Sunteți pe pagina 1din 20

3.

TRANZISTORUL BIPOLAR

3.1. NOIUNI INTRODUCTIVE

3.1.1. Definiie
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic activ cu trei terminale: emitorul (E), baza
(B) i colectorul (C). Aceste trei terminale sunt plasate pe trei regiuni semiconductoare de
conductibilitate diferit (p sau n) ale aceluiai cristal semiconductor (n general germaniu
Ge sau siliciu Si). Denumirea de tranzistor bipolar provine de la urmtoarea
caracteristic: conducia este asigurat de dou tipuri de purttori de sarcin de polaritate
diferit (electroni i goluri). Tranzistorul bipolar se mai noteaz prescurtat TB.
Observaie:
Prin comparaie, tranzistorul cu efect de cmp (TEC) face parte din clasa dispozitivelor
unipolare (funcionarea lor se bazeaz pe un singur tip de purttori de sarcin fie
electroni, fie goluri).
Datorit faptului c exist 2 tipuri de regiuni cu conductibilitate diferit (n sau p) care
trebuie s alterneze, iar TB este format din trei regiuni vor exista tranzistoare cu structur
npn sau pnp, dup cum se poate observa din figura 3.1 i 3.2.
3.1.2. Simboluri
Simbolurile celor dou structuri sunt prezentate n figura 3.1 (pnp) i figura 3.2 (npn).

Fig. 3.1 Simbolul tranzistorului pnp Fig. 3.2 Simbolul tranzistorului npn

Se observ c prin alturarea celor trei regiuni dopate diferit se formeaz dou jonciuni ce
pot fi asemnate cu dou diode. Sgeata din simbol corespunde jonciunii pn (emitor
baz). Sensul sgeii (ntotdeauna de la zona p spre zona n) arat sensul normal, pozitiv al
curentului prin jonciunea baz emitor polarizat direct.
3.1.3. Mrimile electrice ce caracterizeaz un TB
Mrimile electrice ce caracterizeaz un TB sunt trei cureni i trei tensiuni, convenia de
asociere a sensurilor pozitive ale acestora fiind prezentat n figura 3.3.
3.1
Fig.3.3 Sensurile pozitive ale tensiunilor i curenilor
Observaie:
Sensul convenional ales pentru cureni este acelai cu sensul curentului la funcionarea
normal a tranzistorului. Tensiunea este prezentat ca o diferen de potenial ntre dou
borne, n ordinea indicilor.
Asimilnd tranzistorul cu un nod de circuit, se poate scrie c:
iE = iC + iB (3.1)
i de asemenea:
v CE = v BE + v CB (3.2)
innd cont de relaiile (3.1) i (3.2) ce exist ntre cele ase mrimi electrice ce
caracterizeaz un TB va rezulta c doar patru dintre ele sunt independente (doi cureni i
dou tensiuni).
Pentru a alege cele patru mrimi independente este nevoie de un criteriu acesta fiind oferit
de tipul conexiunii n care se afl TB privit ca un cuadripol.
3.1.4. Conexiunile tranzistorului. Tipuri de caracteristici
Un diport (cuadripol) este caracterizat de patru mrimi, dou de intrare i dou de ieire.
Sensul convenional al curenilor i al tensiunilor este prezentat n figura 3.4.
Cum diportul (care poate fi vzut ca o cutie
neagr, n care se poate imagina c se afl
orice dispozitiv sau circuit electric, cu o
schem orict de complex) este caracterizat
prin patru borne iar tranzistorul are doar trei,
una din ele trebuie s fie comun att intrrii Fig.3.4 Schema electric a unui diport
ct i ieirii.
Borna comun definete conexiunea TB.
n figura 3.5 sunt prezentate cele trei tipuri de conexiuni ale tranzistorului, precum i
echivalena dintre mrimile electrice ce caracterizeaz diportul i cele ce caracterizeaz
tranzistorul.
Descrierea funcionrii cuadripolului const n determinarea curenilor atunci cnd se
cunosc valorile tensiunilor. Curenii de la intrarea, respectiv de la ieirea cuadripolului, se
vor exprima fiecare n funcie de cele dou tensiuni, adic:
i 1 = i 1 (v 1 , v 2 )
(3.3)
i 2 = i 2 (v1 , v 2 )
Mrimile de ieire (curenii i1 i i2) sunt funcii de dou variabile, adic din punct de vedere
grafic cuadripolul (deci i tranzistorul) este descris de dou familii de caracteristici, sub
forma unor suprafee. n practic se folosesc trei dintre caracteristicile posibile descrise de
(3.3) (curbe de nivel pe suprafeele respective), i anume:
Caracteristica de intrare
i1 = i1 (v1 ); v 2 = parametru (3.4)
Reprezint dependena curentului de intrare funcie de tensiunea de intrare, pentru
diverse valori constante ale tensiunii de ieire.
3.2
Caracteristica de transfer
i 2 = i 2 (v1 ); v 2 = parametru (3.5)
Reprezint dependena curentului de ieire funcie de tensiunea de intrare, pentru
diverse valori constante ale tensiunii de ieire.
Caracteristica de ieire
i 2 = i 2 (v 2 ); v1 sau i1 = parametru (3.6)
Reprezint dependena curentului de ieire funcie de tensiunea de ieire, pentru
diverse valori constante ale curentului (tensiunii) de intrare.
Tranzistor pnp Tranzistor npn

i1 = i E i2 = iC i1 = i E i2 = iC
v1 = v EB = v BE v 2 = v CB v1 = v EB = v BE v 2 = v CB
a) Conexiunea baz comun (B.C.)

i1 = i B i2 = iC i1 = i B i2 = iC
v1 = v BE v 2 = v CE v1 = v BE v 2 = v CE
b) Conexiunea emitor comun (E.C.)

i1 = i B i2 =iE i1 = i B i2 = iE
v1 = v CB v 2 = v CE v1 = v CB v 2 = v CE
c) Conexiunea colector comun (C.C.)
Fig 3.5 Conexiunile tranzistorului bipolar
Corespunztor celor trei conexiuni posibile, ecuaiile (expresiile) caracteristicilor
tranzistorului sunt urmtoarele:
Conexiunea B.C.
Caracteristica de intrare: i E = i E (v BE ) V =ct. (3.7)
CB

Caracteristica de transfer: i C = i C (v BE ) V (3.8)


CB = ct .

Caracteristica de ieire: i C = i C (v CB ) i (3.9)


E = ct .

3.3
Conexiunea E.C.
Caracteristica de intrare: i B = i B (v BE ) V (3.10)
CE = ct .

Caracteristica de transfer: i C = i C (v BE ) V (3.11)


CE = ct .

Caracteristica de ieire: i C = i C (v CE ) i (3.12)


B = ct .
Conexiunea C.C.
Caracteristica de intrare: i B = i B (v CB ) V (3.13)
CE = ct .

Caracteristica de transfer: i E = i E (v CB ) V (3.14)


CE = ct .

Caracteristica de ieire: i E = i E (v CE ) i (3.15)


B = ct .
Observaie:
Tranzistorul va fi complet descris prin specificarea a doar dou caracteristici, deoarece a
treia se poate deduce din celelalte.
3.2. PRINCIPIUL DE FUNCIONARE

3.2.1. Generaliti
Funcionarea unui tranzistor (ntr-un circuit oarecare) poate fi neleas doar dac este
foarte clar comportarea acestuia:
n regim static (la bornele tranzistorului se aplic tensiuni continue);
n regim dinamic (la intrarea tranzistorului vzut ca un diport apare un semnal de
comand (sinusoidal sau impuls), sub forma unui curent sau a unei tensiuni, semnal
ce se suprapune peste o tensiune continu preexistent).
Pentru a nelege principiul de funcionare se vor face cteva afirmaii ce vor fi
demonstrate pe parcursul acestui capitol.
Curentul de emitor i cel de colector sunt aproximativ egali:
I E = I C - n regim static (3.16)
i E = i C - n regim dinamic (3.17)
unde i E = I E + i e i i C = I C + i c (3.18)
n regim static, curentul de baz este mult mai mic dect curentul de colector:
I C = F I B , cu F >> 1 (3.19)
unde F este amplificarea n curent la semnale mari, fiind o mrime ce depinde
de tranzistor.
Tranzistoarele de mic putere sunt caracterizate de valori mari ale lui F (de
ordinul sutelor), iar cele de putere medie sau mare prezint valori mai mici (de
ordinul zecilor) ale acestui parametru.
Trebuie subliniat dispersia mare a parametrului F , chiar pentru tranzistoare
fcnd parte din aceeai familie.
n regim dinamic, variaia curentului de baz este mult mai mic dect variaia
curentului de colector:
i e = h 21i b , cu h 21 >> 1 (3.20)
( )
h21 sau h fe este amplificarea n curent la semnale mici cu ieirea n
scurtcircuit.
F h 21 (3.21)
Aceast relaie neleas profund poate explica funcionarea unui tranzistor.
Un tranzistor amplific n putere.

3.4
Toate aceste afirmaii vor fi pe larg explicate. Prezena lor aici, la nceputul capitolului, nu
are rolul de a face inutil parcurgerea lui, ci ofer permanent posibilitatea de a ti care este
scopul tuturor abordrilor ulterioare.
n funcionarea normal a unui tranzistor jonciunea emitor-baz este polarizat direct, iar
cea colector-baz polarizat invers. Specificitatea tranzistorului este cuplarea electric a
acestor dou jonciuni pn.
Constructiv, trebuie ndeplinite dou condiii:
Jonciunea emitor-baz trebuie s fie puternic asimetric: p+n n cazul
tranzistoarelor pnp i n+p n cazul tranzistoarelor npn (adic zona puternic dopat
este emitorul).
Baza trebuie s fie subire (ngust) n comparaie cu lungimea de difuzie Lp a
purttorilor majoritari din emitor ce ajung n baz, astfel nct cea mai mare parte
dintre ei s fie captai de colector.
Se vor explica fenomenele specifice tranzistorului pe modelul pnp.
3.2.2. Funcionarea tranzistorului pnp
Datorit structurii asimetrice a celor dou jonciuni pn ale tranzistorului, conform (2.6),
difuzia purttorilor de sarcin va avea loc preponderent n regiunea cea mai slab dopat
(adic n baz), dup cum se poate vedea i n figura 3.6a.

a) b)
Fig. 3.6 Fenomene fizice n tranzistorul pnp
a) Nepolarizat
b) Polarizat n RAN

Corespunztor polarizrii celor dou jonciuni, exist patru regimuri de funcionare a


tranzistorului bipolar.
3.2.2.1. Regimul activ normal (RAN)
Un TB se afl n a cest regim de funcionare dac jonciunea EB este polarizat direct, iar
jonciunea CB este polarizat invers. n cazul TB de tip pnp rezult:
v EB > 0 ; v CB < 0 (3.22)
Datorit polarizrii directe a jonciunii EB, lungimea de difuzie corespunztoare acesteia se
va micora, conform (2.10). De asemenea, datorit polarizrii inverse a jonciunii CB,
lungimea de difuzie corespunztoare acesteia se va mri (paragraful 2.3.2.), rezultnd
astfel suprapunerea lor pe o anumit zon (figura 3.6b). Aceasta este semnificaia noiunii
de baz subire, menionat n paragraful anterior.
n acest mod, purttorii majoritari de sarcin electric injectai n baz din emitor datorit
polarizrii directe a jonciunii EB (goluri n cazul TB de tip pnp) ajung sub influena
cmpului electric E CB ce se produce n jonciunea CB de ctre tensiunea vCB, ce o
polarizeaz invers (figura 3.6b). Acest cmp electric acioneaz asupra purttorilor de
sarcin cu fore electrostatice F = qE CB , unde q = e n cazul golurilor, respectiv q = e n
3.5
cazul electronilor. Aceste fore sunt orientate astfel nct s imprime purttorilor de sarcin
o deplasare spre colector.
Traversarea bazei (de fapt a jonciunii CB, polarizat invers) de ctre purttorii de sarcin
electric dintr-un TB funcionnd n RAN se numete efect de tranzistor.
De asemenea, manifestarea acestui efect a sugerat i denumirea dispozitivului: transistor =
transfer resistor (n limba englez) = transfer de rezisten, adic un transfer al curentului
din circuitul de intrare, caracterizat de rezisten mic (specific jonciunii EB polarizat
direct), n circuitul de ieire, caracterizat de rezisten mare (specific jonciunii CB
polarizat invers). Cantitativ, acest transfer este controlat de ctre valoarea tensiunii vEB.
Dup cum se poate constata cu uurin, manifestarea acestui efect este o consecin a
construciei tranzistorului, n special a faptului c baza este subire.
Datorit faptului c regiunea emitorului este mai puternic dopat (p+) fa de cea a bazei, n
curentul iE predomin purttorii majoritari injectai (prin difuzie) din emitor n baz
(golurile n cazul TB de tip pnp). Purttorii minoritari din baz (n cazul TB de tip pnp, att
golurile existente naintea polarizrii ct i golurile ce au difuzat din emitor) se vor deplasa
spre colector, generndu-se astfel un curent iC (curent de colector), care este aproximativ
egal cu cel de emitor: i C i E (3.23)
Observaii:
1) Jonciunea EB (polarizat direct) poate fi asemnat cu o diod polarizat direct. n
schimb jonciunea CB nu poate fi comparat cu o diod polarizat invers, deoarece
ntr-o astfel de situaie prin diod ar circula un curent (invers) de valoare foarte
mic, n nici un caz i C i E . Din aceast cauz reprezentrile din figurile 3.1 i 3.2
(unde apreau dou diode legate n serie) ofer doar o explicaie a modului de
simbolizare a unui TB.
2) De asemenea, din figurile 3.1 i 3.2 rezult
metoda static de verificare a unui TB: se a)
controleaz cele dou jonciuni, folosind metoda
descris n capitolul anterior.
3) Important! Un TB nu este echivalent cu dou
diode legate ca n figurile 3.1 sau 3.2!
4) La definirea TB s-a amintit faptul c dou tipuri b)
de purttori asigur conducia (goluri i
electroni). Explicaia de mai sus accentueaz
doar faptul c n cazul tranzistorului de tip pnp
curentul este n majoritate format din goluri.
Din comparaia jonciunii emitor baz cu o
Fig. 3.7
diod polarizat direct rezult c:
Caracteristici ideale ale
v EB ct. (3.24) tranzistorului pnp
cu valori tipice de ordinul 0,6 0,7V pentru Si a) Caracteristica ideal de intrare
i 0,2 0,3V pentru Ge. b) Caracteristica ideal de ieire
Din (3.23) i (3.24) se obin caracteristicile ideale ale unui TB pnp prezentate n figura 3.7.
3.2.2.2. Regimul activ invers (RAI)
Un T.B se afl n a cest regim de funcionare dac jonciunea CB este polarizat direct, iar
jonciunea EB este polarizat invers. n cazul TB de tip pnp rezult:
v EB < 0 ; v CB > 0 (3.25)
n aceast situaie, din punct de vedere calitativ, fenomenele vor fi asemntoare cu cele
descrise la funcionarea TB n RAN, jonciunile CB i EB schimbndu-i rolurile ntre ele.
Rezult c prin TB va circula un curent n sens opus fa de funcionarea n RAN, datorat
purttorilor de sarcin injectai n baz prin difuzie din colector i transportai n emitor
datorit cmpului electric ce polarizeaz invers jonciunea EB.
3.6
Din punct de vedere cantitativ ns, fenomenele difer sensibil.
Astfel, datorit modului de dopare specific celor dou jonciuni (regiunea
colectorului are dopare medie), curentul ar fi mult mai mic fa de cel obinut la
funcionarea n RAN, n aceleai condiii de polarizare.
n al doilea rnd, datorit modului de dopare, jonciunea EB nu suport tensiuni
inverse mari (majoritatea TB au tensiunea de strpungere a jonciunii EB de ordinul
5 6V), astfel c acest regim de lucru este posibil numai n cazul funcionrii cu
tensiuni de alimentare de valori mici.
n consecin, regimul activ invers nu este utilizat n aplicaii practice.
Observaie:
Tranzistorul este un dispozitiv ce a fost gndit i construit n scopul de a asigura o
conducie controlat i unidirecional. Din acest motiv, nu funcionarea n regimul
activ invers a constituit preocuparea proiectanilor. Posibilitatea existenei acestui regim
de lucru este o consecin a structurii constructive a TB i are o semnificaie pur
teoretic. El a fost prezentat n ncercarea de a da expunerii un caracter ct mai unitar i,
n definitiv, pentru c (la fel ca i muntele Everest) exist!
3.2.2.3. Regimul de saturaie
Un TB funcioneaz n regim de saturaie dac ambele jonciuni sunt polarizate direct. n
cazul TB de tip pnp rezult:
v EB < 0 ; v CB 0 (3.26)
Ca urmare a polarizrii directe a ambelor jonciuni, va fi favorizat difuzia. n acest mod,
n baz va avea loc o injecie masiv de purttori majoritari de sarcin (goluri n cazul de
fa), att din din emitor ct i din colector.
Aceti purttori de sarcin intr sub influena cmpului electric.
E EC = E EB + E BC (3.27)
ce rezult ntre colector i emitor ca urmare a polarizrii jonciunilor.
Deoarece, dup cum se poate observa din figura 3.6b, cderea de tensiune ntre emitor i
colector este
v EC = v EB v BC (3.28)
i innd cont de (3.26), cmpurile electrice E EB i E BC vor avea sensuri opuse, astfel c
n principiu cmpul E EC poate avea orice orientare, imprimnd purttorilor de sarcin din
baz deplasri corespunztoare.
Rezult c printr-un TB ce funcioneaz n acest regim de lucru curentul (i C i E ) poate
avea oricare din cele dou sensuri posibile.
Totui, se impun urmtoarele precizri:
Tensiunea v EC , conform (3.28), are o valoare mic, astfel c valoarea curentului prin
tranzistor va fi stabilit de rezistena de sarcin conectat n colector (i/sau n
emitor). Nu toi purttorii de sarcin din baz vor participa la acest curent (a nu se
uita faptul c fa de RAN exist mai muli purttori n baz, iar valoarea curentului
nu crete semnificativ), astfel c vor exista purttori de sarcin ce staioneaz n baz
(aa numiii purttori n exces sau sarcina stocat). Acetia creeaz probleme la
blocarea TB, deoarece trebuie evacuai din baz, fenomen ce nu se desfoar
instantaneu. Rezult o cretere a timpului de blocare, ceea ce este inacceptabil n cele
mai multe aplicaii.
Cea mai simpl metod de a micora timpul de evacuare a sarcinii stocate n baz
este de a micora numrul de purttori ce stagneaz n baz. Acest lucru este
obtenabil prin polarizarea jonciunii CB la limita intrrii n conducie, de obicei cu

3.7
v BC = 0 sau chiar uor pozitiv, ceea ce limiteaz substanial difuzia purttorilor de
sarcin din colector n baz.
n aceste condiii, este evident c purttorii de sarcin se vor deplasa spre colector (ca
i la funcionarea n RAN). Sensul curentului va fi acelai, deoarece purttorii de
sarcin sunt golurile, adic sarcini pozitive.
Observaie:
i n cazul funcionrii TB n RAN cmpul electric ce deplaseaz purttorii de sarcin
este dat de relaia (3.27). Deosebirea const n faptul c datorit polarizrii inverse a
jonciunii CB, mrimea cmpului E BC este mult mai mare dect mrimea cmpului
E EB , astfel c ponderea acestuia din urm n cmpul total, E EC devine neglijabil.
Acesta este motivul pentru care n paragraful 3.2.2.1. s-a fcut afirmaia c purttorii de
sarcin se deplaseaz spre colector datorit cmpului E BC .
3.2.2.4. Regimul de blocare (tiere)
Un TB funcioneaz n regim de blocare (este blocat sau tiat) dac ambele jonciuni
sunt polarizate invers. n cazul TB de tip pnp rezult:
v EB > 0 ; v CB > 0 (3.29)
Ca urmare a polarizrii inverse a ambelor jonciuni, nu va avea loc difuzia de purttori de
sarcin n baz. Fenomenele sunt asemntoare cu cele specifice unei jonciuni pn n regim
de polarizare invers, astfel c prin structur va circula un curent neglijabil, cu (cel puin 3)
ordine de mrime mai mic dect n regimurile de conducie (RAN sau saturaie).
3.3. RELAII NTRE CURENII PRIN TRANZISTOR

3.3.1.Generaliti
Relaiile ntre cureni se vor determina considernd tranzistorul polarizat n RAN, adic
jonciunea EB polarizat direct, iar jonciunea CB polarizat invers.
Se consider c n circuit exist dou surse independente de tensiune continu ce
polarizeaz corespunztor cele dou jonciuni ale TB.
n paragraful 3.2. s-a prezentat pe scurt fenomenul fizic al trecerii curentului prin dou
regiuni cu rezisten diferit, ajungndu-se la concluzia c valoarea curentului este practic
constant i C i E .
n acest paragraf se va analiza mai amnunit acest fenomen, artndu-se totodat care este
legtura ntre curentul ce circul prin baza tranzistorului (iB) i ceilali doi cureni (iC, iE).
De asemenea se va pune n eviden componena curenilor ce curg prin tranzistor (curenii
de electroni i de goluri). Pentru aceast analiz este suficient ca din cele trei conexiuni ale
unui TB s se studieze doar dou (E.C. i B.C.).
Observaie:
De ce nu se vor studia toate cele trei conexiuni?
n studiul tranzistorului i apoi al amplificatoarelor se acord o mare importan
modului n care curentul de la ieire este controlat de curentul de la intrare. Sau, altfel
spus cum se poate comanda curentul de la ieire de ctre curentul de la intrare prin
intermediul tranzistorului.
Din figura 3.5 se observ c n conexiunea C.C. curentul de ieire este iE iar cel de
intrare este iB. innd cont de faptul c iC iE, legtura dintre curenii de intrare i de
ieire pentru aceast conexiune a fost rezolvat n studiul conexiunii E.C.

3.8
3.3.2. Componentele curenilor prin tranzistor n conexiunea B.C., n RAN
Scopul acestui studiu este de a pune n eviden legtura dintre curentul de intrare IE i cel
de ieire IC. Schema unui TB de tip pnp n conexiunea B.C. polarizat normal este
prezentat n figura 3.8.
Condiiile n care TB este polarizat n RAN sunt:
kT
VEB > 0 ; VEB >> (3.30)
e
kT
VCB > 0 ; VCB >> (3.31) Fig. 3.8 T.B (pnp) n conexiune B.C.
e
Se reamintete valoarea tensiunii termice la temperatura ambiant:
kT
VT = = 26mV (T = 300K )
e
Explicaiile fizice se pot urmri n figura 3.9, n care:
IE,p Curentul de goluri propriu jonciunii EB;
IE,n Curentul de electroni propriu jonciunii EB;
Ir Curentul de recombinare, datorat golurilor (care difuzeaz din emitor n
baz) ce se recombin cu electronii (care difuzeaz din baz n emitor);
IC,p Curentul de goluri injectat de emitor i colectat de colector;
I CB0 Curentul propriu jonciunii CB polarizat invers, format att din
electronii minoritari injectai din colector n baz ct i din golurile minoritare
injectate din baz n colector, adic:
I CB0 = I C I =0 (3.32)
E

Fig. 3.9 Natura curenilor printr-un tranzistor pnp n conexiune B.C.

I CB0 se mai numete i curent rezidual, fiind practic curentul invers (de saturaie) al
jonciunii CB.
Se msoar n conexiunea B.C., fiind practic curentul de colector la funcionarea cu
emitorul n gol.
n figura 3.10 se prezint o modalitate de punere n eviden a curentului I CB0 i o schem
cu ajutorul creia i se poate msura valoarea. Se poate observa c s-a renunat la convenia
de semne specific jonciunii pn ( I CB0 este curentul invers al jonciunii CB), atribuindu-i-
se sensul su real. Rezult c I CB0 va avea o valoare pozitiv, valorile sale uzuale avnd
ordinul de mrime 10-9 ... 10-6 A (mai mici pentru TB cu siliciu).

3.9
a) b)

Fig. 3.10 Curentul I CB0


a) Circuitul curentului I CB0 b) Schem de msurare
Din figura 3.9 rezult curenii ce curg prin bornele tranzistorului:
Curentul de emitor:
I E = I E ,p + I E ,n (3.33)
Curentul de colector:
I C = I C,p + I CB0 (3.34)
unde I C,p = I E ,p I r (3.35)
Curentul de baz:
I B = I E ,n + I r I CB0 (3.36)
Se poate observa cu uurin c I E = I C + I B , ceea ce demonstreaz c presupunerea fcut
n relaia (3.1) este corect, deci TB poate fi considerat ca un nod n circuit.
Observaie:
Pentru (3.33) (3.36) s-a respectat sensul convenional (sensul de circulaie a sarcinilor
pozitive, adic a golurilor) al curentului. Cu alte cuvinte, fluxurile de electroni i de
goluri, dei au sensuri de deplasare diferite, genereaz cureni n acelai sens.
n continuare se vor defini parametrii ce caracterizeaz funcionarea tranzistorului, precum
i condiiile ce trebuie s le ndeplineasc acetia pentru a demonstra (3.23) adic I C I E .
a) Eficiena emitorului ( E )
I E ,p I E ,p
E = = (3.37)
IE I E ,p + I E ,n
Relaia (3.37) spune c prima condiie este ca IE (curentul de emitor) s fie n majoritate un
curent de goluri, lucru realizabil dac se ndeplinete condiia constructiv prezentat n
paragraful 3.2.2. (dopare asimetric a bazei respectiv emitorului).
n concluzie, n cazul ideal
E = 1 (3.38)
b) Factorul de transport ( t )
I C,p I C,p
t = = (3.39)
I E ,p I C, p + I r
Relaia (3.39) spune c a doua condiie este ca majoritatea purttorilor de sarcin (goluri n
cazul de fa) injectai de emitor s ajung n colector. Acest lucru este realizabil n
condiiile doprii asimetrice a jonciunii EB i a ngustimii bazei comparativ cu lungimea
de difuzie a purttorilor majoritari injectai din emitor.
n cazul ideal
t = 1 (3.40)
c) Factorul de amplificare n curent, n sens direct n conexiunea B.C. ( F )
Din (3.33), (3.35), (3.37), (3.39) se poate scrie c:
3.10
I E ,p I C,p I C,p
E t = = := F (3.41)
I E ,p + I E ,n I C,p + I r IE
n aceste condiii, relaia (3.34) devine:
I C = F I E + I CB0 (3.42)
unde F = E t se numete factor de amplificare n curent n sens direct (Forward, n
limba englez) n conexiunea B.C. (se mai numete i ctig n curent la semnal mare).
Condiia ca I CB0 s fie neglijabil, rezult imediat din (3.33), (3.34) i (3.35), presupunnd
ndeplinite (3.38) i (3.40)
n concluzie, se poate spune c I C I E i I B << I C ; I E dac sunt ndeplinite cele dou
cerine constructive ale unui TB:
Jonciunea EB este puternic asimetric;
Grosimea efectiv a bazei este mult mai mic dect lungimea de difuzie a
purttorilor majoritari din emitor.
3.3.3. Componentele curenilor prin tranzistor n conexiunea E.C.
n aceast situaie, curentul de intrare este IB iar cel de ieire IC.
Schema electric, cu dou surse de tensiune, a unui tranzistor pnp n conexiunea E.C.
pentru ca acesta s fie polarizat n RAN este prezentat n figura 3.11.
Din (3.2), (3.30), (3.31) se obin condiiile de
polarizare normal a tranzistorului.
kT
VEB > 0 ; VEB >> (3.43)
e
kT
VCE E << 0 ; VCE >> ; VCE > VEB (3.44)
e
Observaie:
Jonciunea CB este polarizat invers deoarece
Fig. 3.11 TB (pnp) n conexiune E.C. VCB = VEB + VCE < 0
n acest caz curenii prin jonciuni sunt cei din figura 3.9.
Cum I E = I C + I B i I C = F I E + I CB0 se obine:
F 1
I C = F (I C + I B ) + I CB0 I C = IB + I CB0
1 F 1 F
F
Notnd F = (3.45)
1 F
unde F este factorul de amplificare n sens direct curent n conexiunea E.C., i
1
I CE 0 = I CB0 = ( F + 1)I CB0 = I C I =0 (3.46)
1 F B

unde I CE 0 se mai numete i curentul rezidual (de saturaie) de colector, n conexiunea


E.C. msurat cu baza n gol.
Se obine:
I C = F I B + I CE0 (3.47)
Observaii:
F >> 1 ; Exemple:
F = 0,98 F = 49
F = 0,99 F = 99
F 1 F
3.11
Rezult c se obine un curent de colector (implicit i cel de emitor) mult mai mare
dect cel de baz.
Important: Relaia I C I E >> I B este valabil n oricare din conexiunile n care
lucreaz tranzistorul.
n conexiunea E.C. (ca i n C.C.) curentul de ieire este mult mai mare dect
curentul de intrare. Acest lucru ofer o perspectiv generoas n ideea de a controla
un curent de valoare mare, prin intermediul unui curent de valoare mic.
I CE 0 >> I CB0 deoarece I CE0 = ( F + 1) I CB0 . Acest curent rezidual devine important
pentru tranzistoarele cu Si la temperaturi mai ridicate, iar pentru cele cu Ge chiar la
temperatura camerei.
Cu ajutorul relaiei (3.46) se poate construi o schem electric de msurare a valorii
curentului I CE 0 (figura 3.12).

a) b)
Fig. 3.12 Curentul I CE 0
a) Circuitul curentului I CE 0 b) Schem de msurare
Analiznd cu atenie figura 3.12, se poate explica faptul c I CE 0 are o valoare mai mare
dect I CB0 : deoarece jonciunea EB este polarizat direct, n componena lui I CE 0 intr i
curentul de goluri ce difuzeaz din emitor n baz, fiind apoi preluate de colector.

Concluzii:
Prin dependena foarte puternic a lui F de F , se pune n eviden de fapt
dependena lui F fa de parametrii constructivi (lrgimea bazei) i de material
(gradul de dopare cu impuriti, lungimea de difuzie...).
Tranzistorul bipolar ofer un ctig mare n curent, dar din motivele de mai sus plus
altele (mediu, temperatur) nu se poate cunoate valoarea exact a acestuia. De
aceea circuitele electronice ce utilizeaz tranzistoare n vederea amplificrii unui
semnal trebuie s se foloseasc de aceast calitate ( F >> 1) dar s se protejeze n
faa dispersiei acesteia. Un circuit electronic nu se va proiecta niciodat pentru un
tranzistor (implicit pentru o valoare fix i constant a lui F ) ci pentru un anumit
tip de tranzistor care este caracterizat de o anumit plaj de valori ale lui F .

Observaii:
1) innd cont de rezultatele obinute n paragraful 3.2.1, adic de faptul c legtura dintre
IE i IC este aceeai indiferent de tipul tranzistorului (npn sau pnp), funcionarea i
relaiile ntre cureni n cazul unui TB de tip npn sunt asemntoare cu cele prezentate
pentru TB de tip pnp. n cazul principiului de funcionare, purttorii majoritari devin
electronii n locul golurilor (iar cei minoritari invers), iar ecuaiile curenilor sunt
aceleai, cu observaia c trebuie schimbate sensurile lor. n acest context, autorii

3.12
consider c cea mai sigur metod pentru nelegerea corect a funcionrii TB este
reluarea (de ctre cititor) a paragrafelor 3.2 i 3.3 pentru varianta npn.
2) Funcionarea TB n conexiunea E.C. sugereaz posibilitatea trecerii n regiunea de
saturaie. Astfel, la funcionarea n RAN, mrindu-se valoarea curentului IB, curentul IC
va crete, conform relaiei (3.47), iar valoarea absolut a tensiunii ntre colector i
emitor:
VCE = VCC + R C I C (3.48)
se va micora. Conform (3.2), acest fapt atrage dup sine micorarea tensiunii VCB :
VCB = VCE VBE (3.49)
n care tensiunea VBE este practic constant, jonciunea EB fiind polarizat direct.
Altfel spus, creterea curentului IC nseamn apropierea TB de funcionarea n saturaie.
Rezult c valoarea tensiunii VCE se poate folosi pentru a defini limita ntre RAN i
regimul de saturaie:
Dac VCE > VBE atunci TB funcioneaz n RAN;
Dac VCE VBE atunci TB funcioneaz n regimul de saturaie.
Corespunztor relaiilor (3.47) i (3.48) va exista o valoare a curentului IB, ce va fi
notat I Bsat ce va produce curentul I Csat , astfel nct:
VBE = VCE sat = VCC + R C I Csat (3.50)
Creterea curentului IB peste valoarea I Bsat nu va avea corespondent n variaia
corespunztoare relaiei (3.47) a curentului IC, acesta fiind limitat la valoarea
(teoretic),
V
I Cmax := CC (3.51)
RC
ce rezult din (3.48) presupunnd VCE = 0 .
Cu alte cuvinte, la funcionarea n saturaie, neglijnd valoarea curentului I CE 0 , relaia
(3.47) se transform n inegalitate:
IC FIB (3.52)
Observnd valoarea redus a tensiunii VCE la funcionarea n regim de saturaie, se
poate spune c un TB saturat este echivalentul (aproximarea) electronic() unui
comutator nchis. Din acest motiv, funcionarea TB n acest regim de lucru st la baza
schemelor de comutaie electronic.
3) Din cele spuse se pot observa cele dou mari categorii de aplicaii ale TB:
Aplicaii liniare, n care TB funcioneaz n RAN (amplificatoare, oscilatoare
armonice, etc.)
Aplicaii de comutaie, n care TB funcioneaz prin treceri rapide din regimul de
saturaie (comutator nchis) n regimul de blocare (comutator deschis). Aplicaiile
clasice ale acestui regim de lucru sunt sursele de alimentare n comutaie (chopper
sau Sample Mode Power Supply - SMPS).
3.4 CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTOARELOR BIPOLARE
Caracteristicile statice ale unui TB sunt reprezentrile grafice ale dependenelor dintre
mrimile ce caracterizeaz funcionarea sa. Acestea se reprezint sub forma unor curbe ce
descriu dependenele ntre dou mrimi, o a treia fiind constant (parametru).
Conveniile de notare ale mrimilor sunt prezentate n figura 3.3. Se poate observa c,
indiferent de tipul TB (pnp sau npn), tensiunile se consider n acelai sens (vCE, vCE, vCB),
spre deosebire de cureni, care sunt n conformitate cu sensurile sgeilor din simboluri. De

3.13
exemplu, la funcionarea n RAN, tensiunile vor fi pozitive pentru TB de tip npn i
negative pentru TB de tip pnp.
Exist trei tipuri de caracteristici statice ale TB:
Caracteristica static de ieire, ce reprezint dependena dintre dou mrimi de
ieire, ca parametru fiind o mrime de intrare (este cea mai utilizat caracteristic);
Caracteristica static de intrare, ce reprezint dependena dintre dou mrimi de
intrare, ca parametru fiind o mrime de ieire;
Caracteristica static de transfer, ce reprezint dependena dintre o mrime de ieire
i una de intrare, ca parametru fiind o mrime din oricare din cele dou circuite.
Mrimile specifice celor trei tipuri de caracteristici sunt diferite la cele trei conexiuni
(B.C., E.C., C.C.) ale TB, astfel c vor exista caracteristici statice specifice fiecreia.
3.4.1. Caracteristici statice n conexiunea B.C.
Mrimile de ieire si cele de intrare ale unui TB de tip pnp n conexiune B.C. pot fi
urmrite n reprezentarea din figura 3.5a.
3.4.1.1. Caracteristica static de ieire
n cazul conexiunii B.C., caracteristica de ieire reprezint dependena:
i C = i C (v CB ) i =const (3.53)
E
Pentru un TB de tip pnp ce lucreaz n RAN, dependena (3.53) este descris de relaia
(3.42). Conform acesteia, curentul iC este independent de valoarea tensiunii vCB, astfel
nct, teoretic, caracteristica de ieire ar trebui s fie o familie de linii paralele cu axa
tensiunilor, la nivele fixate de valoarea parametrului iE (i C i E ) . n realitate, datorit
simplificrilor introduse de modelul matematic, pot ap abateri de la forma ideal, cu
precdere sub forma alurii uor cresctoare a dreptelor, n special la valori mai mari ale
curentului iE.
Caracteristicile sunt prezentate n figura 3.13a.

a) b)
Fig. 3.13 Caracteristici de ieire ale TB de tip pnp n conexiunea BC
a) Caracteristica de ieire, cu specificarea regimurilor de funcionare
b) Detaliu al regiunii de saturaie
Pe caracteristica static se pot observa trei din cele patru regimuri de lucru posibile ale TB
i anume:
Regiunea activ normal (RAN), corespunztoare polarizrii directe a jonciunii EB
i polarizrii inverse a jonciunii CB.

3.14
Regiunea de blocare (tiere), corespunztoare polarizrii inverse a ambelor
jonciuni. Deoarece n acest caz curentul iE este negativ (curentul de saturaie al
jonciunii EB), curentul iC poate deveni mai mic dect I CB0 .
Regiunea de saturaie, corespunztoare polarizrii directe a ambelor jonciuni. n
dv
aceast situaie, rezistena intern (dinamic) a jonciunii CB, rd := CB se va
di C
micora, fapt ce explic panta mare a caracteristicilor.
n figura 3.13b se prezint un detaliu al caracteristicilor corespunztoare regimului de
saturaie, n care se poate observa c polarizarea direct a jonciunii CB atrage dup sine
modificarea (mic) a tensiunilor vCB care anuleaz curentul iC (caracteristicile nu se
suprapun perfect, dup cum sugereaz figura 3.13a).
Altfel spus, apare o mic variaie a tensiunii de deschidere a jonciunii CB.
O explicaie ar putea fi dependena lungimii de difuzie a unei jonciuni polarizate invers de
tensiunea aplicat. n cazul de fa, aceast influen se traduce n variaia lungimii efective
a bazei funcie de tensiunea vCB ce polarizeaz invers jonciunea CB n timpul funcionrii
n RAN (efect Early).
Cum potenialul intern al jonciunii depinde de lungimile de difuzie (2.6), rezult alura din
figura 3.13b a caracteristicilor statice.
3.4.1.2. Caracteristica static de transfer
n cazul conexiunii B.C., caracteristica de transfer reprezint dependena:
i C = i C (i E ) V =const (3.54)
CB

Relevana acestei caracteristici se reduce exclusiv la funcionarea TB n RAN, deoarece


numai n aceast situaie exist o dependen funcional ntre curenii iC i iE, dat de
relaia (3.42). Conform acesteia, (n cazul ideal F = 1 ) iC depinde liniar de iE,
independent de valoarea tensiunii vCB, rezultnd astfel o singur caracteristic de transfer
sub forma unei drepte paralel cu prima bisectoare, ca n figura 3.14a.
Caracteristica de transfer real poate fi dedus din caracteristica de ieire prin construcia
grafic prezentat n figura 3.14b.

a) b)
Fig. 3.14 Caracteristici de transfer ale TB de tip pnp n conexiunea B.C.
a) caracteristica ideal de transfer
b) deducerea caracteristicii reale din caracteristica de ieire corespunztoare funcionrii n RAN

n principiu, este vorba despre fixarea nivelelor dorite ale tensiunii vCB ( VCB1 i VCB2 n
exemplificare) i plasarea pe axa curenilor iE a valorilor corespunztoare ale acestora
3.15
(valorile parametrilor iE ale caracteristicilor de ieire). Datorit faptului c n cazul unui TB
real caracteristicile de ieire nu sunt riguros paralele i nici orizontale, vor rezulta
caracteristici de transfer sub forma unor curbe (n locul dreptelor ideale) i, respectiv,
distincte pentru valorile tensiunii vCB.
n concluzie, un TB real va prezenta o caracteristic static de transfer sub forma unui
fascicol de curbe (aproape drepte), a crui origine este punctul de ordonat I CB0 , pe axa
curenilor iC. Curbele sunt foarte apropiate ntre ele, dup cum sugereaz i figura 3.14b.
i
Evident, tan ( ) = C F .
iE
3.4.1.3. Caracteristica static de intrare
n cazul conexiunii B.C., caracteristica de intrare reprezint dependena:
i E = i E (v BE ) V =const (3.55)
CB

Rezult c practic este vorba despre caracteristica diodei EB, cu influena asupra acesteia a
tensiunii vCB.
innd cont de faptul c n relaia (3.42) termenul I CB0 reprezint curentul jonciunii CB,
se poate scrie:
V
I C = F I E + I CB0 exp CB 1 (3.56)
VT
sau
V
I C I CB0 exp CB 1
VT
IE = (3.57)
F
Rezult urmtoarele aspecte calitative:
La funcionarea n RAN ( v CB < 0 n cazul TB de tip pnp): o uoar cretere a
curentului iE fa de variaia vCB;
La funcionarea n saturaie ( v CB 0 n cazul TB de tip pnp): micorarea
curentului iE fa de variaia vCB;
Aceste variaii au loc la aceeai tensiune vBE.
n aceste condiii, aspectul caracteristicii de intrare este cel prezentat n figura 3.15.a.

a) b)
Fig. 3.15 Caracteristica de intrare a unui tranzistor pnp n conexiunea B.C.
a) familia caracteristicilor de intrare
b) detaliu n zona originii

3.16
Deplasarea n jos a caracteristicii n cazul funcionrii n saturaie poate fi explicat prin
micorarea curentului iE n cazul polarizrii directe a jonciunii CB, datorit injeciei de
goluri din colector n baz, ce genereaz un curent invers fa de curentul iE.
n figura 3.15b se prezint un detaliu n zona originii al caracteristicii din figura 3.15a, din
care se poate observa c la funcionarea n RAN apare i o uoar variaie a curentului de
saturaie al jonciunii EB, IES, odat cu variaia tensiunii vCB. Variaia este descresctoare
(adic IES scade fa de valoarea sa corespunztoare la VCB = 0 ), explicaia fiind efectul
Early (curentul invers al unei jonciuni pn depinde i de lungimile de difuzie ale
purttorilor de sarcin, care la rndul lor sunt dependente de tensiunea de polarizare a
jonciunii, n cazul de fa, vCB)
3.4.2. Caracteristici statice n conexiunea E.C.
Mrimile de ieire si cele de intrare ale unui TB de tip pnp n conexiune E.C. pot fi
urmrite n reprezentarea din figura 3.5b.
3.4.2.1. Caracteristica static de ieire
n cazul conexiunii E.C., caracteristica de ieire reprezint dependena:
i C = i C (v CE ) i =const (3.58)
B
Pentru un TB de tip pnp ce lucreaz n RAN, dependena (3.58) este descris de relaia
(3.47), conform creia curentul iC este independent de valoarea tensiunii vCE, astfel nct,
teoretic, caracteristica de ieire ar trebui s fie o familie de linii paralele cu axa tensiunilor,
la nivele fixate de valoarea parametrului iB. Prin urmare, familia de caracteristici va fi
asemntoare cu cele corespunztoare conexiunii B.C.
innd cont de relaia ntre tensiunile la
terminalele TB, VCE = VCB + VBE , i de faptul
c la funcionarea n RAN sau n saturaie
VBE ct V , se poate observa c se pot
obine caracteristicile de ieire n conexiunea
E.C. din cele n conexiunea B.C. printr-o
translaie a axei curentului iC.
Ca i la conexiunea B.C., datorit
simplificrilor introduse de modelul
matematic, caracteristicile reale prezint
abateri de la forma ideal, cu precdere sub
forma alurii uor cresctoare a dreptelor, n
special la valori mai mari ale curentului iB i
ale tensiunii vCE.
Caracteristicile sunt prezentate n figura 3.16.
Pe caracteristica static se pot observa trei din Fig. 3.16
cele patru regimuri de lucru posibile ale TB, i Caracteristici de ieire ale TB de tip pnp
anume: n conexiunea E.C.
Regiunea activ normal (RAN), corespunztoare polarizrii directe a jonciunii EB
i polarizrii inverse a jonciunii CB.
Regiunea de blocare (tiere), corespunztoare polarizrii inverse a ambelor
jonciuni. Limita de tiere este i B = 0 , caz n care, conform (3.47), valoarea
curentului de colector va fi I CE 0 . Dac jonciunea EB se polarizeaz invers,
curentul iB devine negativ (curentul de saturaie al jonciunii EB), astfel nct
curentul iC poate deveni mai mic dect I CE 0 . Se definete limita blocrii
profunde i B = I CB0 , caz n care, conform (3.47), i C = I CB0 .
3.17
Regiunea de saturaie, corespunztoare polarizrii directe a ambelor jonciuni. n
dv
aceast situaie, rezistena intern (dinamic) a jonciunii CB, rd := CB se va
di C
micora, fapt ce explic panta mare a caracteristicilor. Limita regiunii de saturaie
este VBC = 0 (jonciunea CB la limita polarizrii directe), dei n practic se
lucreaz cu valori uor negative, pentru a prentmpina saturarea profund. n acest
caz, valoarea tensiunii VCEsat va fi cu puin mai mare dect V .

3.4.2.2. Caracteristica static de transfer


n cazul conexiunii E.C., caracteristica de transfer reprezint dependena:
i C = i C (i B ) V =const (3.59)
CE

Toate consideraiile prezentate pentru conexiunea B.C. sunt valabile i n noul context,
astfel c nu vor fi reluate. Se precizeaz doar faptul c, datorit valorii mari a factorului de
amplificare F , caracteristica nu va mai fi paralel cu prima bisectoare.
n figura 3.17 se prezint aspectul caracteristicii ideale de transfer, iar n figura 3.17b
deducerea acesteia din caracteristica de ieire.
i
Evident, n acest caz, tan ( ) = C F .
iE

a) b)
Fig. 3.17 Caracteristici de transfer ale TB de tip pnp n conexiunea E.C.
a) caracteristica ideal de transfer
b) deducerea caracteristicii reale din caracteristica de ieire corespunztoare funcionrii n RAN

3.4.2.3. Caracteristica static de intrare


n cazul conexiunii E.C., caracteristica de intrare reprezint dependena:
i B = i B (v BE ) V =const (3.60)
CE

Ca i la conexiunea B.C., rezult c practic este vorba despre caracteristica diodei EB, cu
influena asupra acesteia a tensiunii vCE.
Din relaia (3.56), rezult:
V VBE
I B = I E I C = (1 F ) I E I CB0 exp CE 1
(3.61)
VT
n urma unor observaii calitative asemntoare cu cele corespunztoare conexiunii B.C.,
rezult urmtoarele:
3.18
La funcionarea n RAN ( v CE < 0 ; v BE > 0 n cazul TB de tip pnp): termenul
exponenial devine neglijabil, astfel nct se obine practic o caracteristic unic;
La funcionarea n saturaie ( v CE 0 n cazul TB de tip pnp): micorarea
curentului iB fa de variaia vCE;
n aceste condiii, aspectul caracteristicii de intrare este cel
prezentat n figura 3.18.
n unele cataloage, caracteristicile statice se prezint
compact, fiecare dintre ele ntr-unul din cele patru cadrane
ale unui sistem de axe rectangulare.
Evident c n acest tip de reprezentare nu se mai poate
vedea regimul de tiere, presupunndu-se c cititorul este
familiarizat cu funcionarea tranzistorului (n regimul de
tiere curenii sunt nuli sau, cel mult, neglijabili).
n figura 3.19 se prezint o astfel de caracteristic, pentru
conexiunea E.C.
n cadranul 1 este desenat caracteristica de ieire Fig. 3.18
(se poate observa c a fost evideniat separat Caracteristica de intrare a
nceputul zonei de blocare profund); unui tranzistor pnp n
n cadranul 2 caracteristica de transfer; conexiunea E.C.
n cadranul 3 caracteristica de intrare;
n cadranul 4 o alt caracteristic de transfer, v CE = v CE (v BE ) i .
B = ct .

Figura 3.19
Caracteristicile statice ale unui TB de tip pnp n conexiunea E.C.

3.5. APLICAII
3.5.1. La un TB de tip npn, avnd U CB = 6V , se msoar i C = 0,99mA la i E = 1mA i
i C = 0,745mA la i E = 0,75mA . Calculai parametrii F , I CB0 , i iB la valoarea
specificat a tensiunii UCB, n ipoteza c F este independent de valoarea curentului iC.

Rezolvare
Punctele determinate experimental trebuie s verifice relaia:
i C = F i E + I CB0
nlocuind valorile msurate se obine sistemul de ecuaii:
3.19
I C1 = F I E1 + I CB0
I = I + I
C2 F E2 CB0

Soluia sistemului este:


I C1 I C2 0,99 0,745
F = = = 0,98
I E1 I E 2 1 0,75
I C2 I E1 I C1 I E 2 0,745 1 0,99 0,75
I
CB0 = = = 0,01mA = 10A
I I 1 0,75
E1 E 2

Factorul de amplificare este:


F
F = = 49
1 F
Datorit relaiei i C = i B + ( + 1) I CB0 , rezult:
I C1 ( + 1) I CB0 0,99 50 0,01
I B1 = = = 0,01mA = 10A
F 49
I C2 ( + 1) I CB0 0,745 50 0,01
I B2 = = = 0,005mA = 5A
49
3.5.2. Un TB de tip pnp, la U CB = 6V are F = 0,98 i I CB0 = 10A . S se determine
valoarea curentului iE pentru care i E = i C la U CB = 6V , valoarea factorului de
amplificare i curentul iB n acest caz, n ipoteza c F este independent de valoarea
curentului iC. Comentai valoarea obinut pentru curentul iB.

Rezolvare
ntre curenii iE i iC exist relaia:
i C = F i E + I CB0
Rezult c:
I CB0 10
i E = F i E + I CB0 i E = = = 500A
1 F 0,02
Factorul de amplificare este:
F
F = = 49
1 F
Datorit relaiei i C = i B + ( + 1) I CB0 , rezult:
i C ( + 1) I CB0 500 50 10
iB = = =0
F 49

3.20