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Exercícios: Diodos
Figura 1. Diagramas de bandas de energia de (a) uma heterojunção metal/semicondutor tipo N e (b) uma
heterojunção metal/semicondutor tipo P. V0 é o potencial de contato entre o metal e o semicondutor, que
impede a passagem de elétrons do semicondutor para o metal.
2. A figura 2 apresenta as curvas características I-V para um diodo Schottky e um diodo de junção
PN. Explicar a diferença nas curvas características I-V.
Figura 2. Curvas características. I-V para (a) diodo Schottky e (b) diodo de junção PN.
1
Figura 3. Processos de emissão de fótons por (a) gap direto e (b) gap indireto.
Tabela 1. Energia do “gap” da banda proibida e respectivo comprimento de onda para diversos materiais
semicondutores.
Semicondutor Tipo do “gap” EG (eV) λG (µm)
Si i 1,12 1,11
Ge i 0,67 1,88
AlN i 5,90 0,21
AlAs i 2,16 0,57
GaN d 3,40 0,36
GaP i 2,26 0,55
GaAs d 1,43 0,86
InP d 1,35 0,92
InAs d 0,35 3,54
InSb d 0,18 6,87
CdS d 2,53 0,49
CdTe d 1,50 0,83
4. A figura 4 apresenta as curvas I-V características para três materiais semicondutores. Discutir os
parâmetros das curvas I-V em função das propriedades mostradas na tabela 2. que apresentam
(a) “gap” direto de emissão fotônica e (b) “gap” indireto. Com base nesta informação, estimar a
cor emitida por LEDs produzidos com os materiais semicondutores listados na tabela 2.
Explicar porquê materiais metálicos não podem emitir fótons quando excitados por campo
elétrico.
2
Figura 4. Curvas características. I-V para três tipos de diodos.
I (mA)
4,0
3,0
2,0
1,0
6. Nos circuitos da figura 2, calcular as correntes e as potências dissipadas sobre cada um dos
diodos, considerando o modelo de diodo ideal e o modelo de diodo linearizado, neste último
utilizando os dados calculados na questão 1.
D1 100 Ω 100 Ω
+ 5 kΩ +
10 V D1 D2
15 V -
- +
25 V
-
(a) (b)
Fig. 6
3
D1 10 kΩ D1
50 Vp 20 kΩ 20 Vp 10 kΩ 20 kΩ
(a) (b)
Fig. 7
9. A folha de dados para um diodo de silício indica que a corrente de polarização direta é igual a
500 mA a 1 V. Qual a resistência aproximada deste diodo?
10. O diodo 1N3595 é um diodo de silício de baixa corrente de fuga. À 25oC, IR = 1 nA para VR =
125 V. Qual a sua resistência reversa? Se à 125oC, IR = 500 nA para VR = 125 V, calcular a
resistência reversa à 125oC.
11. Um diodo Zener tem uma tensão de 15 V em seus terminais e uma corrente que o atravessa de
20 mA. Determinar a potência dissipada.
12. Se um diodo Zener dissipa uma potência de 5 W e a tensão Zener é de 20 V, calcular IZM.
+
VC Z1 VZ
-
Fig. 8
14. No circuito da figura 9, considerando que a resistência interna do Zener é igual a 5 Ω,qual o
menor valor de tensão VC que mantém a corrente no Zener maior do que zero?
4 kΩ
+
VC Z1 50 Ω VZ = 25 V
-
Fig. 9
4