Universitatea "Politehnica" din Bucureti

Facultatea de Inginerie Mecanic i Mecatronic

Departamentul de Mecatronic i Mecanic de Precizie

Tendine actuale de dezvoltare a cercetrii i a

pieei n domeniul micro-nanotehnologiilor.
Estimri de viitor

Prof. Dr. Ing. Georgeta Ionacu

Curs MNT
 Introducere

Microtehnologia si extensia ei, nanotehnologia, au

la baza miniaturizarea sistemelor (dispozitivelor)
electronice si cresterea densitatii de informatie
inmagazinata. Tranzistorul MOS (Metal Oxid
Semiconductor) si circuitul integrat au aparut aproape
concomitent la sfarsitul anilor 1950. Tranzistorii au evoluat
de la dimensiuni macroscopice (lungimi de poarta de ~ 1
mm) la dimensiuni microscopice (porti de ~ 90 nm pentru
cip-urile comerciale si de ~ 10 nm pentru cele de
laborator). Distanta atomilor in retea este de ~ 0.3 nm.
Alte avantaje: loturi mari de fabricatie la preturi relativ
scazute.
Curs MNT
 Introducere
Precizia de Tehnologii de Instrumente de
prelucrare prelucrare control
obinut
Strunguri,
a. maini de
frezat
Instrumente
mecanice
Dezvoltri n
0,1 mm
b. Maini unelte de
domeniul preciziilor
c.
precizie
de prelucrare
0,01mm
5 m
Maini de gurit n
coordonate Instrumente obinute:
optice i
1 m
1 m
electronice a - prelucrri
Maini de rectificat de pre- (fr
cizie; strunguri de precizie cu contact) normale;
cuit monogranul de diamant
0,1 m 0,05 m b - prelucrri
Maini de precizie pentru
lefuire/rectificare cu scule
diamantate
Instrumente precise;
0,01 m 0,01 m cu laser
(Litografie cu fascicul de
electroni). Superfinisare prin
c - prelucrri de
0,005 m
0,001m
lefuire de nalt precizie precizie extrem
0,001 m Prelucr. cu fascicule de ioni, SEM, STM,
0,3 nm depun. de molec. sau atomi AFM

1900 1920 1940 1960 1980 2000 Anul

(Distana atomi-
lor n reea)

Curs MNT
Introducere PREFIX SIMBOL FACTOR

Yotta Y 1024
Zeta Z 1021
Exa E 1018
Peta P 1015
Tera T 1012
Giga G 109
Mega M 106
Kilo k 103
Hector h 102
Deka da 101
Deci d 10-1
Centi c 10-2
Milli m 10-3
Micro 10-6
Nano n 10-9
Pico p 10-12
Femto f 10-15
Atto a 10-18
Zepto z 10-21

Curs MNT Yocto y 10-24

 Introducere

7
1 3
2 4
Primele nanocipuri: tranzistorul cu
efect de camp produs de Intel
5

1 sursa, 2 substrat de siliciu (placheta de siliciu), 3 canal, 4 oxid de poarta, 5

drena/ colector, 6 electrod de poarta, 7 - perete izolator

Dispozitivul principal al unui microprocesor este tranzistorul cu efect

de camp, care actioneaza ca un comutator. Tensiunea aplicata pe
electrodul de poarta induce sarcini de-a lungul canalului, care apoi
transporta curentul intre sursa si colector/drena, schimband
conectarea. Cu porti suficient de mici, aceste tranzistoare pot
comuta de miliarde de ori/ secunda.
Curs MNT
 Introducere

Cipuri cu lungimi de poarta < 50 nm pot fi produse utilizand

litografia in ultraviolet indepartat, care sa asigure lungimi de unda
mai mici decat dimensiunea caracteristica a dispozitivului. Lungimea
de unda a radiatiei este de 13 nm. Dupa expunere la radiatie,
revelarea ariilor (zonelor) expuse ale plachetei in raport cu cele
neexpuse se face chimic, printr-o operatie de developare.
Curs MNT
 Microtehnologia

Microtehnologia tehnologia starii solide / procesarea

materialelor semiconductoare.
Are ca material de plecare placheta de siliciu (= substrat) si
presupune alternarea mai multor procese pentru realizarea pe
substrat a unor structuri (componente) cu proprietati controlate:
procese aditive (depunere de straturi subtiri, dopare / impurificare
selectiva), procese substractive (corodare / gravare), procese de
modelare - configurare (litografie).
Microtehnologia tehnici top down.
MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems): integreaza
senzori, actuatori si componente electronice (unitati de procesare) pe
un substrat comun, colecteaza si interpreteaza datele, iau decizii si
executa actiuni in mediul inconjurator.
MEMS dispozitive micromecatronice

Curs MNT
Microtehnologia

Aplicatii MEMS

Microrobot pasitor, de marimea unei insecte

Curs MNT
 Microtehnologia

Exemple MEMS, realizate din siliciu (imagini SEM)

Curs MNT
 Microtehnologia

Structura unui microsistem

Cip din siliciu microprelucrat, senzor de siliciu,

senzor integrat de siliciu i senzor inteligent de siliciu

Curs MNT
 Microtehnologia

In cazul senzorilor bazati pe siliciu, un element sensibil din siliciu (de

exemplu, o micromembrana sau o microgrinda) este denumit sensor
die si se refera la un cip din siliciu microprelucrat.

Notiunea de senzor din siliciu se refera la un prim nivel de
complexitate, respectiv la un cip de siliciu incapsulat, reprezentand un
element sensibil cu sau fara schema electronica de baza.

Urmatorul nivel defineste senzorul integrat de siliciu, in care o
componenta monolitica de siliciu contine atat senzorul, cat si una sau
mai multe componente electronice pentru amplificarea si conditionarea
(prelucrarea) semnalului de iesire al senzorului.

Cel mai inalt nivel de complexitate il reprezinta senzorul inteligent de
siliciu, conceput ca un sistem care contine un senzor integrat incapsulat
prevazut cu o unitate de procesare a semnalelor, pentru a oferi
performante sporite utilizatorului. Procesarea semnalelor poate include
autocalibrarea, reducerea interferentei, compensarea efectelor parazite,
corectie offset (a deviatiei remanente de la valoarea prescrisa a marimii
masurabile) si autotestare.

Curs MNT