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de Simulacin de circuitos
electrnicos de potencia con OrCAD
PSpice
1. OrCAD CAPTURE
____________________________________________________ 3
2. PSpice A/D
____________________________________________________ 11
3. MODELOS
____________________________________________________ 18
4. ESTIMULOS
____________________________________________________ 22
5. MODELADO DEL COMPORTAMIENTO ANALOGICO
____________________________________________________ 25
3.ORCAD CAPTURE
Pasos a realizar:
1. Colocar los
componentes que
faltan, indicando las
caractersticas de cada
uno.
2. Indicar el anlisis a
realizar ( AC, desde 1Hz hasta 100KHz, 101 puntos ).
3. Cambiar las opciones para el error de convergencia.
4. Colocar los marcadores de tensin diferencial y de fase (si no recordamos
consultar figura 3.8 en pag. 19).
5. Simular el circuito.
V2,T2 V3,T3
200V
TENSIN
V1,T1
0 1us TIEMPO 30ms t
5.PSPICE A/D
Figura 5.3 Curva de caracterstica del diodo zener Figura 5.4 Circuito a
analizar
Figura 5.5 Curva de caracterstica del transistor Figura 5.6 Circuito a analizar
EJEMPLO 5.5
.SENS V(4) Nos calculara y mostrar el anlisis de
sensibilidad para la corriente en el nudo 4 respecto a todos los
elementos del circuito
V1 1 0 AC .003
R1 1 0 10K
RL 10 0 100
E1 10 0 LAPLACE {V(1)}= {1/(1+.001*S)}
.TF V(10) V1
.PROBE
.END
V(10)/V1 = 1.000E+00
6. MODELOS
EJEMPLO 6.2:
RCARGA 5 0 12K
Describir la resistencia llamada con el nmero 6, colocada entre los nudos 2 y 3, con
un valor de 10K, con un coeficiente lineal de temperatura de 0.013 C-1 y con un
coeficiente cuadrtico de temperatura de 0.002 C-2:
R6 2 3 10E3 TC=.013,.002
Describir la resistencia llamada REALI, colocada entre los nudos 2 y 18, con un
valor de 100K y que tiene sus parmetros (coeficiente exponencial de temperatura
de 2.5) descritos en el modelo RMOD:
EJEMPLO 6.3:
CFILTRO 5 0 3300U
C5 2 6 4E-12 IC=2.3V
Describir un condensador llamador REALIM, colocado entre los nudos 2 y 24, con una
capacidad de 10pF, un coeficiente lineal de tensin de 0.01V-1 y un coeficiente lineal
de temperatura de 0.02 C-1:
EJEMPLO 6.4:
LCARGA 15 0 20mH
Describir una bobina llamada con el nmero 3, colocada entre los nudos 5 y 6, con un
valor de 2H y unas condiciones iniciales de 2mA:
L3 5 6 2E-6 IC=2mA
Describir una bobina llamada CHOQUE, colocada entre los nudos 2 y 33, con un valor
de 30mH, un coeficiente lineal de corriente de 0.01A-1 y un coeficiente lineal de
temperatura de 0.02 C-1:
EJEMPLO 6.5:
* DEVANADOS
L1 1 2 0.5M
L2 4 3 0.5M
* ACOPLAMIENTO MAGNTICO
KTRANS L1 L2 0.9999
* PRIMARIO
LP1 1 2 100UH
LP2 2 3 100UH
* SECUNDARIO
LS1 4 5 100UH
LS2 6 7 100UH
* ACOPLAMIENTO MAGNTICO
8. ESTMULOS
EJEMPLO 8.1.-
Definir la fuente de
tensin colocada
entre el nudo 1 y
masa, que genera una forma de
onda sinusoidal
VSIN 1 0 SIN(2V 7V
50HZ 20MS 20 45)
(1)
Figura.9.4.- Smbolos del modelo Pspice utilizados para las simulaciones. a) Utilizado
para simulaciones con G y TA constantes. b) Utilizado para comportamiento real del
dispositivo. c) Subcircuito equivalente a una clula solar usado para la simulacin en
Pspice.
(2)
(3)
Figura 9.6.- Modelo Pspice de una clula de silicio. Cdigo del Subcircuito de la
figura 9.5 Fragmento extrado de librera solar_parts.lib.
Las Rs y Rp que vemos en el diagrama del modelo son las resistencias serie y
paralelo calculadas para el modelo utilizado en concreto.
Los resultados obtenidos del modelo a travs una simulacin son los siguientes:
Figura 9.8.- Simulacin de curva caracterstica variando los parmetros Ta, y G del
modelo de la clula.
Figura 9.9.- Variante del Modelo Pspice de la figura 9.4. Fragmento extrado de
librera solar_parts.lib.
as, el comportamiento de la clula ante los cambios que puedan sufrir estos
parmetros a lo largo de la simulacin.
PM,STC: 1.47W
VOC,STC: 0.6