Sunteți pe pagina 1din 46

MINISTERUL NVMNTULUI AL

REPUBLICII MOLDOVA

UTM
Catedra

la disciplina: Radioelectronica

TEMA:

A elaborat: st. gr.

A verificat:

Chiinu 2013
2
1. Tranzistorul bipolar.
1.1. Parametrii de baz ai tranzistorului KT601A.

Tranzistor bipolar de tip n-p-n, fabricat prin metoda difuziei, de putere medie i
frecven nalt se folosete n circuite de generare i amplificare din aparatajul
radioelectronic.
Masa tranzistorului nu mai mult de 3 grame.
Parametrii electrici:
Parametrii electrici:
1.Coeficientul de transfer dup curent n schema emitor comun: h21E =16
2. Tensiunea colector-baz: UCB=20 V
3. Curentul colectorului maxim: ICmax=0,3 A
4. Capacitatea jonciunii colectorului: CC=15 pF
5. Capacitatea jonciunii emitorului: CE=20 pF
6. Frecvena de tiere: ft=40 MHz
7. Curentul de scurgere a colectorului: ICB0 .500 A
8. Puterea maxim: Pmax=0,5 W
9. Temperatura de funcionare: T=233....358oK

3
1.2.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT601A.
Tranzistorul este un dispozitiv avnd o structur de tip n-p-n sau p-n-p, la care
regiunea din mijloc, adic baza trebuie s fie foarte subire i puin dotat cu
impuriti. Se consider a nota cu E-emitorul, cu B-baza i C-colectorul.
Difuzia este procesul cu ajutorul cruia pe suprafaa sau n interiorul plachetei
semiconductoare primim p sau n regiuni prin metoda introducerii impuritilor
acceptoare sau donoare. Ptrunderea impuritilor n interiorul plachetei
semiconductoare are loc din cauza difuziei atomilor, care se afl n componena
vaporilor n atmosfera crora este introdus placheta la temperatur nalt. Deorece
atomii de impuriti difundeaz din regiunea cu concentraie nalt cu vitez
determinat de coeficientul de difuzie, atunci concentraia mai mare a impuritilor
se obine la suprafaa semiconductorului. Cu mrirea distanei de la suprafa spre
interiorul semiconductorului concentraia impuritilor monoton se micoreaz.
Jonciunea p-n apare n regiunea unde concentraia purttorilor de sarcin este
aproape de cea pe care o are materialul fr impuriti. Din cauza repartiiei
neuniforme a impuritilor pe grosimea regiunii primit prin difuzie are cmp
electric propriu.
Diferena dintre mrimile coeficientului de difuzie la materiale diferite este
folosit pentru primirea simultan a dou regiuni de diferit tip de
electroconductibilitate. Pentru Ge coeficientul de difuzie a impuritilor donoare
este cu cteva ordine mai mare dect coeficientul de difuzie a impuritilor
acceptoare, iar n Si se observ o imagine invers. De aceea dac placheta
semiconductorului este plasat ntr-un spaiu cu temperatur nalt a gazului ce
conine vapori de impuriti att donoare, ct i acceptoare. Atomii impuritilor cu
coeficient de difuzie mare vor ptrunde mai adnc n interiorul semiconductorului
i vor forma regiune cu electroconductibilitate respectiv. Atomii de impuriti cu
coeficient de difuzie mai mic vor forma n apropierea suprafeei semiconductorului
regiune cu electroconductibilitate de tip opus. Cu toate acestea e necesar ca
concentraia impuritilor cu coeficient mic de difuzie s fie mai mare dect
concentraia cu coeficient mare. Calitatea procesului de difuzie la fabricarea
jonciunilor depinde mult de precizia i de meninerea temperaturii necesare. De
exemplu la temperatura 10001200C schimbarea ei cu cteva grade poate
modifica de dou ori valoarea coeficientului de difuzie.
Difuzia n dou etape este folosit pentru micorarea influienei instabilitii
temperaturii la calitatea dispozitivelor semiconductoare, primite prin metoda
difuziei. La prima etap pe suprafaa plachetei semiconductoare la temperatur
relativ joas se primete o pelicul de sticl. La a doua etap placheta
semiconductoare este plasat ntr-o sob cu temperatur nalt, n care difuzia
impuritilor are loc din pelicula de sticl spre interiorul plachetei, iar pe suprafaa
semiconductorului rmne o pelicul dielectric de oxid. Difuzia n dou etape este
procesul des folosit la introducerea impuritilor de B n Si. n calitate de surs de
impuriti se folosete oxidul de bor (B2O3). nclzind placheta i B2O3 n
atmosfera de hidrogen, pe suprafaa ei se primete un strat de borosilicat. nclzirea
plachetei pn la temperaturi nalte aduce la difuzia borului din stratul de sticl n

4
interiorul plachetei. Cu toate acestea suprafaa este acoperit cu SiO2, care este un
dielectric. n acest fel prin difuzia n dou etape are loc dozarea introducerii
impuritilor din startul de sticl n semiconductor.
Pentru fabricarea tranzistorului KT601A, care este de tip n-p-n, se folosete
metoda de difuzie planar. Din punct de vedere constructiv dispozitivele planare
sunt caracterizate cu aceea c toate straturile sunt realizate pe una i aceeai parte a
plachetei, deaceea i electrozii sunt plasai pe aceeai parte.
Masca n form de oxid de siliciu SiO2, o primim prin metoda oxidrii termice a
suprafeelor de siliciu, care posed urmtoarele proprieti:
1. Masca de oxid este legat organic cu suprafaa plachetei, avnd un contact
trainic cu ea, ceea ce exclude ptrunderea difuzorului n locul dintre masc i
suprafa.
2. Grosimea mtii de oxid (aproximativ un micron) este destul pentru aprarea
prilor respective a plachetei mpotriva atomilor ce difuzeaz.
3. Stratul d oxid n acelai timp cu funcia de mascare ndeplinete i funcia de
aprare (nseamn i a n-p jonciunii, care iese la suprafa) de la influiena
diferitor factori externi. n cazul, tehnologiilor de aliere i mesa pentru asta este
nevoie de a folosi metode speciale de protecie.
Ciclul de fabricare planar a tranzistorului n-p-n este ilustrat n figura 1. Se ea o
plachet din Si tip-n, care n structura rezultant joac rolul de colector. Pe aceast
plachet peste prima masc de oxid se efectuiaz difuzia acceptorului (de obicei
bor) i se primete stratul p al bazei. Apoi peste a doua masc se face difuzia
donorilor (de obicei fosfor) astfel primim stratul emitorului. n sfrit cu ajutorul
celei de-a treia mti de oxid se conecteaz contactele omice din aluminiu la toate
cele trei straturi i n continuar esunt lipite la aceste contacte srmulie subiri care
joac rolul de piciorue ale tranzistorului.
n varianta considerat placheta este aleas cu o rezisten destul de mare, pentru
a asigura o tensiune de strpungerea a jonciunii colectorului necesar.

SiO2

a)

b)

5
)

E B C

b)

Figura 1. Etapele de fabricare a tranzistorului planar de tip n-p-n.


a) placheta naintea difuziei bazei.
b) placheta naintea difuziei emitorului.
c) placheta naintea alierii contactelor omice.
d) Structura rezultant a tranzistorului de tip n-p-n.

6
1.3. Caracteristica de intrare i ieire pentru
tranzistorul KT601A.

Caracteristica de intrare IB=f(UBE) pentru UCE=const. n conexiunea EC normal


curentul de baz este dat de relaia:

I B I E I C I E 1 N I CB0
IE
1 N
I CB0

Relaia de mai sus pune n eviden c asemnarea caracteristicii de intare este


aceeai ca i la conexiunea BC, cu observaia c reprezentarea se face la o alt
scar. Pentru valori mici ale tensiunii de polarizare direct a jonciunii emitorului,
caracteristica de intrare apare n cadranul IV ntruct n circuitul bazei predomin
curentul rezidual ICB0. La tranzistoarele din siliciu, curentul rezidual este foarte
mic, astfel nct caracteristica de intrare se poate considera c trece prin origine.

Fig .1. Caracteristica de intrare IB=f(UEB), pentru UCE=const.


Caracteristica de ieire a tranzistorului bipolar KT601.

7
1.4. Scheme echivalente ale tranzistorului bipolar (BC,
EC, CC).

Conectare emitor comun.


Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale (borne) i poate fi conectat n
circuit dup unul din montajele fundamentale (BC, EC, CC); montajele
fundamentale sunt denumite i conexiuni fundamentale.
Vom analiza mai detaliat schema de conectare n emitor comun care are cea mai
larg utilizare n practic:

Aceast conectare are urmtoarea


schem echivalent:

Fig. 1. Schema de conectare n emitor comun

fig. 2. Schema echivalent ( emitor comun ).


Din schema echivalent rezult urmtorii parametri:
- rezistena de intrare n etaj
U in
Z in ; (1)
I in


U in I b rb I E rE I b rb I b ( 1 E )rE I b rb rE ( 1 E ) ; (2)
nlocuind n (1) pe Iin cu Ib i pe Uin cu valoarea ei din (2) obinem:
U in
Z in .tr . rb rE ( 1 E ) rb rE ; (3)
I in

Conectare baz comun.

8
fig. 3. Schema de conectare ( baz comun ).

Pentru aceast conectare se poate prezenta urmtoarea schem de conectare:

fig. 4. Schema echivalent ( baz comun ).


Conectare colector comun.
Coeficientul de transfer dup curent reprezint raportul dintre curentul emitorului
i curentul bazei:
IE
KI 1
IB

Proprietatea cea mai de pre a conexiunii n colector comun este rezistena de


intrare foarte joas. Datorit rezistenei de intrare reduse tranzistorul n
conexiunea colector comun este echivalent unui generator de tensiune care se
schimb neesenial la variarea rezistenei de sarcin (bineneles pn cnd
rezistena de sarcin nu depete cu mult rezistena de ieire a generatorului).

9
fig. 5. Schema de conectare ( colector comun ).

1.5. Modelul matematic al tranzistorului.

Pentru a obine modelul matematic al tranzistorului se utilizeaz schema


prezentat n fig. 1. Fiecare jonciune este prezentat n form de o diod simpl,
iar interaciunea dinre ele este reprezentat prin dou generatoare de curent. Dac
jonciunea emitorului este deschis atunci n circuitul colectorului va curge un
curent, puin mai mic ca curentul emitorului (din cauza procesului de recombinare

10
n baz). Acest curent este obinut de ctre generatorul de curent N I 1 N 1 .
Indicele N reprezint conectarea normal sau direct. Deoarece n caz general
tranzistorul poate fi conectat i indirect, la care jonciunea colectorului este
deschis iar cea a emitorului este nchis, astfel rezult c curentului colector I 2 i
corespunde curentul emitorului I I 2 , n schema echivalent este introdus al doilea
generator de curent I I 2 , unde I - coeficientul de transfer al curentului
emitorului.
n aa fel curenii emitor i colector n caz general conin dou componente:
cea injectat ( I 1 sau I 2 ) i cea colectat ( I I 2 sau N I 2 ):
I E I 1 I I 2 , I C N I 1 I 2 . (1)
Jonciunile emitor i colector sunt analogice jonciunii p-n a diodei. La
conectarea aparte a jonciunilor tranzistorului atunci caracteristica Volt-Amper se
determin la fel ca n cazul diodei. ns dac la una din jonciuni se aplic o
tensiune, iar ieirea cealeilalte jonciune se scurtcircuitez, atunci curentul, care
trece prin jonciunea p-n, la care a fost aplicat tensiunea, se mrete din cauza
schimbrii concentraiei purttorilor minoritari de sarcin n baz.

I 1 I ET e U EB T 1 ; I 2 I CT
U

e CT T 1 , (2)
unde I ET - curentul termic al jonciunii emitorului msurat la scurtcircuitarea
electrozilor bazei i colectorului; I CT - curentul termic al jonciunii colectorului
msurat la scurtcircuitarea electrozilor bazei i emitorului.
Legtura dintre curenii termici a jonciunilor I CT , I ET , conectai aparte, i
curenii termici a jonciunilor I CT , I ET o primim din relaiile (1) i (2). S
presupunem c I E 0 , atunci I 1 I I 2 . Cnd U CB T I 2 I CT . Substituim
aceste relaii n (1) i obinem pentru curentul colectorului urmtoarea ecuaie
I CT 1 N I .
I CT
Respectiv pentru I ET avem I ET I ET 1 N I
Lund n consideraie relaia (2) vom avea urmtoarele relaii pentru curenii
colector i emitor:
e U CT T 1 ;
I E I ET e U EB T 1 I I CT (3)
e U CT T 1 ;
I C N I ET e U EB T 1 I CT
Pe baza legii lui Kirghoff curentul bazei este:

I B I E I C 1 N I ET e U EB T 1 1 I I CT
e UCB T 1 (4)
La utilizarea relaiilor (1)-(4) trebuie de reinut c n tranzistoare la general
este valabil relaia:
N I ET I I CT . (5)
Rezolvnd ecuaia (3) n raport cu C , vom boine: I

I C N I E I e U CB T 1 . (6)
Aceast ecuaie descrie caracteristicile de ieire ale tranzistoarelor.
Dac ecuaia (3) se rezolv n raport cu U EB atunci se obine relaia care
reprezint caracteristicile idealizate de ieire ale tranzistorului:

U EB T I E I E I ET 1 N e UCT T . (7)

11
n tranzistorul real n afar de curenii termici ale jonciunilor mai sunt i
curenii de generare-recombinare, cureni de canal i de scurgere. Deaceea
, I ET , I ET de regul sunt necunoscute.
I CT , I CT
Dac jonciunea p-n este polarizat indirect atunci curentul termic poate fi
nlocuit cu curentul de scurgere, adic putem considera c I CT I CB 0 i I ET I EB 0 .
Prima aproximare poate fi utilizat i la polarizarea direct. Cu toate acestea la
tranzistorii de siliciu T trebuie substituit prin m T , unde coeficientul
m reprezint influiena curenilor asupra unei jonciuni reale ( m 2 4 ). Utiliznd
aceasta, relaiile (3) i (5) adesea se scriu n alt forma care este mai comod la
calcularea parametrilor circuitelor cu tranzistori reali:
IC
1
A

N I EB 0 e U EB mT 1 I CB0 e U EB mT 1 ; (8)
1

I E I EB 0 e U EB mT 1 I I CB 0 e UCB mT 1 ;
A
(9)
N I EB 0 I I CB 0 (10)
unde A 1 N I .
Se deosebesc trei regime de baz de funcionare a tranzistorilor bipolari:
activ, de blocare i de saturaie.
n regimul activ una din jonciunile tranzistorului este polarizat direct
datorit tensiunii aplicate din exterior, iar cealalt este polarizat indirect. Astfel n
regim de polarizare normal activ emitorulu este polarizat direct iar tensiunea
U EB din relaiile (3) i (8) are semnul +. Jonciunea colectorului este polarizat
indirect respectiv tensiunea U CB n relaia (3) are semnul -. La conecatrea
inversoare a tranzistorului n ecuaiile (3) i (8) tensiunea U EB i U CB trebuie s
aib polaritate opus. Deosebirea dintre regimul inversor i cel activ are numai
caracter cantitativ.
Pentru regimul activ, cnd U CB T i I CT I CB 0 relaia (6) o vom scrie n
forma urmtoare I C N I E I KB 0 , care corespunde absolut cu relaia (1) din punctul
anterior.
Lund n consideraie c deobicei N 0 ,9 0 ,995 i 1 N 0 ecuaia (7)
poate fi simplificat:
U EB T ln I E I ET T ln I E 1 N I I EB 0 (11)
n acest mod, ntr-un tranzistor ideal curentul colector i tensiunea emitor-
baz la o anumit valoare a curentului I E nu depind de tensiunea alpicat la
jonciunea colector. n realitate la modificarea tensiunii U CB se modific lrgimea
bazei, din cauza schimbrii dimensiunilor jonciunii colector i respectiv se
modific gradientul concentraiei purttorilor minoritari de sarcin. Astfel la
mrirea U CB are loc micorarea bazei, gradientul concentraiei golurilor n baz i
curentul I E se mresc. n afar de aceasta, se reduce probabilitatea de recombinare
a golurilor i se mrete coeficientul . Pentru menionarea acestui efect, care
apare mai pronunat n regimul activ, n relaia (11) se adaug nc un termen:
I C N I E I CB 0 U CB rC dif (12)
U CB
unde rC dif - rezistena diferenial a jonciunii colectorului blocat.
I C I E const

12
Aciunea tensiunii U CB asupra curentului I E se observ cu ajutorul
coeficientului de reacie negativ n tensiune:
dU EB
CE , (13)
dU CB I E const

care arat de cte ori trebuie schimbat tensiunea U CB pentru primirea aceleiai
schimbri a curentului I E . Semnul minus arat c pentru meninerea curentului
I E const creterea tensiunii trebuie s aib polaritate opus. Coeficientul CE este
destul de mic ( CE 10 4 10 5 ), deaceea la calcule practice deobicei se exclude
influiena tensiunii colectorului asupra cea a emitorului.
n regim de blocare ambele jonciuni sunt polarizate indirect de ctre
tensiunile aplicate din exterior. Modulul tensiunilor trebuie s ntreac valoarea
3 5 m T . Dac aceste tensiuni vor fi mai mici atunci tranzistorul va rmne n
regim de blocare. ns curenii electrozilor vor fi mai mari, ca n regim de blocare
puternic.
innd cont, c tensiunea U CB i U EB au semn negativ, i avnd n vedere c
U EB 3 m T i U CB 3 m T , relaia (8) devine:
I C 1 A N I EB 0 I CB 0 (14)
I E 1 A I EB 0 I I CB 0 .
Substituind n (14) valoarea I EB 0 , gsit din (9), i nlocuind A prin valoarea
sa, obinem:
1 I
I C I CB 0 ,
1 N I
(15)
I 1 N
I E I CB 0 .
N 1 N I
Dac inem cont de faptul c N 1 iar I N atunci expresia (15) se va
simplifica esenial i va avea forma:
I C I CB 0 ,
1 (16)
IE I
N CB 0

unde N 1 ; 1 1 .
N 1

N 1

Din (16) se vede c n regimul de blocare curentul colector are valoarea


minim care este egal cu curentul unei monojonciuni polarizate indirect.
Curentul emitorului are semn opus i esenial mai mic ca curentul colector, aa
cum I N . Deaceea n multe cazuri el se consider egal cu zero.
Curentul bazei n regim de blocare aproximativ este egal cu curentul
colector:
I B I E I C I CB 0 . (17)
Acest regim caractreizeaz starea de blocare a tranzistorului, n care rezistena sa
este maxim, iar curenii electrozilor sunt minimi. Regimul este utilizat n
dispozitivele de impulsuri, unde tranzistorii funcioneaz n regim de cheie
electronic.
n regim de saturaie ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate direct
datorit tensiunii aplicate din exterior. Astfel cderea de tensiune pe tranzistor (

13
U CE ) este minim iar valoarea lui este de zeci de milivoli. Regimul de saturaie
apare atunci cnd curentul colector al tranzistorului este limitat de ctre parametrii
sursei de alimentare i de schema n care este amplasat, unde el nu ntrece o
valoare maxim I C max . n acelai timp parametrii semnalului de intrare luat astfel
nct curentul emitorului este esenial mai mare ca valoarea curentului din reeaua
colectorului: I C max N I E .
Atunci jonciunea colectorului este deschis, cderea de tensiune pe tranzistor
este minimal i nu depinde de curentul emitorului. Mrimea ei la conectare
normal pentru un curent mic I C I C I CB 0 este egal cu:
1 I
U CE sat T . (18)
I
Pentru conectarea inversoare:
1 N
U CE sat T (19)
N
n regim de saturaie ecuaia (12) devine fals. Deoarece pentru trecerea
tranzistorului din regimul activ n regimul de saturaie este necesar de mrit
curentul emitorului (la conectare normal) n aa mod nct s se ndeplineasc
condiia I C max N I E . Iar valoarea curentului I E , la care se ncepe acest regim,
depinde de curentul I C max care este determinat de parametrii circuitului n care
este amplasat tranzistorul.

1.6. Ridicarea parametrilor de baz a tranzistorilor


Dup cum a mai fost menionat, tranzistorul este un dispozitiv electronic cu
dou jonciuni p-n ce intreacioneaz ntre ele avnd trei sau mai multe borne de
ieire, fenomenele de amplificare ale crora sunt determinate de fenomenele de
inijecie i extracie ale purttorilor de sarcin. n fig. 1 sunt prezentate ilustrarea
schematic (a) i grafic (b) a tranzistorului de tip p-n-p distribuia concentraiei
purttorilor de sarcin minoritari de-a lungul structurii n stare de echilbru (c).

p n p
a)
E C
n,p
B
b)
c)
x
Fig. 1

14
Cunoatem c tranzistorul este constituit din trei regiuni: emitor (E), baz (B) i
colector (C). Jonciunea ce se creaz la frontiera E-B este numit jonciunea
emitorului, iar cea de la frontiera C-B jonciunea colectorului.
Electroconductibilitatea bazei poate fi de tip-p sau de tip-n. Respectiv, sunt dou
tipuri de structur a tranzistorului bipolar: p-n-p i n-p-n.
Principiul de funcionare al tranzistorilor de tip p-n-p i n-p-n este acelai.
Deosebirea const numai n aceea, c n tranzistorul de tip p-n-p curentul ce curge
prin baz este creat de golurile, injectate din emitor, iar n tranzistorul de tip n-p-n
de electroni. n regim normal de funcionare jonciunea emitorului este polarizat
direct, iar a colectorului indirrect.
Dac jonciunile colectorului i emitorului se afl la distan mai mare ntre
ele (adic, dac grosimea bazei este mai mare ca lungimea de difuzie), atunci
purttorii, injectai de emitor, nu vor ajunge la colector, ci vor recombina n
regiunea bazei.
Un atare sistem din dou jonciuni p-n se comport la fel ca i dou diode
semiconductoare, cuplate n serie. Caracteristica volt-amper (C.V.A.) a jonciunii
emitorului prezint ramura direct a caracteristicii diodei, iar a jonciunii
colectorului cea invers. Proprietatea unic a tranzistorului const anume n
interaciunea acestor dou jonciuni.
n fig. 2 este prezentat distribuirea curenilor n structura tranzistorului
bipolar (a), repartizarea potenialului de-a lungul tranzistorului (b) i a purttorilor
de sarcin neechilibrai n baz (c) pentru diferite valori ale curentului emitorului.

I E I Ep I Cp I C
I Ep I En
p n IC 0 p

a)
E EB ECB

b)

x c)

Fig. 2

15
La cuplarea tensiunii colectorului U CE are loc decalarea invers a jonciunii
colectorului i n circuitul colectorului curge un curent de valoare redus. Acest
curent este numit curent de scurgere al jonciunii colectorului i se noteaz I CB 0 .
Curentul invers al colectorului I CB 0 (parametru foarte important al tranzistorului)
prezint n sine curentul prin jonciunea colectorului la tensiunea dat, cnd
circuitul este decuplat.
Cuplarea tensiunii la emitor U BE duce la decalarea direct a jonciunii
emitorului i apariia curentului emitorului I E , care este detrminat de curentul de
difuzie.
Curentul de difuzie al emitorului posed dou componente: curentul
electronilor i golurilor:
I E I En I Ep .
Contnd, c la tranzistor baza este srac n purttori de sarcin majoritari
(electroni), iar regiunea emitorului posed o concentraie nalt a purttorilor de
sarcin majoritari (goluri), componenta golurilor n emitor este cu mult maimare ca
cea a electronilor: I Ep I En .
Componenta electronilor se scurtcircuiteaz n circuitul bazei i nu particip
la crearea curentului colectorului. Difuzia electronilor din baz n emitor se
compenseaz cu parvenirea unui flux de noi electroni n baz din circuitul exterior.
Acest lucru determin mrimea i direcia componentei electronilor din curentul
emitorului.
Pentru circuitul bazei I En este componenta principial a curentului bazei.
Relaia:

I Ep I E I Ep I Ep I En 0 ,98...0 ,99
este numit eficacitatea emitorului.
Componenta golurilor a curentului emitorului se determin prin trecerea golurilor
din emitor n baz. Golurile,injectate n baz, sub aciunea difuziei ce tinde s
egaleze concentraia pe ntreg volumul bazei, se deplasseaz n direcia
colectorului. Din cauz c cmpul electric n baz este relativ mic, se poate
considera, c deplasarea golurilor din emitor n colector are loc exclusiv din contul
difuziei. La injectarea necontenit ( I E const . ) n baz se stabiliete o bistribuie
corespunztoare a concentraiei golurilor, ceea ce determin trecerea lor prin baz.
Apropiindu-se de jonciunea colectorului, polarizat indirect, golurile, fiind
purttori de sarcin minoritari, trec din baz n colector, mrind ca rezultat curentul
colectorului. Deoarece trecerea golurilor din baz n colector este fr obstacole,
concentraia lor la frontiera BC este egal cu zero.
Dac vom mri valoarea decalajului direct al jonciunii emitorului, atunci
concentraia golurilor la emitor va crete, iar la colector va rmne ca mai nainte
egal cu zero.
n rezultat crete gradientul concentraiei i, ca urmare, crete curentul de
difuzie al golurilor spre colector. O cantitate de goluri, traversnd baza, recombin
cu electronii de conductibilitate, ce aduce la mrirea numrului de electroni,
parvenii n baz din circuitul exterior. Aceasta condiioneaz mprirea curentului
golurilor n dou componente:

16
I Ep I E .rec . I Cp ,
unde I E .rec . este componenta de recombinare a curentului emitorului ce coincide
dup direcie cu I En ; I Cp - componenta curentului emitorului, ce curge n circuitul
colectorului.
La confecionarea tranzistorilor bipolari baza se face subire i srac n
purttori de sarcin majoritari, iar suprafaa jonciunii colectorului de vreo cteva
ori mai mare dect cea a emitorului. Din aceste considerente:
I E .rec . I Cp .
Mrimea raportului:
I Cp I Ep I Cp I Cp I E .rec . 0 ,98...0 ,99
se numete coeficient de transfer. Din cele de mai sus urmeaz, c la tranzistori
mrimea , la fel ca i , este aproximativ egal cu unitatea. De aceea mrimea
:
I Cp I Ep
I Cp I E 0 ,95...0 ,99 ,
I Ep I E
se numete coeficient static integral de transfer al curentului emitorului i, de
asemenea este aproximativ egal cu unitatea. Acest coeficient indic a cta parte din
curentul emitorului curge n circuitul colectorului.
Legea I-a a lui Kirghhoff, aplicat la tranzistor, ne da egalitatea:
I E IC I B
unde I E I En I E .rec . I Cp ; I B I En I E .rec . I CB 0 ; I C I Cp I CB 0 .
Utiliznd relaia (7), obinem:
I C I E I CB 0 .
Destul de des este utilizat coeficientul static integral de transfer al curentului
bazei :
I Cp I C I CB 0
.
I En I E .rec . I B I CB 0
S analizm acum caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cuplat n
baz comun. n fig. 3 este prezentat familia de caracteristici statice de intrare i
ieire ale tranzistorului, cuplat n BC.
Caracteristica de intrare, cnd U CB 0 (caracteristica nul) este asemntoare
cu caracteristica unei diode obinuite, cuplate la polarizare direct. La alimentarea
jonciunii colectorului cu tensiune negativ caracteristica de intrare decaleaz n
stnga. Aceasta ne indic prezena n tranzistor a legturii inverse interne. Legtura
apare din cauza rezistenei bazei.
n schema BC rezistena bazei este comun pentru circuitele de intrare i
ieire. Fie c U EB const . atunci pe emitorul tranzistorului ideal care dirijeaz
curentulI Ejonciunii: IC I En
1
U EB U EB rB I B U CB rB I En I E .rec . I CB 0 .

U CB 1

IE1
U CB 0
IE 0

U EB 17 U CB
a) b)
Fig. 3
La mrirea tensiunii pe colectorul tranzistoruluise mrete i I CB 0 . n afar de
aceasta se micoreaz I E .rec , fiindc la mrirea tensiunii colectorului semicoreaz
limea bazei tranzistorului. Din aceste considerente tensiunea U EB , aplicat la
emitor, la mrimea U CB la fel se mrete. Acest fapt explic creterea curentului
emitorului i decalajul n stnga al caracteristicii de intrare a tranzistorului cuplat n
BC.
Caracteristicile de ieire prezint dependenel I C f U CB cnd I E const .
Dei tensiunea pe colector este negativ, caracteristicile sunt trasate, de regul, n
coordonate pozitive. Caracteristica nul prezint o caracteristic simpl a diodei
semiconductoare polarizate indirect. La mrirea curentului emitrului caracteristica
se schimb.
E cunoscut, c la apariia curentului emitorului curentul colectorului se
mrete cu valoarea I Cp I E I E . Curentul I Cp poate fi modelat ca un curent
suplimentar al jonciunii colectorului. Din aceste considerente pe baza (11), unde
I 0 I Cp , putem afirma, c oriice caracteristic de ieire a tranzistorului cuplat n
BC prezint caracteristica diodei semiconductoare cu un decalaj I Cp , adic:
I p n I 0 exp eU kT 1 .
Analizm acum caracteristicile static pentru cuplarea tranzistorului bipolar
n schema emitor comun. n fig. 4 sunt prezentate C.V.A. statice de inttrare i ieire
pentru tranzistorul cuplat cu EC. Calitativ ele sunt similar cu cele pentru BC.
IB IC I Bn
U CE 0

I B1

U CE 1 IB 0

a) U BE b) U CE
Fig. 4
Caracteristica de intrare la tensiunea colectorului, egal cu zero, trece prin
punctul x 0 i y 0 i difer de caracteristica diodei semiconductoare doar prin
mrimea curentului, deoarece curentul bazei este mai mic dect curentul prin

18
jonciune ( I E ). La tensiuni negative U CE caracteristicile au un decalaj la drreapta
i n jos. Acest decalaj poate fi explicat n felul urmtor. Fie, c tensiunea pe
jonciunea emitorului este constant. Atunci la fel constant va fi i concentraia
golurilor n apropierea emitorului. Mrimea U CE provoac micorarea limii
bazei, adic micorarea numrului de goluri ce se gsesc n baza tranzistorului. Din
aceast cauz procesul de recombinare a purttorilor de sarcin n baz este redus.
Findc electronii care i-au parte la procesul de recombinare trec prin borna bazei,
curentul bazei se micoreaz. Ca rezultat caracteristicile au un decalaj n dreapta.
S explicm acum decalajul caracteristicilor n jos. La U EB 0 i tensiune
negativ pe jonciunea colectorului concentraia golurilor n baz este mai joas,
fiindc la frontiera cu jonciunea colectorului eat este nul, iar la frontier cu
jonciunea emitorului este egal cu concentraia de echilibru. Din aceste
considerente n regiunea bazei procesul generrii termice este mai rapid dect
prcesul de recombinare. Electronii generai n baz pleac din ea prin borna bazei,
iar aceasta nseamn, c apare curentul ndreptat spre baza tranzistorului.
Creterea curentului colectorului cu mrimea valorii U CE este dirijat de
micorarea limii bazei. Coeficientul de tranziie, adic i coeficientul de transfer,
al curentului emitorului crete. Coeficientul de transfer pentru curentul bazei n
schema cu emitor comun 1 .

19
2. Tranzistorul cu efect de cmp.
2.1. Parametrii de baz ai tranzistorului K302.

Tranzistorul cu efect de cmp este fabricat prin metoda planar, cu p-n jonciune
i canal de tip n. Tensiunea pe dren pozitiv comparativ cu sursa, iar pe gril
negativ. Masa tranzistorului nu mai mult de 1,5 grame.
Parametrii electrici:
1.Curentul dren: ID =33...66 A
2. Curentul grilei: IG=10 nA
3. Panta caracteristicii de transfer: S=7...14 AV
4. Rezistena canalului: RDS=150
5. Capacitatea de intrare: C11S=20 pF
6. Capacitatea de trecere: C12S=8 pF
7. Curentul de scurgere a jonciunii dren-gril: IDG0=1 A
8. Puterea maxim: Pmax=300 mW
9. Temperatura de funcionare: T=233....358oK

20
2.2. Tranzistoarele cu efect de cmp (generaliti).

Tranzistoarele cu efct de cmp (TEC) sunt dispozituvele electronice a cror


funcionare se bazeaz pe modificarea conductanei unui canal semiconductor sub
influiena cmpului electric.
Deplasarea purttorilor mobili de sarcin are loc, n canal, sub influiena
tensiunii aplicate ntre doi electrozi numii dren i surs, plasai la cele dou
capete ale canalului.
Sursa desemneaz electrdul prin care purttorii mobili de sarcin ptrund n
canal, iar drena, electrodul prin care purttorii mobili de sarcin sunt evacuai din
canal.
Conform celor de mai sus, sensul deplasrii purttorilor mobili de sarcin
este de la surs spre dren. n anumite condiii sensul deplasrii purttorilor mobili
de sarcin se inverseaz, fr ca funcionarea tranzistorului s fie influienat.
Multe tranzistoare simetrice nu-i schimb proprietile dac drena i sursa
se inverseaz.
Tiplu p sau n al materialului semiconductor din care este fcut canalulu
determin tipul purttorililor mobili de sarcin, goluri, respectiv electroni i
mprirea tranzistoarelor cu efect de cmp n TEC cu canal p i cu canal n.
Modificarea conductanei canalului se realizeaz cu ajutorul cmpului creat
de o tensiune de comand aplicat unui al treilea electrod numit gril sau poart.
Conductana canalului depinde de seciunea canalului i de numrul
purttorilor mobili de sarcin din canal.
Deoarece fenomenul conduciei electrice este determinat numai de un singur
tip de purttori i anume de purttorii majoritari din canal, tranzistoare cu efect de
cmp se mai numesc i tranzistoare unipolare.
Clasificarea i simbolurile utilizate pentru tranzistoarele cu efect de cmp
sunt prezentate n fig. 1.
TEC
TEC cu regiune TEC cu gril
de trecere izolat

Jonciune pn Contact Tranzistor cu


Metal-semicond. TECMOS TECMNS straturi subiri
Canal pD Canal n D D D D D
G B G BG B G B G B G B
S S Cu canal
Canal
Sp iniial
Fig.
21 1n
Canal S Cu Scanal
Canal p indus
Canal nS
Tranzistoarele cu efect de cmp se pot mpri n dou grupe. Din prima grup fac
parte TEC a cror funcionare se bazeaz pe modificarea seciunii efective a
canalului.
Pentru a modifica seciunea efectiv a canalului se utilizeaz proprietatea
regiunii de trecere a unei jonciuni p-n sau a unui contact metal-semiconductor de
a-i modifica limea n funcie de tensiunea de polarizare.
TEC realizate astfel se numesc tranzistoare cu efect de cmp TECJ sau
TECMS.

22
2.3. Tehnologia de fabricare.

Pentru faricarea tranzistorului K302B se folosete metoda planar. Din punct de


vedere constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cu aceea c toate
straturile sunt realizate pe una i aceeai parte a plachetei, deaceea i electrozii sunt
plasai pe aceeai parte.
Masca n form de oxid de siliciu SiO 2 , o primim prin metoda oxidrii termice a
suprafeelor de siliciu, care posed urmtoarele proprieti:
4. Masca de oxid este legat organic cu suprafaa plachetei, avnd un contact
trainic cu ea, ceea ce exclude ptrunderea difuzorului n locul dintre masc i
suprafa.
5. Grosimea mtii de oxid (aproximativ un micron) este destul pentru aprarea
prilor respective a plachetei mpotriva atomilor ce difuzeaz.
6. Stratul d oxid n acelai timp cu funcia de mascare ndeplinete i funcia de
aprare (nseamn i a n-p jonciunii, care iese la suprafa) de la influiena
diferitor factori externi. n cazul, tehnologiilor de aliere i mesa pentru asta este
nevoie de a folosi metode speciale de protecie.
n fig. 2,a este prezentat modul de realizare a unui TECJ. ntr-un cristal se
realizeaz dou jonciuni p-n satfel nct ntre ele s rmn un canal ngust.
Cele dou regiuni exterioare ale jonciunilor se conecteaz n sens invers.
Prin modificarea tensiunii de polarizare se modific limea regiunilor de trecere i
deci seciunea efectiv a canalului.
n fig. 2,b este prezentat un TEC realizat n tehnologie planar epitaxial.
Canalul este constituit din regiunea n crescut pe substratul puternic impurificat.
Jonciunile gril-canal i substrat-canal delimiteaz limea canalului.

23
S G D
D
Contact
Canal metalic
n
G
np pn
n+ p+ n+
n Canal

p+ Substrat
S
Izolator B

Fig. 2
Cele dou capete ale canalului sunt contactate constituind drena i sursa.
Pentru a se realiza contactele ohmice la surs i dren, nainte de depunerea
metalului se realizeaz prin difuzie dou regiuni n+.
Substratul poate fi utilizat ca un al patrulea electrod de comand avnd
proprieti de comand asemntoare grilei. n general grila i substratul sunt
legate mpreun, constituind electrodul de comand. Dac este nevoie de nc un
electrod de comand se utilizeaz tranzistoare cu dou grile de comand identice.
2.4. Procedee fizice n tranzistorul cu efect de cmp.
LSD
D
G p
B S D
S
n
G

Tranzistorul cu efect de cmp prezint un dispozitiv electronic n care


valoarea curentului de transfer este dirijat prin modulaia rezistenei canalului la
aciunea tensiunii din exterior.
S-a convenit ca s se noteze cu S-sursa, D-drena, G-grila.
Tranzistorul cu jonciune p-n de sine o plachet de semiconductor care are
electroconductibilitate de un anumit tip, la capetele cruia sunt realizate dou ieiri
sursa i drena. De-a lungul plachetei este realizat o jonciune p-n, de la care este
scoas o a treia ieire grila. Tensiunea din exterior este aplicat astfel nct ntre
surs i dren curge un curent electric, iar tensiunea aplicat pe gril polarizeaz
jonciunea n sens invers. Rezistena regiunii care se afl n cmpul electric al
jonciunii poart denumirea de canal i depinde de tensiunea aplicat la gril,
reeind din faptul c dimensiunile jonciunii se mresc la aplicarea pe ea a unei
tensiuni inverse, iar mrirea tensiunii n regiunea nsrcit de purttori de sarcin
aduce la mrirea rezistenei electrice a canalului. n aa fel funcionarea TEC-ului
cu jonciunea p-n dirijat se bazeaz pe schimbarea rezistenei canalului din contul
schimbrii dimensiunilor regiunii nsrcite de puttori de sarcin, care are loc sub
influiena tensiunii inverse apicate pe gril.

24
Electrodul de la care ncep micarea purttorii de sarcin majoritari n canal
se numete surs, iar electrodul spre care se mic purttorii de sarcin se numete
dren. Dac ntr-o plachet de semiconductor, de exemplu de tip-n, sunt formate
zone de electroconductibilitate de tip-p, atunci la aplicarea tensiunii pe jonciunea
p-n, care o polarizeaz invers se formeaz regiuni nsrcite n purttori de sarcin
majoritari. Rezistena semiconductorului ntre electrozii sursei i drenei se mrete
deoarece curentul trece printr-un canal ngust ntre jonciuni. Schimbarea tensiunii
gril-surs aduce la schimbarea dimensiunii zonei de sarcin spaial
(dimensiunilor jonciunii p-n), adic la schimbarea rezistenei canalului. Canalul
poate fi pe deplin nchis i atunci rezistena ntre surs i dren va fi foarte mare
(zeci de M ). Tensiunea dintre gril i surs la care curentul atinge valoarea cea
mai mic (ID 0) se numete tensiune de blocaj a TEC-ului.
Jonciunea care separ grila de canalul dren-surs trebuie polalrizat invers
pentru ca dioda pe care o constituie s fie blocat. Curenii de gril sunt n cazul
unei polarizri inverse cuprini ntre 1 pA i 10 nA. Rezistena de intrare este
cuprins ntre 10 10 i 10 13 .
Polarizarea direct a jonciunii care separ grila de canalul dren-surs
trebuie evitat, deoarece ar produce o micorare nesmnificativ a regiunilor de
trecere simultan cu o cretere pronunat a curentului de gril i a puterii necesare
comenzii.
Tranzistorii cu efect de cmp cu regiune de trecere se caracterizeaz prin
faptul c n absena unei tensiuni de comand, aplicarea unei tensiuni la capetele
canalului are ca efect trecerea prin canal a unui curent relativ mare.
Modificarea conductanei canalului se face prin extinderea regiunilor de
trecere adic tensiunea de comand produce o micorare a conductanei canalului
i deci o micorare a curentului care trece prin canal.

25
2.5. Caracteristicile statice.
Caracteristicile statice ale tranzistorului cu efect de cmp reprezint modul
de variaie a curentului de dren n funcie de tensiunile gril-surs i dren-surs.
Cele mai utilizate caracteristici statice sunt caracteristicile de ieire i de transfer.

2.5.1. Caracteristicile de ieire.


Caracteristicile de ieire prezentate n fig. 3. reprezint dependena
curentului de dren n funcie de tensiunea dren-surs pentru diferite valori ale
tensiunii gril-surs.

26
UDS =UGS-Up
Liniar Saturaie
iC UGS 0
IDS
UGS -2

UGS -4

UGS -6
UDS
0 UDS

UDS=UGS-Up
mA
12 +2V
10

8 0V
iD
6 UDS=1V
-2V
4

2 -4V
-6V
0 2 4 U 6 8 10V
DS

Fig. 3

Pentru toate tipurile de TEC caracteristicile de ieire sunt asemntoare i


pot fi mprite n trei regiuni:
1. Regiunea liniar uDS U GS U p . Pentru valori mici ale tensiunii dren-surs,
curentul de dren crete proporional cu tensiunea. n apropierea oridinii,
caracteristicile sunt aproape liniare. n aceast regiune, tranzistorul poate
ndeplini rolul de rezisten variabil sau comutator. Caracteristicile de ieire
pentru valori mici ale tensiunii dren-surs sunt prezentate n fig. 8.
Se observ c sensul de trecere a curentului se poate inversa, adic drena i sursa
i pot schimba rolurile.
Analiznd caracteristicile prezentate n fig. 4 se poate trage concluzia c
pentru valori mici ale tensiounii dren-surs caracteristicile sunt aproximativ
liniare. Deoarece caracteristicile sunt cu att mai liniare cu ct tensiunea dren-
surs este mai mic, n practic se lucreaz cu valori ale tensiunii drensurs de
ordinul sutelor de milivoli.

27
iD UGS=0V
mA
-1V
4
3 -2V
2 -2,5V
1
uDS, V
-1,5 -1 -0,5 -1 0,5 1 1,5
-2
-3
-4
-5
Fig. 4
2. Regiunea de saturaie uDS uGS U p . Curentul de dren rmne aproape
constant chiar la creteri relativ mari ale tensiunii dren-surs.
Separarea regiunii de saturaie de regiunea liniar se poate face
aproximnd curentul de dren cu ajutorul relaiei:
I DS 2
iD u DS .
U p2
Curentul I DS reprezint curentul dren-surs pentru uGS 0 sau uGS 2U p .
Se ia valoarea uGS 0 n cazul tranzistorilor care conduc n lipsa
tensiunii de gril, adic TEC cu regiune de trecere i TECMIS cu canal
indus.
Relaia (2) este reprezentat punctat n planul caracteristicilor de
ieire.
3. Regiunea de strpungere uDS U DS . La tranzistorii cu efect de cmp la care
substratul este conectat cu sursa, creterea tensiunii dren-surs peste o
anumit valoare (deenumit tensiune de strpungere, U DS ) produce o
multiplicare n avalan a purttorilor desarcin. Fenomenul este reversibil
n cazul n care creterea curentului de dren este limitat n mod
corespunztor de elementele de circuit exterioare.
Din caracteristicile de ieire se poate determina rezistena dren-surs
sau conductana de ieire ( rDS , respectiv g DS ):
1 i D i D
g DS
rDS u DS U GS const
u DS U GS const

Pentru exemplul prezentat se obine:


i D 0 ,15 mA
g DS 150 S .
uDS 1V

2.5.2. Caracteristicile de transfer.


Caracteristicile de transfer reprezint variaia curentului de dren n funcie
de tensiunea gril-surs pentru diferite valori ale tensiunii dren-surs.
Caracteristicile de transfer ale unui TECMIS cu canal iniial de tip n
(SM103) sunt prezentate n fig. 5.

28
8V 12
Se observ c acest tranzistor poate lucra att
UGS=0,5V 4V 10 n regim de srcire ( uGS 0 ), ct i n regim de
ID=0,875mA i mbogire ( uGS 0 ).
8 D Pentru tensiuni u DS mici caracteristica
2V
6
difer, apropiindu-se pe msur ce tensiunea
dren-surs crete. n regim de saturaie, datorit
V 4 influienei slabe a tensiunii dren-surs, este
suficient s se traseze o singur caracteristic
2
0,5V pentru o valoare a tensiunii dren-surs mai mare
0,25V dect tensiunea de saturaie.
0
-6 -4 -2 0 2 V Aceast comportare fiind comun tuturor
uGS tipurilopr de TEC caracteristicile de transfer n
regiunea de saturaie se pot reprezenta ca n fig. 6.
TECMIS TECMIS TECMIS
iD Canal Canal Canal iD
iniial indus iniial

IDS IDS
TECJ TECJ
-Up 0 Up 2Up UGS -2Up -Up 0 Up UGS
Canal n Canal p
Fig. 6
Caracteristica de transfer n regim de saturaie poate fi aproximat cu
ajutorul relaiei:
2
u
i D I DS 1 GS .

Up
Cu ajutorul caracteristicilor de transfer se poate determina panta
caracteristicii sau transconductana, definite ca:
i D i D
gm S
uGS U DS const .
uGS U DS const .

Pentru exemplul considerat se obine:


0 ,875 mA
gm S 1 ,75 mS .
0 ,5V
n regim de saturaie aceast pant se poate calcula utiliznd relaia (4).

S
2 I DS
Up 2

uGS U p
2
I DS i D .
Up
iD Panta S se msoar n miliamperi pe volt, avnd
valori cuprinse ntre 1 mA V i 1 A V . n cazul
20C tranzistoarelor de mic putere, valorile sunt
60C cuprinse ntre 0,2 i 5 mA V .
120C Caracteristica de trnsfer depinde de temperatur
Z dup cum se vede din fig.7.
uGS

Fig. 7
29
Este de remarcat faptul c exist un punct n care curentul de dren nu depinde de
temperatur (aa-zisul punct Z).
Un alt parametru al tranzistorilor cu efect decmp este factorul de
amplificare static, definit cu ajutorul relaiei:
u DS u DS
g m rDS .
uGS I D const .
uGS I D const .

2.6. Schemele echivalente a TEC-ului.

Tranzistoarele cu efect de cmp pot fi utilizate n trei conexiuni:surs


comun, dren comun i gril comun.
Pentru a utiliza rezistena gril-canal foarte mare (unul din principalele
avantaje ale tranzistorilor cu efect de cmp ) este necesar ca grila s constituie
borna de intrare.
Conexiunea cu gril comun va fi deci foarte puin utilizat.
Ca amplificator, tranzistorul cu efect de cmp lucreaz aproape tot timpul n
regim de saturaie.
n cele ce urmeaz se vor analiza numai tranzistorii cu efect de cmp cu
canal n. Pentru tranzistorii cu canal p rezultatele sunt valabile dac se inverseaz
polaritatea surselor. Diodele i condensatorele electrolitice existente n circuit
trebuie de asemenea inversate.
Conexiune surs comun. Acest circuit prezentat n fig. 8. este analog
conexiunii emitor comun a tranzistorului bipolar. Deosebirea const n rezistena
mare gril-canal adic n lipsa curentului de intrare.

30
Alegerea punctului de funcionare const n alegerea i meninerea constant
a tensiunii gril-surs (uGS).
Presupunnd c s-a ales o tensiune gril-surs UDS, din carasterici rezult un
curent de dren ID i o tensiune dren-surs UDS .
innd cont c tranzistorul lucreaz n regim saturat este valabil relaia (4).
Aplicnd la intrare o tensiune sionusoidal de amplificare U 1 max se poate scrie:
+E

D
G G
S
u2 u gmugs rDS RD u2
u1 1

Fig. 8
uGS U GS U 1 max sin t .
Cu ajutorul teoremei Kirchhoff aplicat circuitului dren-surs se obine
relaia :
E RD i D uDS
2
U U 1 max sin t
u DS E RD I DS 1 GS .
Up
Efectund calculele se obine:
2
U
uDS E RD I DS 1 GS RD I DS U 1 max 2
Up 2U p

U U 1 max RD I DS U 12max
2 RD I DS 1 GS
U sin t cos 2t
Up p 2U p2
Se constat c semnalul sinusoidal este distorsionat, deoarece a aprut i armonica
a doua (termenul n cos2t). Definind ca factor de distorsiune pentru armonica a
doua (notat d2) raportul dintre amplitudinile celor dou armonici se obine:
U 1 max
d2 100% .
4 U GS U p
Pentru ca acest factor s fie mai mic de 1% este necesar ca amplitudinea
semnalului de intrare U 1 max s satisfac inegalitatea:

U 1 max 0 ,04 U GS U p
considernd U GS 2V i U p 4V se obine U 1 max 80 mV .
Amplificarea n tensiune a semnalului este:
U 1
An 2 RD I DS 1 GS
U RD S .
Up p

Dei calculul fcut este aproximativ, se poate trage concluzia c tranzistorii


cu efect de cmp avnd o caracteristic aproximativ ptratic introduc distorsiuni
mai mici dect tranzistorii bipolari.
Factorul de distorsiuni depinde i de punctul de funcionare, scznd odat
cu micorarea tensiunii gril-surs.

31
Difereniind relaiile:
E RD i D uDS
i D i D u DS , uGS
se obine:
RD di D duDS 0
i D i
duDS D duGS di D .
u DS uGS
innd seama de definiiile pantei i a rezistenei interne i eliminnd
curentul se obine:
duDS du
SduGS DS .
rDS RD
Amplificarea n tensiune va fi:
duDS SRD rDS
An RD S .
duGS RD rDS
Cu ajutorul relaiilor (17) i (18) se poate construi circuitul echivalent pentru
amplificator, prezentat n fig. 9. Circuitul din fig.9,a este valabil numai la frecvene
mijlocii; n cazul frecvenelor joase i nalte este necesar s se in sema de
capacitile de cuplare (fig. 9,b)i de capacitile interne ale tranzistorului (fig.9,c).
Valori uzuale pentru elementele de circuit sunt date n tabelul 1.
RG G D

gmugs
~ u1 R1 ugs rDS u2

a)
S

RG G D
ugs gmugs
~ u1 R1 rDS u2
C2
b)
S

RG G Cgd D

gmugs
~ u1 R1 rDS u2
Cgs
c)
S
Fig. 9

Dou circuite de polarizare pentru conexiunea surs comun sunt prezentate


n fig. 10.

32
n fig. 10,a curentul de dren produce pe rezistena R2 o cdere de tensiune
R2 I D .
+E +E
R3 RD
C2 R2
C1 C3
C3
R1
R1 R2 C2 C1

Fig. 10
Circuitul se poate utiliza pentru polarizarea tranzistorilor cu efect de cmp cu
regiune de trecere i a tranzistorilor cu gril izolat i canal iniial.
Condensatoarele C1 i C3 sunt condensatoare de cuplaj cu generatorul i respectiv
consumatorul.
Condensatorul C2 are rolul de a scurtcircuita rezistena R2, punnd la mas
componenta alternativ a curentului. Pentru a-i ndeplini rolul, reactana
capacitiv a condensatorului C2 la frecvena cea mai joas trebuie s fie mult mai
mic dect R2:
1
X C2 R2
2f j C 2
Dimensionarea circuitului se face su ajutorul relaiilor:
E U DS
RD
ID
U DS U DSS )U GS U p
U GS
R2 .
ID
Condiia (23) trebuie ndeplinit pentru a fi siguri c tranzistorul lu creaz n
regim saturat. Valoarea rezistenai R1 este limitat superior de cderea de tensiune
produs de curentul de intrare. Aceasta cdere de tensiune trebuie s fie mult mai
mic dect U GS . Deoarece curentul de intrare este foarte mic (nA) valorile uzuale
ale rezistenei R1 sunt de ordinul megaohmilor.
Tranzistorii TECMIS cu canal indus de tip n necesit o tensiune de
polarizare pozitiv fa de surs.
Aceast tensiune s-ar putea obine uor cu ajutorul unui divizor de tensiune
ale sursei de alimentare a drenei, ns variaiile de tensiune ale sursei s-ar transmite
pe gril i ar aprea la ieire amplificate.
Un mojntaj mai avantajos este prezentat n fig. 10,b. Prin rezistena R1 se
obine U GS U DS . n general aceast valoare este avantajoas, deoarece rezult
U DS U DSS U p
Impunnd curentul I D , se obine din caracteristic U GS i se calculeaz RD :
E U GS
RD .
ID

33
Condensatorul C 2 are rolul de a mpiedica transmiterea semnalelor
alternative pe gril.
Pentru ambele circuite rezistena de intrare este egal cu R1 .
Conexiunea cu dren comun. Circuitul cu dren comun (fig. 15) sau
repetor pe surs este asemntor circuitului cu colector comun sau repetor pe
emitor de la tranzistorii bipolari.
Circuitul echivalent din fig. 11,b se poate deduce cu uurin din circuitul
echivalent prezentat n fig. 9.
+E G D
gmugs
rGS rDS
u1
u1 RS u2 RS u2

Fig. 11
Amplificarea n tensiune se poate calcula cu ajutorul relaiilor:
u1 u gs u2

RS rDS
u2 g m uGS
RS rDS
1 g m RS
An 1
.
R r 1 g m RS
1 g m S DS
RS rDS
Amplificarea este subunitar, iar tensiunea de ieire este n faz cu tensiunea de
intrare. Rezistena de intrare ( Rin ) este egal cu:
u1 R r
Rin rGS 1 S DS g m rGS 1 RS g m .
i1 RS rDS
Rezistena de ieire ( Rie ) se poate determina din circuitul echivalent:
1 1
RS rDS RS
gm gm
Rie .
1 rDS 1
RS rDS RS RS
gm gm gm
Pentru polarizarea tranzistorului cu efect de cmp ca repetor pe surs se pot
utiliza circuite prezentate n fig. 12.
n circuitul din fig. 12,a, U DS este egal cu E U GS , cderea de tensiune pe
rezistena RS fiind egal cu U GS . Dac aceast tensiune este prea mic, se poate
utilioza un divizor de tensiune, ns acest divizor micoreaz rezistena de intrare.

34
+E
+E
R1
C1 C1
C2

u1 C3
u1 R1 RS u2 u2
RS

Fig. 12
Pentru tranzistorii TECMIS cu canal indus este indicat circuitul din fig. 12,b.
Cderea de tensiune pe rezistena RS este E U GS , iar tensiunea dren-surs va fi
egal cu U GS . Aceast tensiune asigur funcionarea n regim de saturaie,
deoarece U GS U DSS U p .

2.7. Tranzistorul cu efect de cmp ca rezisten


variabil.

Dac tensiunea dren-surs este mai mic dect tensiunea dren-surs de


saturaie tranzistorul cu efect de cmp se comport ca o rezisten ohmic.
Valoarea rezistenei depinde n acest domeniu de tensiunea gril-surs, fiind practic
independent de tensiunea dren-surs.
Se poate aproxima deci:
uDS
RDS .
iD
Considernd c pentru valoarea extrem uDS U DSS este valabil relaia (4)
putem calcula aproximativ:
U p2
RDS

I DS uGS U p .
Rezistena dren-surs minim( RDS min ) se obine pentru tranzistorii TEC cu
regiune de trecere i TECMIS cu canal iniial pentru uGS 0 :
Up
RDS min .
I DS
Pentru tranzistorii TECMIS cu canal indus se utilizeaz aceiai relaie,
nlocuind uGS 2U p .
Valoarea obinut cu ajutorul relaiei (34) se verific suficient de bine
experimental.
nlocuind relaia (34) n relaia (33), se obine:
U p RDS min
RDS .
uGS U p
Considernd circuitul din fig. 13,a se poate calcula:

35
R
R R
u1 G u2 u1 u2
S
R uGS
uG=uGS uG

Fig. 13

u2 RDS
.
u2 R RDS
Se obine astfel un divizor de tensiune comandat de tensiunea uGS .
Pentru ca tensiunea de ieire s poat fi variat ntr-un domeniu ct mai
mare, este necesar ca R RDS min .
Caracteristicile de ieire ale unui TEC sunt liniare numai pentru valori mici
ale tensiunii dren surs (de circa 100mV) i pentru poalrizari normale ale drenei
fa de surs.
Dac se dorete o tensiune de ieire mai mare se utilizeaz circuitul din
fig.13,b. Alegerea rezistenei R1 se face nct s fie mult mai mare dect rezistena
dren-surs.
Tensiunea gril-surs va fi:
uC uDS
uGS .
2
Caracteristicile liniarizate sunt prezentate n fig. 14.
Abaterile de la liniaritate sunt sub 1% pentru u DS 1V .
iD
UGS=0V
mA -2V
4 -4V
3
2 -5V
1
uDS, V
-1,5 -1 -0,5 -1 0,5 1 1,5
-2
-3
-4
-5
Fig. 14

36
2.8. Utilizarea tranzistorului cu efect de K302 n
scheme electronice.
Voi prezenta mai jos o parte din circuitul n care se utilizeaz tranzistorul cu
efect de cmp K302B:

Generator de dipazon.
Tranzistoarele VT1 este de tipul K302B.

37
3. Rezolvarea problemelor.
3.1. Problema 1.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se
efectuieze urmtoarele calcule grafico-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenilor i
tensiunilor n timp i s se determine dac pot aprea distorsiuni neliniare a
semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se calculeze
rezistena de intrare i de ieire a etajului, coeficientul de amplificare dup
curent ki, tensiune kU i putere kP. S se determine puterea util pe sarcin
PR~ i puterea mprtiat pe colectorul tranzistorului.

Se d:
EC=40 V; RS=1 k ; IB=0,150 mA; IBm=0,075 mA.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin prin punctele:
EC
(EC,0) i) (0, R ) adic (40 V,0) i (0,40 mA)
S

38
Dup nominalele date etajul de amplificare posed distorsiuni nelimiare.

3.2. Problema 2.

Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar i


parametrilor lui la frecven nalt s se efectuieze urmtoarele calcule pentru
etajul de amplificare:
a) s se calculeze parametrii h i s se construiasc shema echivelent a
dispozitivului analizat la frecven joas;
b) s se calculeze parametrii fizici ai schemei echivalente la frecven nalt.

39
Din cauz c dup nominalele date EC=60(V) i IC=20(mA) nu pot fi soluionate
atunci vom considera datele iniiale ca n problema 1, pentru care am ales deja
punctul de funcionare:
IB=150 A; UCE=20 V prin urmare:
IB=150 0,2=30 ( A)
UCE=20 0,2=4 (V)

Figura 1. Caracteristicile de ieire i intrare pentru


tranzistorul KT601A.

Din grafic determinm IIC=2(mA); UBE=0,02 (V); IC=1(mA);

Determinm parametrii hibrizi h:


U BE 0 ,02
h11 E 0 ,67 k ;
I B U CE const 30 10 6 U CE 20V

I C 10 3
h21 E 33 ;
I B U CE const 30 10 6 U CE 22V

I CI 2 10 3
h22 E 0 ,25 mS ;
U CE 8
I B 150 A
I B const

Schema echivalent a tranzistorului la frecven joas este:

Trantistorul bipolar KT601A posed urmtorii parametri la frecven nalt:


2; f=20 MHz; CC=15 pF; CE=75 pF; C=600 ps; IC=6 mA; =3.
Determinm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente a tranzistorului
la frecvene nalte:

40
rC 600 ps
rB 3 3 40 120 ;
CC 15 pF
C C 15 pF
C C1 5 pF ;
3
C C2 C C C C1 15 5 10 pF ;
I C 1
rB rB 120 49 ;
IC 6
1
rCE 4 k ;
h22 E
S j 20 I C 20 6 10 3 120 mS ;
1
rBE 670 49 621 ;
S 120 10 3
C E j
C BE 75
1 ,125 F ;
lim
6
6 ,3 20 10
Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecvene nalte:

3.3. Problema 3.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se
determine parametrii etajului de amplificare n regim de recuplare a puterii:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest, curentul de intrare i
puterea necesar pentru a o deschide.

41
aracteristicile de ieire i intrare pentru tranzistorul bipolar KT601.

Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin i detetminm Urest=7 (V)
U rest 7
Rcupl 3
2 10 2 ;
I Ccupl 35 10
PCcupl U rest I Ccupl 7 35 10 3 0 ,245W ;
I Csat 35 10 3
I Bcupl k sat 4 1 ,2 mA ;
kI 113 ,33
UBEcupl=0,44 (V)-din grafic.
Pint U BEcupl I Bcupl 1 ,2 10 3 0 ,44 0 ,528 mW
.

3.4. Problema 4.

Conform datelor din ndrumare s se traseze carcteristicile statice pentru


tranzistorul cu efect de cmp i s se efectuieze urmtoarele calcule grafo-analitice
pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze diagramele curenilor i tensiunilor n timp i s se determine
dac pot aprea distorsiuni ale semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se determine
rezistena de intrare i de ieire a dispozitivului analizat i s se calculeze
volorile numerice pentru coeficientul de amplificare dup curent ki, tensiune
kU i putere kP.

Date iniiale:
ED=-20 (V); ID0=16 (mA);
UDS0=16 (V); UGsmax=2 (V);
Ubloc=-10 (V); IDmax =-33 (mA);
Pimp=300 (mW);

Rezolvare:

42
Ecuaia caracteristicii cutate are forma:
2
U GS U bloc
I D I D max ;
U GS max U bloc

2
U 10
I D 0 ,23 U GS 10 mA
2
I D 33 GS ;
2 10
Folosind ecuaia primit completm tabelul:
ID, mA 0 5,75 14,7 23 38,87
25,53 33,12
UGS, V -10 -5 -2 0 1 2 3
Dup
datele din tabel trasm caracteristica de transfer:

Figura 1.Caracteristica de transfer i caracteristica de ieire.


Trasm dreapta de sarcin tiind c :
ED=-20 i RS=0,5 k primim punctele (-20,0) i (0,04 10-3)

I Dm I Dm
I Dm 9 ,21 mA ;
2
I 9 ,21 10 3
S med Dm 4 ,6 10 3 mS ;
U GSm 2
Utiliznd datele obinute putem calcula urmtorii parametri ai tranzistorului:
kU S med RS 4 ,6 10 3 0 ,5 10 3 2 ,3 ;
Rint RG 1 M
U 2
I Gm GSm 6 2 mA ;
RG 10
k I S med RG 4 ,6 10 3 10 6 4600 ;
k P k I kU 4600 2 ,3 10591 ;

43
3.5. Problema 5.

Conform carcteristicilor statice ale tranzistorului cu efect de cmp i parametrilor


lui la frecven nalt s se calculeze:
a) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru
frecven joas);
b) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru
frecven nalt);
c) componenta activ a conductibilitii de intrare i modulul pantei
dispozitivului analizat la frecvena de 100 MHz.

Date iniiale:
ID0=2,3 mA; UDS0=9 (V);
CGS=20 pF; CGD=8 pF;
RG=60 ;
Rezolvare:
ID0=0,2 2,3 10-3 (mA)=0,46 10-3 (mA);
UDS0=0,2 9 (V)=1,8 (V);
I D 0 ,46 10 3
S 0 ,255 mS ;
U DS 1 ,8
U DS 1 ,8
RI 3913 ;
I D 0 ,46 10 3

44
Prezentm schema echivalent la frecvene joase a tranzistorului cu efect de cmp:

Cu ajutorul parametrilor tranzistorului la frecvene nalte putem determina


elementele schemei echivalente la frecven nalt:

Calculm pentru frecvena


de 100 MHz valoarea:
k RC C GS 6 ,3 10 8 50 7 10 12 0 ,22 ;
1 0 ,22
2
1 1 k2
Rint RC 50 1083 ;
g int k 2
0 ,22 2
S0
S 0 ,25 mS .
1 k2
3.6. Problema 6.

Conform carcteristicilor statice construite ale tranzistorului cu efect de cmp s se


efectuieze calculul proprietilor tranzistorului n regim de rezistor variabil:
a) s se calculeze caracteristica R~ f U DS ;
b) s se calculeze coeficientil de amplificare dup putere pentru regulatorul de
putere montat pe baza tranzistorului cu efect de cmp.

Conform caracteristicii statice construite a tranzistorului cu efect de cmp (dup


rezolvarea problemei 4.), vom calcula caracteristica R=f(UDS);
Aflm punctele de blocare a tranzistorului :
U D U GS U bloc ;
punctul 1 avem: U D 2 10 12 V ; U G 2V ;
punctul 2 avem: U D 1 10 11 V ; U G 1V
punctul 3 avem: U D 1 10 9 V ; U G 1V
punctul 4 avem: U D 2 10 8 V ; U G 2V .
Determinm patru valori ale rezistenei tranzistorului n regim ohmic:
12
R~ 1 3
362 ;
33 ,12 10
11
R~ 2 395 ;
27 ,83 10 3
9
R~ 3 483 ;
18 ,63 10 3
8
R~ 4 544 ;
14 ,7 10 3

45
Cu ajutorul punctelor obinute trasm caracteristica: R=f(UGS):

Figura 1. Caracteristica regulatorului.


RG 10 6
Amplificarea maxim a regulatorului : k P max
2 R~ min 2 362
1381 .

4. Bibliografie.
1. Sandu D. Electronica fizic i aplicat Iai: Editura A.I. Cuza,1994.
2. .. .: , 1991.
3. .. .:, 1977.
4. C .. .:, 1977.
5. Vasilescu G. Electronica 1993.

46