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Relacin de ejercicios de Seminario

de Simulacin de circuitos
electrnicos de potencia con OrCAD
PSpice

Juan Domingo Aguilar Pea


Daniel Lpez Arco
Relacin de ejercicios de Simulacin de Circuitos Electrnicos de Potencia con OrCAD PSpice 9.2

1. OrCAD CAPTURE
____________________________________________________ 3
2. PSpice A/D
____________________________________________________ 11
3. MODELOS
____________________________________________________ 18

4. ESTIMULOS
____________________________________________________ 22
5. MODELADO DEL COMPORTAMIENTO ANALOGICO
____________________________________________________ 25

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3.ORCAD CAPTURE

EJEMPLO 3.1 PUNTO TRABAJO.opj Mediante este ejemplo


realizaremos el anlisis del punto de trabajo del circuito basado en un
transistor, visualizando las tensiones y corrientes en el fichero .OUT y
en el esquemtico. Cuando se modifica el valor de algn componente el
borde del recuadro donde se introduce el valor cambiar de color,
indicando que ya no es vlido.

Figura 3.1 Resultados del anlisis del punto de trabajo

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EJEMPLO 3.2 FUENTEALIMREGUL.opj Comprobar la regulacin de la


tensin de salida para la variacin de la tensin de entrada por medio de
Pspice. Intensidades que circulan por cada una de las resistencias y los
transistores, tensiones en los diferentes nodos del circuito.

Figura 3.2 Resultados del anlisis del punto de trabajo

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PROPUESTO 3.3 (Ejemplo5.10.4.opj) Calcular el equivalente Thevenin


del circuito mediante el anlisis del punto de trabajo

Figura 3.3 Circuito a simular.

PROPUESTO 3.4.- (EjemploCapture.opj). Disear el circuito RLC de la


figura para poder efectuar un barrido de frecuencias para obtener la
frecuencia de resonancia. Para ello utilizaremos un marcador de tensin
diferencial y de fase. Realizaremos un tipo de anlisis AC.

Pasos a realizar:
1. Colocar los
componentes que
faltan, indicando las
caractersticas de cada
uno.
2. Indicar el anlisis a
realizar ( AC, desde 1Hz hasta 100KHz, 101 puntos ).
3. Cambiar las opciones para el error de convergencia.
4. Colocar los marcadores de tensin diferencial y de fase (si no recordamos
consultar figura 3.8 en pag. 19).
5. Simular el circuito.

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Ejemplo 3.5.- (RLC_TRAN.cir). Para entender mejor este tipo de


anlisis realizaremos el anlisis temporal del circuito RLC serie de la
figura 5.17 y estudiar el comportamiento de la seal de salida, durante
su rgimen transitorio, ante una entrada de la seal tipo escaln (Ver
Capitulo 8.2) siguiente:

V2,T2 V3,T3
200V

TENSIN
V1,T1
0 1us TIEMPO 30ms t

Figura 3.4 Seal que aplicaremos.

El anlisis lo realizaremos desde un tiempo inicial de 0 segundos hasta uno final


de 50 milisegundos. Como parmetros que definen en anlisis elegimos un tiempo de
paso de clculo de 0.1 milisegundos.

Figura 3.5 Resultado de la simulacin

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Figura 3.6 Circuito serie RLC

Figura 3.7 Resultado y condiciones del Anlisis.

Como se observa en la figura 3.7. Hemos realizado un Anlisis Transitorio,


donde el tiempo inicial es de 0 s, el tiempo final es de 50ms y un tiempo de paso de
clculo de 0.1 milisegundos.

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EJEMPLO 3.6 (Ejemplo5.10.7.OPJ). Mediante este ejemplo


visualizaremos el listado de Fourier del fichero de salida para la tensin
en la carga de un rectificador de media onda con carga RL, as como su
espectro de frecuencias.

Para ver en este ejemplo el espectro de armnicos, ser necesario pinchar en la


opcin Fourier, situado en la barra de herramientas de Probe, este tema lo trataremos
en el captulo 5.

Figura 3.8 Resultados del anlisis de fourier Figura 3.9 Rectificador


media onda

Figura 3.10 Espectro de frecuencias visualizable

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EJEMPLO 3.7 PARAMETRICO.opj Mediante este sencillo ejemplo


vamos a entender las diferentes opciones del anlisis parametrico

Figura 3.11 Esquemtico del circuito a simular

Realizamos un anlisis transitorio con la siguiente configuracin paramtrica

Figura 3.12 Parmetros del perfil de simulacin

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Simulamos y obtenemos los siguientes resultados

Figura 3.13 Resultados del anlisis.

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5.PSPICE A/D

PROPUESTO 5.1 (RLC_TRAN.CIR). Abrir el fichero RLC_TRAN.CIR desde


PSpice y observar las diferentes lneas de texto comparndolo con el circuito
de la figura. Simular el circuito y visualizar V1 y V(3) tratando de interpretar la
lnea correspondiente a V1 y a .TRAN.

Figura 5.1- Circuito a simular.

PROPUESTO 5.2 (PRECTTRIOC-RLE.CIR). Abrir el fichero PRECTTRIOC-


RLE desde PSpice y observar las diferentes lneas de texto comparndolo
con el circuito de la figura. Simular el circuito y visualizar las tensiones de entrada
V2(Van), V2(Vbn), V2(Vcn), y V(3)-V(5). Trata de interpretar las lneas
correspondientes a dichas tensiones.

Figura 5.2 Circuito a simular.

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PROPUESTO 5.3 (EJEMPLODC.cir). Un ejemplo de anlisis de DC lo


tenemos en la obtencin de la curva de caracterstica del diodo zener
D1N750, en el que hemos realizado un barrido de 20 a -20 V de la fuente de
tensin en incrementos de 1 V.

Figura 5.3 Curva de caracterstica del diodo zener Figura 5.4 Circuito a
analizar

PROPUESTO 5.4 (Curvas_Transistor.opj). Otro ejemplo de anlisis de


DC lo tenemos en la obtencin de las curvas de un transistor NPN BC108B,
en el que hemos realizado un barrido logartmico para VCE de 0.05 a 5 V y
un barrido lineal para IB de 0.01mA a 0.1mA. En este ejemplo se ve el uso de Primary
Sweep y Secondary Sweep.

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Figura 5.5 Curva de caracterstica del transistor Figura 5.6 Circuito a analizar

EJEMPLO 5.5
.SENS V(4) Nos calculara y mostrar el anlisis de
sensibilidad para la corriente en el nudo 4 respecto a todos los
elementos del circuito

EJEMPLO 5.6 MODELIZADO DE FILTRO RC POR FUENTE DE


TENSIN CONTROLADA POR TRANSFORMADA DE LAPLACE

V1 1 0 AC .003
R1 1 0 10K
RL 10 0 100
E1 10 0 LAPLACE {V(1)}= {1/(1+.001*S)}
.TF V(10) V1

.PROBE
.END

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**** SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

V(10)/V1 = 1.000E+00

INPUT RESISTANCE AT V1 = 1.000E+04

OUTPUT RESISTANCE AT V(10) = 0.000E+00

En SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS vemos el anlisis de funcin de


transferencia
.

PROPUESTO 5.7 (RLC_AC.cir). Como ejemplo de anlisis de AC se


presenta un circuito serie RLC en el que se va a efectuar un barrido de
frecuencias para obtener la frecuencia de resonancia. Para ello
utilizaremos un marcador de tensin diferencial y de fase. Realizaremos un Anlisis
AC del tipo DEC, donde la frecuencia inicial es de 0.1Hz, la frecuencia final es de
100Khz y el anlisis calculara un total de 101 puntos entre estos dos valores.

Figura 5.7 Resultados del anlisis de AC

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Figura 5.8 Circuito serie RLC

PROPUESTO 5.8 RLC_FOUR.cir). Mediante este ejemplo visualizaremos


el listado de Fourier del fichero de salida para la tensin en la carga de un
rectificador de media onda con carga RL, as como su espectro de
frecuencias.

Figura 5.9 Resultados del anlisis de fourier Figura 5.10 Rectificador


media onda

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Figura 5.11 Espectro de frecuencias visualizable

PROPUESTO 5.9 (RLC_FOUR.cir). Realizacin de un anlisis espectral


de Fourier del circuito serie RLC para el valor de la intensidad que pasa por
R1 eligiendo la frecuencia del armnico fundamental de 150Hz. La
sentencia que debemos entender cmo funciona e introducir en el fichero
.CIR ser:

.tran 1.000n .05 0 125.000u ;

.four 150 I(R) ;

Ejemplo 5.10 (RLC_PARAM.cir). Mediante este ejemplo


visualizaremos el resultado temporal del circuito serie RLC de la figura
5.22 para distintos valores que pueda tomar la resistencia R1. Para esto
aadiremos un anlisis paramtrico al transitorio que ya tenamos
definido con anterioridad y lo definiremos para una lista de valores que tomar la
resistencia. En concreto vamos a estudiar la respuesta del circuito para los valores de
R1 de 0.5, 1, 5, y 10 ohmios.

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Figura 5.12 Resultados del anlisis paramtrico Figura 5.13 Circuito


diseado

Figura 5.14 Resultado y condiciones del Anlisis.

Como se observa en la figura 5.26 Hemos realizado un Anlisis Paramtrico,


donde hemos utilizado el parmetro global REVAL, el cual lo realizaremos variando
este parmetro desde los 0.5ohmios, hasta los 10 ohmios con un incremento de 0.5
ohmios.

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6. MODELOS

Ejemplo de aplicacin 6.1.- Abrir el editor de modelos y visualizar los


diferentes elementos de la librera LAB_VIR.lib. Observar cmo se define
cada uno de los distintos elementos que componen esta librera.

EJEMPLO 6.2:

Describir una resistencia llamada CARGA, colocada entre el nudo 5 y


masa, y con un valor de 12K:

RCARGA 5 0 12K

Describir la resistencia llamada con el nmero 6, colocada entre los nudos 2 y 3, con
un valor de 10K, con un coeficiente lineal de temperatura de 0.013 C-1 y con un
coeficiente cuadrtico de temperatura de 0.002 C-2:

R6 2 3 10E3 TC=.013,.002

Describir la resistencia llamada REALI, colocada entre los nudos 2 y 18, con un
valor de 100K y que tiene sus parmetros (coeficiente exponencial de temperatura
de 2.5) descritos en el modelo RMOD:

RREALI 2 18 RMOD 100Kohm

.MODEL RMOD RES(TCE=2.5)

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EJEMPLO 6.3:

Describir un condensador llamado FILTRO, colocado entre el nudo


5 y masa, de capacidad 3300 F:

CFILTRO 5 0 3300U

Describir un condensador llamado con el nmero 5, colocado entre los nudos 2 y 6,


con una capacidad de 4pF y con unas condiciones iniciales de 2.3V:

C5 2 6 4E-12 IC=2.3V

Describir un condensador llamador REALIM, colocado entre los nudos 2 y 24, con una
capacidad de 10pF, un coeficiente lineal de tensin de 0.01V-1 y un coeficiente lineal
de temperatura de 0.02 C-1:

CREALIM 2 24 CMOD 10pF

.MODEL COMD CAP(VC1=0.01 TC1=0.02)

EJEMPLO 6.4:

Describir una bobina llamada CARGA, colocada entre el nudo 15 y


masa, con un valor de 20mH:

LCARGA 15 0 20mH

Describir una bobina llamada con el nmero 3, colocada entre los nudos 5 y 6, con un
valor de 2H y unas condiciones iniciales de 2mA:

L3 5 6 2E-6 IC=2mA

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Describir una bobina llamada CHOQUE, colocada entre los nudos 2 y 33, con un valor
de 30mH, un coeficiente lineal de corriente de 0.01A-1 y un coeficiente lineal de
temperatura de 0.02 C-1:

LCHOQUE 2 33 LMOD .03

.MODEL LOMD IND(IL1=0.1 TC1=0.02)

EJEMPLO 6.5:

Definir el siguiente transformador:

Figura 6.1 Transformador mediante modelos

* DEVANADOS

L1 1 2 0.5M

L2 4 3 0.5M

* ACOPLAMIENTO MAGNTICO

KTRANS L1 L2 0.9999

Definir el siguiente transformador de primario con toma intermedia y dos secundarios:

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Figura 6.2 Otro transformador mediante modelos

* PRIMARIO

LP1 1 2 100UH

LP2 2 3 100UH

* SECUNDARIO

LS1 4 5 100UH

LS2 6 7 100UH

* ACOPLAMIENTO MAGNTICO

KMAG LP1 LP2 LS1 LS2 0.999

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8. ESTMULOS

EJEMPLO 8.1.-
Definir la fuente de
tensin colocada
entre el nudo 1 y
masa, que genera una forma de
onda sinusoidal

VSIN 1 0 SIN(2V 7V
50HZ 20MS 20 45)

Figura 8.1 Circuito a simular

EJEMPLO 8.2.- Definir la fuente de tensin, llamada PULSE, colocada


entre el nudo 1 y masa, que genera una seal pulsante como la
mostrada en la figura 8.1:

VPULSE 1 0 PULSE(1V 5V 1S .1S .4S .5S 2S)

EJEMPLO 8.3.- Describir la fuente de tensin llamada EXP, colocada


entre los nudos 2 y 0, que genere la forma de onda exponencial
mostrada en la figura anterior:

VEXP 2 0 EXP(1V 5V 1 .2 2 .5)

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EJEMPLO 8.4.- Describir la fuente de tensin, llamada PWL, colocada


entre el nudo 1 y masa, que genera una seal definida por tramos como
la mostrada en la figura anterior:
VPWL 1 0 PWL(0 0V 1 0V 1.2 5V 1.4 2V 2 4V 3 1V)

EJEMPLO 8.5.- Definir la fuente de tensin, llamada SFFM,


colocada entre los nudos 4 y 5, que genera una forma de onda
sinusoidal modulada en frecuencia con tensin de pico de 1V,
tensin de offset 2V, portadora de 8Hz, ndice de modulacin 4 y
frecuencia de modulacin 1Hz:

VSFFM 4 5 SFFM(2V 1V 8HZ 4 1HZ)

PROPUESTO 8.6.- Colocar en paralelo con una resistencia los diferentes


estmulos estudiados y visualizarlos mediante Probe.

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9. MODELADO DEL COMPORTAMIENTO


ANALGICO

Ejemplo 9.1. (EJEMPLO_ABM_LAPLACE.opj) - Modelado de una


funcin de transferencia.

Figura 9.1 Red RC


La funcin de transferencia del circuito en trminos de la transformada de Laplace
seria de la forma:

La expresin y su transformada quedaran de la forma

Donde el dato de entrada a la transformada es la tensin V1 y la salida es una tensin


aplicada a los nudos en los que est conectada la fuente.

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Ejemplo de aplicacin 9.2.- Modelado de una celular solar de Silicio


para obtencin de sus curvas caractersticas.

En el siguiente apartado se presenta un modelo para PSpice, basado


en los modelos matemticos de M. Green de una clula fotovoltaica de silicio. Este
modelo de clula en particular, se emplea para la fabricacin del mdulo I-106 de
Isofotn la cual utilizaremos a lo largo de todas las simulaciones. El modelo
matemtico es el siguiente:

(1)

El cual se obtiene de la ecuacin (1).

El dispositivo ha sido modelado mediante una red de resistencias y de generadores de


corriente dependientes, como ya veremos mas adelante.

Figura.9.4.- Smbolos del modelo Pspice utilizados para las simulaciones. a) Utilizado
para simulaciones con G y TA constantes. b) Utilizado para comportamiento real del
dispositivo. c) Subcircuito equivalente a una clula solar usado para la simulacin en
Pspice.

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A continuacin se exponen las ecuaciones utilizadas para la elaboracin del modelo


Pspice:

Ecuacin que modela la corriente fotogenerada IL :

(2)

Ecuacin introducida en el modelo Pspice para obtener la corriente de oscuridad I D:

(3)

Ambas ecuaciones determinan el comportamiento de la clula en cualquier condicin


de irradiancia y temperatura.

Las ecuaciones (2), (3) se han trasladado al lenguaje de programacin de Pspice


para obtener el modelo del subcircuito que simula el comportamiento de la clula solar:

Figura. 9.5.- Esquema equivalente al del Subcircuito programado para Pspice.

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Figura 9.6.- Modelo Pspice de una clula de silicio. Cdigo del Subcircuito de la
figura 9.5 Fragmento extrado de librera solar_parts.lib.

En el modelo presentado en la figura 9.6, vemos dos bloque importantes, AMBI1


(modela la ecuacin(2), a travs de Irradiancia incidente, y la ISC,STC), que nos
suministra la corriente fotogenerada y G1(modela la ecuacin (3)), que devuelve el
valor de la corriente de oscuridad.

Las Rs y Rp que vemos en el diagrama del modelo son las resistencias serie y
paralelo calculadas para el modelo utilizado en concreto.

Los resultados obtenidos del modelo a travs una simulacin son los siguientes:

Figura. 9.7: Simulacin de curva caracterstica y de potencia de la clula mediante


Pspice.

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Figura 9.8.- Simulacin de curva caracterstica variando los parmetros Ta, y G del
modelo de la clula.

Ejemplo de aplicacin 9.3.- Modelado de una celular solar de Silicio


para obtencin de sus curvas de funcionamiento en rgimen transitorio.

El modelo de la figura 9.4., solo nos permite realizar simulaciones con


una G y una TA constante, con lo que podemos obtener el comportamiento de la
clula para unas condiciones de irradiancia y temperatura dadas. Para ello se han
introducido pequeas variantes en el modelo anterior:

Figura 9.9.- Variante del Modelo Pspice de la figura 9.4. Fragmento extrado de
librera solar_parts.lib.

En el modelo de la figura. 9.9. Podemos apreciar que ambas fuentes dependientes


(AMBI1 y G1) ya no dependen de un parmetro, sino que lo son de fuentes de tensin.
Estas fuentes de tensin nos permitirn introducir en el modelo valores de irradiancia y
temperatura ambiente variables en una simulacin en modo transitorio, observando

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as, el comportamiento de la clula ante los cambios que puedan sufrir estos
parmetros a lo largo de la simulacin.

Veamos un ejemplo de simulacin utilizando este modelo de clula:

Figura. 9.10.- Esquema simulado en Pspice para obtener el valor de la tensin de


circuito abierto a lo largo de un da completo. En el se puede observar las curvas de
irradiancia y temperatura ambiente terica.

La figura 18 nos muestra la configuracin de la simulacin para graficar la tensin de


circuito abierto VOC que nos proporciona la clula solar durante un da completo.
Aplicndole los estmulos que se observan, la curva obtenida de la simulacin es la
siguiente:

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Figura. 9.10.- Resultado de la simulacin. Curva de la tensin de circuito abierto


graficada junto a temperatura y Irradiancia.

Figura. 9.20.- Esquema simulado en Pspice para obtener el valor de la corriente de


cortocircuito a lo largo de un da completo.

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Ahora veamos la grfica de corriente que nos da como resultado el circuito de la


figura 20:

Figura 9.21.- Resultado de la simulacin. Curva de la corriente de cortocircuito


graficada junto a temperatura y Irradiancia.

Propuesto 9.4.- (curvas_celula.opj). Realizar un barrido en continua de


la clula solar para la representacin de su curva corriente vs tensin
caracterstica y potencia vs. Tensin. Y mediante un anlisis paramtrico
ver como vara la caracterstica I vs. V de la clula con respecto a cualquier
parmetro global.
ISC,STC: 3.27A

PM,STC: 1.47W

VOC,STC: 0.6

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Figura 9.22.Resultado de la simulacin y condiciones de simulacin.

Figura 9.23.- Resultado de la simulacin y condiciones de simulacin.

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