar lateralmente a travs de la superficie, que es clave para hacer circuitos integrados en
una oblea. Por lo tanto, es necesario ser capaz de formar mscaras modeladas en la oblea que
corresponden a la circuitera, e introducir los dopantes selectivamente a travs de ventanas en la
mscara. Primero describiremos brevemente las etapas principales del proceso que forman los
fundamentos de la moderna fabricacin de circuitos integrados. Relativamente pocos pasos de
proceso de unidad se pueden utilizar en diferentes permutaciones y combinaciones para hacer
todo, desde diodos simples hasta los microprocesadores ms complejos.

5.1.1 Oxidacin hermtica

Muchos pasos de fabricacin implican el calentamiento de la oblea con el fin de mejorar un

proceso qumico. Un ejemplo importante de esto es la oxidacin trmica de Si para formar SiO2.
Esto implica colocar un lote de obleas en un tubo de slice limpio (cuarzo) que se puede calentar a
temperaturas muy altas (~ 800-1000 C) utilizando bobinas de calefaccin en un horno con
revestimientos aislantes de ladrillo de cermica. Un gas que contiene oxgeno tal como O2 o H2O
seco fluye dentro del tubo a presin atmosfrica, y fluye hacia fuera en el otro extremo.
Tradicionalmente, se utilizaron hornos horizontales (Fig. 5-1a). Ms recientemente, se ha vuelto
comn emplear hornos verticales (Fig. 5-1b). Un lote de obleas de Si se coloca en los soportes de
la oblea de slice, cada uno hacia abajo para minimizar la contaminacin por partculas. Las obleas
se mueven entonces en el horno. Los gases fluyen desde la parte superior y fluyen hacia abajo,
proporcionando un flujo ms uniforme que en los hornos horizontales convencionales. Las
reacciones generales que ocurren durante la oxidacin son:

En ambos casos, el Si se consume desde la superficie del sustrato. Por cada micrmetro de SiO2
crecido, se consumen 0,44 mm de Si, dando lugar a una expansin de 2,2 * volmenes de la capa
consumida tras la oxidacin. La oxidacin procede haciendo que las molculas oxidantes (O2 o
H2O) se difundan a travs del xido ya crecido hasta la interfase Si-SiO2, donde tienen lugar las
reacciones anteriores. Una de las razones muy importantes por las que existen circuitos integrados
de Si (y por extensin por qu existen computadoras modernas) es que un xido trmico estable
puede crecer en Si con excelentes propiedades elctricas de interfaz. Otros materiales
semiconductores no tienen un xido nativo tan til. Podemos argumentar que la electrnica
moderna y la tecnologa informtica deben su existencia a este simple proceso de oxidacin. Se
muestran grficas de espesor de xido en funcin del tiempo, a diferentes temperaturas, para la
oxidacin seca y hmeda de (100) Si en el Apndice VI.
5.1.2 Difusin.

Otro proceso trmico que se utiliz ampliamente en la fabricacin de IC en el pasado es la difusin

trmica de los contaminantes en hornos tales como los mostrados en la figura 5-1a. Las obleas se
oxidan primero y se abren ventanas en el xido usando las etapas de fotolitografa y grabado
descritas en las secciones 5.1.6 y 5.1.7, respectivamente. Dopantes tales como B, P o As se
introducen en estas obleas con dibujo en un horno de difusin de alta temperatura (~ 800-1100
C), usando generalmente una fuente de gas o vapor. Los contaminantes se transportan
gradualmente desde la regin de alta concentracin cerca de la superficie hasta el sustrato a
travs de la difusin, similar a la descrita para los portadores en la Seccin 4.4. El nmero mximo
de impurezas que pueden disolverse (la solubilidad del slido) en Si se muestra para varias
impurezas en funcin de la temperatura en el Apndice VII. La difusividad de los contaminantes en
slidos, D, tiene una dependencia fuerte de Arrhenius en la temperatura, T. Se da por D = Do exp
(EA> kT), donde Do es una constante dependiendo del material y del dopante, y EA es la energa
de activacin. La distancia media de los difusores difusos est relacionada con la longitud de
difusin, como en la seccin 4.4.4. En este caso, la longitud de difusin es la raz cuadrada (Dt),
donde t es el tiempo de procesamiento. El producto Dt es a veces llamado el presupuesto trmico.
La dependencia de Arrhenius de la difusividad en la temperatura explica por qu se requieren altas
temperaturas para la difusin; de lo contrario, las difusividades son demasiado bajas. Puesto que
D vara exponencialmente con T, es crtico tener un control muy preciso sobre las temperaturas
del horno, dentro de varios grados, para tener control sobre los perfiles de difusin (Fig. 5-2). Los
dopantes son efectivamente bloqueados o enmascarados por el xido porque su difusividad en
xido es muy baja. Las difusividades de varios dopantes en Si y SiO2 se muestran como una
funcin de la temperatura en el Apndice VIII. La dificultad con el control del perfil y el
requerimiento de temperatura muy alta ha llevado a que la difusin sea suplantada por la
implantacin inica como una tcnica de dopaje, como se discuti en la Seccin 5.1.4.

La tendencia de utilizar obleas de Si ms grandes ha cambiado muchas etapas de procesamiento.

Por ejemplo, las obleas de ocho pulgadas y ms grandes se manejan mejor en un horno vertical
(figura 5 1b) que en el horno horizontal tradicional (Fig. 5-1a). Adems, las obleas grandes son
manejadas a menudo individualmente para una variedad de procesos de deposicin, ataque
qumico e implantacin. Este procesamiento de obleas individuales ha llevado al desarrollo de
sistemas robticos para un manejo rpido y preciso de obleas.

La distribucin de impurezas en la muestra en cualquier momento durante la difusin se puede

calcular a partir de una solucin de la ecuacin de difusin con condiciones de contorno
apropiadas. Si la fuente de tomos dopantes en la superficie de la muestra est limitada (por
ejemplo, un nmero dado de tomos depositados sobre la superficie de Si antes de la difusin),
una distribucin gaussiana como se describe en la Ec. (4-44).

(para x mayor 0). Por otro lado, si los tomos dopantes son suministrados continuamente, de tal
manera que la concentracin en la superficie se mantiene a un valor constante, la distribucin
sigue lo que se llama funcin de error complementaria. En la Fig. 5-2, hay algn punto en la
muestra en el que la concentracin de aceptor introducida es igual a la concentracin de donante
de fondo en la muestra original de tipo n. Este punto es la ubicacin de la unin p-n. A la izquierda
de este punto en la muestra de la Fig. 5-2, predominan los tomos aceptores y el material es de
tipo p, mientras que a la derecha de la unin predominan los tomos donantes de fondo y el
material es de tipo n. La profundidad de la unin bajo la superficie de la muestra puede ser
controlada por el tiempo y la temperatura de la difusin (problema 5.2).

En el horno de difusin horizontal mostrado en la figura 5-1a, las obleas de Si se colocan en el tubo
durante la difusin y los tomos de impureza se introducen en el gas que fluye a travs del tubo de
slice. Los materiales comunes de impurezas para las difusiones en Si son B2O3, BBr3 y BCl3 para el
boro; las fuentes de fsforo incluyen PH3, P2O5 y POCl3. Las fuentes slidas se colocan en el tubo
de slice aguas arriba de la muestra o en una zona de calentamiento separada del horno; las
fuentes gaseosas se pueden dosificar directamente en el sistema de flujo de gas; y con fuentes
lquidas se hace burbujear gas portador inerte a travs del lquido antes de ser introducido en el
tubo del horno. Las obleas de Si se mantienen en una "embarcacin" de slice (figura 5-1a) que
puede ser empujada en su posicin en el horno y retirada por una varilla de slice.

Es importante recordar el grado de limpieza requerido en estas etapas de procesamiento. Dado

que las concentraciones tpicas de dopado representan una parte por milln o menos, la limpieza y
la pureza de los materiales son de importancia crtica. As, la fuente de impurezas y el gas portador
deben ser extremadamente puros; el tubo de slice, el soporte de muestras y la varilla de empuje
deben limpiarse y grabarse en cido fluorhdrico (HF) antes de su uso (una vez en uso, la limpieza
del tubo puede mantenerse si no se introducen impurezas no deseadas); finalmente, las obleas de
Si mismas deben someterse a un procedimiento de limpieza elaborado antes de la difusin,
incluyendo un ataque final que contiene HF para eliminar cualquier SiO2 no deseado de la
superficie.
5.1.3 Rapid Procesamiento trmico.

Cada vez ms, muchos pasos trmicos anteriormente realizados en los hornos se estn haciendo
usando lo que se llama procesamiento trmico rpido (RTP). Esto incluye la oxidacin trmica
rpida, el recocido de la implantacin inica y la deposicin qumica de vapor, que se analizan en
los prrafos siguientes. En la figura 5-3 se muestra un sistema RTP simple. En lugar de tener un
gran lote de obleas en un horno convencional donde la temperatura no puede cambiarse
rpidamente, se sostiene una sola oblea (boca abajo para minimizar partculas) en pernos de
cuarzo de baja masa trmica, rodeados por un banco de alta intensidad de kW) lmparas
infrarrojas de tungsteno-halgeno, con reflectores dorados alrededor de ellos. Al encender las
lmparas, la radiacin infrarroja de alta intensidad brilla a travs de la cmara de cuarzo y es
absorbida por la oblea, haciendo que su temperatura aumente muy rpidamente (~50 100 C> s).
La temperatura de procesamiento se puede alcanzar rpidamente, despus de que los flujos de
gas se hayan estabilizado en la cmara. Al final 5.1.3 R apid Procesamiento trmico Cada vez ms,
muchos pasos trmicos anteriormente realizados en los hornos se estn haciendo usando lo que
se llama procesamiento trmico rpido (RTP). Esto incluye la oxidacin trmica rpida, el recocido
de la implantacin inica y la deposicin qumica de vapor, que se analizan en los prrafos
siguientes. En la figura 5-3 se muestra un sistema RTP simple. En lugar de tener un gran lote de
obleas en un horno convencional donde la temperatura no puede cambiarse rpidamente, se
sostiene una sola oblea (boca abajo para minimizar partculas) en pernos de cuarzo de baja masa
trmica, rodeados por un banco de alta intensidad de kW) lmparas infrarrojas de tungsteno-
halgeno, con reflectores dorados alrededor de ellos. Al encender las lmparas, la radiacin
infrarroja de alta intensidad brilla a travs de la cmara de cuarzo y es absorbida por la oblea,
haciendo que su temperatura aumente muy rpidamente (~50 100 C> s). La temperatura de
procesamiento se puede alcanzar rpidamente, despus de que los flujos de gas se hayan
estabilizado en la cmara. Al final del proceso, las lmparas se apagan, permitiendo que la
temperatura de la oblea caiga rpidamente, una vez ms debido a la masa trmica mucho menor
de un sistema RTP en comparacin con un horno. En RTP, por lo tanto, la temperatura se utiliza
esencialmente como un "interruptor" para iniciar o apagar la reaccin. Dos aspectos crticos de la
RTP son garantizar la uniformidad de la temperatura a travs de las obleas grandes y la medicin
precisa de la temperatura, por ejemplo, con termopares o pirmetros.

Un parmetro clave en todos los pasos de procesamiento trmico es el presupuesto trmico, Dt.
En general, tratamos de minimizar esta cantidad porque un producto Dt excesivo conduce a la
prdida de control sobre los perfiles compactos de dopaje, lo que es perjudicial para los
dispositivos ultra-pequeos. En el procesamiento del horno, los presupuestos trmicos se
minimizan operando a una temperatura lo ms baja posible, por lo que D es pequeo. Por otro
lado, RTP opera a temperaturas ms altas (~ 1000 C), pero lo hace durante slo unos segundos
(en comparacin con los minutos o horas en un horno).
5.1.4 Implantacin de iones.

Una alternativa til a la difusin de alta temperatura es la implantacin directa de iones

energticos en el semiconductor. En este proceso un haz de iones de impureza es acelerado a
energas cinticas que van desde varios keV a varios MeV y se dirige a la superficie del
semiconductor. A medida que los tomos de impureza entran en el cristal, entregan su energa a la
red en colisiones y finalmente descansan a una profundidad de penetracin promedio, llamada
rango proyectado. Dependiendo de la impureza y su energa de implantacin, el rango en un
semiconductor dado puede variar de unos pocos cientos de angstroms a aproximadamente 1 om.
Para la mayora de las implantaciones los iones vienen a descansar distribuidos casi
uniformemente alrededor del rango proyectado Rp, como se muestra en la Fig. 5-4. Una dosis
implantada de phi iones / cm2 se distribuye aproximadamente por una frmula gaussiana:

donde Rp, llamado el "straggle", mide la media anchura de la distribucin en e ^ (- 1/2) del pico
(Fig. 5-4). Tanto Rp como Rp aumentan con el aumento de la energa de implantacin. Estos
parmetros se muestran como una funcin de la energa para varias especies de implantes en Si
en el Apndice IX.
Un implante de iones se muestra esquemticamente en la figura 5-5. Un gas que contiene la
impureza deseada es ionizado dentro de la fuente y luego es extrado en el tubo de aceleracin.
Despus de la aceleracin a la energa cintica deseada, los iones se pasan a travs de un
separador de masas para asegurar que slo la especie de iones deseada entre en el tubo de
deriva.1 El haz de iones se enfoca entonces y escanea electrostticamente sobre la superficie de la
oblea en la cmara objetivo. El escaneado repetitivo en un patrn de trama proporciona un dopaje
excepcionalmente uniforme de la superficie de la oblea. La cmara objetivo incluye comnmente
instalaciones de manipulacin de obleas automticas para acelerar el proceso de implantacin de
muchas obleas por hora.

Una ventaja obvia de la implantacin es que puede hacerse a temperaturas relativamente bajas;
esto significa que se pueden implantar capas de dopaje sin perturbar regiones previamente
difundidas. Los iones pueden ser bloqueados por capas metlicas o fotorresistentes; por lo tanto,
las tcnicas fotolitogrficas descritas en la Seccin 5.1.6 pueden usarse para definir patrones de
dopaje implantados inicamente. Mediante este mtodo se pueden conseguir capas dopadas muy
superficiales (dcimas de micra) y bien definidas. Como veremos en captulos posteriores, muchos
dispositivos requieren regiones dopadas delgadas y pueden mejorarse mediante tcnicas de
implantacin inica. Adems, es posible implantar impurezas que no se difunden
convenientemente en semiconductores.

Una de las principales ventajas de la implantacin es el control preciso de la concentracin de

dopaje que proporciona. Puesto que la corriente del haz de iones se puede medir con precisin
durante la implantacin, se puede introducir una cantidad precisa de impureza. Este control sobre
el nivel de dopaje, junto con la uniformidad del implante sobre la superficie de la oblea, hacen
particularmente atractiva la implantacin de iones para la fabricacin de circuitos integrados de Si
(Captulo 9).

Un problema con este mtodo de dopaje es el dao de la red que resulta de las colisiones entre
los iones y los tomos de la red. Sin embargo, la mayor parte de este dao se puede eliminar en Si
calentando el cristal despus de la implantacin. Este proceso se llama recocido. Aunque el Si
puede calentarse a temperaturas superiores a 1.000 C sin dificultad, el GaAs y algunos otros
compuestos tienden a disociarse a altas temperaturas. Por ejemplo, A medida que la evaporacin
de la superficie de GaAs durante el recocido daa la muestra. Por lo tanto, es comn encapsular el
GaAs con una capa delgada de nitruro de silicio durante el recocido. Otra aproximacin para
recocer Si o compuestos es calentar la muestra brevemente (por ejemplo, 10 s) usando RTP, en
lugar de un horno convencional. El recocido lleva a alguna difusin no intencionada de las especies
implantadas. Es deseable minimizar esta difusin optimizando el tiempo de recocido y la
temperatura. El perfil despus del recocido es dado por
5.1.5 Deposicin qumica en fase vapor (CVD).

En las diversas etapas de la fabricacin del dispositivo, se deben formar pelculas delgadas de
dielctricos, semiconductores y metales sobre la oblea y, a continuacin, modelar y grabar. Ya
hemos discutido un ejemplo importante de esto que implica la oxidacin trmica de Si. Las
pelculas de SiO2 tambin pueden formarse por deposicin qumica de vapor a baja presin (~ 100
mTorr) ^ 2 (LPCVD) (Figura 5-6) o por CVD con aumento de plasma (PECVD). Las principales
diferencias son que la oxidacin trmica consume Si del sustrato, y se requieren temperaturas
muy altas, mientras que CVD de SiO2 no consume Si del sustrato y puede hacerse a temperaturas
mucho ms bajas. El proceso de CVD reacciona un gas que contiene Si tal como SiH4 con un
precursor que contiene oxgeno, provocando una reaccin qumica, que conduce a la deposicin
de SiO2 sobre el sustrato. Ser capaz de depositar SiO2 es muy importante en ciertas aplicaciones.
A medida que se construye una estructura de dispositivo complicada, el sustrato de Si puede no
estar disponible para la reaccin, o puede haber metalizacin en la oblea que no pueda soportar
temperaturas muy altas. En tales casos, la ECV es una alternativa necesaria. Aunque hemos
utilizado la deposicin de SiO2 como un ejemplo importante, LPCVD tambin se usa ampliamente
para depositar otros dielctricos tales como nitruro de silicio (Si3N4) y Si policristalino o amorfo.
Tambin debera quedar claro que el VPE de Si o MOCVD de semiconductores compuestos
discutido en el Captulo 1 es realmente un ejemplo especial, ms desafiante de CVD en el que no
slo se debe depositar una pelcula sino que tambin se debe mantener el crecimiento de un solo
cristal.

5.1.6 Fotolitografa.

Los patrones correspondientes a circuitos complejos se forman en una oblea usando fotolitografa.
Esto implica primero generar una retcula que es una placa de slice transparente (cuarzo) que
contiene el patrn (Figura 5-7a). Las regiones opacas en la mscara estn formadas por una capa
absorbente de luz ultravioleta (UV), tal como xido de hierro. El retculo tpicamente contiene los
patrones correspondientes a un nico chip o dado, en lugar de toda la oblea (en cuyo caso se
denominara una mscara). Normalmente se crea mediante un haz de electrones controlado por
ordenador, impulsado por los datos de disposicin del circuito, utilizando el software de
generacin de patrones. Una fina capa de material sensible a los haces de electrones denominada
resist de haz de electrones se coloca sobre la placa de cuarzo cubierta de xido de hierro, y la
resistencia queda expuesta por el haz de electrones. Una resina es una fina capa de polmero
orgnico que experimenta cambios qumicos si se expone a partculas energticas como
electrones o fotones. La resistencia se expone selectivamente, correspondiente a los patrones que
se requieren. Despus de la exposicin, la resistencia se desarrolla en una solucin qumica. Hay
dos tipos de resist. El revelador se utiliza para eliminar el material expuesto (resistencia positiva) o
el que se presenta (resistencia negativa). La capa de xido de hierro se separa entonces
selectivamente en un plasma para generar los patrones apropiados. La retcula se puede utilizar
repetidamente para modelar las obleas de Si. Para hacer un circuito integrado tpico, se requieren
una docena o ms de retculas, correspondientes a diferentes etapas de proceso.

Las obleas de Si se cubren primero con un material orgnico sensible a la luz UV o fotoemulsin
denominada fotorresistencia dispensando el lquido de resistencia sobre la oblea y girndolo
rpidamente (~ 3000 rpm) para formar un recubrimiento uniforme (~ 0,5 mm). Como se mencion
anteriormente, hay dos tipos de resistencia negativa, que forma la imagen de polaridad opuesta
sobre la oblea comparada con la del retculo, y positiva (misma polaridad). Actualmente, el resist
positivo ha suplantado negativo porque puede alcanzar una resolucin mucho mejor, hasta ~0.25
om usando luz UV. La luz brilla sobre la oblea cubierta por resistencia a travs del retculo,
haciendo que las regiones expuestas se acidifiquen. Posteriormente, las obleas expuestas se
desarrollan en una solucin bsica de NaOH, lo que hace que la resistencia expuesta sea
eliminada. De este modo, el patrn en la retcula se transfiere a la matriz sobre la oblea. Despus
de curar la resina restante mediante coccin a -125 C con el fin de endurecerla, se puede realizar
la etapa de proceso apropiada, tal como la implantacin de dopantes a travs de ventanas en el
patrn de resistencia o grabado por plasma de las capas subyacentes.

La exposicin de las obleas se logra die by-die en un sistema paso a paso llamado stepper (Fig. 5-
7b). Como su nombre lo indica, la luz UV brilla selectivamente a travs del retculo sobre una nica
ubicacin de matriz. Despus de realizar la fotoexposicin, la oblea se traduce mecnicamente en
una etapa de translacin x-y controlada con precisin a la siguiente posicin de la matriz y se
vuelve a exponer. Es muy importante poder alinear con precisin los patrones en el retculo con
respecto a los patrones pre existentes en la oblea, razn por la cual estas herramientas tambin se
conocen a veces como alineadores de mscara. Una ventaja de tal sistema de proyeccin "paso a
paso" es que se puede realizar el reenfoque y reajuste en cada troquel para acomodar pequeas
variaciones en la planitud de la superficie a travs de la oblea. Esto es especialmente importante
en la impresin de anchos de lnea ultra-pequeos sobre una oblea muy grande. El xito de la
fabricacin moderna de IC ha dependido de numerosos avances en fuentes de luz UV profundas,
sistemas de proyeccin ptica de precisin, tcnicas de registro entre capas de enmascaramiento
y diseo escalonado.
Lo que hace que la fotolitografa (junto con el ataque qumico) sea tan crtica es que obviamente
determina cun pequeos y estrechamente empaquetados pueden hacerse los dispositivos
individuales (por ejemplo, transistores). Veremos que los dispositivos ms pequeos funcionan
mejor en trminos de mayor velocidad y menor disipacin de potencia. Lo que hace que la
litografa moderna sea tan desafiante es el hecho de que las dimensiones del patrn son
comparables a la longitud de onda de la luz que se usa. Bajo estas circunstancias, no podemos
tratar la propagacin de la luz usando una ptica de rayos geomtricos sencilla; ms bien, la
naturaleza ondulatoria de la luz se manifiesta en trminos de difraccin, lo que hace ms difcil
controlar los patrones. La geometra mnima limitada por difraccin viene dada por

donde l es la longitud de onda de la luz y NA (~ 0,5) es la apertura numrica o "tamao" de la lente

utilizada en el alineador. Esta expresin implica que para patrones ms finos, debemos trabajar
con lentes ms grandes (y, por lo tanto, ms caras) y longitudes de onda ms cortas. Como
resultado, las geometras ms pequeas requieren longitudes de onda ms cortas. Esto ha llevado
al empuje para reemplazar las fuentes de la lmpara de mercurio UV (0.365 om), mostradas en la
Fig. 5-7b, con lseres de excimer de fluoruro de argn (ArF) (l = 0.193 om). Las nuevas tcnicas de
exposicin que emplean mscaras de cambio de fase, correccin ptica de proximidad y
iluminacin fuera de eje explotan todas las pticas de Fourier para permitir una resolucin cercana
o inferior a la dimensin de la longitud de onda que se est utilizando. Tambin hay inters en las
fuentes ultravioletas extremas (EUV) (13 nm), que utilizan un plasma para generar tales longitudes
de onda cortas, para la prxima generacin de litografa. La litografa de rayos X que implica
longitudes de onda an ms cortas ha sido la fuente de muchas investigaciones durante muchos
aos, pero no parece prctico en un entorno de fabricacin. Un avance prometedor implica
patrones de impresin en un fotorresistente usando un patrn fsico, o molde, superando as los
lmites de difraccin de la litografa ptica.
El otro parmetro clave en la litografa es la llamada profundidad de enfoque (DOF), que es dada
por

El DOF nos dice el rango de distancias alrededor del plano focal donde la calidad de la imagen es
ntida. Desafortunadamente, esta expresin implica que la exposicin con longitudes de onda muy
cortas conduce a un DOF pobre. Este es un gran desafo porque la topografa o las "colinas y
valles" de un chip durante el procesamiento puede ser mayor que el DOF permitido por la ptica.
Por lo tanto, debemos aadir etapas en el proceso de fabricacin para planarizar la superficie
utilizando el pulido qumico mecnico (CMP). Como su nombre lo indica, el proceso de
planarizacin es en parte de naturaleza qumica (usando una solucin bsica) y en parte mecnica
de las capas usando una suspensin abrasiva. Como se describe en la Seccin 1.3.3, CMP se puede
lograr utilizando una suspensin de partculas finas de SiO2 en una solucin de NaOH.

La expresin de la geometra limitada por difraccin [Eq. (5-2a)] explica por qu hay inters en la
litografa por haz de electrones. La relacin de Broglie indica que la longitud de onda de una
partcula vara inversamente con su momento:

Por lo tanto, las partculas ms masivas o energticas tienen longitudes de onda ms cortas. Los
haces de electrones son fcilmente generados, enfocados y desviados. Dado que un electrn de 10
keV tiene una longitud de onda de aproximadamente 0,1 , los lmites de ancho de lnea se
convierten en el tamao del haz enfocado y su interaccin con la capa fotorresistente. Es posible
conseguir anchos de lnea de 0,1 mm mediante escritura directa por haz de electrones sobre la
fotorresistencia de la oblea. Adems, la exposicin controlada por ordenador por haz de
electrones no requiere mscaras. Esta capacidad permite un embalaje extremadamente denso de
elementos de circuito en el chip, pero la escritura directa de patrones complejos es lenta. Debido
al tiempo requerido para la exposicin de la oblea de haz de electrones, usualmente es ventajoso
usar la escritura de haz de electrones para hacer el retculo (figura 5-7a) y luego exponer la
fotorresistencia de la oblea usando fotones. Otro enfoque que se est considerando es la litografa
de proyeccin de electrones (EPL), utilizando una mscara, en lugar de dirigir un haz de electrones
enfocado, con el fin de resolver el problema de rendimiento.

5.1.7 Aguafuerte

Despus de que se forma el patrn de fotorresistencia, se puede usar como una mscara para
grabar el material debajo. En los primeros das de la tecnologa Si, el grabado se realiz utilizando
productos qumicos hmedos. Por ejemplo, se puede usar HF diluido para grabar capas de SiO _
{2} crecidas sobre un sustrato de Si con excelente selectividad. El trmino selectividad aqu se
refiere al hecho de que la HF ataca al SiO2, pero no afecta al substrato de Si por debajo oa la
mscara de fotorresistencia. Aunque muchos grabados en hmedo son selectivos, son
desafortunadamente isotrpicos, lo que significa que graban tan rpido lateralmente como graban
verticalmente. Esto es inaceptable para las caractersticas ultra-pequeas. Por lo tanto, el ataque
qumico en hmedo ha sido suplantado en gran parte por grabado seco, basado en plasma, que
puede hacerse tanto selectivo como anisotrpico (graba verticalmente pero no lateralmente a lo
largo de la superficie). En el procesamiento de IC moderno el uso principal del procesamiento
qumico hmedo es en la limpieza de las obleas.
Los plasmas son omnipresentes en el procesamiento de IC. El tipo ms popular de grabado basado
en plasma se conoce como grabado de iones reactivos (RIE) (Fig. 5-8). En un proceso tpico, los
gases de grabado apropiados tales como clorofluorocarbonos (CFC) fluyen a la cmara a presin
reducida (-1-100 mTorr), y se golpea un plasma aplicando un voltaje rf a travs de un ctodo y un
nodo. El voltaje rf acelera los electrones de luz en el sistema a energas cinticas mucho ms altas
(~ 10 eV) que los iones ms pesados. Los electrones de alta energa chocan con tomos y
molculas neutros para crear iones y fragmentos moleculares llamados radicales. Las obleas se
mantienen en el ctodo accionado por RF, mientras que las paredes de la cmara conectadas a
tierra actan como nodo. A partir de un estudio de la fsica del plasma, podemos demostrar que,
aunque la mayor parte del plasma es una regin altamente conductora, equi-potencial, las
regiones de vaina menos conductoras forman junto a los dos electrodos. Tambin se puede
demostrar que la tensin de la envoltura junto al ctodo puede incrementarse haciendo que el
ctodo (accionado) sea ms pequeo en el rea que el nodo (conectado a tierra). Un voltaje alto
de d-c (~ 100 1000 V) se desarrolla a travs de la vaina al lado del ctodo accionado rf, de tal
manera que los iones positivos ganan energa cintica siendo acelerados en esta regin, y
bombardean la oblea normal a la superficie. Este bombardeo en incidencia normal aporta un
componente fsico al grabado que lo hace anisotrpico. El grabado fsico, sin embargo, es poco
selectivo. Simultneamente, los radicales altamente reactivos en el sistema dan lugar a un
componente de ataque qumico que es muy selectivo, pero no anisotrpico. El resultado es que
RIE logra un buen compromiso entre la anisotropa y la selectividad, y se ha convertido en el pilar
de la moderna tecnologa de grabado IC.
5.1.8 Metalizacin

Despus de que los dispositivos semiconductores se fabrican mediante los mtodos de

procesamiento descritos anteriormente, tienen que estar conectados entre s y, en ltima
instancia, con el paquete de CI, mediante metalizacin. Las pelculas metlicas se depositan
generalmente mediante una tcnica fsica de deposicin en fase de vapor, tal como evaporacin
(por ejemplo, Au sobre GaAs) o pulverizacin catdica (por ejemplo, Al sobre Si). La pulverizacin
catdica de Al se logra sumergiendo un blanco de Al (tpicamente aleado con ~ 1, Si y ~ 4, Cu para
mejorar las propiedades elctricas y metalrgicas del Al, como se describe en la Seccin 9.3.1) en
un plasma de Ar. Los iones de argn bombardean al Al y desalojan fsicamente los tomos de Al
mediante la transferencia de momento (Fig. 5-9). Muchos de los tomos de Al expulsados del
depsito objetivo en las obleas de Si se mantienen cerca del objetivo. El Al se moldea usando el
retculo de metalizacin y posteriormente se graba mediante RIE. Finalmente, se sinteriza a ~450
C durante ~30 minutos para formar un buen contacto elctrico hmico con el Si.

Recientemente, para los circuitos integrados de Si, ha habido un cambio de Al a la resistividad

inferior de metalizacin de Cu. El cobre no puede depositarse por pulverizacin catdica. En su
lugar, es electrochapado en los chips. La metalizacin del cobre introduce desafos especiales
porque Cu difunde rpido en Si y acta como una trampa profunda. Por lo tanto, antes de la
electrodeposicin de Cu, un metal de barrera tal como Ti se deposita primero por pulverizacin
catdica para bloquear la difusin de Cu en Si. El Ti tambin acta como una capa de semilla para
la electrodeposicin de Cu.

Una vez finalizada la metalizacin de la interconexin, se deposita un revestimiento protector de

nitruro de silicio usando CVD con plasma. A continuacin, los circuitos integrados individuales se
pueden separar por aserrado o por trazar y romper la oblea. Los pasos finales del proceso son el
montaje de dispositivos individuales en paquetes apropiados y cables de conexin a las regiones
de contacto Al. Se dispone de uniones de plomo muy precisas para unir alambre de Au o Al
(aproximadamente un milsimo de pulgada de dimetro) al dispositivo y luego a los cables del
paquete. Esta fase de fabricacin del dispositivo se denomina procesamiento de fondo y se trata
con ms detalle en el Captulo 9.

En la figura 5-10 se ilustran los pasos principales para realizar las uniones p-n utilizando algunos de
estos procesos unitarios. Del mismo modo, vamos a discutir cmo los dispositivos
semiconductores clave se hacen utilizando estos mismos procesos unidad en los captulos
siguientes.
5.2 Condiciones de Equilibrio.

En este captulo queremos desarrollar una descripcin matemtica til de la unin p-n y una
fuerte comprensin cualitativa de sus propiedades. Debe haber un cierto compromiso en estas
dos metas, puesto que un tratamiento matemtico completo oscurecera las caractersticas fsicas
esencialmente simples de la operacin de la ensambladura, mientras que una descripcin
completamente cualitativa no sera til en hacer clculos. El enfoque, por lo tanto, ser describir
matemticamente la unin, mientras que se descuidan pequeos efectos que aaden poco a la
solucin bsica. En la seccin 5.6 incluiremos varias desviaciones de la teora simple.
La matemtica de las uniones p-n se simplifica en gran medida para el caso de la unin
escalonada, que tiene dopaje p uniforme en un lado de una unin aguda y un doping n uniforme
en el otro lado. Este modelo representa las uniones epitaxiales bastante bien; las uniones
difundidas o implantadas, sin embargo, se clasifican realmente (Nd - Na vara sobre una distancia
significativa a cada lado de la unin). Despus de explorar las ideas bsicas de la teora de la unin
para la unin escalonada, podemos hacer las correcciones apropiadas para extender la teora a la
unin graduada. En estas discusiones asumiremos flujo de corriente unidimensional en muestras
de rea transversal uniforme.

En esta seccin investigamos las propiedades de la unin de pasos en el equilibrio (es decir, sin
excitacin externa y sin corrientes netas fluyendo en el dispositivo). Encontraremos que la
diferencia de dopaje en cada lado de la unin produce una diferencia de potencial entre los dos
tipos de material. Este es un resultado razonable, ya que esperaramos una cierta transferencia de
carga debido a la difusin entre el material p (muchos agujeros) y el material n (muchos
electrones). Adems, encontraremos que hay cuatro componentes de corriente que fluyen a
travs de la unin debido a la deriva y difusin de electrones y agujeros. Estos cuatro
componentes se combinan para dar cero corriente neta para el caso de equilibrio. Sin embargo, la
aplicacin de sesgo a la unin aumenta algunos de estos componentes actuales con respecto a
otros, dando flujo de corriente neta. Si entendemos la naturaleza de estos cuatro componentes
actuales, seguir una visin sana de la operacin de unin p-n, con o sin sesgo.

5.2.1 El potencial de contacto.

Consideremos regiones separadas de material semiconductor de tipo p y n, reunidas para formar

una unin (Fig. 5-11). Esta no es una manera prctica de formar un dispositivo, pero este
"experimento de pensamiento" nos permite descubrir los requisitos de equilibrio en una unin.
Antes de que se unan, el material n tiene una gran concentracin de electrones y pocos agujeros,
mientras que el inverso es cierto para el material p. Al unir las dos regiones (Fig. 5-11), esperamos
que la difusin de los portadores tenga lugar debido a los grandes gradientes de concentracin del
portador en la unin. As, los agujeros se difunden desde el lado p hacia el lado n, y los electrones
difunden de n a p. La corriente de difusin resultante no puede construirse indefinidamente, sin
embargo, porque se crea un campo elctrico opuesto en la unin (Fig. 5-11b). Si las dos regiones
fueran cajas de molculas de aire rojo y de molculas verdes (quizs debido a tipos apropiados de
contaminacin), eventualmente habra una mezcla homognea de las dos despus de que las cajas
fueran unidas. Esto no puede ocurrir en el caso de las partculas cargadas en una unin p-n debido
al desarrollo de la carga espacial y el campo elctrico . Si consideramos que los electrones que se
difunden de n a p dejan atrs los iones donantes no compensados3 (Nd +) en el material n, y los
agujeros que dejan la regin p dejan atrs los aceptores no compensados (Na-), es fcil visualizar
el desarrollo de una regin de positivo carga de espacio cerca del lado n de la unin y carga
negativa cerca del lado p. El campo elctrico resultante se dirige desde la carga positiva hacia la
carga negativa. As, est en la direccin opuesta a la de la corriente de difusin para cada tipo de
portador (la corriente de electrones de recuerdo es opuesta a la direccin del flujo de electrones).
Por lo tanto, el campo crea un componente de derivacin de corriente de n a p, opuesto a la
corriente de difusin (Fig. 5-11c).

Como sabemos que ninguna corriente neta puede fluir a travs de la unin en equilibrio, la
corriente debida a la deriva de los portadores en el campo must debe cancelar exactamente la
corriente de difusin. Adems, puesto que no puede haber acumulacin neta de electrones o
agujeros en cada lado en funcin del tiempo, las corrientes de deriva y difusin deben cancelar
para cada tipo de portador:

Por lo tanto, el campo elctrico se acumula hasta el punto donde la corriente neta es cero en el
equilibrio. El campo elctrico aparece en alguna regin W alrededor de la unin, y hay una
diferencia de potencial de equilibrio Vo a travs de W. En el diagrama de potencial electrosttico
de la figura 5-11b, hay un gradiente de potencial en la direccin opuesta a , de acuerdo con con
la relacin fundamental 4 (x) = -d (x) / dx. Asumimos que el campo elctrico es cero en las
regiones neutras fuera de W. As, existe un potencial constante n en el material neutro n, una
constante p en el material p neutro y una diferencia de potencial V0 = n - p entre los dos. La
regin W se denomina regin de transicin 5 y la diferencia de potencial V0 se denomina potencial
de contacto. El potencial de contacto que aparece en W es una barrera de potencial incorporada,
en la medida en que es necesario para mantener el equilibrio en la unin; no implica ningn
potencial externo. De hecho, el potencial de contacto no puede medirse colocando un voltmetro
a travs de los dispositivos, debido a que se forman nuevos potenciales de contacto en cada
sonda, simplemente cancelando Vo. Por definicin V0 es una cantidad de equilibrio, y ninguna
corriente neta puede resultar de ella.

El potencial de contacto separa las bandas como en la figura 5-11b; las bandas de energa de
valencia y de conduccin son ms altas en el lado p de la unin que en el lado n 6 por la cantidad
qVo. La separacin de las bandas en equilibrio es justa sa requerida para hacer el nivel de Fermi
constante a travs del dispositivo. Se discuti la falta de variacin espacial del nivel de Fermi en
equilibrio en la Seccin 3.5. Por lo tanto, si conocemos el diagrama de banda, incluyendo Ef, para
cada material separado (Fig. 5-11a), podemos encontrar la separacin de banda para la unin en
equilibrio simplemente dibujando un diagrama tal como la Fig. 5-11b con los niveles de Fermi
alineado.

Para obtener una relacin cuantitativa entre Vo y las concentraciones de dopaje en cada lado de la
unin, debemos utilizar los requisitos para el equilibrio en las ecuaciones de deriva y corriente de
difusin. Por ejemplo, los componentes de deriva y difusin de la corriente de agujero slo se
cancelan en equilibrio:

Esta ecuacin puede ser reordenada para obtener:

donde la direccin x se toma arbitrariamente de p a n. El campo elctrico se puede escribir en

trminos del gradiente en el potencial, (x) = -d (x)/ dx, de modo que la ecuacin (5-4b) se
convierte en
con el uso de la relacin de Einstein para Up>/Dp. Esta ecuacin puede ser resuelta por
integracin sobre los lmites apropiados. En este caso estamos interesados en el potencial de cada
lado de la unin, p y n, y la concentracin del agujero justo en el borde de la regin de
transicin a cada lado, p_p y p_n. Para una unin escalonada es razonable tomar la concentracin
de electrones y agujeros en las regiones neutras fuera de la regin de transicin como sus valores
de equilibrio. Puesto que hemos asumido una geometra unidimensional, p y se pueden tomar
razonablemente como funciones de x solamente. Integracin de la Ec. (5-5) da

La diferencia de potencial n - p es el potencial de contacto Vo (Fig. 5-11b). As podemos escribir

Vo en trminos de las concentraciones de los agujeros de equilibrio en cada lado de la unin:

Si consideramos que la unin escalonada se compone de material con receptores de Na/ cm3 en el
lado p y una concentracin de donantes Nd en el lado n, podemos escribir la Ec. (5-7) como

considerando la concentracin de portador mayoritario como la concentracin de dopaje en cada

lado. Otra forma til de la ecuacin (5-7) es

Usando la condicin de equilibrio p_p * np = ni ^ 2 = p_n * n_n, podemos extender la ecuacin (5-
9) para incluir las concentraciones de electrones en ambos lados de la unin:

Esta relacin ser muy valiosa en el clculo de las caractersticas I-V de la unin.

Ejemplo 5-1. Una juntura abrupta de Si p-n tiene Na = 10 ^ 18 cm-3 en un lado y Nd = 5 * 10 ^ 15

cm-3 en el otro.
(a) Calcular las posiciones del nivel de Fermi a 300 K en las regiones p y n.

(b) Dibuje un diagrama de banda de equilibrio para la unin y determine

el potencial de contacto V0 del diagrama.

(c) Comparar los resultados de la parte (b) con V0 calculado a partir de la Ec. (5-8).

5.2.2 Equilibrium Niveles de Fermi.

Hemos observado que el nivel de Fermi debe ser constante en todo el dispositivo en equilibrio.
Esta observacin puede relacionarse fcilmente con los resultados de la seccin anterior. Dado
que hemos asumido que p_n y p_p se dan por sus valores de equilibrio fuera de la regin de
transicin, podemos escribir la ecuacin (5-9) en trminos de las definiciones bsicas de estas
cantidades usando la ecuacin (3-19):
El nivel de Fermi y las energas de la banda de valencia se escriben con subndices para indicar el
lado p y el lado n de la unin.

De la figura 5-11b las bandas de energa a cada lado de la unin estn separadas por el potencial
de contacto Vo veces la carga electrnica q; as la diferencia de energa Evp - Evn es slo qVo. La
ecuacin (5-12) resulta del hecho de que los niveles de Fermi a ambos lados de la unin son
iguales en el equilibrio (EFn - EFp = 0). Cuando se aplica un sesgo a la unin, la barrera de potencial
se eleva o disminuye a partir del valor del potencial de contacto y los niveles de Fermi a cada lado
de la unin se desplazan uno con respecto al otro por una energa en electrones voltios
numricamente igual a la tensin aplicada en voltios.

5.2.3 Carga de paso en un cruce.

Dentro de la regin de transicin, electrones y agujeros estn en trnsito desde un lado de la

unin a la otra. Algunos electrones difunden de n a p, y algunos son barridos por el campo
elctrico de p a n (y viceversa para agujeros); hay, sin embargo, muy pocos portadores dentro de
la regin de transicin en un momento dado, ya que el campo elctrico sirve para barrer los
portadores que han vagado en W. A una buena aproximacin, podemos considerar la carga
espacial dentro de la regin de transicin como debida solamente a los iones donador y aceptor
no compensados. La densidad de carga dentro de W se representa grficamente en la figura 5-
12b. Negligenciando los portadores dentro de la regin de carga de espacio, la densidad de carga
en el lado n es slo q veces la concentracin de iones donantes Nd, y la densidad de carga negativa
en el lado p es -q veces la concentracin de aceptores Na. La suposicin de agotamiento del
portador dentro de W y neutralidad fuera de W se conoce como aproximacin de agotamiento.
Puesto que el dipolo alrededor de la unin debe tener un nmero igual de cargas a cada lado, 7 (Q
+ = abs(Q-)), la regin de transicin puede extenderse en las regiones p y n de forma desigual,
dependiendo del dopado relativo de los dos lados. Por ejemplo, si el lado p est ms ligeramente
dopado que el lado n (Na menos Nd), la regin de carga espacial debe extenderse ms adentro del
material p que en el n, para "descubrir" una cantidad equivalente de carga. Para una muestra de
rea transversal A, la carga total no compensada a cada lado de la unin es:

donde xp0 es la penetracin de la regin de carga espacial en el material p, y xn0 es la penetracin

en n. La anchura total de la regin de transicin (W) es la suma de xp0 y xn0.

Para calcular la distribucin del campo elctrico dentro de la regin de transicin, comenzamos
con la ecuacin de Poisson, que relaciona el gradiente del campo elctrico con la carga del espacio
local en cualquier punto x:
Esta ecuacin se simplifica en gran medida dentro de la regin de transicin si descuidamos la
contribucin de los portadores (p-n) a la carga espacial. Con esta aproximacin tenemos dos
regiones de carga espacial constante:

suponiendo una ionizacin completa de las impurezas (Nd+ = Nd) y (Na- = Na). Podemos ver a
partir de estas dos ecuaciones que una grfica de (x) vs x dentro de la regin de transicin tiene
dos pendientes positivas ( aumentando con x) en el lado n y negativas ( cada vez ms negativas
a medida que x aumenta) p lado. Hay un valor mximo del campo 0 en x = 0 (la unin metalrgica
entre los materiales p y n), y (x) es en todas partes negativo dentro de la regin de transicin
(figura 5 12c). Estas conclusiones provienen de la ley de Gauss, pero podramos predecir las
caractersticas cualitativas de la figura 5-12 sin ecuaciones. Esperamos que el campo elctrico (x)
sea negativo en W, ya que sabemos que el campo actually apunta realmente en la direccin -x, de
n a p (es decir, de las cargas positivas del dipolo de la regin de transicin hacia el negativo
cargos). Se supone que el campo elctrico va a cero en los bordes de la regin de transicin,
puesto que estamos descuidando cualquier pequeo campo in en las regiones neutras n o p.
Finalmente, debe haber un mximo 0 en la unin, ya que este punto est entre las cargas Q + y
Q- de cada lado de la regin de transicin. Todas las lneas de flujo elctrico pasan a travs del
plano x = 0, por lo que este es el punto obvio del campo elctrico mximo.

El valor de 0 se puede encontrar integrando cualquier parte de la Ec. (5-15) con los lmites
apropiados (ver Fig. 5-12c en la eleccin de los lmites de integracin).

Por lo tanto, el valor mximo del campo elctrico es

Es fcil relacionar el campo elctrico con el potencial de contacto Vo, ya que el campo en
cualquier x es el negativo del gradiente de potencial en ese punto:

Por lo tanto, el negativo del potencial de contacto es simplemente el rea bajo el tringulo (x) vs.
x. Esto relaciona el potencial de contacto con la anchura de la regin de agotamiento:

Dado que el requisito de equilibrio de carga es xn0Nd = xp0Na, y W es simplemente xp0 + xn0,
podemos escribir xn0 = WNa / (Na + Nd) en la Ec. (5-19):

Resolviendo para W, tenemos una expresin para el ancho de la regin de transicin en trminos
del potencial de contacto, las concentraciones de dopado y constantes conocidas q y e:

Hay varias variaciones tiles de la ec. (5 - 21); por ejemplo, Vo se puede escribir en trminos de las
concentraciones de dopaje con la ayuda de la Ec. (5-8):

Tambin podemos calcular la penetracin de la regin de transicin en los materiales nyp:

Como era de esperar, las ecuaciones (5-23) predicen que la regin de transicin se extiende ms
hacia el lado con el dopaje ms ligero. Por ejemplo, si Na Nd, xp0 es grande en comparacin con
xn0. Esto concuerda con nuestro argumento cualitativo de que es necesaria una penetracin
profunda en material ligeramente dopado para "descubrir" la misma cantidad de carga espacial
que para una penetracin corta en material fuertemente dopado.
Otro resultado importante de la Ec. (5-21) es que el ancho de transicin W vara como la raz
cuadrada del potencial a travs de la regin. En la derivacin hasta este punto, hemos considerado
solamente el potencial de contacto de equilibrio V0. En la seccin 5.3 veremos que un voltaje
aplicado puede aumentar o disminuir el potencial a travs de la regin de transicin ayudando u
oponindose al campo elctrico de equilibrio. Por lo tanto, la ecuacin (5-21) predice que un
voltaje aplicado aumentar o disminuir la anchura de la regin de transicin tambin.

Ejemplo 5-2. La unin descrita en el Ejemplo 5-1 tiene una seccin transversal circular con un
dimetro de 10 mm. Calcule xn0, xp0, Q + y 0 para esta unin en equilibrio (300 K). Esquema (x)
y densidad de carga a escala, como en la figura 5-12.
5.3 Juntas inclinadas hacia adelante y hacia atrs; Condiciones de estado estable.

Una caracterstica til de una unin pn es que la corriente fluye libremente en la direccin p hacia
n cuando la regin p tiene una polarizacin de tensin externa positiva con respecto a n
(polarizacin directa y corriente directa), mientras que virtualmente no fluye corriente cuando se
hace negativo p con respecto a n (polarizacin inversa y corriente inversa).

Esta asimetra del flujo de corriente hace que el diodo de unin p-n sea muy til como rectificador.
Si bien la rectificacin es una aplicacin importante, es slo el comienzo de una serie de usos para
la unin sesgada. Las uniones p-n sesgadas pueden utilizarse como condensadores variables de
voltaje, fotoclulas, emisores de luz y muchos ms dispositivos que son bsicos para la electrnica
moderna. Se pueden usar dos o ms uniones para formar transistores y conmutadores
controlados. En esta seccin comenzaremos con una descripcin cualitativa del flujo de corriente
en una unin sesgada. Con los antecedentes de la seccin anterior, las caractersticas bsicas del
flujo de corriente son relativamente sencillas de entender, y estos conceptos cualitativos forman
la base para la descripcin analtica de las corrientes hacia delante y hacia atrs en una unin.

5.3.1 Descripcin cualitativa del flujo de corriente en un cruce

Suponemos que un sesgo de voltaje aplicado V aparece a travs de la regin de transicin de la

unin en lugar de en las regiones neutra n y p. Por supuesto, habr una cierta cada de voltaje en
el material neutral, si una corriente fluye a travs de l. Pero en la mayora de los dispositivos de
unin p-n, la longitud de cada regin es pequea en comparacin con su rea, y el dopaje suele
ser moderado a pesado; por lo tanto la resistencia es pequea en cada regin neutra, y slo una
pequea cada de voltaje puede mantenerse fuera de la regin de carga de espacio (transicin).
Para casi todos los clculos es vlido suponer que un voltaje aplicado aparece completamente a
travs de la regin de transicin. Tomaremos V para ser positivo cuando la polarizacin externa es
positiva en el lado p con respecto al lado n.

Puesto que un voltaje aplicado cambia la barrera del potencial electrosttico y por lo tanto el
campo elctrico dentro de la regin de la transicin, esperaramos cambios en los varios
componentes de la corriente en la unin (Fig. 5-13). Adems, la separacin de las bandas de
energa se ve afectada por el sesgo aplicado, junto con el ancho de la regin de agotamiento.
Comencemos examinando cualitativamente los efectos del sesgo sobre las caractersticas
importantes de la unin.

La barrera de potencial electrosttico en la unin se reduce mediante una polarizacin directa Vf

del potencial de contacto de equilibrio Vo con el valor menor Vo - Vf. Este descenso de la barrera
de potencial se produce porque un sesgo directo (p positivo con respecto a n) eleva el potencial
electrosttico en el lado p con respecto al lado n. Para un sesgo inverso (V = Vr) ocurre lo
contrario; el potencial electrosttico del lado p es deprimido con respecto al lado n, y la barrera de
potencial en la unin se hace ms grande (Vo + Vr).

El campo elctrico dentro de la regin de transicin puede deducirse de la barrera de potencial.

Observamos que el campo disminuye con sesgo directo, ya que el campo elctrico aplicado se
opone al campo incorporado. Con polarizacin inversa el campo en la unin se incrementa por el
campo aplicado, que est en la misma direccin que el campo de equilibrio. El cambio en el campo
elctrico en la unin requiere un cambio en el ancho W de la regin de transicin, ya que todava
es necesario que un nmero adecuado de cargas positivas y negativas (en forma de iones donador
y aceptador no compensados) sea expuesto para un valor dado del campo . Por lo tanto,
esperaramos que el ancho W decreciera bajo polarizacin directa (menor , menos cargas no
compensadas) y aumentara bajo polarizacin inversa. Las ecuaciones (5-21) y (5-23) se pueden
utilizar para calcular W, xp0 y xn0 si Vo es reemplazado por la nueva altura de barrera (8) V0 - V.
La separacin de las bandas de energa es una funcin directa de la barrera de potencial
electrosttico en la unin. La altura de la barrera de energa electrnica es simplemente la carga
electrnica q veces la altura de la barrera del potencial electrosttico. As, las bandas se separan
menos [q (V0 - Vf)] bajo polarizacin directa que en el equilibrio, y ms [q (V0 + Vr)] bajo
polarizacin inversa. Asumimos que el nivel de Fermi en el fondo de cada regin neutra es
esencialmente el valor de equilibrio (volveremos a este supuesto ms adelante); por lo tanto, el
desplazamiento de las bandas de energa bajo sesgo implica una separacin de los niveles de
Fermi a ambos lados de la unin, como se menciona en la Seccin 5.2.2. Bajo polarizacin directa,
el nivel de Fermi en el lado n EFn est por encima de EFp por la energa qVf; para el sesgo inverso,
EFp es qVr joules mayor que EFn. En las unidades de energa de los electrones voltios, los niveles
de Fermi en las dos regiones neutras estn separados por una energa (eV) numricamente igual a
la tensin aplicada (V).

La corriente de difusin est compuesta por electrones portadores mayoritarios en el lado n que
superan la barrera de energa potencial para difundir al lado p y agujeros que superan su barrera
desde p hasta n.9 Hay una distribucin de energas para electrones en la conduccin n-lateral (Fig.
3-16), y algunos electrones en la "cola" de alta energa de la distribucin tienen suficiente energa
para difundirse de n a p en equilibrio a pesar de la barrera. Con la polarizacin hacia adelante, sin
embargo, la barrera se reduce (a V0 - Vf), y muchos ms electrones en la banda de conduccin n-
lateral tienen suficiente energa para difundirse de n a p sobre la barrera ms pequea. Por lo
tanto, la corriente de difusin de electrones puede ser bastante grande con sesgo directo. De
forma similar, ms agujeros pueden difundirse de p a n bajo polarizacin directa debido a la
barrera rebajada. Para polarizacin inversa, la barrera se vuelve tan grande (V0 + Vr) que
prcticamente ningn electrn en la banda de conduccin n-lado o agujeros en la banda de
valencia del lado p tienen suficiente energa para superarla. Por lo tanto, la corriente de difusin
es usualmente despreciable para polarizacin inversa.

La corriente de deriva es relativamente insensible a la altura de la barrera de potencial. Esto suena

extrao al principio, ya que normalmente pensamos en trminos de material con portadores
amplios, y por lo tanto esperamos que la corriente de deriva sea simplemente proporcional al
campo aplicado. La razn de esta aparente anomala es el hecho de que la corriente de deriva est
limitada no por la rapidez con que los portadores se barren por la barrera, sino con qu
frecuencia. Por ejemplo, los electrones portadores minoritarios en el lado p que se desplazan
hacia la regin de transicin sern barridos por la barrera por el campo,, dando lugar al
componente de electrones de la corriente de deriva. Sin embargo, esta corriente es pequea no
por el tamao de la barrera, sino porque hay muy pocos electrones minoritarios en el lado p para
participar. Cada electrn en el lado p que se difunde a la regin de transicin ser barrido por la
colina de energa potencial, si la colina es grande o pequea. La corriente de derivacin de
electrones no depende de la rapidez con que un electrn individual es barrido de p a n, sino ms
bien de cuntos electrones se barren por la barrera por segundo. Observaciones similares se
aplican con respecto a la deriva de los agujeros de las minoras desde el lado n hasta el lado p de la
unin. Por lo tanto, para una buena aproximacin, las corrientes de derivacin de electrones y
agujeros en la unin son independientes de la tensin aplicada.

El suministro de portadores minoritarios a cada lado de la unin requerida para participar en el

componente de corriente de derivacin es generado por la excitacin trmica de pares de
electrones-agujeros (EHPs). Por ejemplo, un EHP creado cerca de la unin en el lado p proporciona
un electrn minoritario en el material p. Si el EHP se genera dentro de una longitud de difusin Ln
de la regin de transicin, este electrn puede difundirse a la unin y ser barrido por la barrera
hacia el lado n. La corriente resultante debido a la deriva de los portadores generados a travs de
la unin se llama comnmente la corriente de la generacin puesto que su magnitud depende
enteramente de la tarifa de la generacin de EHPs. Como se ver ms adelante, esta corriente de
generacin puede ser aumentada en gran medida por excitacin ptica de EHPs cerca de la unin
(el fotodiodo de unin p-n).

La corriente total que cruza la unin est compuesta por la suma de los componentes de difusin y
deriva. Como se indica en la figura 5-13, las corrientes de difusin de electrones y agujeros estn
dirigidas de p a n (aunque las direcciones de flujo de partculas son opuestas entre s) y las
corrientes de deriva son de n a p. La corriente neta que cruza la unin es cero en el equilibrio, ya
que los componentes de deriva y difusin cancelan para cada tipo de portador (los componentes
de equilibrio de electrones y agujeros no tienen que ser iguales, como en la figura 5-13, y la
corriente neta de electrones son cada uno cero). Bajo polarizacin inversa, ambos componentes
de difusin son despreciables debido a la gran barrera en la unin, y la nica corriente es la
corriente de generacin relativamente pequea (y esencialmente independiente del voltaje) de n
a p. Esta corriente de generacin se muestra en la figura 5-14, en un bosquejo de un grfico I-V
tpico para una unin p-n. En esta figura la direccin positiva para la corriente I se toma de p a n, y
la tensin aplicada V es positiva cuando el terminal positivo de la batera est conectado a p y el
terminal negativo a n. La nica corriente que fluye en este diodo de unin p-n para V negativo es
la corriente pequea I (gen.) Debido a portadores generados en la regin de transicin o
portadores minoritarios que difunden a la unin y se recogen. La corriente en V = 0 (equilibrio) es
cero puesto que las corrientes de generacin y difusin se anulan:

Como veremos en la siguiente seccin, una polarizacin directa aplicada V = Vf aumenta la

probabilidad de que un portador pueda difundirse a travs de la unin, por el factor exp (qVf> kT).
As, la corriente de difusin bajo polarizacin directa viene dada por su valor de equilibrio
multiplicado por exp (qV> kT); de manera similar, para polarizacin inversa, la corriente de
difusin es el valor de equilibrio reducido por el mismo factor, con V = -Vr. Dado que la corriente
de difusin de equilibrio es igual en magnitud a / I (gen.)/, la corriente de difusin con polarizacin
aplicada es simplemente /I(gen.)/*exp(qV>kT). La corriente total I es entonces la corriente de
difusin menos el valor absoluto de la corriente de generacin, a la que ahora nos referiremos
como Io:

En la Ec. (5-25) la tensin aplicada V puede ser positiva o negativa, V = Vf o V = -Vr. Cuando V es
positivo y mayor que unos kT> q (kT> q = 0,0259 V a temperatura ambiente), el trmino
exponencial es mucho mayor que la unidad. La corriente, por lo tanto, aumenta exponencialmente
con el sesgo directo. Cuando V es negativo (polarizacin inversa), el trmino exponencial se
aproxima a cero y la corriente es -I0, que est en la direccin n a p (negativa). Esta corriente de
generacin negativa tambin se denomina corriente de saturacin inversa. La caracterstica
sorprendente de la figura 5-14 es la no linealidad de la caracterstica I-V. La corriente fluye
relativamente libremente en la direccin hacia delante del diodo, pero casi ninguna corriente fluye
en la direccin inversa.

5.3.2 Inyeccin del transportador

De la discusin en la seccin anterior, esperamos que la concentracin de portador minoritario en

cada lado de una unin p-n vare con el sesgo aplicado debido a las variaciones en la difusin de
los portadores a travs de la unin. La relacin de equilibrio de las concentraciones de agujeros en
cada lado.

se hace con sesgo (Fig. 5-13).

Esta ecuacin utiliza la barrera alterada V0 - V para relacionar las concentraciones de agujeros de
estado estacionario en los dos lados de la regin de transicin con polarizacin directa o inversa (V
positiva o negativa). Para la inyeccin de bajo nivel podemos descuidar los cambios en las
concentraciones de portadores mayoritarios. Aunque el aumento absoluto de la concentracin de
portador mayoritario es igual al aumento de la concentracin de portador minoritario con el fin de
mantener la neutralidad de carga espacial, se puede suponer que el cambio relativo en la
concentracin de portador mayoritario vara slo ligeramente con sesgo en comparacin con los
valores de equilibrio. Con esta simplificacin podemos escribir la razn de la Eq. (5-26) a (5-27)
como
Con el sesgo directo, la ec. (5-28) sugiere una concentracin de agujeros portadores minoritarios
en el borde de la regin de transicin en el lado n p (xn0) mayor que en el caso del equilibrio. Por
el contrario, la concentracin de agujeros p (xn0) bajo polarizacin inversa (V negativa) se reduce
por debajo del valor de equilibrio pn. El aumento exponencial de la concentracin de agujeros en
xn0 con sesgo directo es un ejemplo de inyeccin de portador minoritario. Como sugiere la Fig. 5-
15, una polarizacin directa V da como resultado una inyeccin en estado estacionario de exceso
de agujeros en la regin n y electrones en la regin p. Podemos calcular fcilmente la
concentracin de agujero en exceso pn en el borde de la regin de transicin xn0 restando la
concentracin de agujero de equilibrio de la Ec. (5-28),

y de manera similar para electrones en exceso en el lado p,

A partir de nuestro estudio de difusin de exceso de portadores en la seccin 4.4.4, esperamos

que la inyeccin que conduce a una concentracin constante de pn exceso de agujeros en xn0
producir una distribucin de exceso de agujeros en el n material. A medida que los agujeros se
difunden ms profundamente en la regin n, se recombinan con electrones en el material n, y la
distribucin de agujeros en exceso resultante se obtiene como una solucin de la ecuacin de
difusin, la Ec. (4-34b). Si la regin n es larga comparada con la longitud de difusin del agujero Lp,
la solucin es exponencial, como en la Ec. (4-36). De manera similar, los electrones inyectados en
el material p se difunden y se recombinan, dando una distribucin exponencial de electrones en
exceso. Por conveniencia, definamos dos nuevas coordenadas (Fig. 5-15): Las distancias medidas
en la direccin x en el material n de xn0 sern designadas xn; las distancias en el material p
medido en la direccin -x con -xp0 como origen se denominarn xp. Esta convencin simplificar
considerablemente las matemticas. Podemos escribir la ecuacin de difusin como en la
ecuacin (4-34) para cada lado de la unin y resolver las distribuciones de exceso de portadores
(delta * n y delta * p) suponiendo largas p y n regiones:
La corriente de difusin de agujero en cualquier punto xn en el material n se puede calcular a
partir de la Ec. (4-40):

donde A es el rea de la seccin transversal de la unin. As, la corriente de difusin de agujero en

cada posicin xn es proporcional a la concentracin de agujero en exceso en ese punto. (11) La
corriente de agujero total inyectada en el material n en la unin se puede obtener simplemente
evaluando la Ec. (5-32) en xn0:

Por un anlisis similar, la inyeccin de electrones en el material p conduce a una corriente de

electrones en la unin de:
El signo menos de la ecuacin (5-34) significa que la corriente de electrones es opuesta a la
direccin xp; es decir, la direccin verdadera de In est en la direccin + x, sumndose a Ip en la
corriente total (Fig. 5-16). Si descuidamos la recombinacin en la regin de transicin, que se
conoce como aproximacin de diodo ideal de Shockley, podemos considerar que cada electrn
inyectado que alcance -xp0 debe pasar a travs de xn0. As, la corriente total de diodo I en xn0
puede calcularse como la suma de Ip (xn = 0) y -In (xp = 0). Si tomamos la direccin + x como la
direccin de referencia para la corriente total I, debemos usar un signo menos con In (xp) para
explicar el hecho de que xp est definido en la direccin -x:

La ecuacin (5-36) es la ecuacin del diodo, que tiene la misma forma que la relacin cualitativa
Eq. (5-25). Nada en la derivacin excluye la posibilidad de que la tensin de polarizacin V pueda
ser negativa; por lo tanto la ecuacin de diodos describe la corriente total a travs del diodo para
polarizacin hacia delante o hacia atrs. Podemos calcular la corriente para el sesgo inverso
dejando V = -Vr:

Si Vr es mayor que unos kT> q, la corriente total es slo la corriente de saturacin inversa
Una implicacin de la ecuacin (5-36) es que la corriente total en la unin est dominada por la
inyeccin de portadores desde el lado ms dopado hacia el lado con menor dopado. Por ejemplo,
si el material p est muy dopado y la regin n est ligeramente dopada, la concentracin del
portador minoritario en el lado p (np) es despreciable comparada con la concentracin del
portador minoritario en el lado n (pn). As, la ecuacin del diodo puede ser aproximada por
inyeccin de agujeros solamente, como en la Ec. (5-33). Esto significa que la carga almacenada en
las distribuciones de los minoritarios se debe principalmente a los agujeros en el lado n. Por
ejemplo, para duplicar la corriente de agujero en esta unin p + -n, no se debe doblar el dopaje p
+, sino reducir el dopaje tipo n por un factor de dos. Esta estructura se denomina unin p + -n,
donde el exponente + significa simplemente dopaje pesado. Otra caracterstica de la estructura p +
-n o n + -p es que la regin de transicin se extiende principalmente a la regin ligeramente
dopada, como se encontr en la discusin de la Ec. (5 - 23). Tener un lado fuertemente dopado es
una disposicin til para muchos dispositivos prcticos, como veremos en nuestras discusiones de
diodos de conmutacin y transistores. Este tipo de unin es comn en los dispositivos que se
fabrican mediante contrapropulsin. Por ejemplo, se puede usar una muestra de Si de tipo n con
Nd = 1014 cm-3 como sustrato para una unin implantada o difundida. Si el dopaje de la regin p
es superior a 1019 cm-3 (tpico de las uniones difundidas), la estructura es definitivamente p + -n,
con np ms de cinco rdenes de magnitud menor que pn. Dado que esta configuracin es comn
en la tecnologa de dispositivos, volveremos a ella en gran parte de la siguiente discusin.

La figura 5-15b muestra los niveles cuasi-Fermi en funcin de la posicin de una unin p-n en
polarizacin directa. El FE de equilibrio se divide en los niveles cuasi-Fermi Fn y Fp que estn
separados dentro de W por una energa qV causada por el sesgo aplicado, V. Esta energa
representa la desviacin del equilibrio (vase la Seccin 4.3.3). En el sesgo directo en la regin de
agotamiento,

A cada lado de la unin, es el nivel de cuasi-Fermi de portador minoritario el que vara ms. La
concentracin de portador mayoritario no se afecta mucho, por lo que el nivel de cuasi-Fermi de
portador mayoritario est cerca del Ef original. Aunque existe alguna variacin en EF y Fp dentro
de W, no aparece en la escala utilizada en la Fig. 5-15. Fuera de las regiones de agotamiento, los
niveles cuasi-Fermi para los portadores minoritarios varan linealmente y finalmente se fusionan
con los niveles de Fermi. Por el contrario, las concentraciones de portadores minoritarios
disminuyen exponencialmente con la distancia. De hecho, se necesitan muchas longitudes de
difusin para que el nivel cuasi-Fermi cruce Ei, donde la concentracin de portadores minoritarios
es igual a la concentracin intrnseca de portadores, y mucho menos se aproxima a EF, donde por
ejemplo delta * p (xn) pn.

Otra forma sencilla e instructiva de calcular la corriente total es considerar la corriente inyectada
como suministradora de los portadores para las distribuciones en exceso (Fig. 5-16b). Por ejemplo,
Ip (xn = 0) debe suministrar suficientes agujeros por segundo para mantener la distribucin
exponencial de estado estable p (xn) a medida que los orificios se recombinan. La carga positiva
total almacenada en la distribucin excesiva de la portadora en cualquier instante de tiempo es

La vida media de un agujero en el material de tipo n es vp. Por lo tanto, en promedio, esta
distribucin de carga entera se recombina y debe reponerse cada tp segundos. La corriente de
agujero inyectada en xn = 0 necesaria para mantener la distribucin es simplemente la carga total
dividida por el tiempo medio de reemplazo:

Este es el mismo resultado que la Ec. (5-33), que se calcul a partir de las corrientes de difusin.
De forma similar, podemos calcular la carga negativa almacenada en la distribucin delta * n (xp) y
dividirla por tn para obtener la corriente de electrones inyectada en el material p. Este mtodo,
llamado aproximacin de control de carga, ilustra el importante hecho de que los portadores
minoritarios inyectados en cada lado de una unin p-n se difunden en el material neutro y se
recombinan con los portadores mayoritarios. La corriente portadora minoritaria [por ejemplo, Ip
(xn)] disminuye exponencialmente con la distancia en la regin neutra. As, varias longitudes de
difusin alejadas de la unin, la mayor parte de la corriente total es transportada por los
portadores mayoritarios. Discutiremos este punto con ms detalle ms adelante en esta seccin.

En resumen, podemos calcular la corriente en una unin pn de dos maneras (Fig. 5-16): (a) a partir
de las pendientes de las distribuciones excesivas de portadores minoritarios en los dos bordes de
las regiones de transicin y (b) estado almacenado en cada distribucin. Se aade la corriente de
agujero inyectada en el material n Ip (xn = 0) a la corriente de electrones inyectada en el material
p Ip (xp = 0), despus de incluir un signo menos con In (xp) para ajustarse a la definicin
convencional de positivo corriente en la direccin + x @. Somos capaces de agregar estas dos
corrientes debido a la suposicin de que no se produce recombinacin dentro de la regin de
transicin. Por lo tanto, tenemos efectivamente la corriente total de electrones y agujeros en un
punto del dispositivo (xn0). Dado que la corriente total debe ser constante en todo el dispositivo (a
pesar de las variaciones en los componentes actuales), I como se describe en la Ec. (5-36) es la
corriente total en cada posicin x en el diodo.

La desviacin de los portadores minoritarios puede ser descuidada en las regiones neutras fuera
de W, porque la concentracin de portadores minoritarios es pequea comparada con la de los
portadores mayoritarios. Si los portadores minoritarios contribuyen a la corriente total, su
contribucin debe ser a travs de la difusin (dependiendo del gradiente de la concentracin del
portador). Incluso una concentracin muy pequea de portadores minoritarios puede tener un
efecto apreciable en la corriente si la variacin espacial es grande.

El clculo de las corrientes portadoras mayoritarias en las dos regiones neutras es simple, una vez
que hemos encontrado la corriente de la portadora minoritaria. Dado que la corriente total I debe
ser constante en todo el dispositivo, el componente portador mayoritario de corriente en
cualquier punto es slo la diferencia entre I y el componente minoritario (Fig. 5-17). Por ejemplo,
puesto que Ip (xn) es proporcional a la concentracin de exceso de agujero en cada posicin en el
material n [Eq. (5-32)], disminuye exponencialmente en xn con la disminucin de dp (xn). Por lo
tanto, el componente electrnico de la corriente debe aumentar de forma apropiada con xn para
mantener la corriente total I. Largo de la unin, la corriente en el material n es llevada casi por
completo por electrones. La explicacin fsica de esto es que los electrones deben fluir desde el
material n (y en ltima instancia desde el terminal negativo de la batera), para reabastecer los
electrones perdidos por recombinacin en la distribucin del agujero en exceso cerca de la unin.
La corriente de electrones In (xn) incluye suficiente flujo de electrones para suministrar no slo la
recombinacin cerca de xn0, sino tambin la inyeccin de electrones en la regin p. Por supuesto,
el flujo de electrones en el material n hacia la unin constituye una corriente en la direccin + x,
contribuyendo a la corriente total I.

Una pregunta que an queda por contestar es si la corriente portadora mayoritaria se debe a
deriva o difusin o ambas, en diferentes puntos del diodo. Cerca de la unin (justo fuera de las
regiones de agotamiento), la concentracin de portador mayoritario cambia exactamente por la
misma cantidad que los portadores minoritarios para mantener la neutralidad de carga espacial.
La concentracin del portador mayoritario puede cambiar bastante rpido, en una escala de
tiempo muy corta conocida como el tiempo de relajacin dielctrico, taoD (= ro * epshilon), donde
r es la resistividad y P es la constante dielctrica. El tiempo de relajacin tD es el anlogo de la
constante de tiempo RC en un circuito. Muy lejos de la unin (ms de 3 a 5 longitudes de difusin),
la concentracin de portador minoritario disminuye a un valor de fondo constante bajo. Por lo
tanto, la concentracin de portador mayoritario tambin se hace independiente de la posicin.
Aqu, claramente, el nico componente de corriente posible es la corriente de derivacin de la
portadora mayoritaria. Al aproximarse a la unin hay una concentracin de portadores mayoritaria
(y minoritaria) que vara espacialmente y la mayor parte de la corriente portadora cambia de
deriva pura a deriva y difusin, aunque la deriva domina siempre para los portadores mayoritarios
excepto en casos de niveles muy altos de inyeccin. A lo largo del diodo, la corriente total debida a
portadores mayoritarios y minoritarios en cualquier seccin transversal se mantiene constante.

Observamos, pues, que el campo elctrico en las regiones neutras no puede ser cero como
asumimos anteriormente; de lo contrario, no habra corrientes de deriva. Por lo tanto, nuestra
suposicin de que todo el voltaje aplicado aparece a travs de la regin de transicin no es
completamente exacta. Por otro lado, las concentraciones de portadores mayoritarios suelen ser
grandes en las regiones neutras, de modo que slo se necesita un campo pequeo para impulsar
las corrientes de deriva. Por lo tanto, la suposicin de que el voltaje de unin es igual a la tensin
aplicada es aceptable para la mayora de los clculos.

Ejemplo 5-3. Encuentre una expresin para la corriente de electrones en el material de tipo n de
una unin p-n polarizada hacia delante.