Bazele Electronicii Analogice Si Digitale

5
CUPRINS
PREFA 9
1 CIRCUITUL ELECTRONIC 11
1.1 Elemente de circuit. Reea electric 11
1.2 Teoremele reelelor electrice 14
1.2.2 Teorema lui Millman 14
1.2.2 Teorema superpoziiei 15
1.2.3 Teorema substituiei 16
1.2.4 Teorema lui Thvenin 18
1.2.5 Teorema lui Norton 19
1.2.6 Transfigurarea dipolului 20
1.2.7 Transferul maxim de putere 22
1.3 Cuadrupoli liniari 24
1.3.1 Regimuri de funcionare i parametri 24
1.3.2 Parametrii hibrizi 26
2 DIODA SEMICONDUCTOARE 29
2.1 Jonciunea semiconductoare. Dioda 30
2.2 Modelul de semnal mic 35
2.3 Redresarea curentului alternativ 36
2.4 Alte tipuri de diode 39
2.4.1 Dioda stabilizatoare 39
2.4.2 Dioda varicap 41
2.4.3 Dioda tunel 42
2.4.4 Dioda Schottky 43
2.4.5 Dioda electroluminiscent 44
3 TRANZISTORUL BIPOLAR 45
3.1 Structura i caracteristicile statice 45
3.2 Polarizarea tranzistorului bipolar 51
3.2.1 Polarizarea cu divizor de tensiune n baz 51
3.2.2 Stabilizarea termic a punctului static
de funcionare 55
3.2.3 Polarizarea prin curentul de baz 56
3.2.4 Importana curentului de baz 57
3.3 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar 58
3.4 Alte tipuri de tranzistori bipolari 60
3.4.1 Tiristorul 60
6 Cuprins
3.4.2 Triacul 63
3.4.3 Tranzistorul Schottky 64
3.4.4 Fototranzistorul 65
4 AMPLIFICAREA 67
4.1 Amplificarea curentului continuu 67
4.2 Amplificarea semnalelor variabile 69
4.2.1 Clasa de funcionare 69
4.2.2 Parametrii amplificatoarelor 72
4.2.3 Amplificatorul conexiune emitor comun 74
4.2.4 Amplificatorul repetor pe emitor 82
4.2.5 Amplificatoare de putere 84
5 TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP 87
5.1 Clasificare 87
5.2 Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune 87
5.2.1 Structur, funcionare, caracteristici statice 87
5.2.2 Polarizarea n curent continuu 92
5.3 TECMOS cu canal iniial 94
5.4 TECMOS cu canal indus 95
5.5 Regimul dinamic al tranzistorului
cu efect de cmp 97
6 AMPLIFICAREA I FRECVENA 100
6.1 Comportarea unui amplificator
la mijlocul benzii de frecvene 100
6.2 Comportarea la frecvene joase 103
6.3 Comportarea la frecvene nalte 105
6.4 Diagrame Bode 106
7 AMPLIFICATORUL OPERAIONAL 108
7.1 Electronica amplificatorului operaional 108
7.1.1 Amplificatorul diferenial 108
7.1.2 Sursa de curent constant 112
7.2 Amplificatorul operaional 114
7.2.1 Caracteristici generale 114
7.2.2 Circuite de baz cu amplificatoare
operaionale 119
7.2.3 Alte conexiuni ale amplificatorului operaional 126
8 AMPLIFICAREA I REACIA 129
8.1 Reacia la amplificatoare 129
8.2 Influena reaciei negative asupra parametrilor
amplificatorului 131
8.2.1 Influena asupra mrimii
factorului de amplificare 131
8.2.2 Influena asupra stabilitii factorului
de amplificare 131
8.2.3 Influena asupra benzii de frecvene 131
S.D. Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale 7
8.2.4 Influena reacie negative de tensiune asupra

impedanelor de intrare i ieire 133
8.2.5 Influena reacie negative de curent asupra
impedanelor de intrare i ieire 135
9 AMPLIFICAREA, REACIA
I GENERAREA SEMNALELOR ARMONICE 137
9.1 Condiia de autooscilaie 137
9.2 Reele de reacie 139
9.2.1 Reeaua RC 139
9.2.2 Reeaua Wien 141
9.2.3 Reeaua dubluT 143
9.2.4 Circuitul rezonant 144
9.3 Oscilator RC cu tranzistor bipolar 145
9.4 Oscilator Wien cu amplificator operaional 146
9.5 Oscilator de radiofrecven cu tranzistor bipolar 147
9.6 Oscilator de radiofrecven cu cristal de cuar 152
10 REPREZENTAREA DIGITAL 155
10.1 Niveluri logice 155
10.2 Ce este un semnal digital ? 156
10.3 Sisteme de numeraie 158
10.3.1 Sistemul binar 158
10.3.2 Sistemul octal 161
10.3.3 Sistemul hexazecimal 163
11 PORI LOGICE 166
11.1 Operaii i pori logice 166
11.1.1 Operaia SAU 166
11.1.2 Operaia I 168
11.1.3 Operaia NU 170
11.1.4 Porile SAU-NU i I-NU 171
11.2 Electronica porilor logice 172
11.2.1 Tranzistorul MOS ca element al
porilor logice 172
11.2.2 Inversorul CMOS 173
11.2.3 Poarta CMOS SAU-NU 174
11.2.4 Poarta CMOS I-NU 176
12 PORILE LOGICE I ALGEBRA BOOLEAN 177
12.1 Variabilele Booleene i tabelul de adevr 177
12.2 Descrierea algebric a circuitelor logice 178
12.2.1 Analiza unui circuit logic 178
12.2.2 Sinteza unui circuit pe baza expresiei
Booleene 179
12.3 Teoremele algebrei Booleene 180
12.3.1 Teoreme pentru porile
cu o variabil de intrare 180
8 Cuprins
12.3.2 Teoreme pentru porile cu mai multe variabile

de intrare 181
12.3.3 Teoremele lui DeMorgan 182
12.3.4 Implicaii ale teoremelor lui DeMorgan 182
12.4 Universalitatea porilor I-NU i SAU-NU 183
12.5 Reprezentri alternative ale porilor logice 186
13 CIRCUITE LOGICE COMBINAIONALE 190
13.1 Minimizarea funciilor logice 190
13.1.1 Minimizarea algebric 190
13.1.2 Minimizarea cu diagrame Karnaugh 193
13.2 Porile SAU EXCLUSIV i SAU-EXCLUSIV-NU 197
13.3 Circuite pentru prelucrarea informaiilor digitale 199
13.3.1 Circuite de codare a informaiei 199
13.3.2 Circuite de decodare a informaiei 201
13.3.3 Multiplexoare 202
13.3.4 Demultiplexoare 204
14 CIRCUITE LOGICE SECVENIALE 206
14.1 Circuite basculante bistabile 206
14.1.1 Ce sunt strile stabile? 206
14.1.2 Circuit basculant bistabil SR de baz 207
14.1.3 Circuit basculant bistabil SR sincronizat 209
14.1.4 Circuitul basculant bistabil JK sincronizat 211
14.1.5 Circuitul basculant bistabil D 213
14.1.6 CBB "trigger" 214
14.1.7 Intrri asincrone 215
14.2 Registrul de deplasare 215
14.3 Numrtoare 217
14.3.1 Numrtorul asincron 217
14.3.2 Numrtorul sincron 219
BIBLIOGRAFIE 220
9
PREFA
Analogic sau digital
n tiin, tehnologie, afaceri i, prin extensie, n foarte multe alte
domenii de activitate, ne ocupm n permanen de cantiti. Ele sunt
msurate, monitorizate, nregistrate sau manipulate aritmetic, iar n multe
cazuri sunt utilizate n sistemele fizice. Este important ca aceste cantiti s
fie reprezentate ct mai fidel cu putin. Exist dou moduri de reprezentare
numeric a valorilor cantitative: analogic i digital.
n reprezentarea analogic o cantitate este reprezentat prin
intermediul altei cantiti care este direct proporional cu prima. De
exemplu, n cazul vitezometrului unui automobil unghiul de deviaie a
acului indicator este direct proporional cu viteza automobilului. Un alt
exemplu este microfonul audio. Tensiunea de la ieirea lui este
proporional cu amplitudinea undelor sonore care stimuleaz
microfonul. Reprezentarea analogic a cantitilor are o caracteristic
important: valorile de reprezentare pot varia n mod continuu n
interiorul unui anumit domeniu.
n reprezentarea digital cantitile nu sunt reprezentate prin alte
cantiti proporionale cu ele, ci prin intermediul unor simboluri numite
digii. Un exemplu foarte comun este ceasul digital care indic timpul
sub forma unor digii zecimali. Dac avem de exemplu un ceas digital
care indic ora i minutul, dei timpul se scurge continuu, indicaia sa se
schimb cel mai des odat pe minut (de regul dup trecerea sa). Astfel,
la ora 13h:21:58, ceasul ne va arta doar ora 13h:21. Altfel spus, n
reprezentarea digital ora local ne este indicat cu pai discrei. n
cazul unui ceas mecanic, cele dou indicatoare se rotesc n mod continuu
i reprezentarea este una analogic. Este de prevzut c la acest
raionament putei obiecta spunnd c putem sa ne lum un ceas digital
care indic i secundele. De acord, ns n acest caz raionamentul se
poate extinde asupra zecimilor de secund, sutimilor etc. Reprezentarea
rmne tot digital, se mbuntete doar precizia de citire a timpului
(ea depinde de rezoluia aparatului indicator).
Diferena major dintre cele dou reprezentri ale cantitilor poate
fi sintetizat n urmtoarele asocieri de noiuni:
analogic continuu digital discret
De multe ori, cantitile de care pomeneam anterior ne dau
informaii despre mrimi asociate unor fenomene fizice. Forma sub care o
10 Prefa
astfel de informaie ajunge la receptor (aparat sau om) este semnalul

(mecanic, optic, electric, etc.). Deoarece una dintre cele mai sigure i precise
metode de msurare a semnalelor este de natur electric, semnalele
neelectrice sunt convertite n semnale electrice de ctre nite dispozitive
numite traductori.
Una dintre cele mai uzuale forme de reprezentare grafic a semnalelor
este dependena lor de timp, f(t). n reprezentarea analogic funcia f(t)
este continu iar n reprezentarea digital ea este discret.
Pasiv sau activ
Circuitul (electric sau electronic) este un ansamblu de elemente
(componente), conectate ohmic ntre ele, prin care are loc curgerea
sarcinilor electrice.
Un element de circuit este numit activ dac are capacitatea de a
controla electric curgerea prin el a purttorilor de sarcin (electricitatea
controleaz electricitatea). Aceste elemente de circuit au un terminal de
control. Potenialul su, sau intensitatea curentului injectat n el, controleaz
intensitatea curentului care intr sau iese prin celelalte terminale.
Precizare: pentru simplitatea exprimrii, n multe lucrri n loc de
intensitatea curentului se folosete simplu noiunea de curent. Aceast
simplificare o vom folosi i n lucrarea de fa.
Elementele de circuit incapabile s controleze curgerea
purttorilor de sarcin prin intermediul unui semnal electric se numesc
pasive (rezistena, bobina, condensatorul muli autori consider c i
dioda este un element pasiv de circuit).
Electric sau electronic
Circuitul electric este alctuit numai din elemente de circuit pasive
ntr-un circuit electric curgerea purttorilor de sarcin poate fi controlat
prin intermediul unui reostat sau poteniometru i poate fi ntrerupt cu un
ntreruptor. Comanda acestor dispozitive de reglaj este mecanic.
Circuitul electronic reprezint o nou dimensiune a circuitului
electric, dimensiune care implic controlul asupra curgerii purttorilor de
sarcin prin intermediul unui semnal electric, fie o tensiune, fie un curent. n
circuitele electronice, un flux de purttori de sarcin poate fi controlat cu
ajutorul unui alt flux de purttori de sarcin. Circuitul electronic implic
existena cel puin a unui element activ de circuit.
Din punct de vedere istoric, era electronicii a aprut odat cu
construirea primului tub electronic cu vid. Anul 1948 a constituit ns
nceputul revoluiei decisiv electronicii: a fost inventat tranzistorul i odat
cu el a nceput dezvoltarea tehnologiei dispozitivelor semiconductoare.
11
1 CIRCUITUL ELECTRONIC
1.1 Elemente de circuit. Reea electric

Un circuit electronic este un ansamblu de componente electronice
conectate ntre ele pentru generarea unor semnale electrice (constante sau
variabile n timp), precum i pentru prelucrarea semnalelor cu scopul
obinerii unor informaii. O component electronic are cel puin dou
terminale prin intermediul crora se conecteaz n circuit. Spre
exemplificare amintim:
rezistorul, condensatorul, bobina, dioda 2 terminate
tranzistorul 3 terminale
circuitele integrate analogice sau digitale mai multe
terminale, n funcie de complexitatea lor
Vom denumi elemente de circuit acele componente care au cel mult
patru terminale de conexiune. Circuitele integrate conin foarte multe
elemente de circuit realizate pe o singur pastil de material semiconductor.
Deoarece elementele de circuit cu trei terminale pot fi considerate
ca avnd patru terminale, dintre care dou ndeplinesc aceeai funcie
(avnd acelai potenial electric), vom vorbi n continuare despre:
dipoli elemente de circuit cu dou terminale de conexiune,
i
cuadrupoli elemente de circuit cu patru terminale de
conexiune.
n funcie de forma caracteristicii volt-amperice elementele de circuit
pot fi:
liniare (fig.1.1a), sau
neliniare (fig.1.1b).
Fig.1.1
12 Circuitul electronic
O reea electric (electronic) este alctuit din mai multe elemente

de circuit conectate ohmic ntre ele. n funcie influena pe care o au asupra
semnalelor electrice, reelele pot fi:
pasive cele care nu genereaz energie electric sau nu
modific aspectul temporal al semnalului (curent sau
tensiune), de exemplu cele alctuite numai din rezistori,
condensatori i bobine, i
active cele care pot genera energie electric sau care pot
modifica aspectul temporal al semnalului electric, de
exemplu sursa de tensiune, sursa de curent, reele care conin
cel puin un tranzistor (tranzistorul la rndul su poate fi
considerat un element activ de circuit).
Pentru a avea un semnal electric, n orice circuit trebuie s existe cel
puin o surs de energie. n funcie de comportamentul ei fa de circuitul
exterior, sursa de energie poate fi tratat i reprezentat n schema electric
echivalent ca o surs de tensiune sau ca o surs de curent. O surs de
tensiune este o reea activ sau un circuit electronic activ care genereaz la
bornele de ieire un semnal electric sub forma unei tensiuni controlabile.
Dac mrimea tensiunii la bornele de ieire ale sursei nu depinde de
impedana sarcinii pe care debiteaz energie electric, se spune despre ea c
este o surs ideal de tensiune. Simbolul ei este prezentat n fig.1.2a. Dac
tensiunea la bornele de ieire ale sursei scade odat cu micorarea
impedanei sarcinii, se spune despre ea c este o surs real de tensiune.
Simbolic (fig.1.2.b), ea este reprezentat ca o surs ideal de tensiune
conectat n serie cu o impedan echivalent, care este denumit
impedana de ieire a sursei.
Fig.1.2
O surs de curent este o reea activ sau un circuit electronic activ
care genereaz la bornele de ieire un semnal electric sub forma unui curent
controlabil. Dac intensitatea curentului debitat n circuitul conectat la

ieirea sursei nu depinde de impedana acestuia, se spune despre ea c este o
surs ideal de curent. Simbolul ei este prezentat n fig.1.3a. Dac
intensitatea curentului debitat n circuitul exterior scade odat cu creterea
impedanei lui, se spune despre ea c este o surs real de curent. Simbolic
(fig.1.3.b), ea este reprezentat ca o surs ideal de curent conectat n
paralel cu o impedan echivalent, care este denumit impedana de ieire
a sursei.
Fig.1.3
n rezolvarea schemelor reprezentnd circuite reale se folosesc de
foarte multe ori reprezentri sau scheme echivalente. Termenul de
reprezentare echivalent a unei poriuni de circuit se refer la faptul c,
trecnd la reprezentarea echivalent, comportamentul restului circuitului nu
se modific, tensiunile pe elementele de circuit i intensitile curenilor prin
ramurile de reea rmnnd nemodificate. n funcie de necesitile impuse
de rezolvarea circuitului, sursa de tensiune poate fi reprezentat ca o surs
de curent iar sursa de curent poate fi reprezentat ca o surs de tensiune,
cele dou reprezentri fiind echivalente (fig.1.4).
A A
B B
Fig.1.4
Din punctul de vedere al intensitii curentului prin rezistena de

sarcin i al tensiunii la bornele ei, cele dou surse de energie au acelai
efect, cu condiia respectrii relaiilor dintre valorile elementelor care le
caracterizeaz. Aceste relaii devin evidente n urma aplicrii teoremelor lui
Kirchhoff pe cele dou circuite i impunerii condiiei de echivalen.
Rezult urmtoarele reguli de trecere de la o surs la alta:
sursa de tensiune poate fi nlocuit cu o surs echivalent de
ug
curent cu valoarea i g = , conectat n paralel cu rezistena Rg
Rg
sursa de curent poate fi nlocuit cu o surs echivalent tensiune
de cu valoarea ug = igRg, conectat n serie cu rezistena Rg
Se poate observa ca valoarea rezistenei interne a sursei de energie se
conserv indiferent de reprezentare.
n general, comportarea unui circuit electronic complex, poate fi
analizat dac el este reprezentat sub forma unei scheme echivalente, care
conine cele mai simple elemente de circuit (rezistori, condensatori, bobine,
surse de tensiune i surse de curent), despre care tim ce efect au asupra
unui semnal electric sau ce funcie realizeaz fiecare. Fa de sarcina
conectat la ieirea sa, circuitul se comport ca o reea activ care i
furnizeaz acesteia energie sub forma unui semnal electric. Dac n schema
reelei anulm efectele surselor de energie (tensiune, curent), atunci vorbim
despre o reea pasivizat. Anularea efectului unei surse de tensiune se face
prin nlocuirea ei cu un scurtcircuit, iar anularea efectului unei surse de
curent se face prin nlocuirea ei cu o ntrerupere (fig.1.5).
A B A B
scurtcircuit, ug=0
pasivizare
intrerupere, ig=0
A B A B
Fig.1.5
1.2 Teoremele reelelor electrice

1.2.2Teorema lui Millman
Fie o reea alctuit din n ramuri conectate n paralel, n fiecare
ramur putndu-se afla impedane i surse de tensiune (fig.1.6).
Fiecare ramur poate fi simbolizat printr-o surs de tensiune
echivalent, conectat n serie cu impedana echivalent a ramurii

(n ea sunt incluse i impedanele surselor de tensiune).
Tensiunea u la bornele reelei este dat de relaia:
n
uk
Z k =1
u= n
k
(1.1)
1

k =1 Z k
Fig.1.6
Demonstraie:
Aplicnd teoremele lui Kirchhoff ntr-un nod al reelei, respectiv pe
ochiul virtual de reea format dintr-o ramur oarecare k i cderea de
tensiune u, se obin relaiile:
n
i
k =1
k =0 (1.2)
u k = ik Z k + u (1.3)
Exprimnd ik din relaia (1.3) i nlocuindu-l n relaia (1.2), se
obine relaia (1.1).
1.2.2 Teorema superpoziiei

Intensitatea curentului electric printr-o ramur a unei reele active
este suma algebric a intensitilor curenilor determinai prin
ramura respectiv de fiecare surs n parte, n absena celorlalte
surse de energie.
Demonstraie:
Vom considera cazul particular al unei reele simple (fig.1.7a), n
care curentul prin impedana Z este determinat de efectul cumulat al surselor
u1 i u2. Aplicnd teorema lui Millman, mrimea acestuia va fi:
Fig.1.7
u1 u 2
+
1 Z1 Z 2
i= (1.4)
Z 1 1 1
+ +
Z1 Z 2 Z
Pasivizm pe rnd ramurile 2 i 1 (fig.1.7b i c) pentru a putea
calcula intensitile i i i determinate de sursele i1, respectiv i2 prin sarcina
Z:
u1
1 Z1
i' = (1.5)
Z 1 1 1
+ +
Z1 Z 2 Z
u2
1 Z2
i" = (1.6)
Z 1 1 1
+ +
Z1 Z 2 Z
Cumulnd acum efectele celor dou surse independente (i+i)vom
constata c obinem relaia (1.4). Demonstraia se poate generaliza cu
uurin pentru o reea orict de complex.
1.2.3 Teorema substituiei (compensaiei)

Fie o reea alctuit din elemente de circuit pasive i active, liniare i
neliniare. Se presupune c reeaua a fost rezolvat i se cunosc intensitile
ik ale curenilor prin fiecare ramur i tensiunile uk la bornele fiecrei
ramuri (k=1,2,...,n, n fiind numrul de ramuri).
Dac se nlocuiesc elementele unei ramuri k, fie cu o surs de

tensiune cu valoarea uk, fie cu o surs de curent cu valoarea ik,
atunci valorile intensitilor curenilor i a tensiunilor prin toate
celelalte ramuri rmn neschimbate (fig.1.8).
Fig.1.8
Demonstraie:
Considerm reeaua din fig.1.9a. Curentul prin ramura 3 este i3 iar
tensiunea la bornele sale este u.
, , ,,
Fig.1.9
nlocuind elementele ramurii 3 cu o surs de tensiune cu valoarea u
se obine reeaua din fig.1.9b. Sursa de tensiune asigur tensiunea u la
bornele reelei. Elementele ramurilor 1 i 2 rmnnd aceleai ca n fig.1.9a,
valorile curenilor i1 i i2 nu se vor modifica. Aceasta nsemn c i3' = i3 .
Deci toi curenii i toate tensiunile rmn neschimbate.
Dac elementele ramurii 3 se nlocuiesc cu o surs de curent
constant cu valoarea i3 se obine reeaua din fig.1.9c. Elementele ramurilor 1
i 2 rmnnd aceleai ca n fig.1.9a, valorile curenilor i1 i i2 nu se vor
modifica (i3 = i1+i2), deci i u ' = u .
1.2.4 Teorema lui Thvenin

Fie o reea activ la bornele A i B ale creia este conectat un dipol activ sau
pasiv, care reprezint sarcina pentru reea.
Din punctul de vedere al dipolului, reeaua activ este echivalent
cu o surs de tensiune cu valoarea uABgol (tensiunea ntre bornele A
i B n absena sarcinii), conectat n serie cu impedana reelei
pasivizate, ZAB .
Demonstraie:
Fie mai nti situaia n care dipolul conectat la ieirea reelei este
unul pasiv (fig1.10). n ramura conectat la bornele reelei active conectm
formal dou surse de tensiune identice, cu valoarea aleas arbitrar, astfel
nct ele s-i anuleze reciproc efectul asupra tensiunii i curentului prin
ramur (fig.1.11a). Practic, n circuit nu am schimbat nimic. Descompunem
apoi reeaua n dou reele, aa cum este artat n fig.1.11b, astfel nct,
aplicnd teorema superpoziiei, isarc = i1 + i2.
Fig.1.10
a b
Fig.1.11
Alegem acum pentru tensiunea o astfel de valoare nct i1 = 0.

Dac i1 = 0 se poate decupla sarcina astfel nct s realizm condiiile de
mers n gol, tensiunea la bornele libere fiind nul. Acest lucru se poate
realiza numai dac se alege = uABgol. n aceste condiii:
u ABgol
i2 = = = i sarc (1.7)
Z AB + Z sarc Z AB + Z sarc
relaie care corespunde schemei echivalente din fig.1.10.
S considerm acum situaia n care la bornele reelei este conectat
un dipol activ (fig.1.12a). Aplicnd teorema superpoziiei, schema poate fi
descompus n dou scheme mai simple (fig.1.12b).
a b
Fig.1.12
tiind cum se comport o reea activ fa de un dipol pasiv, cele
dou scheme se pot transforma ca n fig.1.13a. Aplicnd din nou teorema
superpoziiei dar n sens invers, obinem schema echivalent din fig.1.13b
care corespunde enunului teoremei.
isarc = i1 - i2
a b
Fig.1.13
1.2.5 Teorema lui Norton

Considerm reeaua activ la bornele creia este conectat un dipol activ.
Din punctul de vedere al dipolului, reeaua activ este echivalent

cu o surs de curent cu valoarea iABsc, conectat n paralel cu
impedana reelei pasivizate, ZAB (fig.1.14).
Fig.1.14
Demonstraie:
Aplicnd teorema lui Thvenin (demonstrat anterior) i echivalena
generator de tensiune generator de curent, schema poate fi transformat
succesiv ca n fig.1.15 cu meniunea c raportul uABgol / ZAB reprezint
curentul de scurcircuit, isc, al reelei active.
Fig.1.15
1.2.6 Transfigurarea dipolului

n rezolvarea multor scheme mai complicate simim de multe ori nevoia de a
trece de la conexiunea serie a unei impedane complexe de forma Zs = Rs +
jXs la o conexiune paralel (Rp, Xp) care s fie echivalent cu prima
(fig.5.16).
Se pune problema relaiilor existente ntre elementele celor dou
circuite astfel nct reprezentrile s fie echivalente. Reamintim aici c
echivalena implic identitatea impedanelor conectate ntre punctele A i B.
Sau, altfel spus, dou reprezentri sunt echivalente dac, nlocuindu-se una
pe alta ntr-un circuit, tensiunile pe elementele restului circuitului i curenii
prin ramurile sale rmn aceleai.
Fig.1.16
Expresia impedanei echivalente a circuitului paralel poate fi adus
la forma expresiei impedanei unui circuit serie:
R p X p2 R p2 X p
Zp = + j = Rech + jX ech (1.8)
R p2 + X p2 R p2 + X p2
Din condiia de echivalen a celor dou impedane (Rs = Rech i Xs =

Xech), rezult relaiile de trecere de la configuraia paralel la configuraia
serie:
R p X p2
Rs = (1.9)
R p2 + X p2
R p2 X p
Xs = (1.10)
R p2 + X p2
Este foarte util exprimarea acestor relaii de transformare n funcie

de factorul de calitate al circuitului. Reamintim aici c noiunea de calitate
a unui circuit care conine componente disipative (rezistori) i reactive
(bobine, condensatori) se refer la raportul dintre energia acumulat n
elementele inductive i capacitive (energie care poate fi recuperat) i cea
disipat (practic pierdut) n elementele rezistive. Un circuit va fi cu att
mai bun cu ct factorul su de calitate va fi mai mare.
Astfel, factorul de calitate, Qp, al circuitului paralel va fi dat de
expresia:
X ech Rp
Qp = = (1.11)
Rech Xp
Xs
Pe de alt parte, factorul de calitate al circuitului serie este Qs =
Rs
i, innd seama de relaiile (1.9) i (1.10), va rezulta egalitatea celor doi
factori de calitate:
Qs = Q p = Q (1.12)
Acest rezultat era previzibil din momentul n care am impus condiia

de echivalen a celor dou circuite.
Acum relaiile (1.9) i (1.10) pot fi exprimate n funcie de factorul
de calitate comun al celor dou circuite:
Rp
Rs = (1.13)
1+ Q2
Xp
Xs = (1.14)
1
1+ 2
Q
Din expresiile precedente pot fi deduse cu uurin relaiile de
trecere de la reprezentarea serie la reprezentarea paralel:
R p = Rs (1 + Q 2 ) (1.15)
1
X p = X s (1 + ) (1.16)
Q2
n cazul unor circuite de bun calitate (Q > 10) relaiile de
transformare se simplific semnificativ:
R p Q 2 Rs (1.17)
X p Xs (1.18)
Se poate observa c n aceast situaie componenta reactiv a

dipolului se conserv iar cea rezistiv se modific semnificativ.
1.2.7 Transferul maxim de putere

Se pune urmtoarea problem: n ce condiii transferul de putere de la o
reea activ, care poate fi reprezentat ca o surs de tensiune cu valoarea ug
n serie cu impedana Zg = Rg + jXg, ctre impedana de sarcin Zsarc = Rsarc
+jXsarc, conectat la bornele ei (fig.1.17) este maxim?
Fig.1.17
Puterea consumat de sarcin de la reeaua activ este puterea
disipat pe rezistena de sarcin: pR = i2Rsarc. Ea poate fi exprimat sub
forma:
u g2
pR = Rsarc (1.19)
( R g + Rsarc ) 2 + ( X g + X sarc ) 2
Vom conveni c o reactan, X, este pozitiv n cazul n care ea are

un comportament inductiv i negativ n cazul n care are un comportament
capacitiv. Analiznd relaia (1.19), observm imediat c puterea transmis
sarcinii poate fi maximizat dac Xsarc = - Xg, astfel nct ntregul circuit s
aib un comportament pur rezistiv (Xg + Xsarc = 0). Presupunnd c aceast
condiie este ndeplinit, vom observa c puterea transmis ctre sarcin va
depinde doar de relaia dintre rezistena sursei i rezistena sarcinii:
u g2
p R' = Rsarc (1.20)
( R g + Rsarc ) 2
Derivnd aceast funcie n raport cu Rsarc i punnd condiia de
maxim:
dp R' R g Rsarc
= u g2 =0 (1.21)
dRsarc ( R g + Rsarc ) 3
vom obine: Rsarc = Rg

Putem concluziona c puterea transmis de la reeaua activ ctre
sarcin este maxim atunci cnd impedana de sarcin este conjugata
complex a impedanei reelei active.
1.3 Cuadrupoli liniari

1.3.1 Regimuri de funcionare i parametri
n general, o poriune a unui circuit poate fi reprezentat ca o cutie neagr
cu dou borne de intrare i dou de ieire, configuraie acceptat sub
denumirea de cuadrupol (fig1.18). El poate fi pasiv sau activ n sensul
definirii acestor noiuni la nceputul capitolului.
Partea aflat naintea intrrii cuadrupolului se comport fa de
acesta ca un generator de semnal (surs de tensiune sau surs de curent) iar
partea conectat la ieirea sa se comport ca o sarcin pe care acesta
debiteaz energie. Astfel, cuadrupolul acioneaz ca un dispozitiv electronic
care transmite energie de la intrare ctre ieirea sa prin intermediul unui
semnal. La modul cel mai general, funciile uie = f(uin) i iie = f(iin)
reprezint caracteristici de transfer ale cuadrupolului. n funcie de
aspectul geometric (deci i de forma analitic) al caracteristicilor de transfer,
cuadrupolul poate fi liniar sau neliniar. n foarte multe situaii concrete se
lucreaz pe poriuni mici ale caracteristicii de transfer a cuadrupolului,
poriuni care pot fi considerate liniare. n acest caz, ntre mrimile de ieire
i cele de intrare se stabilesc funcii de gradul nti i comportarea
cuadrupolului este liniar.
Fig.1.18
Regimuri de funcionare a cuadrupolului:
mers n gol: Zsarc , iie = 0
mers n scurtcircuit: Zsarc = 0, uie = 0
mers n sarcin: Zsarc 0, iie 0, uie 0
Parametri caracteristici ai cuadrupolului:
u
impedana de intrare: Z in = in (1.22)
iin
u iesgol
impedana de ieire: Z ies = (sc = scurtcircuit) (1.23)
iiessc
Observaie: exist tendina de definire a impedanei de ieire sub

u
forma Z ies = ies prin analogie cu impedana de intrare. Este
iies
evident o definire eronat pentru c acest raport reprezint valoarea
impedanei de sarcin. Impedana de ieire este o mrime
caracteristic a cuadrupolului i nu depinde de mrimea sarcinii
conectate la bornele sale de ieire!
u
factorul de transfer n tensiune: k u = ies (1.24)
u in
i
factorul de transfer n curent: k i = ies (1.25)
iin
Noiunea de factor de transfer este una general. Ea poate fi
particularizat n funcie de tipul de cuadrupol. Astfel, dac cuadrupolul este
pasiv, atunci se vorbete despre factorul de atenuare n tensiune sau curent
(ku 1, ki 1). Dac cuadrupolul este unul activ, atunci se poate vorbi
despre factorul de amplificare n tensiune sau curent (ku 1, ki 1).
i, pentru c am amintit de atenuare sau amplificare, v reamintim
c aceste mrimi se exprim n decibeli (dB), decibelul fiind primul
submultiplu al belului. Se definesc factori de amplificare sau atenuare
pentru fiecare mrime electric important (putere, tensiune, curent)
conform relaiilor:
factorul de amplificare/atenuare n putere
P
APdB = 10 log ies , (1.26)
Pin
factorul de amplificare/atenuare n tensiune
u
AudB = 20 log ies , (1.27)
u in
factorul de amplificare/atenuare n curent
i
AidB = 20 log ies , (1.28)
iin
Dac se folosesc parametrii caracteristici definii anterior, un
cuadrupol poate fi reprezentat ca n fig.1.19a sau 1.19b. Desigur, aceasta
este o reprezentare simbolic necesara ns n analiza circuitelor complexe.
Fa de sursa sau generatorul de semnal cuadrupolul se comport ca o
impedana definit ca raport dintre mrimea tensiunii de intrare, uin i
intensitatea curentului de intrare, iin i care este impedana de intrare a
cuadrupolului, Zin.
a b
Fig.1.19
Fa de consumatorul conectat la ieirea sa, cuadrupolul se comport
fie ca o surs real de tensiune (fig1.19a), fie ca o surs real de curent
(fig.1.19b). Valoarea tensiunii la bornele sursei ideale este egal cu
tensiunea de ieire msurat (sau calculat) n condiii de mers n gol
(consumatorul exterior este deconectat), uiegol. Intensitatea curentului
debitat de sursa ideal de curent este egal cu intensitatea curentului
(msurat sau calculat) atunci cnd sarcina este nlocuit cu un scurcircuit,
iiesc. Impedana echivalent a sursei de tensiune (sau de curent) este
impedana msurat (sau calculat) ntre bornele de ieire dup pasivizarea
reelei.
1.3.2 Parametrii hibrizi

Dup cum am vzut, variabilele care apar n cazul cuadrupolului sunt n
numr de 4 (fig.1.20): dou variabile de intrare (indexate pentru simplitate i
generalitate cu 1) i dou variabile de ieire (indexate cu 2).
Fig.1.20
Pentru descrierea matematic a comportrii unui cuadrupol oarecare
aflat ntr-un circuit parcurs de un semnal variabil n timp, se consider c
dou dintre variabile sunt independente i dou dependente. n practic se
consider ca independente acele variabile care pot fi msurate din exteriorul
cuadrupolului. n funcie de care dintre variabile sunt independente i care
sunt dependente, exist mai multe modele matematice care simuleaz
comportarea unui cuadrupol.
Unul dintre cele mai folosite modele este cel n care se definesc
parametrii hibrizi ai cuadrupolului. n cazul acestui model se consider drept
variabile independente curentul de intrare i1 i tensiunea de ieire u2. Fiecare

dintre celelalte dou variabile depind att de i1 ct i de u2, astfel nct pot fi
scrise funciile:
u1 = u1 (i1 ,u 2 ) (1.29)
i2 = i2 (i1 ,u 2 ) (1.30)
Fiind vorba de semnale variabile n timp, vom diferenia cele dou
funcii obinnd ecuaiile:
u1 u
u1 = i1 + 1 u 2 (1.31)
i1 u 2
i2 i
i2 = i1 + 2 u 2 (1.32)
i1 u 2
Se definesc acum parametrii hibrizi ai cuadrupolului care, pe lng
semnificaia matematic, au i o semnificaie fizic. Pentru un practician
aceasta din urm este cel puin la fel de important ca i prima.
u1
h11 = , impedana de intrare cu ieirea aflat n scurcircuit
i1 u = 0
2
u1
h12 = , factorul de transfer invers n tensiune cu intrarea n
u 2 i = 0
1
condiii de mers n gol
i
h21 = 2 , factorul de transfer n curent cu ieirea aflat n
i1 u = 0
2
scurcircuit
i
h22 = 2 , admitana de ieire cu intrarea aflat n condiii de mers
u 2 i = 0
1
n gol
Cu ajutorul parametrilor hibrizi, ecuaiile (1.31) i (1.32) devin:

u1 = h11i1 + h12 u 2 (1.33)
i2 = h21i1 + h22 u 2 (1.34)

Acestea sunt nite ecuaii liniare care descriu cum variaz tensiunea
de intrare i curentul de ieire n funcie de variaia curentului de intrare i a
tensiunii de ieire. Aa dup cum am mai menionat, ele vor fi valabile doar
pe acele poriuni ale caracteristicilor de transfer care pot fi considerate
liniare. Mai concret, ele descriu funcionarea corect a cuadrupolului numai
pentru variaii mici ale nivelelor semnalelor prelucrate. n cazul variaiilor
mai mari, se intr n domeniul neliniar i lucrurile se complic foarte mult.
De aceea se mai spune despre acest model c este un model de semnal mic.
Ecuaiile (1.33) i (1.34) nu reprezint altceva dect cele dou legi
ale lui Kirchhoff aplicate pe o reea: ecuaia (1.33) reprezint o sum de
tensiuni iar ecuaia (1.34) reprezint o sum de cureni. Circuitul cruia i
corespund cele dou ecuaii este prezentat n fig.1.21.
-1
Fig.1.21
Utilitatea modelului de semnal mic i a circuitului construit pe baza
lui o vom vedea ceva mai trziu.
29
2 DIODA SEMICONDUCTOARE
Materialele semiconductoare stau la baza tuturor componentelor i

circuitelor electronice discrete sau integrate. Pentru o nelegere mai uoar
a principiilor de funcionare a elementelor fundamentale din circuitele
electronice, dioda i tranzistorul, enumerm n continuare cteva noiuni
elementare care fac parte din abecedarul semiconductorilor:
materialele semiconductoare au conductibilitatea electric mai
mare dect cea a izolatorilor dar mai mic dect cea a metalelor.
conductibilitatea electric a semiconductorilor este foarte sensibill
la variaiile de temperatur: ea crete odat cu creterea
temperaturii.
spre deosebire de metale, a cror conductibilitate este asigurat
exclusiv de electroni, conductibilitatea electric a
semiconductorilor este asigurat att de electroni (-), ct i de
goluri (+).
dac densitatile de electroni i de goluri care particip la
conducie sunt egale, se spune despre semiconductor c este
intrinsec.
dac densitile de electroni i de goluri care particip la conducie
nu sunt egale, se spune despre semiconductor c este extrinsec. n
funcie de care tip de purttori de sarcin este majoritar, se disting
dou tipuri de semiconductori extrinseci:
semiconductori de tip n, n care densitatea electronilor
este mai mare dect densitatea golurilor. n acest tip de
semiconductori electronii sunt purttori majoritari de
sarcin, iar golurile sunt purttorii minoritari.
semiconductori de tip p, n care densitatea golurilor este
mai mare dect densitatea electronilor. n acest caz,
golurile sunt purttori majoritari de sarcin, iar electronii
sunt purttorii minoritari.
Observaie: dei, n cazul semiconductorilor
extrinseci densitile purttorilor de sarcin electric
pozitiv, respectiv negativ care particp la
conducie nu sunt egale, toui, la nivel macroscopic,
ei nu au sarcin electric n exces (sunt neutri).
30 Dioda semiconductoare
2.1 Jonciunea semiconductoare. Dioda

Semiconductorii extrinseci (fig.2.1) pot avea purttori majoritari de tip p
(goluri) sau de tip n (electroni).
p n
+
+ + + ++ + + + ++
+ + + + ++ + + +
+++ ++++
++ +++ + + +
+ + + + +
++ + + + + +
sunt simbolizati numai
p Eint n purtatorii majoritari
+ + ++ + + + ++ de sarcina electrica
+ + + ++ + + ++ +
+ + + ++++
++ + + + +
+ + + ++ + + +
++ + +
ng,ne
ng ne
x
Vcontact
x
E
x
Fig.2.1
Dac dou astfel de zone sunt realizate n aceeai pastil de material
semiconductor se genereaz o jonciune semiconductoare. Datorit
diferenei de concentraie de purttori majoritari de acelai fel din cele dou

zone, golurile din regiunea p vor difuza n regiunea n i electronii din
regiunea n vor difuza n regiunea p. Ca urmare a acestui proces de difuzie va
apare o sarcin spaial negativ n regiunea iniial de tip p i o sarcin
spaial pozitiv n regiunea iniial de tip n. Astfel, n vecintatea jonciunii
se va genera o zon srcit de purttori majoritari, zon care se numete
regiune de trecere. Datorit acestei separri de sarcin, n regiunea de
trecere va apare un cmp electric intern, Eint, cmp a crui intensitate crete
odat cu creterea cantitii de sarcin difuzate i care se opune procesului
de difuzie. Cnd el a devenit suficient de intens se ajunge la o situaie de
echilibru n care cantitatea de sarcin difuzat rmne constant.
n reprezentrile grafice calitative de sub jonciunea
semiconductoare din fig.2.1 se pot observa distribuiile unor mrimi
caracteristice n lungul structurii semiconductoare considerate:
densitatea de sarcin n exces (x). Aici trebuie menionat faptul
c datorit mobilitii mai mari a electronilor fa de goluri ei
difuzeaz pe o lungime mai mare, dar ariile suprafeelor din
grafic care corespund celor dou tipuri de sarcini sunt egale.
densitile de goluri, ng i electroni ne.
potenialul electric, V(x). Se poate observa existena unei bariere
de potenial care se opune difuziei purttorilor majoritari prin
jonciune.
intensitatea cmpului electric, E(x) = -dV(x)/dx
O astfel de structur semiconductoare este denumit diod. Ea este

cea mai simpl component electronic i are simbolul prezentat n fig.2.2.
(p) (n)
anod catod
Fig.2.2
Dioda are dou terminale, fiind deci un dipol. Anodul este conectat
la zona de tip p n timp ce catodul este conectat la zona de tip n. Dac dioda
este conectat ntr-un circuit electronic ea se comport n mod diferit n
funcie de sensul diferenei de potenial la care este supus. Din structura sa
intern se poate observa c dac anodul este la un potenial mai mic dect
catodul, atunci cmpul extern se va aduga cmpului intern i amndou se
vor opune mai drastic curgerii purttorilor majoritari de sarcin prin
jonciune. n aceast situaie bariera de potenial va crete iar despre
jonciune se spune c este polarizat invers. Dac potenialul anodului este
mai mare dect cel al catodului, cmpul extern i cel intern vor fi orientate
n sens contrar. Bariera de potenial se va micora. Atta timp ct suma celor
dou cmpuri are sensul nspre regiunea p, purttorii de sarcin majoritari
nu se vor putea deplasa prin jonciune. n momentul n care cmpul total i
schimb sensul (bariera de potenial dispare), purttorii majoritari de sarcin
din cele dou zone vor putea traversa jonciunea i dioda va fi parcurs de
un curent electric. n acest caz se spune despre diod c este polarizat
direct.
Dependena intensitii curentului electric prin diod de tensiunea
exterioar aplicat ei (caracteristica volt-amperic) este prezentat n
fig.2.3.
polarizare polarizare
inversa directa
tensiuni de deschidere
Fig.2.3
Practic, n polarizare invers dioda este blocat. Se poate observa
ns existena unui curent invers care este datorat purttorilor minoritari
(golurile din zona n i electronii din zona p) care pot traversa jonciunea.
Dar, densitatea lor fiind foarte mic, intensitatea acestui curent, numit
curent invers de saturaie (Is) este practic neglijabil. Ea este de ordinul
zecilor de A. Menionm aici c reprezentarea grafic nu este la scar
tocmai pentru a putea pune n eviden curentul invers de saturaie.
n polarizare direct, atta timp ct bariera de potenial exist,
curentul este practic nul. Cnd aceasta dispare, dioda va permite trecerea
unui curent a crui intensitate crete foarte rapid pentru variaii mici ale
tensiunii aplicate diodei. Valoarea intensitii maxime a curentului direct
poate fi de la civa mA pn la sute de A, n funcie de tipul de diod.
Tensiunea la care dioda ncepe s conduc se numete tensiune de
deschidere i, pentru diodele de siliciu, ea este n jurul valorii de 0,6V.
Dup ce dioda intr n stare de conducie cderea de tensiune pe ea crete
foarte puin (0,1 0,15V).
Pentru caracteristica volt-amperic a jonciunii semiconductoare s-a

stabilit urmtoarea dependen matematic:
eud
id = I s e kT 1 (2.1)

n care: e sarcina elementar, 1,6.10-19C
k constanta Boltzmann, 1,38.10-23 J.K-1
T- temperatura jonciunii, K
kT
Raportul are dimensiunile unei tensiuni care, la temperatura
e
ambiant de 20oC, are valoarea de aproximativ 26mV.
Relaia (2.1) poate fi particularizat n funcie de regimul de
funcionare al diodei. Astfel, innd seama de faptul ca valoarea
exponenialei variaz foarte rapid n funcie de tensiunea aplicat diodei, n
practic pot fi folosite urmtoarele expresii aproximative
eud
n polarizare invers: ud < 0 << 1 i
kT
id -Is (2.2)
Deoarece curentul invers de saturaie este de cele mai multe ori
neglijabil n raport cu ceilali cureni din circuit, n polarizare invers dioda
poate fi considerat blocat (ramur de circuit ntrerupt, id = 0).
eud
n polarizare direct: ud > 0 >> 1 i
kT
eud
id I s e kT (2.3)
Dac dioda este polarizat direct i se afl n stare de conducie, atunci
ea va fi parcurs de un curent a crui valoare poate fi calculat cu relaia
(2.3).
Considernd circuitul de polarizare n curent continuu din fig.2.4,
expresia curentului prin diod este:
ud E
id = + (2.4)
R R
Funcia id = id(ud) din relaia precedent reprezint o dreapt, numit
dreapta de sarcin (fig.2.5). Punctul de intersecie al dreptei de sarcin cu
caracteristica volt-amperic a diodei este punctul static de funcionare al

diodei (M). Se numete static pentru c atta timp ct tensiunea de
alimentare a circuitului E i valoarea rezistenei R rmn constante,
coordonatele punctului static de funcionare, udo i ido, nu se modific.
Fig.2.4 Fig.2.5
Panta caracteristicii volt-amperice ntr-un punct de pe poriunea
corespunztoare strii de conducie (n particular n punctul static de
funcionare) se noteaz cu gm i este:
eu
di e kTd e
gm = d = Is e = id (2.5)
du d kT kT
sau,
gm = 40.id [mA/V] (2.6)
Astfel, dac se cunoate valoarea intensitii curentului prin dioda
aflat n stare de conducie, se poate calcula foarte simplu panta
caracteristicii volt-amperice n punctul static de funcionare. Inversul pantei
reprezint rezistena diodei n curent continuu n punctul static de
funcionare, rd. Valoarea ei depinde de poziia punctului static de
funcionare pe caracteristica volt-amperic.
n practic, n funcie de valorile concrete ale tensiunilor pe celelalte
elemente de circuit din ramura de reea n care este conectat dioda,
caracteristica ei volt-amperic poate fi liniarizat n diferite moduri. Pentru
calculul reelei n care se afl conectat, dioda poate fi nlocuit cu un
ntreruptor deschis (diod blocat) sau nchis (diod n conducie). Cele
mai folosite caracteristici liniarizate i modalitile de reprezentare ale
diodei sunt prezentate n fig.2.6.
Astfel, n fig.2.6a este prezentat caracteristic volt-amperic a
diodei ideale pentru care se poate neglija att cderea de tensiune jonciune
ct i rezistena opus de aceasta trecerii curentului electric. De aceea, n

polarizare direct dioda poate fi nlocuit n circuit cu un ntreruptor ideal
nchis.
DIODA DIODE
IDEALA IDEALIZATE
polarizare polarizare polarizare polarizare polarizare polarizare

inversa directa inversa directa inversa directa
a b c
Fig.2.6
Exist situaii n care cderea de tensiune pe jonciunea polarizat
direct nu poate fi neglijat n raport cu celelalte tensiuni din ramura de reea,
dar poate fi neglijat rezistena diodei n curent continuu. Caracteristica
volt-amperic idealizat, corespunztoare acestei situaii este prezentat n
fig.2.6b. n polarizare direct dioda poate fi nlocuit n circuit cu un
ntreruptor nchis pe care apare o cdere de tensiune de aproximativ 0,65V
(tensiunea pe jonciunea aflat n stare de conducie deplin).
O situaie mai apropiat de comportarea real a diodei este cea din
fig.2.6c. Aici se ine seama att de cderea de tensiune pe jonciunea
polarizat direct ct i de rezistena diodei n curent continuu. n polarizare
direct dioda poate fi nlocuit n circuit cu un ntreruptor nchis pe care
apare o cdere de tensiune de aproximativ 0.65V conectat n serie cu o
rezisten cu valoarea rd.
2.2 Modelul de semnal mic

n foarte multe circuite diodele sunt supuse simultan att unei tensiuni
continue ct i uneia variabile. Tensiunea continu stabilete punctul static
de funcionare iar tensiunea alternativ determin plimbarea acestuia pe
caracteristica volt-amperic (dreapta de sarcin rmnnd paralel cu ea
nsi). Dac poriunea de caracteristic pe care se deplaseaz punctul
static de funcionare poate fi considerat liniar atunci semnalul este
considerat mic. Cnd vorbim de un semnal mic ne referim la amplitudinea
sa. Panta unei caracteristici volt-amperice pe poriunea liniar considerat se
numete panta de semnal mic.
n fig.2.7 este prezentat un regim de funcionare ca cel descris mai

sus. Peste tensiunea continu Udo, care determin curentul Ido, este aplicat o
tensiune sinusoidal u = Usint. Aceasta determin apariia prin diod a
unui curent variabil de forma i = gmUsint (vezi relaia (2.5)), curent care se
suprapune peste curentul de polarizare n curent continuu ido. Astfel,
tensiunea total la bornele diodei i curentul total prin ea sunt descrise de
ecuaiile:
Fig.2.7
ud = U do + U sin t (2.7)
id = I do + g mU sin t (2.8)
Observaii:
modelul de semnal mic nu se poate aplica mrimilor statice. ntre
tensiunea continu de polarizare i curentul continuu nu este
valabil o relaie de tipul Ido = gmUdo.
modelul de semnal mic se poate aplica atunci cnd amplitudinea
tensiunii variabile este mult mai mic dect tensiunea continu de
polarizare n curent continuu.
2.3 Redresarea curentului alternativ

Una dintre aplicaiile cele mai importante ale diodelor este redresarea
semnalelor alternative. O configuraie de patru diode ca cea prezentat n
fig.2.8 este o punte redresoare i se gsete sub form integrat.
punte
redresoare
D1 D2
C R uR
D4 D3
Fig.2.8
Fig.2.9
Dac la bornele de intrare ale punii se aplic o tensiune sinusoidal
ca cea reprezentat grafic n fig.2.9a atunci, dac amplitudinea acesteia este
mai mare dect dublul tensiunii de deschidere a unei diode (tensiunea de
trecere n stare de conducie), n alternana pozitiv vor conduce diodele D1
i D3 iar n alternana negativ, diodele D2 i D4. Astfel, prin rezistena R
curentul va circula n acelai sens n ambele semiperioade, obinndu-se la
bornele ei o tensiune redresat. n fiecare jumtate de perioad tensiunea la
bornele rezistenei, deci i curentul prin ea, vor avea aspectul unor jumti
pozitive de sinusoid (fig.2.9b, curba subire). Aceasta este redresarea
bialternan. Amplitudinea tensiunii redresate este mai mic datorit
cderilor de tensiune pe jonciunile celor dou diode aflate simultan n stare

de conducie. Cnd tensiunile redresate sunt mari, aceast pierdere este
neglijabil. Semnalul redresat este unul periodic, avnd frecvena egal cu
dublul frecvenei semnalului aplicat la intrarea punii.
n multe aplicaii avem nevoie de o tensiune constant n timp.
Reducerea fluctuaiilor n timp ale tensiunii se poate face prin adugarea n
paralel cu consumatorul (n cazul de fa, R) a unui condensator cu o
capacitate ct mai mare. Acesta se ncarc n alternana pozitiv i se
descarc prin R n alternana negativ. Cu ct constanta de timp, = RC, a
circuitului de descrcare a condensatorului este mai mare, cu att tensiunea
la bornele sale, deci i tensiunea pe sarcin, scade mai lent comparativ cu
scderea pur sinusoidal. n acest fel, la bornele sarcinii se obine o tensiune
redresat cu fluctuaii temporale mult mai mici dect cele obinute n cazul
redresrii bialternan simple (fig.2.9b, curba mai groas). Pentru c
atenueaz din fluctuaii, condensatorul C se numete condensator de
netezire.
Am vzut c tensiunea redresat este una fluctuant n timp, dei i
pstreaz polaritatea. Dac o descompunem n elementele ei, ea are o
component continu i una variabil n timp. Se definete factorul de
ondulaie al tensiunii, , astfel:
tensiunea curentului variabil
factorul de ondulatie =
tensiunea curentului continuu
Expresia lui poate fi dedus folosindu-ne de expresiile puterilor.

Dac notm amplitudinea tensiunii redresate cu UR = U 1,3V, atunci
puterea de curent continuu consumat de sarcin este:
2
u 2 1 2
T /2
4U 2
p= = = u R (t )dt = 2 R (2.9)
R R T 0 R
de unde rezult componenta continu a tensiunii redresate:
2U R
u= = (2.10)

Puterea total consumat de sarcin fr condensatorul de netezire
este:
T /2
2 1 U R2
p= 0 u (t )dt = 2R
2
R (2.11)
T R
Puterea disipat pe sarcin de componenta variabil va fi diferena

dintre puterea total i puterea de curent continuu:
U R2 1 4
p = p p= = (2.12)
R 2 2
iar tensiunea acestei componente va avea expresia:
1 4
u = U R (2.13)
2 2
Atunci, innd seama de relaiile (2.10) i (2.13), factorul de
ondulaie al tensiunii redresate bialternan fr condensator de netezire,
conform definiiei sale, va fi:
u 2
= = 1 (2.14)
u= 8
Pentru alimentarea cu tensiune continu a unor circuite electronice
este necesar o tensiune cu un factor de ondulaie ct mai mic. Pe lng
utilizarea unui condensator de netezire, factorul de ondulaie poate fi
micorat i prin folosirea unor filtre pasive mai complexe, precum i cu
ajutorul stabilizatoarelor electronice.
2.4 Alte tipuri de diode

2.4.1 Dioda stabilizatoare (Zener)
Dac o diod este polarizat invers, pn la o anumit valoare a tensiunii pe
jonciune curentul prin ea este foarte mic (Is). Dac tensiunea invers crete
mai mult, la o valoare a ei care depinde de tipul de diod, curentul poate
crete foarte rapid i jonciunea se poate distruge. Exist ns diode la care
acest curent invers poate fi controlat n anumite limite i dioda polarizat
invers este folosit ca stabilizatoare de tensiune sau ca referin de tensiune.
Acest lucru este posibil deoarece n timp ce curentul invers poate varia n
limite largi, tensiunea pe jonciunea polarizat invers rmne aproape
constant (fig.2.10). Aceast tensiune este numit tensiune de stabilizare
sau tensiune Zener (UZ).
Exist dou mecanisme de cretere a curentului la o valoare dat a
tensiunii inverse. Unul dintre ele este multiplicarea n avalan a
purttorilor de sarcin, mecanism prin care purttorii primari, accelerai
ntre dou ciocniri de ctre cmpul electric intens, determin apariia
purttorilor secundari, teriari i aa mai departe. Al doilea este efectul
Zener n care purttorii de sarcin sunt generai chiar de ctre cmpul

electric care se creeaz n jonciune. Efectul Zener se poate produce dac
exist o dopare foarte mare a semiconductorului corelat cu un cmp
electric foarte intens.
Dac intensitatea curentului invers crete necontrolat atunci structura
semiconductoare se nclzete i are loc distrugerea jonciunii prin ambalare
termic. Pentru evitarea acestui proces, n circuitul de polarizare a diodei se
va conecta ntotdeauna o rezisten de limitare a curentului.
anod catod
Fig.2.10
Principalii parametri caracteristici ai diodei stabilizatoare sunt:
tensiunea de stabilizare UZ, cuprins n intervalul 2 180V.
curentul invers maxim IZmax, determinat de puterea maxim pe care o
poate disipa jonciunea. Ea depinde de tipul de diod i este n jurul
valorii de 10W.
rezistena intern rZ, cu valori de la civa , la cteva zeci de . Ea
este definit pe poriunea liniar din jurul tensiunii de stabilizare ca:
u Z
rZ = (2.15)
i Z
Cea mai simpl modalitate de folosire a diodei ca element de
stabilizare a tensiunii este prezentat n fig.2.11. n schem, rezistena de
sarcin Rs pe care dorim o tensiune constant este conectat n paralel cu
dioda stabilizatoare. Totodat, n circuitul de polarizare a diodei este
prezent i rezistena de limitare a curentului, Rl. n practic se lucreaz cu
Rs >> rZ, deci is << iZ i iZ i .
Fig.2.11
O msur a nivelului de stabilizare a tensiunii de ieire este factorul
de stabilizare S, definit ca:
u in
S= (2.16)
u ies
Expresia lui poate fi dedus scriind prima lege a lui Kirchhoff pe
circuitul din fig.2.11:
u in = iRl + u ies (2.17)
Difereniind ecuaia (2.17) i innd seama de faptul c i iZ ,

obinem:
u in = Rl i Z + u ies (2.18)
mprind ecuaia (2.18) cu uies i innd seama de faptul c uies =
uZ i de relaia (2.15), se obine expresia final a factorului de stabilizare:
Rl
S = 1+ (2.19)
rZ
Se poate observa c factorul de stabilizare este cu att mai mare cu
ct rZ < Rl.
2.4.2 Dioda varicap

Am vzut c datorit difuziei purttorilor majoritari de sarcin, n
vecintatea jonciunii semiconductoare apare o separare de sarcin electric
(sarcin spaial). Cele dou straturi de sarcin separate pot fi asimilate cu
un condensator plan ale crui armturi se ndeprteaz odat cu creterea
tensiunii inverse a diodei. Tensiunea invers nu trebuie s depeasc
tensiunea corespunztoare multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin.
Capacitatea astfel generat se numete capacitate de barier. Dependena ei
de tensiunea invers este prezentat n fig.2.12, unde CBo este capacitatea de
barier n absena unei tensiuni exterioare.
Fig.2.12
Expresia analitic a acestei dependene este:
C Bo
CB = (2.20)
u
1 d
UD
n care UD este tensiunea de difuzie specific tipului de semiconductor (de
regul, UD < 1V). Uzual, capacitatea de barier este de ordinul pF zeci de
pF. Se poate observa c ea poate fi controlat cu ajutorul tensiunii de
polarizare invers a diodei.
2.4.3 Dioda tunel (Esaki)

Leo Esaki fizician japonez, laureat al premiului Nobel n 1973 mpreun cu B.
Josephson i I. Giaver. A obinut pentru prima dat efectul tunel n 1957.
ntr-o jonciune de arseniur de germaniu sau galiu foarte puternic dopat,
efectul Zener poate fi obinut i la tensiuni pozitive mai mici dect tensiunea
de deschidere a jonciunii. Datorit doprii puternice, regiunea srcit este
foarte ngust i purttorii de sarcin pot strpunge bariera de potenial prin
efect tunel la tensiuni directe foarte mici, rezultnd o cretere brusc a
curentului (poriunea OA a caracteristicii volt-amperice din fig.2.13).
Fig.2.13
Dup atingerea unei valori maxime (de saturaie), curentul se va
micora deoarece creterea tensiunii directe de polarizare determin, pe
lng micorarea nlimii barierei de potenial, i lrgirea ei (poriunea AB
a caracteristicii volt-amperice). Pe aceast poriune, rezistena diferenial
a diodei tunel (reprezentat de panta caracteristicii), este negativ. Curentul

corespunztor poriunii OAB a caracteristicii se numete curent tunel. n
punctul B cmpul electric datorat tensiunii exterioare de polarizare anuleaz
bariera de potenial i jonciunea ncepe s se comporte ca aceea a unei
diode obinuite. Curentul prin diod ncepe s creasc datorit injeciei de
purttori de sarcin prin jonciune (curent de injecie).
Dac dioda tunel este polarizat pe poriunea de carcteristic cu
rezisten diferenial negativ, ea poate fi folosit pentru compensarea
rezistenei de pierderi din circuitele oscilante i realizarea oscilatoarelor
(circuite care genereaz semnale variabile n timp, de exemplu oscilaii
sinusoidale). De asemenea, dioda tunel este folosit n circuitele de
amplificare a microundelor.
2.4.4 Dioda Schottky

Dioda Schottky, al crei simbol este prezentat n fig.2.14, are o jonciune
de tip metal (aur, argint, platin) semiconductor (Si-n), acesta din urm
fiind slab dopat.
Fig.2.14
Atunci cnd metalul este la un potenial pozitiv fa de
semiconductor dioda intr n stare de conducie la o tensiune de aproximativ
0,35V (mai mic dect n cazul unei diode obinuite). Electronii din
semiconductor, traversnd jonciunea, ajung n metal unde nu se vor
deosebi cu nimic de electronii de conducie ai acestuia. n metal, ei nu mai
sunt purttori minoritari aa cum ar fi ntr-un semiconductor de tip p. Astfel
ei i pierd personalitatea i, la schimbarea polaritii, este indiferent care
electroni se ntorc n semiconductor, cei ai semiconductorului sau cei ai
metalului. De aceea viteza de comutaie din starea de conducie n starea de
blocare este cel puin cu un ordin de mrime mai mare dect cea a unei
diode obinuite. Timpul de comutaie al unei diode Schottky este de
aproximativ 50ps. Deoarece nu exist purttori minoritari, curentul invers
prin diod este nul.
Fiecare dispozitiv semiconductor trebuie s aib conexiuni metalice
cu elementele de circuit exterioare lui. Conexiunea semiconductor metal
trebuie s fie ohmic i nu redresoare. Pentru aceasta, ele se realizeaz prin
interpunerea ntre semiconductor i metal a unui strat semiconductor cu
gradient de densitate de dopaj. Densitatea este foarte mare (ca a metalului)
n zona contactului cu metalul i scade treptat spre semiconductor.
2.4.5 Dioda electroluminiscent (LED, Light Emitting Diode)

Dioda electroluminiscent, al crei simbol este prezentat n fig.2.15,
funcioneaz n polarizare direct. n urma injeciei de curent prin jonciune,
electronii din banda de conducie ai regiunii n traverseaz jonciunea i se
recombin cu golurile din banda de valen a regiunii p. Ca urmare a
acestui proces de recombinare, energia dobndit de la cmpul exterior este
eliberat sub form de cuante luminoase cu energia h, determinat de
lrgimea energetic a benzii interzise.
n fig.2.16 este prezentat schematic structura unei diode
electroluminiscente, circuitul de polarizare a ei i valorile tipice pentru
curentul prin diod i tensiunea la bornele ei n stare de funcionare.
lentila
plastic
transparent
R E
Fig.2.15 Fig.2.16
n circuitul de polarizare a diodei este obligatorie prezena unei
rezistene de limitare a curentului cu o valoare tipic cuprins ntre 200 i
330. Lungimile de und ale radiaiilor emise de diodele
electroluminiscente depind de materialele semiconductoare din care sunt
fabricate (tabelul 2.1).
Tabelul 2.1
Material [nm] Culoare
GaAs 940 infrarou
GaAs0,7 P0,3 660 rou
GaAs0,5P0,5 610 portocaliu
GaAs0,15P0,85 590 galben
GaP 540 verde
Materialele semiconductoare folosite pentru construcia diodelor
electroluminiscente sunt compui pe baz de galiu. Siliciul i germaniul nu
se folosesc pentru acest scop deorece energia electric este convertit mai
degrab n energie termic dect n energie luminoas.
45
3 TRANZISTORUL BIPOLAR
William Shockley fizician american, laureat al premiului Nobel n 1956

mpreun cu J. Bardeen i W.H Brattain. Au pus la punct tehnologia
tranzistorului.
3.1 Structura i caracteristicile statice

Tranzistorul bipolar este o structur de trei zone semiconductoare extrinseci
(pnp sau npn) realizat ntr-un cristal semiconductor. Ea este prezentat
schematic n fig.3.1a i ceva mai aproape de structura real n fig.3.1b.
Fiecare zon are un contact ohmic cu cte un terminal exterior. Cele trei
terminale se numesc emitor E, baz B i colector C. Denumirile
sugereaz funcia pe care o ndeplinete fiecare dintre cele trei zone:
emitorul este furnizorul principal de sarcini electrice, colectorul colecteaz
sarcinile electrice iar baza poate controla cantitatea de sarcin care ajunge la
colector. Dup acelai criteriu, cele dou jonciuni se numesc emitoare,
respectiv colectoare.
B
baza
p p
E p n p C
emitor colector
n
(n) (p) (n)
jonctiune jonctiune
emitoare colectoare
a b
Fig.3.1
O astfel de structur se numete bipolar deoarece la conducia
electric particip sarcini electrice de ambele polariti, goluri i electroni,
cu contribuii diferite la curent n funcie de tipul de tranzistor. n funcie de
ordinea zonelor, tranzistorii bipolari pot fi de tip pnp sau npn. Simbolurile
lor sunt prezentate n fig.3.2.
E C
B B
C E
pnp npn
Fig.3.2
46 Tranzistorul bipolar
Din punct de vedere tehnologic structura de tranzistor are dou

particulariti:
emitorul este mult mai puternic dopat dect baza
lrgimea fizic a bazei este mult mai mic dect lungimea de
difuzie a purttorilor majoritari din emitor (aprox. 10m)
Pentru a exista conducie electric ntre emitor i colector, jonciunea
emitoare trebuie polarizat n sens direct iar jonciunea colectoare n sens
invers. Un circuit de polarizare a jonciunilor unui tranzistor de tip pnp este
prezentat n fig.3.3a. n practic polarizarea jonciunilor se face cu o singur
surs de alimentare.
C
IC
RC p
ICBo IE
IC
EC p B
IB n n
IB
p
EE
IE p
RE
IE
E
a b
Fig.3.3
n fig.3.3b se poate observa modul n care purttorii de sarcin din
semiconductor contribuie la formarea curenilor exteriori msurabili:
curentul de emitor - IE, curentul de colector IC i curentul de baz IB.
Trebuie s subliniem nc odat faptul c la curentul prin tranzistor particip
purttori de ambele polariti, n timp ce la curenii exteriori particip
exclusiv electronii de conducie din metal.
Golurile, care sunt purttorii majoritari n emitor, sunt accelerate n
cmpul de polarizare direct a jonciunii emitoare i, n marea lor majoritate,
vor traversa baza i vor fi preluate de cmpul electric de polarizare invers a
jonciunii colectoare. Fraciunea din curentul de emitor care contribuie la
formarea curentului de colector este notat cu . se numete factor de
curent i valorile lui sunt foarte apropiate de 1: 0,97 0,99 . Datorit
slabei dopri a bazei i a lrgimii ei foarte mici, doar o mic parte din
golurile care pleac din emitor se vor recombina cu electronii din baz.
Curentul IE mpreun cu curentul de purttori minoritari, ICBo, care
traverseaz jonciunea colectoare polarizat invers, vor forma curentul de
colector, IC. Astfel, pot fi scrise urmtoarele relaii ntre curenii msurabili:
I E = IC + I B (3.1)
I C = I E + I CBo (3.2)
nlocuind expresia curentului de emitor (3.1) n relaia (3.2) i
exprimnd curentul de colector, se obine:
I
IC = I B + CBo (3.3)
1 1
Coeficientul de multiplicare a curentului de baz se noteaz cu i
se numete factor de amplificare static (sau factor de amplificare a
curentului continuu) i este supraunitar:

= (3.4)
1
Astfel, dependena curentului de colector de curentul de baz poate
fi exprimat sub forma:
I C = I B + (1 + )I CBo (3.5)
Relaia (3.5) indic dependena intensitii curentului de colector de
intensitatea curentului de baz. De aici se poate vedea c tranzistorul
bipolar este un element activ comandat n curent. Deoarece curentul de
purttori minoritari ICBo este foarte mic (sub 1A), n practic se poate folosi
cu bun aproximaie relaia I C I B .
Ecuaiile (3.1), (3.2) i (3.4) descriu funcionarea tranzistorului n
curent continuu (regimul static) i, mpreun cu legile lui Kirchhoff, permit
calcularea valorilor rezistenelor din circuitul exterior de polarizare, precum
i a punctului static de funcionare caracterizat de patru parametrii: UBEo, IBo,
UCEo i ICo.
Tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol dac unul dintre
terminalele sale va face parte att din circuitul de intrare ct i din cel de
ieire. De regul, terminalul respectiv este conectat la borna de potenial nul
(masa circuitului). Astfel, exist trei conexiuni posibile ale tranzistorului
ntr-un circuit:
conexiunea emitor comun fig.3.4a
conexiunea baz comun fig.3.4b

conexiunea colector comun fig.3.4c
a b c
Fig.3.4
Cele trei conexiuni au parametrii de intrare, ieire i de transfer
diferii. Dintre ele, cea mai folosit este conexiunea emitor comun i de
aceea n continuare ne vom axa n principal asupra ei, analiznd-o att n
regim static ct i n regim dinamic.
IC
IB UCE
U BE
Fig.3.5
Mrimile de intrare i cele de ieire pentru conexiunea emitor comun
sunt prezentate n Fig.3.5. Modificarea valorii oricreia dintre ele conduce la
modificarea celorlalte trei. Datorit acestui lucru nu mai putem vorbi despre
o singur caracteristic volt-amperic, cum a fost n cazul diodei, ci de
familii de caracteristici statice de intrare, ieire i de transfer.
Pentru conexiunea emitor comun mrimile de control, cu ajutorul
crora le modificm pe celelalte, sunt curentul de baz, IB, i tensiunea
dintre colector i emitor, UCE. De aceea ele vor fi considerate variabilele
independente iar tensiunea dintre baz i emitor, UBE, i curentul de
colector, IC, vor fi variabilele dependente.
ntr-o reprezentare calitativ, familiile de caracteristici statice ale
conexiunii emitor comun sunt artate n fig.3.6.
Astfel, familiile de caracteristici statice sunt urmtoarele:
U BE = f (I B ) U , caracteristica de intrare
CE = const.
I C = f (U CE ) I , caracteristica de ieire
B = const .
I C = f (I B ) U , caracteristica de transfer n curent

CE = const.
U BE = f (U CE ) I , caracteristica de transfer invers n

B = const .
tensiune
IC
IB
ICBo IB = 0
IB UCE
UCE IB
UBE
Fig.3.6
O alt caracteristic important a tranzistorului bipolar este
caracteristica de transfer n tensiune, pe baza creia se definesc i
regimurile posibile de funcionare ale lui. n fig.3.7a este prezentat o
schem posibil pentru trasarea acestei caracteristici iar n fig.3.7b este
artat aspectul ei.
EC = +5V
UCE [V]
Rc
1 k blocat
5
zona
IC activa
Rb
UCE = Uies
Uin 10 k
saturat
0 - +5V UBE UCEsat 0,1 - 0,2V
0 0,65 U BE [V]
a b
Fig.3.7
Discuia asupra comportrii tranzistorului se poate face dac
considerm comportamentul celor dou jonciuni asemntor
comportamentului unor diode. Vom numi n continuare jonciunea emitoare

drept dioda emitor, DE, iar jonciunea colectoare drept dioda colector, DC.
Pentru tensiuni UBE mai mici dect tensiunea de deschidere a diodei
emitor, ntre emitor i colector nu poate circula nici un curent, cderea de
tensiune pe rezistena Rc este nul i UCE = Ec. n acest interval de tensiuni
de intrare tranzistorul este blocat, ntre colector i emitor el acionnd ca un
ntreruptor deschis. Odat cu creterea tensiunii de intrare, dioda emitor se
va deschide i va permite curgerea electronilor ntre emitor i colector
peste dioda colector polarizat invers. Tensiunea UCE va ncepe s scad
foarte rapid, deoarece crete cderea de tensiune pe Rc, n condiiile n care
tensiunea de alimentare, Ec, este pstrat constant (Ec = IcRc + UCE).
Curentul de colector va crete i tensiunea UCE se va micora pn cnd se
ajunge n regimul de saturaie (cantitatea de sarcin disponibil nu este
nelimitat) n care ambele diode, emitor i colector, sunt n stare de
conducie. Acest regim de lucru se numete saturat. n regimul saturat
tensiunea ntre colector i emitor este foarte mic, U CE 0,1 0,2V . Ea se
numete tensiune colector-emitor de saturaie, UCEsat. Zona de tranziie
dintre regimurile blocat i saturat se numete zona activ. n zona activ
curentul de colector i tensiunea de ieire pot fi controlate de ctre tensiunea
de intrare i implicit de ctre curentul de baz.
Putem sintetiza regimurile de funcionare ale tranzistorului
bipolar n felul urmtor:
regimul blocat DE i DC - blocate,

IC = 0, UCE = Ec
regimul n zona activ DE conducie, DC blocat,
I C 0, U CE = 5 0,2V
regimul saturat: DE i DC conducie,
I C 0, U CE = 0,1 0,2V = U CEsat
Regimul de funcionare n zona activ este folosit atunci cnd

tranzistorul se afl ntr-o schem de prelucrare a semnalelor, de amplificare
sau generatoare de oscilaii armonice. Atunci cnd tranzistorul trece foarte
rapid prin zona activ, lucrnd ntre starea de blocare i cea de saturaie i
invers, se spune despre el c lucreaz n regim de comutaie (n circuitele
digitale, de exemplu).
Regimurile de funcionare ale tranzistorului bipolar pot fi vizualizate

i pe graficul reprezentnd familia de caracteristici IC = IC(UCE), aa cum se
poate observa n fig.3.8.
IC IC UCE = Pmax
SATURATIE
P > Pmax
IB
ZONA ACTIVA
IB = 0
BLOCARE
0 UCE
Fig.3.8
Printre parametrii caracteristici ai unui tranzistor se afl i puterea
maxim pe care el o poate disipa fr a atinge temperaturi la care s-ar
distruge. Produsul ICUCE nu poate depi aceast valoare care este diferit n
funcie de tipul de tranzistor. Zona n care puterea disipat pe tranzistor ar fi
mai mare dect puterea maxim admis este i ea vizualizat pe
reprezentarea grafic din fig.3.8.
3.2 Polarizarea tranzistorului bipolar

3.2.1 Polarizarea cu divizor de tensiune n baz
Pentru a funciona n zona activ i a fi folosit ntr-o schem de amplificare
de exemplu, jonciunile tranzistorului bipolar trebuie polarizate n curent
continuu astfel nct jonciunea emitoare s fie polarizat direct iar
jonciunea colectoare s fie polarizat invers. Polarizarea se face de la o
singur surs de alimentare, existnd mai multe scheme folosite n acest
scop. Una dintre cele mai utilizate scheme de polarizare n curent continuu
este cea cu divizor de tensiune n baza tranzistorului, schem prezentat n
fig.3.9.
Practic, problema se pune n felul urmtor: cunoatem tipul de
tranzistor folosit i dorim polarizarea jonciunilor sale astfel nct el s
lucreze ntr-un anumit punct static de funcionare. Evident, se cunoate i
tensiunea de alimentare folosit. Pentru calcularea valorilor rezistenelor din
circuitul de polarizare se folosesc pe de o parte ecuaiile de legtur dintre
curenii care intr i ies din tranzistor, n care se poate neglija influena
curentului ICBo mult mai mic dect ceilali cureni:
+EC
R1` Rc
I1 IC
IB
UCE
I2 IE
UBE
R2 RE
Fig.3.9
I C I B (3.6)
I E = IC + I B (3.7)
IC I E (3.8)
i pe de alt parte, ecuaiile pe care le scriem pe baza aplicrii legilor lui
Kirchhoff n circuitul de polarizare:
E c = I C RC + U CE + I E RE (3.9)
E c = I 1 R1 + I 2 R2 (3.10)
I1 = I 2 + I B (3.11)
I 2 R2 = U BE + I E RE (3.12)
Desigur, pare destul de complicat rezolvarea unui sistem de apte
ecuaii n care s-ar putea s avem mai mult dect apte necunoscute. Practic
ns lucrurile se pot simplifica dac tim cam n ce domenii de valori trebuie
s se ncadreze valorile rezistenelor din circuitul de polarizare. Iat care
sunt acestea:
R1, zeci sute de k
R2, k zeci de k
Rc < 10k
1 Ec
RE , sute de - k
10 I C
Valorile rezistenelor R1 i R2 sunt mai mari dect ale celorlalte
pentru a consuma ct mai puin curent de la sursa de alimentare, dar totodat
ele trebuie s asigure polarizarea bazei astfel nct jonciunea emitor s fie
n stare de conducie (uzual 0,65V pentru Si).
Valoarea rezistenei RE trebuie s fie ct mai mic posibil pentru a
consuma ct mai puin. Teoretic ea poate s lipseasc i emitorul s fie
conectat direct la mas. Practic ns ea este necesar pentru stabilizarea
termic a punctului static de funcionare. Vom vedea acest lucru peste
cteva paragrafe.
Valoarea rezistenei din colectorul tranzistorului, Rc, reprezint i
sarcina tranzistorului atunci cnd acesta lucreaz ca element activ n
circuitele de amplificare sau prelucrare de semnale. Valoarea ei maxim este
limitat de condiia de conducie a tranzistorului. Pentru o valoare prea
mare, cderea de tensiune pe ea poate fi att de mare la un curent de colector
mic nct s nu permit trecerea tranzistorului n stare de conducie.
De cele mai multe ori, pentru a putea rezolva sistemul de ecuaii al
circuitului de polarizare vom fi nevoii ca valoarea uneia dintre rezistene s
o alegem pe baza observaiilor de mai sus.
S aplicm aceste reguli de calcul a valorilor rezistenelor dintr-un
circuit de polarizare n curent continuu a tranzistorului bipolar pe un
exemplu concret. Presupunem c avem un tranzistor cu = 100, pe care
dorim s-l polarizm n curent continuu astfel nct el s lucreze n zona
activ avnd IC = 2mA, UCE = 5V i UEB = 0,65V. Tensiunea de alimentare
este EC = 10V.
Neglijnd curentul rezidual prin jonciunea baz-colector, din
ecuaia (3.6) putem calcula curentul de baz:
I C 2 10 3
IB = = = 2 10 5 A = 20A
100
Cunoscnd curentul de baz, din ecuaia (3.7) calculm curentul de emitor:
I E = I C + I B = ( 2 10 3 + 0,02 10 3 ) A = 2,02mA
Rezistena de emitor o putem calcula din relaia recomandat anterior:
1 Ec 1 10
RE = = 495
10 I C 10 2,02 10 3
Din ecuaia (3.9) calculm valoarea rezistenei din colectorul tranzistorului:

E U CE I E RE 10 5 2,02 10 3 495
RC = C = = 2000 = 2k
IC 2 10 3
Potenialul bazei fa de mas, VB = I2R2, putem s-l calculm din ecuaia
(3.12):
V B = U BE + I E R E = 0,65 + 2,02 10 3 495 = 1,65V

Alegnd pentru rezistena R2 valoarea:
R2 = 10k
se poate calcula valoarea curentului I2:
V 1,65
I2 = B = A = 0,165mA
R2 10 10 3
n sfrit, din ecuaiile (3.10) i (3.11) poate fi calculat valoarea rezistenei
R1:
E C I 2 R2 E C V B 10 1,65
R1 = = = = 0,0457 10 6 = 45,7 k
I1 I2 + I B 6
(165 + 20) 10
Avnd n vedere valorile standardizate ale rezistenelor de uz general, vom
alege urmtoarele valori pentru cele patru rezistene de polarizare ale
tranzistorului: RC = 2k, RE = 500, R1 = 47k i R2 = 10k.
Ecuaia (3.9) poate fi rescris n modul urmtor:

U CE Ec
IC = + (3.13)
Rc + RE Rc + RE
n care mrimile variabile sunt IC i UCE, celelalte fiind constante. Ea
reprezint ecuaia dreptei de sarcin n curent continuu i va determina
poziia punctului static de funcionare, aa dup cum se poate vedea n
fig.3.10. Din ea se poate observa c dac tensiunea de alimentare i valorile
rezistenelor de polarizare sunt constante, poziia punctului static de
funcionare poate fi schimbat modificnd mrimea curentului de baz.
Aadar, punctul static de funcionare al tranzistorului se mai poate defini ca
fiind intersecia dintre dreapta de sarcin n curent continuu i
caracteristica de ieire corespunztoare unui curent de baz prestabilit.
IC dreapta de alte puncte statice de
sarcina in c.c. functionare posibile
Ec
Rc +RE
punct static de functionare

Ico IBo (dat)
UCE
0 UCEo Ec
Fig.3.10
3.2.2 Stabilizarea termic a punctului static de funcionare
Conductibilitatea electric a materialelor semiconductoare este puternic
dependent de temperatura mediului n care acestea lucreaz. O variaie de
temperatur determin o variaie relativ mult mai mare a densitii de
purttori minoritari dect variaia relativ a densitii de purttori majoritari.
De aceea, n cazul tranzistorului bipolar, o cretere a temperaturii va
determina o cretere relativ semnificativ a curentului rezidual (curent de
purttori minoritari) prin jonciunea baz colector, ICBo. Conform relaiei
(3.2) aceasta va determina creterea curentului de colector care, la rndul ei
va determina o cretere suplimentar a temperaturii jonciunii, dup care
fenomenul se repet ca o reacie n lan, rezultnd fenomenul de ambalare
termic. Procesul poate fi sintetizat n urmtoarea diagram:
T ICBo IC T ICBo ......
Sigur c dac temperatura ambiant se va micora fenomenul
nceteaz. Aceste variaii de temperatur vor determina i instabilitatea
punctului static de funcionare, care este definit i de curentul de colector,
I C.
Pentru stabilizarea termic a punctului static de funcionare prezena
rezistenelor RE i R2 n circuitul de polarizare a tranzistorului este
obligatorie. Rolul lor n acest proces poate fi observat pe baza schemei
simplificate prezentate n fig.3.11.
Prezena divizorului de tensiune n baza tranzistorului asigur un
potenial relativ constant al bazei acestuia n raport cu masa, rezistenele
fiind mult mai puin sensibile la variaiile de temperatur dect
semiconductorii. Neglijnd contribuia curentului de baz, vom avea IC = IE.
Aceasta nsemn c o cretere a curentului de colector, datorat creterii
temperaturii, va determina o cretere asemntoare a curentului de emitor i
implicit o cretere a cderii de tensiune pe rezistena RE. Deoarece
potenialul bazei fa de mas este constant, tensiunea pe jonciunea emitor
va trebui s scad. Scderea lui UBE va determina scderea curentului de

emitor, deci i a celui de colector i fenomenul se atenueaz. Procesul poate
fi sintetizat n urmtoarea diagram:
T ICBo IC IERE UBE IC
IC
VB = const.
U BE IE
R2 RE
Fig.3.11
De fapt, prezena rezistenei RE n circuitul de polarizare determin
o reacie negativ n curent continuu. Ce este reacia n general i reacia
negativ n particular vom vedea ceva mai trziu.
3.2.3 Polarizarea prin curentul de baz
Polarizarea jonciunilor tranzistorului se poate realiza i fr divizor de
tensiune n baz, folosindu-ne de existena curentului de baz. O astfel de
schem de polarizare este prezentat n fig.3.12
+EC
R1` Rc
IC
IB
UCE
UBE IE
RE
Fig.3.12
Din sistemul de ecuaii (3.6) (3.12), ecuaiile (3.10) i (3.12) vor fi
nlocuite cu ecuaia:
E c = I B R1 + U BE + I E RE (3.14)
Deoarece curentul de baz este foarte mic (A sau zeci de A),
valoarea rezistenei R1 trebuie sa fie de cteva sute de k sau chiar 1 M,
pentru a avea pe ea o cdere de tensiune care s asigure un potenial pe baz

capabil s deschid jonciunea baz-emitor. Avantajul acestei modaliti de
polarizare este acela c, n absena rezistenei R2, impedana de intrare este
mai mare (n regim de variaii rezistenele R1 i R2 apar conectate n paralel
la mas ne vom convinge de acest adevr ceva mai trziu). Dezavantajul
este o stabilitate mai mic la variaiile de temperatur datorit absenei
rezistenei R2.
3.2.4 Importana curentului de baz

n ecuaiile (3.9) (3.12), scrise pentru schema de polarizare din fig.3.9, am
neglijat curentul de baz, IB, n raport cu cel de colector i cel de emitor. n
multe situaii practice erorile provocate de aceast aproximaie sunt
neglijabile. Dac ns tranzistorul se afl n conducie puternic, intensitatea
curentului de baz ajunge la cteva zeci de A i influena sa asupra
punctului static de funcionare nu mai poate fi neglijat. Aceast afirmaie
poate demonstrat pe baza schemei concrete de polarizare cu divizor de
tensiune n baz prezentat n fig.3.13.
+EC = 12V
Rc
R1` 39k
2,4k
IB
I
VB
RE
R2 10k 600
Fig.3.13
Dac IB = 0, atunci potenialul fa de mas al bazei este:
R2
VB = Ec = 2,45V
R1 + R2
Dac IB = 5 A, atunci potenialul fa de mas se va micora cu:
VB = I B R1 = 0,195V
o valoare care n prim aproximaie poate fi neglijat.
Dac IB = 50 A, atunci potenialul fa de mas se va micora cu:

VB = I B R1 = 1,95V
o valoare care de data aceasta nu mai poate fi neglijat.
Rmne deci la latitudinea proiectantului cnd poate neglija
influena curentului de baz asupra punctului static de funcionare i cnd
nu.
3.3 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar

Am vzut c tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol (vezi fig.3.5
pentru conexiunea emitor comun). n multe aplicaii practice, la intrarea
cuadrupolului se aplic un semnal variabil n timp (n particular el poate fi i
un semnal sinusoidal), tranzistorul fiind polarizat deja n curent continuu
ntr-un punct de funcionare static. Astfel, peste potenialele statice (fixe) se
vor suprapune i potenialele datorate cmpului variabil determinat de
semnalul de intrare. Tranzistorul va fi supus simultan la dou regimuri de
funcionare: regimul static, pe care l-am analizat anterior i regimul dinamic.
Analiza regimului dinamic este o problem complex. Ea poate fi
ns simplificat dac facem urmtoarele presupuneri:
pe toat durat aplicrii semnalului variabil la intrare, punctul
de funcionare nu prsete poriunea de caracteristic de
transfer corespunztoare zonei active de funcionare (fig.3.7b).
pe aceast poriune caracteristica de transfer este liniar.
Deci, modelul pe care-l vom prezenta n continuare este unul liniar.
n fig.3.14 este prezentat un tranzistor de tip npn n conexiune emitor
comun, privit ca un cuadrupol.
ICo ic
ib IBo
UCEo uce
ube UBEo
Fig.3.14
Presupunem c el a fost polarizat n curent continuu ntr-un punct
static de funcionare aflat n zona activ, caracterizat de valorile.: UBEo, IBo,
UCEo i ICo. Presupunem de asemenea c la intrarea cuadrupolului apare la
un moment dat o variaie a tensiunii dintre baza i emitorul tranzistorului,
ube, datorat semnalului aplicat. Sensul sgeii ne indic faptul ca la
momentul considerat potenialul variabil al bazei este mai mare dect cel al
emitorului. Creterea de potenial se adaug potenialului static al bazei,
ceea ce determin o cretere a curentului de baz cu valoarea ib. Creterea
curentului de baz va determina creterea curentului de colector cu valoarea
ic i variaia corespunztoare, uce, a tensiunii colector-emitor.
Vom considera, ca i n cazul definirii parametrilor statici, drept
variabile independente curentul de baz i tensiunea colector-emitor, astfel
nct vom avea funciile:
u be = u be (ib , u ce ) (3.15)
ic = ic (ib , u ce ) (3.16)
Difereniind cele dou funcii obinem:
u be u
u be = ib + be u ce (3.17)
ib u ce
ic i
ic = ib + c u ce (3.18)
ib u ce
Pe baza ecuaiilor (3.17) i (3.18) se definesc parametrii h, sau
parametrii hibrizi, pentru regimul dinamic al tranzistorului bipolar:
u be
h11 = (3.19)
ib uce =0
u be
h12 = (3.20)
u ce ib =0
ic
h21 = (3.21)
ib uce =0
ic
h22 = (3.22)
u ce ib =0
Folosind aceti parametrii, ecuaiile (3.17) i (3.18) devin:

u be = h11ib + h12 u ce (3.23)
ic = h21ib + h22 u ce (3.24)
Ecuaia (3.23) are semnificaia unei sume algebrice de tensiuni iar

ecuaia (3.24) a unei sume algebrice de cureni. Cele dou ecuaii reprezint
aplicarea legilor lui Kirchhoff pe intrarea, respectiv pe ieirea cuadrupolului
tranzistor. Pornind de la ele poate fi construit schema electric
echivalent din fig.3.15.
ib h11 ic
ube h12uce h21ib h-122 uce
Fig.3.15
Analiznd acest schem i cunoscnd relaiile de definiie (3.19)
(3.22) a parametrilor hibrizi, se pot stabili semnificaiile fizice ale acestora.
Le menionm n continuare, mpreun cu ordinele lor de mrime:
h11 impedana de intrare cu ieirea n scurtcircuit, sute - k
h12 factorul de transfer invers n tensiune cu intrarea n gol, 10-3
10-4
h21 factorul de amplificare dinamic n curent cu ieirea n scurt, 101
102
1
h22 admitana de ieire cu intrarea n gol, h22 105
Pentru a nu rmne cu impresia c tot ce am vzut pn acum este
doar o teorie frumoas, trebuie s menionm faptul c parametrii h sunt
mrimi caracteristice fiecrui tip de tranzistor i c ei sunt precizai n
cataloage de ctre firmele productoare. Cunoscnd valorile lor concrete,
pentru analizarea regimului dinamic al unui circuit care conine un tranzistor
noi l putem nlocui cu schema din fig.3.15 rezultnd o schem echivalent a
ntregului circuit. Aceast schem va conine doar elemente de circuit
simple (surse de curent i tensiune, rezistene, condensatori, bobine) a cror
comportare o cunoatem i putem face analiza teoretic a comportrii
circuitului.
3.4 Alte tipuri de tranzistori bipolari

3.4.1 Tiristorul (SCR Silicon Controlled Rectifier)
Tiristorul este un dispozitiv multijonciune cu structura prezentat schematic
n fig.3.16a. Simbolul folosit n scheme este prezentat n fig.3.16b. Structura
intern a tiristorului ne sugereaz prezena a dou structuri

complementare de tip tranzistor, suprapuse astfel nct jonciunile
colectoare s fie comune. El are trei terminale numite anod, catod i poart.
Poarta este elementul de control al funcionrii tiristorului. Ea poate fi
polarizat sau nu.
jonctiuni
emitoare
A C
p n p n A C
anod catod
G
jonctiune G
colectoare poarta
a b
Fig.3.16
Dac anodul este polarizat pozitiv fa de catod iar poarta este
nepolarizat, jonciunile emitoare sunt polarizate direct iar jonciunea
colectoare este polarizat invers. Fiind polarizat invers, jonciunea
colectoare va prezenta o rezisten mare trecerii purttorilor de sarcin,
astfel nct pentru valori mici ale tensiunii dintre anod i catod, UAC,
curentul prin structura semiconductoare va fi foarte mic. Pe msur ce
crete tensiunea de polarizare UAC, crete i tensiunea invers pe jonciunea
colectoare i, la o anumit valoare a acesteia, ncepe multiplicarea n
avalan a purttorilor de sarcin. Aceasta are drept consecine:
scderea rezistenei jonciunii colectoare
creterea brusc a curentului ntre anod i catod
Pentru ca aceast cretere s nu fie necontrolat i s duc la
distrugerea structurii, n circuitul de polarizare a tiristorului trebuie
conectat o rezisten de limitare a curentului.
Tensiunea la care ncepe multiplicarea n avalan a purttorilor de
sarcin se numete tensiune de strpungere, Ust. Caracteristica volt-
amperic a tiristorului fr polarizarea porii este prezentat n fig.3.17,
curba continu. Dac pe poart se aplic un potenial pozitiv fa de catod
cu scopul generrii unui curent de poart, tiristorul ncepe s conduc la
tensiuni cu att mai mici cu ct potenialul pozitiv al porii este mai mare.
Caracteristicile volta-mperice vor urma traseele punctate din fig.3.17.
Curentul de poart este mult mai mic dect curentul dintre anod i catod,
astfel nct cu un curent mic poate fi controlat apariia unui curent mare. Se
poate deci concluziona c tiristorul este un dispozitiv comandat n
curent.
IA
Ust - tensiune de strapungere
Ug2 >Ug1 Ug1 >Ugo

Ugo= 0
0 Ust2 Ust1 Usto UAC
Fig.3.17
Strpungerea spaiului dintre anod i catod se mai numete
aprindere sau amorsare, prin similitudine cu ceea ce se ntmpl ntr-un
tub de descrcare cu gaz. Dup strpungere, potenialul porii nu mai are
nici un efect asupra curentului prin tiristor iar poarta i pierde rolul de
electrod de comand. De aceea, pentru amorsare este suficient ca pe poart
s se aplice impulsuri scurte de tensiune. Stingerea tiristorului se poate
face numai prin micorarea tensiunii de polarizare UAC sau prin inversarea
polaritii ei.
Fig.3.18
Una dintre aplicaiile cele mai frecvente ale tiristorului este

redresarea comandat. n fig.3.18a este prezentat o schem simpl pentru
aceast aplicaie. La intrarea circuitului se aplic o tensiune alternativ
periodic, u, a crei amplitudine este mai mic dect tensiunea de
strpungere. Pe poart se aplic impulsuri pozitive, uc, cu aceeai perioad
ca i a semnalului comandat. Dac n momentele aplicrii impulsurilor
exist corelaia corespunztoare ntre mrimea tensiunii comandate i
amplitudinea impulsului de comand, tiristorul se va deschide i prin circuit
va ncepe s circule curentul i care urmrete forma tensiunii u (admitem
faptul ca nu avem elemente reactive care s produc defazaj). La schimbarea
polaritii tensiunii de intrare curentul se va stinge. Apoi, procesul se
repet periodic. Formele de und ale celor trei semnale sunt prezentate n
fig.3.18b. Curentul prin circuit va avea forma unui semnal redresat
monoalterna cu un factor de umplere sub 50%. Mrimea factorului de
umplere poate fi modificat att prin modificarea defazajului dintre
semnalul de comand i semnalul redresat ct i a amplitudinii sale, astfel
nct n momentul aplicrii unui impuls de aprindere s fie ndeplinit
condiia de amorsare.
O structur semiconductoare similar cu a tiristorului dar fr
electrodul de comand (poart) se numete dinistor sau diod de comutaie
(Shockley). Dioda de comutaie intr n stare de conducie numai sub
aciunea semnalului aplicat ntre anod i catod. Trecerea ei din stare de
blocare n stare de conducie i invers se face foarte rapid.
3.4.2 Triacul
n multe aplicaii este nevoie de comanda bilateral a unui semnal alternativ,
att n alternana pozitiv ct i n alternana negativ. Pentru aceasta este
nevoie de un dispozitiv asemntor tiristorului dar care s poat intra n
conducie n ambele sensuri. Acesta poate fi realizat din dou structuri
antiparalele de tip tiristor. Un astfel de dispozitiv se numete triac.
I
poarta terminal 1
terminal 2
Fig.3.19
Simbolul unui triac i caracteristica sa volt-amperic sunt prezentate

n fig.3.19. Datorit simetriei dispozitivului comanda se poate face cu orice
fel de polaritate a impulsurilor aplicate pe poart. Curentul injectat n poart
modific caracteristica volt-amperic la fel ca la tiristor.
O structur de tip triac fr poart se numete diac. Intrarea sa n
stare de conducie ntr-un sens sau altul este determinat doar de nivelul i
polaritatea tensiunii aplicate ntre cele dou terminale ale sale. Diacul poate
fi folosit la comanda aprinderii triacurilor. Una din schemele folosite n
acest scop este prezentat n fig.3.20.
R Rs
diac
triac
C
Fig.3.20
Condensatorul C se poate ncrca prin rezistena R cu ambele
polariti. Cnd tensiunea pe el atinge valoarea necesar realizrii
strpungerii diacului, acesta va injecta curent n poarta triacului care va intra
la rndul su n stare de conducie.
3.4.3 Tranzistorul Schottky

+5V
1 k
UBC= 0,5V
VC= 0,2V
10 k
+5V
VB= 0,7V
Fig.3.21
La analiza regimurilor de funcionare ale tranzistorului bipolar (vezi i
fig.3.7) am constatat c dac el se afl n stare de saturaie atunci
U BE 0,7V iar U CE 0,2V . Aceast situaie este prezentat n fig.3.21 n
care sunt notate potenialele fa de emitor ale bazei i colectorului
tranzistorului. Se poate observa imediat c jonciunea baz-colector este

polarizat direct cu o tensiune cel puin egal cu 0,5V.
S ne amintim c n starea de blocare a tranzistorului, jonciunea
baz-colector este polarizat invers. Cnd tranzistorul lucreaz n regim de
comutaie el trebuie s treac ct mai rapid posibil dintr-o stare n alta
(blocat saturat blocat - ). La trecerea tranzistorului din starea de
saturaie n starea de blocare, electronii din baz, unde sunt purttori
minoritari, trebuie readui n colector, unde sunt majoritari, iar golurile din
colector trebuie readuse n baz. Procesul de redistribuire a sarcinilor n
vecintatea jonciunii nu se poate face instantaneu. Timpul necesar trecerii
dintr-o stare n alta se numete timp de comutaie i este de dorit ca el s
fie ct mai mic posibil. Cu ct tensiunea de polarizare direct a jonciunii
baz-colector n regim de saturaie este mai mic, cu att numrul de
purttori de sarcin care trebuie redistribuii este mai mic i timpul de
comutaie se va micora. Micorarea tensiunii de polarizare direct a
jonciunii baz-colector se poate face dac ntre baz i colector se
realizeaz o structur semiconductoare de tip diod Schottky.
Un tranzistor cu o astfel de structur este tranzistorul Schottky
(fig.3.22). Prezena diodei Schottky nu va permite creterea tensiunii de
polarizare direct a jonciunii baz-colector n regim de saturaie peste
0,35V, astfel nct timpul de comutaie din starea de saturaie n starea de
blocare se va micora considerabil iar viteza de comutaie va crete.
Fig.3.22
3.4.4 Fototranzistorul
Principiul de funcionare a unui fototranzistor se bazeaz pe efectul
fotoelectric intern: generarea de perechi electron-gol ntr-un semiconductor
sub aciunea unei radiaiei electromagnetice cu lungimea de und n
domeniul vizibil sau ultraviolet. Dac semiconductorul este supus unei
diferene de potenial, atunci el va fi parcurs de un curent a crui intensitate
va depinde de mrimea fluxului luminos incident. Intensitatea lui poate fi
mrit prin utilizarea proprietii structurii de tranzistor de a amplifica

curentul.
Fototranzistorul (fig.3.23a) este un tranzistor cu regiunea jonciunii
emitor-baz expus iluminrii, astfel nct rolul diferenei de potenial dintre
baz i emitor este jucat de fluxul luminos incident pe jonciunea emitoare.
Generarea de perechi electron-gol contribuie la micorarea barierei de
potenial a jonciunii i deschiderea ei mai mult sau mai puin, n funcie de
numrul de fotoni incideni. Terminalul bazei poate lipsi sau, dac exist, el
permite un control suplimentar al curentului de colector.
+EC
IC dreapta de
sarcina
Rc Ec
Rc
h
IC
UCE
=0
0 Ec UCE
a b
Fig.3.23
Caracteristicile de ieire ale unui fototranzistor sunt similare cu cele
ale unui tranzistor obinuit, cu deosebirea c, n locul parametrului IB apare
iluminarea sau fluxul luminos (fig.3.23b).
67
4 AMPLIFICAREA
Una dintre funciile cele mai importante ale tranzistorului este cea de
amplificare. Dispozitivul capabil s amplifice tensiunea, curentul sau
puterea este un amplificator. El conine cel puin un element activ de circuit
care realizeaz funcia de amplificare. Tranzistorul poate fi folosit att
pentru amplificarea curentului continuu ct i pentru amplificarea
semnalelor variabile n timp.
4.1 Amplificarea curentului continuu

Dup cum am artat n capitolul referitor la structura i caracteristicile
tranzistorului bipolar, ntre curentul static de colector i cel de baz exist
relaia: I C I B . Deoarece pentru majoritatea tranzistorilor c este de
ordinul 102, rezult o amplificare considerabil a curentului care traverseaz
structura de tranzistor ntre emitor i colector.
Att n curent alternativ ct i n curent continuu, pentru obinerea
unei amplificri ct mai mari se conecteaz n cascad dou sau mai multe
etaje de amplificare. n curent alternativ cuplajul dintre etaje este de cele
mai multe ori capacitiv sau inductiv iar n curent continuu cuplajul este
direct.
n curent continuu, pentru obinerea unui factor de amplificare mai
mare se folosesc cu succes tranzistorii compui. Pe lng factorul de
amplificare ridicat, tranzistorii compui au i o rezisten de intrare mai
mare dect un singur tranzistor. Cele mai utilizate combinaii de tranzistori
pentru obinerea unui factor de amplificare mare n curent continuu sunt
combinaia Darlington i combinaia super-G.
Tranzistorul compus Darlington este prezentat n fig.4.1.
IC
IC1 C
IC
T1 Ic2
IB = IB1 B
Tech
IB npn
T2
IE1 = IB2 IE
IE = IE2
E
Fig.4.1
68 Amplificarea
El este alctuit din doi tranzistori de tip npn, factorul de amplificare

al tranzistorului compus fiind:
IC
ech = (4.1)
IB
Pe baza schemei de conexiune a celor doi tranzistori se pot scrie
urmtoarele relaii ntre cureni:
I B = I B1 (4.2)
I C = I C1 + I C 2 (4.3)
I C1 = 1 I B1 (4.4)
I C 2 = 2 I B 2 = 2 I E1 = 2 (I B1 + I C1 ) = 2 (I B1 + 1 I B1 ) (4.5)
nlocuind relaiile (4.2) (4.5) n relaia (4.1) se obine expresia
factorului de amplificare n curent continuu al tranzistorului compus
Darlington:
ech = 1 + 2 + 1 2 (4.6)
care este cel puin egal cu produsul factorilor de amplificare n curent
continuu ai celor doi tranzistori componeni.
Tranzistorul compus se comport n circuit ca un tranzistor de tip
npn cu factorul de amplificare n curent continuu egal cu ech.
Tranzistorul compus superG este o combinaie de doi tranzistori
complementari, pnp i npn, conectai ca n fig.4.2. Aceast combinaie se
comport ca un tranzistor npn cu factorul de amplificare static avnd
expresia (4.1).
IE2 = IC C
IC1 = IB2 IC
T2
B Tech
IB npn
T1 IC2
IB = IB1
IE1 IE
IE E
Fig.4.2
Procednd n mod asemntor cazului precedent se obin relaliile:

I C = I E 2 = I B 2 + I C 2 = I C1 (1 + 2 ) (4.7)
I C1 = 1 I B1 (4.8)
I B = I B1 (4.9)
nlocuind relaiile (4.7) (4.9) n relaia (4.1) obinem expresia
factorului de amplificare n curent continuu al tranzistorului compus super
G:
ech = 1 + 1 2 (4.10)
4.2 Amplificarea semnalelor variabile

Amplificarea unui semnal variabil nseamn i o cretere a energiei pe
acesta transport. Aceast cretere este realizat pe seama consumului de
energie de curent continuu furnizat de sursa de alimentare a circuitului de
amplificare. Sau, altfel spus, elementul activ convertete energia de curent
continuu n energie de curent alternativ.
4.2.1 Clasa de funcionare

Una dintre cele mai folosite conexiuni pentru amplificarea semnalelor
variabile (n particular a celor armonice) este conexiunea emitor comun.
Vom vedea ceva mai trziu c prin completarea cu cteva elemente de
circuit a schemei de polarizare n curent continuu prezentat n fig.3.9 se
obine o schem de amplificare semnalelor variabile n timp. Semnalul pe
care dorim s-l amplificm se aplic ntre baza tranzistorului i borna de
mas. n funcie de relaia dintre amplitudinea semnalului variabil i poziia
punctului static de funcionare al tranzistorului pot exista mai multe clase de
funcionare a amplificatoarelor de semnale variabile. Pentru a le explica, ne
vom folosi de caracteristica de transfer n tensiune prezentat n fig.3.8.
Caracteristica de transfer a fost liniarizat pe cele trei poriuni pentru a
nelege mai uor influena poziiei punctului static de funcionare asupra
formei semnalului de ieire.
Presupunem c pe baza tranzistorului aplicm unui semnal
sinusoidal mic, ube. O variaie ube a acestuia va determina o variaie uce, a
tensiunii dintre colector i emitor care se va suprapune peste tensiunea de
polarizare static (continu). Modul n care variaz aceasta depinde de
poziia punctului static de funcionare, M, pe caracteristica de transfer. n
fig.4.3 sunt prezentate cele patru situaii posibile pe baza crora se definesc
clasele de funcionare.
70 Amplificarea
UCE UCE
uce blocare, IC = 0
EC EC
M t
uce
M t
UCEsat UCEsat
UBE a UBE b
ube ube
clasa A clasa AB
c = T T/2 c T
t t
UCE UCE
blocare, IC = 0 M blocare, IC = 0
t
EC t EC M
uce uce
UCEsat UCEsat
UBE c UBE d
clasa B ube clasa C ube
c = T/2 c T/2
t t
Fig.4.3
Clasa de funcionare se definete n funcie de intervalul de timp, c,

dintr-o perioad T a semnalului care este amplificat n care elementul activ
(tranzistorul) se afl n stare de conducie.
Astfel, se definesc patru clase de funcionare:
clasa A, c = T, tranzistorul se afl tot timpul n stare de
conducie n zona activ (fig.4.3a).
clasa AB, T/2 < c < T, un interval mai mic dect o jumtate de
perioad tranzistorul este blocat i IC = 0. Semnalul de ieire nu
va mai fi sinusoidal (fig.4.3b).
clasa B, c =T/2, o jumtate de perioad tranzistorul lucreaz n
zona activ i o jumtate de perioad este blocat. Semnalul de
ieire arat ca un semnal redresat monoalternan dar este
amplificat (fig.4.3c).
clasa C, c < T/2, tranzistorul lucreaz n zona activ mai puin
dect o jumtate de perioad a semnalului aplicat la intrare. La
ieire el are aspectul unor vrfuri de sinusoid (fig.4.3d). Aceast

clas de funcionare este folosit n amplificatoarele de putere
care au ca sarcin un circuit rezonant LC sau la oscilatoarele de
radiofrecven.
n fig.4.3 am pstrat aceeai amplitudine a semnalului de intrare
pentru a exemplifica toate clasele de funcionare. Din analiza formelor de
und ale semnalelor de ieire se poate observa c doar n clas A forma
semnalului de ieire este aceeai cu cea a semnalului de intrare. n celelalte
clase de funcionare, n intervalul de timp n care tranzistorul este blocat
curentul de colector este nul i tensiunea de ieire este limitat la valoarea
Ec. Ce se ntmpl ns dac amplificatorul funcioneaz n clas A dar
mrim amplitudinea semnalului de intrare? Rspunsul l gsim n
reprezentarea grafic din fig.4.4.
UCE
EC
uce
M t
U CEsat
UBE
ube
t
Fig.4.4
Pentru amplitudini mari ale semnalului de intrare tranzistorul poate
iei din zona activ de funcionare. n alternana pozitiv el trece n regim de
saturaie iar n alternana negativ n regim de blocare, astfel nct semnalul
de ieire este unul cu aspect de sinosoid cu vrfurile retezate.
n general, deformarea semnalului de ieire depinde att de
amplitudinea semnalului de intrare ct i de poziia punctului static de
funcionare pe caracteristica de transfer. Ea se datoreaz neliniaritii
caracteristicii de transfer. Doar pentru nivele mici ale semnalului de intrare
ntre amplitudinea semnalului de ieire i amplitudinea semnalului de intrare
se poate stabilii o relaie liniar, de direct proporionalitate. De aceea
modelul liniar cu parametri hibrizi (vezi capitolul precedent) este un model
de semnal mic.
72 Amplificarea
4.2.2 Parametrii amplificatoarelor

Cei mai importani parametrii caracteristici ai amplificatoarelor sunt:
factorul de amplificare, banda de trecere (sau de frecvene) i gama
dinamic. Factorul de amplificare se definete ca i n cazul unui cuadrupol
(vezi Cap.1) astfel nct nu vom mai reveni asupra definiiei lui.
Nu exist nici un amplificator care s amplifice n egal msur
semnalele electrice pe ntreg domeniul lor frecven: audiofrecven,
radiofrecven, foarte nalt frecven i ultranalt frecven. Orice
amplificator are o caracteristic de frecven care poate fi reprezentat grafic
ca dependen a factorului de amplificare de frecvena semnalului
amplificat. Pentru majoritatea amplificatoarelor, ntr-o reprezentare
calitativ, caracteristica de frecven are aspectul grafic prezentat n fig.4.5.
Se poate observa existena unui domeniu de frecvene n care amplificarea
este maxim i aproape constant (Auo), n timp ce la frecvene mici i mari
amplificarea semnalelor scade.
Au
Auo
Auo
2
f
f1 f2
Fig.4.5
Se definete banda de trecere (sau banda de frecvene) a unui
amplificator, ca fiind diferena dintre frecvenele la care factorul de
amplificare scade la 1 / 2 (-3dB) din valoarea sa maxim. Conform figurii
4.5:
B3dB = f2 - f1 (4.11)
La frecvene nalte banda de trecere este limitat de capacitile
interne ale elementului activ dar i de capacitile parazite al montajului
propriu-zis (de regul efectul lor cumulat este de ordinul zecilor de pF). Ele
au un efect de untare a intrrii i ieirii amplificatorului la frecvene nalte.
La frecvene joase ea este limitat de capacitile condensatoarelor de
separare a semnalului variabil de cel continuu care mnnc o parte din
semnalul util. Noiunile de frecvene nalte sau joase au un caracter relativ.
Ele se raporteaz la domeniul de frecvene n care amplificarea este maxim.
Caracteristica amplificare-frecven poate fi reprezentat i sub

Au A
form normalizat: = u ( f ) . O astfel de reprezentare poart
Auo Auo
denumirea de diagram Bode.
ntre semnalul de ieire i cel de intrare poate s apar un defazaj
datorat efectului elementelor reactive din circuitul de amplificare. Acest
defazaj ( ) depinde de frecvena semnalului de intrare i al poate fi
reprezentat grafic sub forma = ( f ) sau sub forma unei diagrame Bode,

= ( f ) , unde o este defazajul dintre semnalul de ieire i cel de
o o
intrare la mijlocul benzii de frecvene.
Mrimea factorului de amplificare depinde ns i de mrimea
(amplitudinea) semnalului de intrare. La prima vedere am fi tentai s
credem c un amplificator cu Au = 100 la frecvena de 1kHz, va avea la
ieire un semnal de 100V dac semnalul de intrare are 1V, 100mV dac
semnalul de intrare este de 1mV i 100V dac semnalul de intrare este 1V.
Practic vom constata c numai cea de a doua afirmaie este adevrat.
Pentru nivele mici i mari ale semnalului de intrare factorul de amplificare
va fi mai mic de 100 i ntre tensiunea de ieire i cea de intrare nu mai este
o relaie de direct proporionalitate (fig.4.6).
U ies
UiesM
Uiesm
Uin
Uinm UinM
Fig.4.6
Explicaia acestui fenomen este simpl. Pentru nivele foarte mici ale
semnalului de intrare, factorul de amplificare scade datorit influenei
zgomotelor din circuit care devin comparabile ca nivel cu nivelul semnalului
de intrare. La un moment dat este posibil ca semnalul util s fie chiar
necat n zgomot. Pentru nivele mari ale semnalului de intrare, factorul de
amplificare scade datorit neliniaritii caracteristicii de transfer a
elementului activ. El poate fi limitat att superior ct i inferior datorit
intrrii elementului activ n stare de blocare sau de saturaie (vezi i fig.4.4).
Astfel, forma de und a semnalului de ieire apare deformat fa de forma
74 Amplificarea
de und a semnalului de intrare. Este imposibil ca amplitudinea semnalului

de ieire s fie mai mare dect tensiunea de alimentare a amplificatorului,
indiferent ct de mare este amplitudinea semnalului de intrare.
Pornind de la cele artate mai sus, pe baza reprezentrii grafice din
fig.4.6 se definete gama dinamic a unui amplificator, exprimat n
decibeli:
U iesM U
DdB = 20 log = 20 log inM (4.12)
U iesm U inm
unde valorile minime i maxime ale tensiunilor de ieire i intrare
delimiteaz poriunea liniar a reprezentrii grafice. n interiorul gamei
dinamice, ntre tensiunea de ieire i cea de intrare este o relaie de direct
proporionalitate i forma de und a semnalului de ieire este similar
formei de und a semnalului de intrare. Altfel spus, n interiorul gamei
dinamice, dac semnalul de intrare este pur sinusoidal i semnalul de ieire
va fi pur sinusoidal.
4.2.3 Amplificatorul conexiune emitor comun
+EC
R1` Rc
CC
CB Rsarc uies
Rs
R2 RE CE
us
Fig.4.7
Un amplificator cu tranzistor bipolar conexiune emitor comun se
construiete foarte uor pornind de la schema de polarizare n curent
continuu cu divizor de tensiune n baz (fig.3.8). Valorile rezistenelor de
polarizare se calculeaz n funcie de parametrii tranzistorului folosit i de
clasa de funcionarea dorit. Dac dorim amplificarea unor semnale mici
sinusoidale, care la ieire s fie tot sinusoidale, punctul static de funcionare
se va alege astfel nct amplificatorul s lucreze n clas A. Schema de

polarizare n curent continuu se completeaz cu civa condensatori de
cuplaj (fig.4.7). Din start trebuie fcut urmtoarea precizare: tranzistorul va
fi supus simultan aciunii a dou semnale, semnalul continuu (static) care
stabilete punctul static de funcionare i semnalul variabil n timp (dinamic)
care va fi amplificat. De aceea se poate vorbi despre dou regimuri de
funcionare, regimul static, analizat n capitolul precedent i regimul
dinamic, de care ne vom ocupa n continuare.
Semnalul pe care dorim s-l amplificm (furnizat de sursa de
tensiune us cu rezistena intern Rs) se aplic prin intermediul
condensatorului Cb pe baza tranzistorului. Condensatorul trebuie s lase
semnalul s treac practic neatenuat spre tranzistor i, n acelai timp, s
blocheze curentul continuu de polarizare static care curge prin R1, astfel
nct el s nu se ndrepte i spre sursa de semnal. Capacitatea sa se alege
astfel nct, la frecvena semnalului amplificat, el s prezinte o reactan
neglijabil fa de celelalte elemente din schem i practic s poat fi
considerat un scurtcircuit la aceast frecven.
Semnalul de ieire este luat de pe colectorul tranzistorului (borna
cald) prin intermediul condensatorului Cc care trebuie s permit
semnalului amplificat s treac nestingherit spre sarcina amplificatorului
(aici Rsarc) i s nu permit componentei continue a curentului de colector s
1
treac prin aceasta. Valoarea sa se alege astfel nct << Rsarc. Dac un
C c
curent continuu ar trece prin rezistena de sarcin, acesta ar translata
tensiunea de ieire nspre valori pozitive cu o tensiune egal cu cderea de
tensiune continu pe rezistena de sarcin, determinnd i un consum
suplimentar de energie de la sursa de alimentare.
Am vzut c rezistena din emitorul tranzistorului, RE are n primul
rnd rolul de stabilizare a punctului static de funcionare la variaiile de
temperatur. Deci prezena ei este aproape obligatorie. Pe de alt parte, dac
componenta variabil a curentului care trece prin tranzistor trece i prin RE,
atunci o parte din energia acesteia se consum pe aceast rezisten i
nivelul semnalului de ieire va fi mai mic. Pentru a evita acest neajuns, n
paralel cu RE se conecteaz un condensator de decuplare, CE, cu o astfel de
1
capacitate nct << RE. Dac aceast condiie este satisfcut,
C E
condensatorul CE va reprezenta un scurtcircuit spre borna de mas pentru
componenta variabil a curentului de emitor. Astfel, din punct de vedere al
semnalului variabil n timp, emitorul tranzistorului are potenialul masei. De
aceea se mai spune despre acest tip de amplificator ca lucreaz cu emitorul
76 Amplificarea
la mas. Este evident c pentru componenta continu a curentului de

emitor, condensatorul CE va fi echivalent cu o ntrerupere, astfel nct
aceasta va trece spre borna de mas doar prin RE.
Avnd n vedere aceste precizri, este clar c amplificatorul se
comport n mod diferit fa de cele dou tipuri de semnale: semnalul
continuu, static i semnalul variabil n timp, care trebuie amplificat. n
regim static, de curent continuu, toi condensatorii pot fi nlocuii cu cte o
ntrerupere a ramurii n care se afl ( = 0, 1/C ), astfel nct schema
amplificatorului se reduce la cea din fig.4.8a. Ea nu este altceva dect
schema de polarizare n curent continuu a tranzistorului bipolar cu care se
stabilete poziia punctului static de funcionare, M (fig.4.8b). El se afl la
intersecia dintre dreapta de sarcin n regim static i caracteristica volt-
amperic de ieire, corespunztoare curentului de baz IBo.
+EC
IC
R1` Rc
Ec dreapta de sarcina
in regim static
Rc +RE
ICo
punct static
IBo de functionare
UCEo
M IBo
ICo
UBo tgs = 1/(RC + RE)
R2 RE s
o UCE
UCEo Ec
a b
Fig.4.8
n regim dinamic, la frecvena pentru care amplificatorul a fost
proiectat s aib o amplificare maxim, fiecare condensator poate fi nlocuit
cu un scurtcircuit. De asemenea, deoarece Ec = const. , Ec = 0 i, n regim
de variaii, sursa de alimentare n curent continuu poate fi nlocuit cu un
scurtcircuit. Astfel, schema echivalent n regim dinamic a amplificatorului
va fi cea din fig.4.9a. Pentru simplitate, am considerat c rezistena de
sarcin este mult mai mare dect Rc. Dac aceast aproximaie nu poate fi
fcut, n schema din fig.4.9a, n locul lui Rc va apare rezistena echivalent
a acesteia conectat n paralel cu Rsarc.
IC dreapta de sarcina
UCEo
ICo+ Rc
in regim static
ib ic
uce dreapta de sarcina
in regim dinamic
Rc uies = uce = -Rcic
Rs ube
R1 R2 M IBo
ICo
us tgd = 1/Rc
d
o UCE
UCEo UCEo+ICoRc
a b
Fig.4.9
Se vede c ntre variaia curentului de colector i variaia tensiunii
u
dintre colector i emitor se poate stabili dependena i c = ce , care
Rc
1
reprezint o dreapt cu panta tg d = . Aceasta este dreapta de sarcin
Rc
n regim dinamic i ea trece prin punctul static de funcionare, M (fig.4.9b).
n regim dinamic, punctul de funcionare al tranzistorului se va plimba pe
aceast dreapt de sarcin, de o parte i de alta a punctului static de
funcionare. Punctele de intersecie cu cele dou axe de coordonate se pot
determina foarte simplu din cele dou triunghiuri haurate, cunoscnd cte o
catet i unghiul d.
Mecanismul prin care elementului activ (tranzistorul) amplific
semnalul se poate nelege pe baza analizei grafice din fig.4.10. Admitem c
punctul static de funcionare a fost stabilit n M i c pe baza tranzistorului
aplicm un semnal mic, sinusoidal, pe care l-am notat cu ube. O variaie ube
a tensiunii dintre baza i colectorul tranzistorului va determina o variaie ib
a curentului de baz, care, conform relaiilor de definire a parametrilor
hibrizi va fi:
u
ib = be (4.13)
h11
Variaia curentului de baz va fi amplificat, determinnd o variaie
a curentului de colector care, tiind c admitana de ieire este foarte mic
(h22 10 5 1 ), poate fi aproximat cu:
ube
ic h21 (4.14)
h11
78 Amplificarea
Aceast variaie a curentului de colector va determina plimbarea

punctului static de funcionare pe dreapta de sarcin n regim dinamic, ntre
punctele P i Q cu o frecven egal cu frecvena semnalului de intrare.
t t
ib uce
IC
U CEo
ICo+ R
c
P
ic
ICo M
t
Q
IBo d
IB UCE
UCEo UCEo+ICoRc
ube
t dreapta de sarcina
in regim dinamic
UBEo
UBE
Fig.4.10
Dup cum se poate observa att din aceast analiz grafic ct i din
comportarea amplificatorului n regim dinamic (fig.4.9), tensiunea dintre
colector i emitor (care este i tensiune de ieire) este n antifaz cu
tensiunea de intrare n tranzistor, ube. Astfel, variaia tensiunii de ieire poate
fi exprimat cu relaia:
h21
u ies Rc u be (4.15)
h11
Din relaia precedent se poate exprima amplificarea datorat
tranzistorului;
h21
Au T Rc (4.16)
h11
O analiz mai detaliat a funcionrii amplificatorului se poate face

construind schema echivalent la variaii a amplificatorului. Pentru aceasta
facem urmtoarele precizri:
tranzistorul se nlocuiete cu schema sa echivalent cu parametrii
hibrizi din fig.3.15 n care se poate neglija efectul sursei h12uce
pentru c tensiunea furnizat de ea este foarte mic
din punct de vedere al variaiilor borna de alimentare cu tensiune
continu este conectat la mas
n domeniul de frecvene n care amplificarea este maxim se pot
neglija efectele tuturor capacitilor
Se obine astfel schema echivalent din fig.4.11.
ib ic
Rs
R1 R2 h11 h21ib h-122 Rc Rsarc uies
us
Fig.4.11
Scopul nostru este s gsim o expresie util pentru factorul de
amplificare, expresie pe baza creia s putem proiecta un amplificator real.
Avnd n vedere valorile rezistenelor R1 i R2 (le-am vzut la polarizarea n
curent continuu) i a impedanei de intrare h11 a tranzistorului se poate
RR
aprecia c 1 2 >>h11. Astfel, variaia curentului de baz va fi:
R1 + R2
u s
ib = (4.17)
Rs + h11
Mergnd acum n circuitul de ieire vom observa c prin rezistena
1
echivalent paralel Rc|| h22 ||Rsarc circul de la borna de mas spre borna
cald curentul h21ib, astfel c tensiunea de ieire va fi:
1
uies = -h21 ib (Rc|| h22 ||Rsarc) (4.18)
Din relaiile (4.17) i (4.18) rezult expresia factorului de
amplificare la mijlocul benzii de frecvene:
80 Amplificarea
uies h21
Au o = = -1
(Rc|| h22 ||Rsarc ) (4.19)
u s h11 + Rs
Dac sursa de semnal este o surs de tensiune cu rezistena de ieire
foarte mic, atunci Rs << h11. De asemenea, dac rezistena din colector este
mult mai mic dect rezistena de sarcin i impedana de ieire a
1
tranzistorului (Rc << Rsarc, h22 ), atunci expresia factorului de amplificare
poate fi calculat cu o bun aproximaie cu relaia:
h21
Au o Rc (4.20)
h11
Sunt importante dou concluzii:
factorul de amplificare n tensiune este determinat n primul rnd de
parametrii de semnal mic ai tranzistorului i de rezistena din
colector
semnul - din expresia factorului de amplificare semnific defazajul
cu 180o al semnalului de ieire n urma semnalului aplicat la intrarea
amplificatorului
Este interesant de constatat ce se ntmpl dac din schema
amplificatorului se elimin condensatorul CE, adic dac emitorul nu mai
este conectat la mas din punct de vedere al variaiilor. Ne putem da seama
de consecinele acestei manevre judecnd lucrurile calitativ. n aceast
situaie, curentul variabil de emitor va fi obligat s se scurg la mas prin
rezistena RE. Astfel, o parte din energia semnalului de ieire se va disipa pe
aceast rezisten i semnalul de ieire va fi mai mic dect n prezena
condensatorului CE. Asta nsemn c factorul de amplificare va fi mai mic.
Ne putem continua filozofia spunnd i aa: rezistena RE se afl att n
circuitul de intrare, ct i n circuitul de ieire (emitor comun). innd
seama de sensurile tensiunilor la un moment dat, vom observa c tensiunea
sursei de semnal i tensiunea pe RE sunt n antifaz. Asta nsemn c
tensiunea de intrare pe tranzistor se va micora, deci i tensiunea de ieire va
fi mai mic. Se vede deci c o parte din semnalul de la ieire este readus la
intrare, n antifaz cu semnalul sursei. Acest proces poart denumirea de
reacie negativ i unul dintre efectele ei asupra amplificatorului este
micorarea factorului de amplificare al acestuia.
Aceste raionamente logice bazate pe fenomenele care au loc n
circuitul de amplificare pot fi demonstrate riguros pe baza schemei
echivalente din fig. 4.12. La desenarea ei am aplicat ipotezele

simplificatoare prezentate anterior.
ib ic
us h11 h21ib h-122 Rc

uies
RE
Fig.4.12
Pentru deducerea mai uoar a expresiei factorului de amplificare
aceast schem se poate modifica prin transformarea sursei de curent ntr-o
surs echivalent de tensiune, rezultnd schema din fig.4.13.
c
-1
h22
h21ib Rc
h22 uies
b h11

us RE
Fig.4.13
La curentul prin rezistena RE contribuie att curentul de baz ct i
cel de colector dar, avnd n vedere factorul de amplificare mare al
tranzistorului, n prim aproximaie contribuia curentului de baz poate fi
neglijat. Cu aceste precizri, dup rezolvarea sistemului de ecuaii:
u s = h11ib + RE ic (4.21)
82 Amplificarea
h21
h22
(
1
ib = h22 + Rc + R E ic ) (4.22)
u ies = Rc ic (4.23)
u ies
Au RN = (4.24)
u s
rezult urmtoarea expresie pentru factorul de amplificare:
h21
Rc
h11
Au RN = (4.25)
h
1 + 21 RE + h22 ( RC + RE )
h11
n relaia scris sub aceast form se vede imediat ca la numrtorul
ei apare factorul de amplificare fr reacie negativ iar numitorul este
supraunitar, deci AuRN < Auo.
4.2.4 Amplificatorul repetor pe emitor (conexiune colector

comun)
Fa de sarcina pe care debiteaz energie, amplificatorul reprezint o surs
de tensiune. Pentru ca ea s fie ct mai apropiat de o surs ideal este
necesar ca rezistena sa de ieire s fie ct mai mic posibil. Un amplificator
cu aceast calitate este repetorul pe emitor a crui schem este prezentat n
fig.4.14.
+EC
R1`
CE
CB
Rs
R2 RE Rsarc uies
us
Fig.4.14
Folosind aceleai aproximri ca i n cazurile precedente, schema

echivalent a amplificatorului repetor pe emitor este cea din fig.4.15.
ib ic
Rs
h11 h21ib -1
h22
us
RE Rsarc uies
Fig.4.15
Ea poate fi redesenat ntr-o form mai compact ca n fig.4.16, unde
rezistenele sunt grupate serie sau paralel, cu notaiile precizate.
tiind c ib << h21ib, pe baza schemei pot fi scrise urmtoarele
ecuaii:
'
u s = h11 ib + Rech h21ib (4.26)
u ies = Rech h21ib (4.27)
u ies
Au = (4.28)
u s
ib
,
h11=Rs+ h11
h21ib
uies
us
ib h21ib Rech= RE Rsarc h-122
Fig.4.16
84 Amplificarea
Din ele rezult expresia final a factorul de amplificare:

1
Au = '
(4.29)
h11 1
1+
h21 Rech
La o prim observare se vede imediat c factorul de amplificare este
subunitar. Dar ct de subunitar? Ne putem da seama de acest lucru dac
lum nite valori uzuale pentru mrimile care apar n relaia (4.29).
'
Astfel, dac: h11 = 2k , h21 = 100 i Rech RE = 500 , atunci
'
h11 1
4 10 2 i factorul de amplificare este aproape unitar: Au 1 .
h21 RE
Deci, se poate afirma c semnalul de ieire reproduce n form,
amplitudine i faz semnalul de intrare, amplificatorul comportndu-se la
ieirea sa ca o surs de tensiune aproape ideal.
4.2.5 Amplificatoare de putere

Amplificarea puterii unui semnal este limitat de puterea maxim pe care o
poate disipa elementul activ din amplificator, n cazul de fa tranzistorul
bipolar, pentru c de aceasta depinde puterea pe care el o poate pompa n
circuit. Puterea disipat maxim depinde de tehnologia de fabricaie a
tranzistorului. Pentru a amplifica semnalele pn la puteri mai mari s-au
construit amplificatoare cu dou tranzistoare care funcioneaz pe rnd,
acionnd asupra aceluiai semnal. Unul pompeaz energie n circuit o
jumtate de perioad, cellalt n jumtatea urmtoare. De aceea, astfel de
circuite se numesc amplificatoare n contratimp.
Una dintre schemele folosite ca amplificator n contratimp este
prezentat n fig.4.17a. Ea este realizat cu doi tranzistori npn (pot fi i pnp)
identici cu emitorii conectai la mas i cu bazele nepolarizate n curent
continuu. Deci, n regim static starea lor este cea de blocare. Semnalul care
va fi amplificat este aplicat pe bazele tranzistorilor prin intermediul unui
transformator cu priz median n secundar, astfel nct fiecare tranzistor va
fi deschis chiar de ctre semnal cte o jumtate de perioad. Fiecare
tranzistor va lucra deci ca un amplificator n clas B. Datorit neliniaritii
caracteristicii de transfer a tranzistorilor, cnd se intr pe poriunile neliniare
are loc o deformare a semnalului (abatere de la forma de und de la intrare)
care va determina apariia distorsiunilor de racordare (cross-over).
Blocarea unui tranzistor i intrarea n starea de conducie a celuilalt nu au
loc simultan iar semnalul de ieire va avea aspectul celui din fig.4.17b.
+EC
uin u conduce T1
t t
uies
T1
t
in ies
T2 Tr2
Tr1
u conduce T2
a b
t
Fig.4.17
Distorsiunile de racordare pot fi diminuate foarte mult dac bazele
celor doi tranzistori sunt prepolarizate direct cu o tensiune de 0,1 0,2V
(mai mic dect tensiunea de deschidere a jonciunii baz-emitor).
Sarcina amplificatorului poate fi conectat prin intermediul unui
transformator (Tr2) care poate juca i rolul de transformator de adaptare.
Din fig.4.17a se vede c rolul transformatorului de intrare (Tr1) este
distribuirea fazei semnalului de intrare ctre bazele celor doi tranzistori din
amplificator. Distribuia de faz se poate realiza ns i electronic cu o
schem ca cea din fig.4.18.
+EC
(9V) u1
R1` Rc t
(22k) (560) C1
spre baza lui T1
uin CB
t
C2
spre baza lui T2
u2
R2 RE
(10k) t
(560)
Fig.4.18
86 Amplificarea
n funcie de locul de unde este colectat semnalul de ieire,

amplificatorul din fig.4.18 lucreaz n conexiune emitor comun cu
amplificare unitar sau ca repetor pe emitor, dup cum urmeaz:
dac semnalul de ieire este colectat din colectorul tranzistorului,
amplificatorul lucreaz n conexiune emitor comun cu reacie
negativ puternic (lipsete CE) i cu amplificare unitar (Rc =
RE, Au =1).
dac semnalul de ieire este colectat din emitorul tranzistorului,
amplificatorul lucreaz n conexiune repetor pe emitor
Astfel cele dou semnale de ieire vor avea amplitudinile egale ntre
ele i egale cu amplitudinea semnalului de intrare i vor fi n antifaz.
Aplicate pe bazele tranzistorilor T1 i T2 din fig..17, ele vor determin
intrarea lor pe rnd n stare de conducie.
+EC
uin uies
t t
Rsarc
-EC
Fig.4.19
O schem foarte simpl de amplificator n contratimp este prezentat
n fig.4.19. Ea are doi tranzistori complementari i de aceea nu mai este
nevoie de distribuitorul de faz. Pentru ca distorsiunile s fie ct mai mici
trebuie ca tranzistorii complementari s fie foarte bine mperecheai. Ieirea
fiind conectat la emitorii comuni ai tranzistorilor, ei lucreaz ca repetori pe
emitor.
87
5 TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP
5.1 Clasificare
Tranzistorul cu efect de cmp (TEC) este un tranzistor unipolar pentru c
n interiorul lui conducia electric este asigurat de un canal
semiconductor cu un singur tip de purttori de sarcin: fie electronii, fie
golurile. Se numesc cu efect de cmp deoarece intensitatea curentului
ntre dou terminale este controlat de potenialul cmpului electric generat
de un al treilea terminal. De aceea tranzistorul cu efect de cmp este un
element activ comandat n tensiune. Exist mai multe tipuri de tranzistori
cu efect de cmp. n fig.5.1 este prezentat o clasificare a acestora.
TEC
TECJ TECMOS
cu canal cu canal
Canal-p Canal-n
initial indus
Canal-p Canal-n Canal-p Canal-n
Fig.5.1
Tranzistorii cu efect de cmp sunt de dou tipuri: tranzistori cu
efect de cmp cu jonciune (TECJ) i tranzistori cu efect de cmp
metal-oxid-semiconductor (TECMOS). Uneori TECMOS-ul mai este
denumit tranzistor cu efect de cmp cu poart izolat. Fiecare dintre cele
dou categorii poate fi cu canal de tip n sau de tip p, cele dou tipuri fiind
complementare att ca structur intern ct i ca funcionare.
5.2 Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune (TECJ)

5.2.1 Structur, funcionare, caracteristici statice
Structura intern unui TECJ cu canal n este prezentat schematic n fig.5.2.
Pe fiecare fa a unei plcue semiconductoare de tip n se realizeaz cte o
88 Tranzistorul cu efect de cmp
zon puternic dopat de tip p+. Pe cele dou zone i pe capetele plcuei
semiconductoare se realizeaz patru contacte electrice. Cele dou zone de
tip p+ sunt conectate electric ntre ele formnd grila sau poarta
tranzistorului (G). Terminalele din capetele plcuei semiconductoare se
numesc surs (S) i respectiv dren (D).
G
poarta
(grila)
S D
sursa drena
+
n p
Fig.5.2
n fig.5.3a este artat funcionarea tranzistorului cu polarizarea
drenei dar fr polarizarea porii. n vecintatea jonciunii exist o regiune
srcit de purttori de sarcin ca urmare a difuziei electronilor i golurilor.
Deoarece zona p+ este puternic dopat, regiunea srcit se extinde mai mult
n zona n. ntre dren i surs va exista un canal prin care purttorii
majoritari (electronii) vor putea circula sub influena diferenei de potenial
dintre dren i surs, dnd natere curentului de dren, ID. Datorit faptului
c polarizarea invers a jonciunii este mai mare n regiunea din apropierea
drenei dect n regiunea din apropierea sursei, canalul se ngusteaz uor
nspre dren.
EG
regiune saracita G ID G ID
D
S D S
regiune saracita
ED RS ED RS
a b
Fig.5.3
Modul normal de funcionare a unui TECJ este cu poarta polarizat
invers fa de surs i dren (n cazul unui TECJ-n, ea este polarizat
negativ, fig.5.3b). Regiunea srcit de purttori de sarcin se extinde n

dimensiuni odat cu creterea polarizrii inverse a jonciunii pn.
Conductibilitatea electric a poriunii din regiunea de tip n care este srcit
de purttori de sarcin este foarte mic. Pentru o diferen de potenial fix
ntre dren i surs, cu ct este mai mare polarizarea invers poart-surs cu
att regiunea srcit este mai mare, canalul este mai ngust i curentul de
dren este mai mic. Dependena curentului de dren de tensiunea dintre
poart i surs este prezentat n fig.5.4a. Ea este i caracteristica de transfer
a tranzistorului, mrimea de intrare fiind tensiunea UGS, iar cea de ieire
fiind curentul care circul prin canal, ID.
Intensitatea curentului care circul prin canal poate fi controlat i de
diferena de potenial dintre dren i surs. O familie de caracteristici
ID=ID(UDS) este prezentat n fig.5.4b. Privind o singur caracteristic,
pentru o valoare dat a tensiunii UGS, se poate observa c la valori mici ale
tensiunii UDS tranzistorul se comport ca o rezisten ohmic, dependena
ID=ID(UDS) fiind liniar. La tensiuni UDS mai mari se constat o limitare a
curentului de dren, el rmnnd aproape constant pe o plaj larg a
tensiunii UDS.
UDSsat=-UT
UGS3 = 0
IDSS
UDS = const. UGS2
UDS ID
UGS1
ID UGS3 UGS2 UGS1

UT
tensiuni UDSsat
UGS
UGS
0 0 UDS
UDSS = -UT
a b
Fig.5.4
Explicaia acestei treceri n regim de saturaie a tranzistorului poate
fi dat observnd ngustarea canalului n fig.5.3b. Pentru o valoare dat a
tensiunii UGS volumul ocupat de regiunea srcit este aproape independent
de tensiunea UDS, dar forma ei nu. Cu ct cderea de tensiune ntre dren i
surs crete, cmpul electric n direcia longitudinal crete (VG - VS < VG -
VD), cauznd deformarea regiunii srcite. Datorit acestei deformri, la o
anumit valoare a tensiunii UDS, numit tensiune dren-surs de saturaie,
UDSsat, canalul conductor se va ngusta att de mult nspre dren nct
intensitatea curentului de dren va fi limitat la valoarea de saturaie.
Aceasta corespunde poriunii plate, aproape orizontale, a caracteristicii
ID=ID(UDS). La tensiuni de polarizare a canalului mai mari, poate avea loc

strpungerea lui datorit multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin.
Ca urmare, rezistena semiconductorului scade brusc iar curentul de dren
nu mai poate fi limitat dect de rezistena din circuitul exterior de polarizare.
Forma canalului, i implicit intensitatea curentului prin el, pot fi
controlate i cu ajutorul tensiunii UGS. Crescnd tensiunea de negativare UGS
a porii, curentul de dren descrete i, pentru o valoare suficient de mare a
acesteia, se produce ntreruperea canalului i blocarea tranzistorului.
Aceast tensiune se numete tensiune de blocare sau de tiere i am notat-
o cu UT. Caracteristica ID = ID(UGS) este prezentat n fig.5.4a. Fcnd
legtura dintre o mrime de intrare i una de ieire, ea reprezint i
caracteristica de transfer a tranzistorului, avnd expresia analitic:
2
U
I D = I DSS 1 GS (5.1)
UT
unde IDSS este curentul de dren de saturaie pentru UGS = 0 i UDSsat = UDSS
= -UT.
Dup cum am vzut, aducerea tranzistorului n regim de saturaie se
poate face n dou moduri: meninnd constant potenialul porii i crescnd
potenialul drenei fa de surs sau meninnd constant potenialul drenei i
crescnd negativarea porii fa de surs. ntr-o situaie oarecare, pentru ca
tranzistorul s ajung n regim de saturaie, efectul cumulat al celor dou
diferene de potenial trebuie s fie echivalent cu efectul tensiunii de
blocare. Astfel, se poate scrie relaia:
U DSsat = U GS U T (5.2)
Pe lng tensiunea de blocare se mai definesc ali doi parametri ai
tranzistorului cu efect de cmp, parametri necesari n proiectarea circuitelor
electronice (amplificatoare, oscilatoare etc.): panta de semnal mic
(transconductana) i rezistena de ieire (sau rezistena de dren) n
vecintatea punctului static de funcionare, definite de relaiile:
I D
g m = (5.3)
U GS U DS =const.
U DS
rd = (5.4)
I D U GS = const.
n care UDS, UGS i ID se calculeaz conform fig.5.4.

Din modul de funcionare intern a unui TECJ i din aspectul

familiei de caracteristici statice ID = ID(UDS) putem observa existena a trei
regiuni de lucru posibile:
regiunea liniar din vecintatea originii n care rezistena
canalului este constant. De regul, acest lucru se petrece la
tensiuni dren-surs mai mici de 0,5V.
regiunea de saturaie n care curentul de dren crete foarte
puin la valori UDS >UDSsat.
regiunea de strpungere n care are loc multiplicarea n
avalan a purttorilor de sarcin, creterea curentului de dren
fiind limitat doar de rezistena din circuitul de polarizare.
Precizri importante:
Deoarece jonciunea este polarizat invers curentul de poart este
foarte mic ( I G nA ) i rezistena de intrare a tranzistorului este
foarte mare ( rgs 1011 1015 ).
n regim de funcionare normal jonciunea este polarizat invers.
Tranzistorul poate lucra i cu jonciunea polarizat direct dar nu
la tensiuni UGS > 0,5V. Dac nu se respect aceast condiie
tranzistorul se va distruge.
Tranzistorul cu jonciune cu canal de tip p (TECJ - p) are structura
complementar unui TECJ n, conducia electric prin canal find asigurat
de goluri. Aceasta implic polarizarea negativ a drenei fa de surs i
polarizarea pozitiv a grilei fa de surs. n consecin, familia de
caracteristici ID = ID(-UDS) este identic cu a unui TECJ n iar graficul
dependenei ID = ID(UGS) este reprezentat n oglind fa de cazul unui
TECJ n (fig.5.5). Simbolurile folosite n schemele electronice pentru
TECJ sunt prezentate n fig.5.6.
IDSS
UDS = const. D
G G
UT
S S
UGS TECJ - n TECJ - p
0
Fig.5.5 Fig.5.6
5.2.2 Polarizarea n curent continuu

Polarizarea n curent continuu pentru stabilirea punctului static de
funcionare a unui TECJ se poate face n dou moduri:
cu divizor de tensiune n baz
cu poarta conectat la mas prin intermediul unei rezistene
O schem de polarizare cu divizor de tensiune n baz este
prezentat n fig.5.7.
+ED +ED
R1` Rd Rd
ID ID
I
IG = 0 UDS IG = 0, VG = 0
UDS
I
UGS IS
UGS IS
R2 Rs
Rg Rs
Fig.5.7 Fig.5.8
Neglijnd contribuia curentului de poart, ecuaiile utile pentru
calcularea valorilor rezistenelor sunt urmtoarele:
E D = I (R1 + R2 ) (5.5)
E D = I D Rd + U DS + I S Rs (5.6)
ID = IS (5.7)
IR2 = U GS + I S Rs (5.8)
Practic, valorile rezistenelor R1 i R2 sunt de ordinul M, iar cele
ale rezistenelor Rd i Rs de ordinul k.
Schema de polarizare n curent continuu cu poarta conectat la mas
este cea din fig.5.8. Datorit intensitii neglijabile a curentului de poart,
potenialul acesteia este egal cu cel al masei, la care este conectat printr-o
rezisten foarte mare (M). Astfel, la ecuaiile (5.6) i (5.7) pe care le-am
mai scris cteva rnduri mai sus, se mai adaug ecuaia
U GS = I D Rs (5.9)
i expresia curentului de dren (5.1), care descrie caracteristica volt-

amperic din circuitul de poart.
2
U
ID = I DSS 1 GS (5.1)
UT
Ecuaia (5.9) reprezint dreapta de sarcin pentru circuitul de intrare.
Dac ea se nlocuiete n ecuaia (5.1) se obine o ecuaie de gradul doi, cu
necunoscuta ID. Dintre cele dou soluii ale ei, va fi reinut doar cea care
are sens din punct de vedere fizic, adic cea care reprezint intersecia dintre
dreapta de sarcin i ramura real a parabolei descrise de ecuaia (5.1), aa
cum este artat n fig.5.9.
solutia falsa
dre
apt solutia cu
a de
sa rcin sens fizic
a
UGS
PUNCT STATIC
0
DE FUNCTIONARE
Fig.5.9
Vom exemplifica cele afirmate mai sus pe un exemplu practic.

ntr-un circuit de polarizare cu poarta conectat la mas am ales
pentru rezistenele Rg i Rs valorile: Rg = 1M i Rs = 250. Tranzistorul
are ca parametri caracteristici IDSS = 9mA i UT = -3V, iar tensiunea de
alimentare este ED = 16V. Se cere s se calculeze valoarea maxim a
rezistenei Rd astfel nct tranzistorul s lucreze n regim de saturaie.
Pentru simplitate vom lucra cu valori numerice, exprimnd rezistenele n
k, tensiunile n V i curenii n mA.
nlocuind valoarea numeric a rezistenei Rs n ecuaia (5.9) i
introducnd expresia tensiunii UGS astfel obinut n ecuaia (5.1), obinem o
ecuaie de gradul doi cu necunoscuta ID:
2
ID 40 I D + 144 = 0
Rezolvarea acestei ecuaii conduce la soluiile ID1 = 36mA i ID2 =
4mA, care reprezint cele dou puncte de intersecie ale dreptei de sarcin
cu graficul matematic al caracteristicii volt-amperice a circuitului de poart.

Dup cum se poate constata din fig.5.9, soluia cu sens fizic este cea de a
doua, deci ID = 4mA. Introducnd aceast valoare n ecuaia (5.9) se obine
pentru tensiunea de poart:
U GS = 4 0,25 = 1V
Din ecuaia (5.2) se obine pentru tensiunea de saturaie dintre dren
i surs valoarea:
UDSsat = -1- (-3) = 2V
Aceasta nseamn c, pentru ca tranzistorul s lucreze n regim de
saturaie, trebuie ca UDS > UDSsat = 2V. Tensiunea UDS poate fi exprimat
din ecuaiile (5.6) i (5.7) n funcie de rezistena Rd, punnd condiia
precedent:
15 4Rd >2
de unde rezult imediat:
Rd < 3,25 k
Cu alte cuvinte, pentru orice valoare a rezistenei din drena
tranzistorului cuprins n intervalul 0 3,25k, tranzistorul va lucra n
regim de saturaie.
5.3 TECMOS cu canal iniial

EG
G - grila (poarta) canal ingustat
S - sursa METAL OXID (SiO2) D - drena G
S D
+ + + +
n n n n
p p
substrat
canal initial n B
B - baza
a b
Fig.5.10
Structura schematic a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este
prezentat n fig.5.10a. Se poate observa c poarta este izolat de structura
pn printr-un strat izolator de SiO2. Din fabricaie, ntre surs i dren (zone
de tip n puternic dopate) exist un canal conductor tot de tip n, astfel nct,
chiar i atunci cnd poarta nu este polarizat, la stabilirea unei diferene de

potenial ntre dren i surs, prin canal va trece un curent nenul.
Seciunea transversal a canalului poate fi modificat prin aplicarea
unui potenial pe poart. De regul, terminalul conectat la substrat (care se
numete baz) se conecteaz la terminalul sursei, astfel nct sursa i
substratul vor avea acelai potenial. Dac diferena de potenial dintre
poart i surs este negativ, atunci canalul se ngusteaz (electronii din el
sunt alungai n substrat) i rezistena lui crete. Se spune despre tranzistor
c lucreaz n regim de srcire (fig.5.10b). Dac diferena de potenial
dintre poart i surs este pozitiv, atunci canalul se lrgete (electroni din
substrat sunt atrai n canal) i rezistena lui scade. Se spune despre
tranzistor c lucreaz n regim de mbogire.
Caracteristicile volt-amperic de transfer i de ieire pentru un
TECMOS cu canal iniial de tip n au aceeai alur ca i cele ale unui TECJ-
n (fig.5.4), explicaia formei lor fiind analog cu cea pentru TECJ-n.
Structura intern a unui TECMOS cu D D
canal iniial de tip p este complementar
structurii unui TECMOS cu canal iniial de B B
tip n iar caracteristicile volt-amperice sunt G G
asemntoare celor ale unui TECJ-p. S S
n fig.5.11 sunt prezentate TECMOS TECMOS
simbolurile pentru tranzitorii MOS cu canal cu canal inital n cu canal inital p
iniial.
Fig.5.11
5.4 TECMOS cu canal indus

EG
G - grila (poarta) canal n indus
S - sursa METAL OXID (SiO2) D - drena G
S D
n+ n+ n+ n+
p p
substrat
B - baza B
a b
Fig.5.12
Tranzitorii MOS cu canal indus au o structur asemntoare cu tranzistorii
MOS cu canal iniial, cu deosebirea c ntre surs i dren nu exist canalul
conductor din fabricaie. n fig.5.12a este prezentat structura unui

TECMOS cu canal indus de tip n.
Ca i n cazul TECMOS cu canal iniial, terminalul substratului
(baza) se conecteaz la terminalul sursei, astfel nct sursa i substratul vor
avea acelai potenial. Atunci cnd poarta nu este polarizat, ntre surs i
dren nu apare nici un curent (n realitate apare un curent rezidual extrem de
mic, de ordinul zecilor de A). La aplicarea pe poart a unui potenial
pozitiv fa de surs, golurile majoritare din substrat sunt respinse nspre
zona median a acestuia i ntre surs i dren se formeaz un canal cu
purttori minoritari de tip n (fig.5.12b). Pentru tensiuni mici de pozitivare a
porii, canalul este tot izolator i curentul de dren va fi nul indiferent de
potenialul ei fa de surs. Pentru o tensiune de pozitivare mai mare dect
tensiunea de blocare (UT) canalul se va mbogi cu purttori minoritari
(electroni), el constituind o cale de curent ntre surs i dren.
Caracteristicile de transfer i de ieire ale TECMOS cu canal indus n sunt
prezentate n fig.5.13
UDS = const.
UGS
UT
UGS
0 0 UDS
a b
Fig.5.13
D D
UDS = const.
B B
G G
UT S S
TECMOS TECMOS
UGS cu canal indus n cu canal indus p
0
Fig.5.14 Fig.5.15
Structura intern a unui TECMOS cu canal indus de tip p este

complementar celei a unui TECMOS cu canal indus de tip n. n consecin,
drena trebuie polarizat negativ fa de surs, iar poarta trebuie polarizat
negativ fa de surs. Generarea canalului de tip p va ncepe la o diferen
de potenial negativ dintre poart i surs i mai mare (n modul) dect
tensiunea de blocare a tranzistorului. Astfel, caracteristica de transfer va
avea aspectul celei prezentate n fig.5.14. n fig.5.15 sunt prezentate
simbolurile pentru tranzitorii MOS cu canal indus.
5.5 Regimul dinamic al tranzistorului cu efect de cmp

Pentru analiza comportrii tranzistorului cu efect de cmp n regim de
variaii (semnal mic) considerm spre exemplificare un TECJ-n, conexiune
surs comun. Metoda poate fi extins i asupra celorlalte tipuri de TEC. Ca
i tranzistorul bipolar, tranzistorul cu efect de cmp poate fi privit ca un
cuadrupol. Dac la intrare se aplic un semnal variabil cu amplitudine mic,
peste regimul static de funcionare definit de valorile UGSo, UDSo i IDo se
suprapune regimul dinamic (fig.5.16).
IDo id
IGo= 0
ig= 0 UDSo uds
ugs
UGSo
Fig.5.16
Curentul variabil de dren va depinde att de de tensiunea dintre
poart i surs, ct i de tensiunea dintre dren i surs:
(
id = id u gs , u ds ) (5.10)
Variaia lui poate fi scris sub forma:
id i
i d = u gs + d u ds (5.11)
u gs u ds
Pe baza acestei ecuaii se definesc parametrii de semnal mic ai

tranzistorului cu efect de cmp.
id
gm = (5.12)
u gs
u ds =0
1 i
= d (5.13)
rd u ds u gs =0
Interpretarea grafic a acestora poate fi observat n reprezentrile

grafice din fig.5.4. Ei au urmtoarele semnificaii fizice:
gm - panta de semnal mic
1
- conductana canalului (rd este rezistena canalului)
rd
Prin combinarea relaiilor (5.12) i (5.13) se obine un alt parametru:
uds
= g m rd = (5.14)
u gs
id =const .
El este factorul de amplificare n tensiune n regim dinamic al

tranzistorului, definit ca raportul dintre variaia tensiunii dintre dren i
surs i variaia tensiunii dintre poart i surs care determin o aceeai
variaie a curentului de dren.
Ecuaia (5.11) poate fi transcris folosind parametrii tranzistorului:
1
id = g m u gs + u ds (5.15)
rd
n care primul termen din membrul drept reprezint o surs de curent. Pe
baza ei poate fi construit schema echivalent la variaii a tranzistorului,
schem artat n fig.5.17.
id
10
11
rgs
gmugs uds
rd
ugs rgs
Fig.5.17
Practic, la intrare tranzistorul se comport ca o rezisten infinit

(reprezentat punctat). Din punct de vedere al ieirii, el se comport ca o
surs real de curent cu rezistena intern rd. innd seama de relaia dintre
parametrii tranzistorului (expresia (5.14)), relaia (5.15) poate fi rescris sub
forma:
u gs = rd id u ds (5.16)
Schema echivalent care satisface aceast ecuaie este prezentat n
fig.(5.18).
rd id
rgs 1011
ugs uds
ugs rgs
Fig.5.18
Se poate observa c de data aceasta, din punct de vedere al ieirii,
tranzistorul se comport ca o surs real de tensiune cu rezistena intern rd.
Trecerea de la reprezentarea ca surs de curent la reprezentarea ca surs de
tensiune se putea realiza i redesennd schema din fig.5.17 dup
transformarea sursei de curent n sursa sa echivalent de tensiune. Care
dintre cele dou reprezentri ale tranzistorului cu efect de cmp, surs de
curent sau surs de tensiune, este folosit n realizarea schemelor
echivalente ale unor circuite mai complicate, depinde de situaia concret a
cazului studiat. Libertatea de alegere ne aparine.
100
6 AMPLIFICAREA I FRECVENA
6.1 Comportarea unui amplificator la mijlocul benzii de

frecvene
n Capitolul 4 spuneam, fr foarte multe argumente concrete, c un
amplificator se comport diferit la frecvene mult mai mici sau mai mari
dect frecvena la care a fost proiectat s realizeze o amplificare maxim.
Tot acolo aminteam despre defazajul introdus de amplificator ntre semnalul
de ieire i cel de intrare fr s fi dat relaii cantitative despre influena
frecvenei de lucru asupra lui. Vom ncerca s facem un pic de lumin
asupra acestor aspecte analiznd n detaliu comportarea unui amplificator cu
TECJ-n, conexiune surs comun. Am ales acest exemplu pentru c ni se
pare relativ simplu i mai ales didactic.
n fig.6.1 este prezentat schema de principiu a unui astfel de
amplificator.
+ED
R1` Rd
Cd
Cg Rsarc uies
rs
R2 Rs Cs
us
Fig.6.1
Schema este asemntoare pn la similitudine ce aceea a
amplificatorului cu tranzistor bipolar conexiune emitor comun. Deoarece
rolul elementelor de circuit este acelai ca i n cazul amintit, nu vom mai
insista asupra acestui aspect. Diferenele fundamentale vor proveni de la
diferenele dintre cele dou scheme echivalente n regim dinamic ale
tranzistorilor. Analiza grafic a mecanismului de amplificare poate fi fcut
pe caracteristicile unui TECJ-n (fig.6.2), cu precizarea c lucrm n regim de
semnal mic.
UDSo
IDo+ R
d punctul static
id de functionare
P
t
M
Q dre
in r apta d
egim e s
dinarcina
am
UGSo ic
UGS UDSo UDS
0 0 UDSo+IDoRd
ugs uds
t t
Fig.6.2
O variaie a tensiunii dintre poart i surs determinat de semnalul
de intrare va determina o variaie a curentului de dren care va fi cu att mai
mare cu ct panta de semnal mic va fi mai mare. Variaia curentului de
dren determin o variaie a tensiunii dintre dren i surs care depinde de
poziia dreptei de sarcin. Punctul de funcionare se va plimba ntre
punctele P i Q n jurul punctului static de funcionare pe dreapta de sarcin
n regim dinamic. Dreapta de sarcin n regim dinamic poate fi reprezentat
n urma unui raionament asemntor celui din cazul amplificatorului cu
tranzistor bipolar n conexiune emitor comun (vezi Cap.4). Semnalul de
ieire este n antifaz cu semnalul de intrare, defazaj care se datoreaz
exclusiv principiului de funcionare al tranzistorului, deoarece nu am luat n
considerare influena nici unui element reactiv de circuit.
Pentru analiza comportrii amplificatorului ntr-o band de frecvene
mai larg, trebuie plecat de la schema echivalent complet a acestuia
(fig.6.3).
Cd
Cg
gmugs rd Cds Rd Cm Rsarc uies
us ugs rgs
R1 R2
Fig.6.3
n aceast schem sunt luate n considerare att capacitile
condensatoarelor din circuit, ct i capacitatea parazit a tranzistorului, Cds
i toate capacitile parazite ale montajului, concentrate n capacitatea Cm.
102 Amplificarea i frecvena
Din punctul de vedere al semnalului care trebuie amplificat, intrarea

amplificatorului este practic un circuit deschis, astfel nct se poate
considera cu o bun aproximaie c:
u gs = u s (6.1)
n aceste condiii, factorul de amplificare n tensiune va fi:
u ies
Au = (6.2)
u gs
Pentru a simplifica lucrurile vom analiza pe rnd comportarea

amplificatorului n banda de frecvene pentru care a fost proiectat s aib
amplificarea maxim, la frecvene foarte joase i la frecvene foarte nalte.
n banda de frecvene pentru care amplificatorul a fost proiectat, se
poate neglija efectul tuturor capacitilor, att al celor din schem, ct i al
capacitilor parazite. Astfel, schema echivalent a circuitului de ieire se
simplific drastic (fig.6.4).
gmugs rd Rd Rsarc uies
Fig.6.4
Dac notm cu Rech, rezistena echivalent a celor trei rezistene
conectate n paralel:
Rech = rd || Rd || Rsarc (6.3)
atunci tensiunea de ieire va fi: uies = -gmRechugs i factorul de amplificare
la mijlocul benzii de frecvene va avea expresia:
Auo = -gmRech (6.4)
Semnul - din expresia factorului de amplificare semnific existena
unui defazaj de radiani al semnalului de ieire n urma semnalului de
intrare, defazaj pe care-l vom nota cu o :
o = (6.5)
El se datoreaz exclusiv tranzistorului pentru c am neglijat efectele

tuturor elementelor reactive din circuit.
6.2 Comportarea la frecvene joase

La frecvena joase se poate neglija efectul capacitilor Cds i Cm conectate
n paralel cu rezistenele Rd i Rsarc, deoarece reactanele lor capacitive vor fi
foarte mari i practic ele sunt ntreruperi. n aceste condiii, schema
echivalent a circuitului de ieire va fi cea din fig.6.5a.
rd Rd Cd
Cd
gmugs rd Rd Rsarc uies gm(rd Rd)ugs Rsarc uies
a b
Fig.6.5
Ea poate transcris ntr-o form mai simpl transformnd sursa de
curent conectat n paralel cu cele dou rezistene rd i Rd, ntr-o surs
echivalent de tensiune. Vom obine circuitul simplu din fig.6.5b, n care
observm existena unui divizor de tensiune i putem scrie direct expresia
tensiunii de ieire:
Rsarc r R
u ies = g m d d u gs (6.6)
r R 1 rd + Rd
Rsarc + d d j
rd + Rd C d
Expresia pare complicat dar vom ncerca s o scriem sub o form
mai simpl i mai sugestiv. Dac la numitorul ei suma celor dou rezistene
se scoate n faa unei paranteze ca factor comun i se introduce notaia:
r R
j = Rsarc + d d C d (6.7)
rd + Rd
atunci, tensiunea de ieire poate fi scris dup cum urmeaz:
g m Rech
u ies = u gs (6.8)
1
1 j
j
Se poate observa c la numrtorul ei apare expresia factorului de

amplificare din banda de trecere a amplificatorului. Dimensional j este o
mrime temporal i reprezint constanta de timp la frecvene joase.
Produsul j poate fi scris n funcie de frecven i, dac introducem
notaia:
1
fj = (6.9)
2 j
atunci expresia factorului de amplificare la frecvene joase va avea forma

final:
Auo
Auj = (6.10)
fj
1 j
f
La frecvena f = fj, factorul de amplificare va avea modulul
( )
Au f j =
1
Auo , adic amplificarea scade cu 3dB fa de amplificarea
2
maxim. Aceast frecven va delimita inferior banda de frecvene a
amplificatorului.
Din expresia (6.10) observm c la defazajul radiani introdus de
tranzistor (inclus n Auo) se mai adaug un defazaj suplimentar pe care-l
putem calcula prin raionalizarea ei:
fj
Auo 1 + j

f
Auj = 2
(6.11)
fj
1 +
f
Astfel, defazajul total la frecvene joase al semnalului de ieire fa
de semnalul de intrare va fi:
fj
j = + arctg (6.12)
f
Se poate vedea c el depinde de frecven. La limita curentului
3
continuu (f=0) el va fi (0 ) = iar atunci cnd f = fj , ( f j ) = .
2 4
6.3 Comportarea la frecvene nalte

La frecvene mai nalte dect banda de trecere a amplificatorului se poate
1
neglija efectul capacitii de cuplaj Cd ( << Rsarc) dar trebuie luat n
C d
calcul efectul capacitilor parazite ale tranzistorului i montajului propriu-
zis. Astfel schema echivalent n regim dinamic la frecvene nalte va fi cea
din fig.6.6a.
Schema o putem redesena mai simplu dac cele dou capaciti
conectate n paralel le nlocuim cu una singur, Co = Cds + Cm, i observm
c cele trei rezistene conectate n paralel reprezint tocmai Rech (vezi relaia
(6.3)). Rezult schema echivalent din fig.6.6b pe baza creia se poate scrie
expresia tensiunii de ieire:
1
Rech
j C o
uies = g m u gs (6.13)
1
Rech +
j C o
gmugs rd Cds Rd Cm Rsarc uies gmugs Co Rech uies
a b
Fig.6.6
Procednd asemntor cazului anterior i introducnd constanta de
timp la frecvena nalte
= RechCo (6.14)
i constanta:
1
fi = (6.15)
2 i
se poate scrie expresia factorului de amplificare la frecvena nalte:
Auo
Aui = (6.16)
f
1+ j
fi
La frecvena f = fi, factorul de amplificare va avea modulul

1
Au ( f i ) = Auo , adic amplificarea scade cu 3dB fa de amplificarea
2
maxim. Aceast frecven va delimita superior banda de frecvene a
amplificatorului.
Raionaliznd expresia factorului de amplificare i innd seama de
defazajul introdus de tranzistor, putem scrie expresia defazajului dintre
semnalul de ieire i cel de intrare la frecvene nalte:
f
i = arctg (6.17)
fi
Dou dintre frecvenele de referin la care ne intereseaz valoarea
defazajului sunt limita frecvenelor foarte nalte (teoretic f ),
5 3
( ) = , i f = fi, ( f i ) = .
4 2
6.4 Diagrame Bode

Din sinteza cazurilor particulare studiate se pot scrie expresii ale factorului
de amplificare i defazajului dintre semnalul de ieire i cel de intrare care
s aproximeze suficient de corect comportarea amplificatorului pe ntreg
domeniul de frecvene. Acestea vor fi:
Auo
Au = (6.18)
f fj
1 + j
fi f
f fj
= arctg (6.19)
fi f
Aceste funcii de frecven pot fi reprezentate sub forma unor

diagrame Bode (fig.6.7). Pe baza lor se poate scrie expresia benzii de
frecvene a amplificatorului:
1 1 1
B3dB = f i f j = (6.20)
2 i j

Au
Auo
1
1
2
f
0
fj
[rad] fi
fj fi f
3
2
Fig.6.7
Se vede din aceast relaie c lrgimea benzii de frecvene a
amplificatorului este influenat att de valorile elementelor de circuit ct i
de capacitile parazite ale tranzistorului i circuitului. La frecvene mici
banda de frecvene este limitat n primul rnd de capacitatea
condensatorului de cuplaj Cd, iar la frecvene nalte de capacitile parazite.
n cele mai multe situaii concrete frecvena limit superioar este mult mai
mare dect frecvena limit inferioar i, cu o foarte bun aproximaie, se
poate scrie:
B3dB f i (6.21)
108
7 AMPLIFICATORUL OPERAIONAL
7.1 Electronica amplificatorului operaional

7.1.1 Amplificatorul diferenial
Amplificatorul operaional (AO) este un circuit integrat care are calitatea de
a furniza la ieire o tensiune proporional cu diferena potenialelor celor
dou intrri ale sale. Factorul de amplificare a acestei diferene este foarte
mare (de ordinul 105). Elementul esenial al unui amplificator operaional
este amplificatorul diferenial. Principiul de funcionare al amplificatorului
diferenial poate fi neles pe baza schemei din fig.7.1. n simbolurile
tranzistorilor am renunat la cerculee, semn c ei sunt parte component a
unui circuit integrat.
+EC
Ic1 Ic2
RC RC
V1 V2
IB1 IB2
U1 T1 T2 U2
IE1 IE2
Io
Fig.7.1
Tranzistorii T1 i T2 trebuie s fie foarte bine mperecheai astfel
nct s aib parametrii identici. U1 i U2 sunt tensiunile de intrare aplicate
ntre cele dou baze i mas, iar V1 i V2 sunt potenialele fa de mas ale
ale celor doi colectori. Colectorii tranzistorilor reprezint ieirile
amplificatorului. ntre emitorii comuni ai tranzistorilor i mas este
conectat o surs de curent constant. Modul n care poate fi realizat o surs
de curent constant ntr-un circuit integrat l vom prezenta ceva mai trziu.
Dac factorii de amplificare ai tranzistorilor sunt foarte mari, curenii
de baz pot fi neglijai, astfel nct:
I c1 I E1 i I c 2 I E 2 (7.1)
Datorit prezenei sursei de curent constant, suma celor doi cureni
de emitor va fi constant i, n virtutea aproximaiilor (7.1), va fi constant
i suma celor doi cureni de colector:
Ic1 + Ic2 = const. (7.2)
Aceasta nseamn c o variaie a unuia dintre cei doi cureni ntr-un
sens va fi imediat compensat de variaia celuilalt curent cu aceeai cantitate
dar n sens opus:
ic1 = - ic2 (7.3)
Datorit acestui fapt, fiecare dintre cei doi cureni de colector va
putea fi influenat de oricare dintre cele dou tensiuni de baz. Astfel, dac
de exemplu U2 = const., o cretere cu u1 a tensiunii U1 va determina o
cretere a curentului Ic1 cu ic1 i o scdere cu aceeai cantitate a curentului
Ic2. Deoarece rezistenele din colectorii tranzistorilor i variaiile curenilor
de colector sunt identice, variaiile potenialelor colectorilor vor fi i ele
identice dar complementare. n cazul precedent V1 se va micora i V2 va
crete (s ne amintim de caracterul inversor al tranzistorului). Astfel:
v1 = -v2 (7.4)
Dac se definesc ctigurile (amplificrile) de la intrrile spre ieirile
tranzistorilor T1 i T2:
v1
g1 = (7.5)
u1
v 2
g2 = (7.6)
u 2
pe baza raionamentului precedent, se poate scrie egalitatea i
complementaritatea lor:
g1 = -g2 = g (7.7)
n virtutea faptului c fiecare tranzistor lucreaz ca inversor
ctigurile individuale sunt negative. Din relaiile (7.5) (7.7) se poate scrie
irul de egaliti:
v1 v 2 v v
g= = = 1 = 2 (7.8)
u1 u 2 u 2 u1
110 Amplificatorul operaional
Aadar, potenialul variabil v1 este o funcie de dou variabile: v1 =

v1(u1,u2). Variaia sa poate fi scris sub forma:
v1 v1
v1 = u1 + u 2 (7.9)
u1 u2 =0
u 2 u1 =0
innd seama de egalitile (7.8) relaia precedent se poate scrie

sub forma:
v1 v1
v1 = u1 u 2 (7.10)
u1 u2 =0
u1 u1 =0
sau:
v1 = g (u1 u 2 ) (7.11)
Datorit complementaritii comportrii celor doi tranzistori, putem
scrie fr nici un fel de demonstraie:
v 2 = g (u 2 u1 ) (7.12)
Dac variaiile potenialelor celor dou intrri sunt identice
(u 2 = u1 ) , se spune c avem o tensiune de mod comun. Din ultimele
dou relaii se vede imediat c amplificatorul difereniial nu amplific
tensiunea de mod comun. Se mai spune c tensiunea de mod comun este
rejectat.
Expresia factorului de amplificare a tensiunii difereniale poate fi
dedus pe baza schemei echivalente n regim de variaii a amplificatorului
diferenial din fig.7.1. Ea este prezentat n fig.7.2, n care ntre emitorii
comuni i mas apare o ntrerupere a circuitului datorit faptului c variaia
unei mrimi constante (aici Io) este nul.
ib1 ib2
u1 h11 h11 u2
h21ib1 h-122 Rc Rc h-122 h21ib2
o = 0
Fig7.2
Deoarece admitana de ieire h22 este de ordinul 10-5 10-6 -1,

rezistena de ieire h221 va fi foarte mare (105 106 ), astfel nct se poate
neglija curentul care o traverseaz i ea poate fi eliminat din circuit. Cu
aceast precizare, schema echivalent din fig.7.2 poate fi transcris ntr-o
form mai sugestiv (fig.7.3).
Ne intereseaz calculul amplificrii difereniale g definite de relaia
(7.11). Dac scriem expresiile legilor lui Kirchhoff n unicul nod al reelei i
pe ochiul marcat n figur, obinem ecuaiile:
ib1 + ib 2 + h21 ib1 + h21 ib 2 = 0 (7.13)
u1 u 2 = h11 ib1 h11 ib 2 (7.14)
Ecuaia (7.13) mai poate scris sub forma
(h21 + 1)ib1 = (h21 + 1)ib 2 , de unde rezult c:
ib1 = ib 2 (7.15)
v1 Rc Rc v2
h21ib1 h21ib2
ib1 h11 h11 ib2
u1 u2
Fig.7.3
Din relaiile (7.14) i (7.15) se obine pentru variaia curentului de
baz:
u1 u 2
ib1 = (7.16)
2h11
Variaia tensiunii de ieire este chiar cderea de tensiune pe rezistena Rc:
v1 = h21 ib1 Rc (7.17)
Astfel, factorul de amplificare diferenial poate fi scris sub forma:
v1 h
g= = 21 Rc (7.18)
u1 u 2 2h11
Din relaia (7.16) poate fi exprimat rezistena de intrare a
amplificatorului diferenial:
u1 u 2
rin = = 2h11 (7.20)
ib1
Rezistena de intrare h11 a unui tranzistor este de aproximativ 25k,
astfel c rin 50k. Valoarea ei poate fi mrit dac intrarea n amplificator
se face prin intermediul unui tranzistor compus Darlington sau a unui
tranzistor cu efect de cmp.
7.1.2 Sursa de curent constant

Dintr-o structur de tip tranzistor se poate obine o structur de tip diod
dac se unteaz jonciunea baz-colector. Dac o astfel de structur se
conecteaz cu un tranzistor identic cu primul aa cum se arat n fig.7.4 se
obine o oglind de curent.
IC I E
id
D T
ud ueb
Fig.7.4
Dac jonciunea diodei este polarizat direct atunci i jonciunea
emitor-baz a tranzistorului va fi polarizat tot direct, cu aceeai tensiune ueb
= ud. Astfel, curentul prin dioda polarizat direct i curentul de emitor al
tranzistorului pot fi foarte bine aproximai cu relaiile:
eud
id I s e kT (7.21)
eueb
I E I es e kT (7.22)
Structura semiconductoare fiind integrat, cele dou jonciuni

emitor-baz pot fi realizate identic, astfel nct curenii inveri de saturaie
s fie egali:
Is = Ies (7.23)
Deoarece i tensiunile pe cele dou jonciuni sunt identice, rezult
c:
i d = IE (7.24)
Dac factorul de amplificare n curent continuu al tranzistorului este
foarte mare atunci se poate neglija curentul su de baz i Ic = IE. innd
seama de relaia (7.24) rezult n final c:
Ic = id (7.25)
Cu alte cuvinte, curentul de colector al tranzistorului este oglinda
curentului prin dioda realizat din structura de tranzistor. Valoarea
curentului prin diod se stabilete prin polarizarea direct a ei printr-o
rezisten, aa cum este artat n fig.7.5.
+Ea
Ra
IO IO
ud
-Ea
Fig.7.5
Expresia curentului Io va fi:
2Ea ud
Io = (7.26)
Ra
Dac 2Ea >> ud, valoarea curentului va depinde doar de mrimi
constante:
2Ea
Io = const. (7.27)
Ra
7.2 Amplificatorul operaional

7.2.1 Caracteristici generale
Amplificatoarele operaionale au n structura lor circuite de intrare care le
asigur o rezisten de intrarea foarte mare, amplificatoare difereniale,
circuite de amplificare i circuite de ieire care le asigur o rezisten de
ieire foarte mic. Simbolul folosit pentru amplificatorul operaional este
prezentat n fig.7.6. Amplificatorul operaional este alimentat cu tensiuni
simetrice (V+ i V-) pentru ca la ieire s poat fi obinute att tensiuni
pozitive ct i tensiuni negative fa de un potenial de referin care este
potenialul bornei comune a celor dou surse de alimentare. Trebuie s
menionm faptul c amplificatorul operaional ca circuit integrat nu are o
born de mas. Curenii care ies din amplificator se ntorc la sursele lor prin
traseul comun.
Denumirea de amplificator operaional i-a fost atribuit acestui
circuit integrat la nceputurile existenei lui, cnd a fost folosit n electronica
analogic i pentru efectuarea de operaii aritmetice.
i- V+
ud
i+
u-
V- v
u+
traseu comun
Fig.7.6
Notaiile folosite n fig.7.6 au urmtoarele semnificaii:
V+, V- - tensiunile de alimentare simetrice cu valori uzuale n
intervalul 12 20V.
+,- - intrarea neinversoare i intrarea inversoare.
u+, u- - diferenele de potenial fa de traseul comun ale
intrrilor neinversoare i inversoare (tensiuni de intrare).
i+, i- - curenii de intrare n amplificatorul operaional.
v : diferena de potenial dintre ieire i traseul comun (tensiunea
de ieire).
Diferena dintre cele dou tensiuni de intrare se numete tensiune
diferenial de intrare:
ud = u+ - u- (7.28)
Tensiunea de ieire a amplificatorului operaional este proporional

cu tensiunea diferenial de intrare. Factorul de proporionalitate dintre ele a
fost denumit factor de amplificare n bucl deschis a tensiunii difereniale
de intrare, Ad. Astfel:
v = Ad(u+ - u-) (7.29)
Am fcut meniunea n bucl deschis deoarece este vorba despre
amplificarea n absena oricrui fel conexiune ntre borna de ieire i bornele
de intrare. O astfel de conexiune se numete conexiune de reacie i vom
afla mai multe despre ea n capitolul urmtor.
Din ultima relaie se vede c dac u+ = 0, atunci v = -Adu-, adic
tensiunea de ieire are polaritatea inversat fa traseul comun, comparativ
cu tensiunea de intrare. De asemenea, dac u- = 0, atunci v = Adu+, adic
tensiunea de ieire are aceeai polaritate fa de traseul comun ca i
tensiunea de intrare. Din acest motiv cele dou intrri se numesc
inversoare i neinversoare.
Dac tensiunile aplicate pe cele dou intrri sunt egale se vorbete
despre tensiunea de mod comun definit ca:
u+ + u
uc = (7.30)
2
La prezentarea amplificatorului diferenial am vzut c dac
tensiunile de intrare sunt identice (amplitudine, frecven, faz), tensiunea
de ieire va fi nul. n cazul unui amplificator operaional real acest lucru nu
se mai ntmpl. Chiar i n cazul modului comun va exista la ieire o
tensiune foarte mic nenul, vc. Raportul dintre aceasta i tensiunea de mod
comun a fost denumit factor de amplificare a tensiunii de mod comun:
vc
Ac = (7.31)
uc
Raportul dintre factorul de amplificare a tensiunii difereniale de
intrare i factorul de amplificare a tensiunii de mod comun se numete
rejecia modului comun (RMC) i se exprim n decibeli:
Ad
RMC = [dB] (7.31a)
Ac
Valoarea rejeciei de mod comun este o msur a calitii lui de
amplificator diferenial. Cu ct rejecia de mod comun are o valoare mai
mare cu att amplificatorul este mai bun.
O ultim mrime caracterstic a amplificatorului operaional este

tensiunea de decalaj la intrare, vDi. Ea reprezint valoarea acelei tensiuni
care ar trebui aplicat la una din cele dou intrri pentru ca tensiunea de
ieire s fie nul, dac u+ = u- = 0 i exist o conexiune de reacie de la ieire
spre intrarea inversoare.
Valorile uzuale ale parametrilor caracteristici ai amplificatorului
operaional sunt:
Ad 105-106 (amplificare diferenial foarte mare)
Rin 106 (rezisten de intrare foarte mare)
Ries 102 103 (rezisten de ieire foarte mic)
i+, i- 10-9 A (cureni de intrare foarte mici)
RMC 60 - 100 dB (rejecie mare a tensiunii de mod comun)
vDi 10-5 V
Avnd n vedere aceste valori, n foarte multe cazuri practice, atunci

cnd condiiile de proiectare o permit, se lucreaz cu noiunea de
amplificator operaional ideal, pentru care se admit urmtoarele
aproximaii:
Ad
Rin
Ries = 0
i+, i- = 0
RMC
vDi = 0
Deoarece factorul de amplificare a tensiunii difereniale de intrare
este foarte mare, o diferen orict de mic ntre u+ i u- va provoca la ieire
o tensiune mare. Dar ct de mare? S lum un exemplu: dac ud = 100V i
Ad = 105, atunci v = 10-4.105 = 10V. n schimb, dac tensiunea diferenial
de intrare ar fi de 1mV tensiunea de ieire ar trebui s fie de 100V. Dar
tensiunea de ieire nu poate depi tensiunea de alimentare, aa c ne vom
mulumi cu valoarea v V+. Se spune n acest caz despre ieirea
amplificatorului c este n saturaie pozitiv. n cazul n care tensiunea
diferenial de intrare este negativ, ieirea amplificatorului fr reacie
poate intra n saturaie negativ.
Caracteristica de transfer a unui amplificator operaional real, v =
v(ud), este prezentat n fig.7.7a. Panta caracteristicii n vecintatea originii
este cu att mai mare cu ct factorul de amplificare a tensiunii difereniale
este mai mare.
v v
saturatie pozitiva saturatie pozitiva
V+ V+
AO REAL AO IDEAL tg = Ad
tg = Ad
=90o
0 0
ud = u+ - u- ud = u+ - u-
saturatie negativa V- saturatie negativa V-
a b
Fig.7.7
Caracteristica de transfer a amplificatorului operaional ideal este
prezentat n fig.7.7b. Se poate observa c n cazul ideal saturaia pozitiv
sau negativ nseamn tensiuni de ieire egale cu tensiunile de alimentare.
n analizele care vor urma referitoare la aplicaiile amplificatorului
operaional ne vom limita la cazul ideal. Erorile fa de cazul real nu sunt
semnificative, n schimb modalitile de analiz se simplific considerabil.
De asemenea, nu vom mai figura n scheme tensiunile de alimentare
simetrice i vom renuna la indicele d din notaia factorului de amplificare
a tensiunii difereniale, notndu-l simplu cu A. Avnd n vedere aceste
precizri putem stabili schema echivalent a amplificatorului operaional pe
care o vom folosi la analiza circuitelor n care acesta apare. Ea este
Din punct de vedere al intrrilor, ntre acestea este o ntrerupere
pentru c rezistena de intrare este infinit. Fa de sarcina conectat la
ieirea sa, amplificatorul operaional ideal se comport ca o surs ideal de
tensiune cu valoarea v = A (u+ - u-).
reactie negativa (RN)
i1
ir R
i- ( )
ud
u1 i 2 = i+ u- ( )
A(u+ - u-) v = A(u+ - u-)
v u+
u2
Fig.7.8 Fig.7.9
Am artat c o tensiune diferenial orict de mic poate fora

ieirea n saturaie pozitiv sau negativ datorit factorului de amplificare
foarte mare. Acest inconvenient poate fi nlturat dac ieirea se conecteaz
printr-o rezisten la intrarea inversoare (rezistena R din fig.7.9). Aceasta
este o conexiune de reacie negativ (tensiunea de la ieire este opus ca
semn tensiunii de la intrarea inversoare) care are drept consecin o reducere
drastic a amplificrii. Dar factorul de amplificare fr conexiunea de
reacie este oricum prea mare, aa c ne putem permite o micorare a lui.
S vedem ce alte consecine mai are existena unei conexiuni de
reacie negativ. S calculm rezistena de intrare a amplificatorului din
fig.7.9. Sursele de tensiune de la cele dou intrri simt o sarcin pe care
debiteaz energie (fig.7.10). Rezistena acestei sarcini reprezinta chiar
rezistena de intrare a amplificatorului i ea poate fi exprimat cu ajutorul
relaiei:
u u2
RinRN = 1 (7.32)
i1 i2
ir = i1 R
i1
i1 ( )
RinRN i-= o
u1 u- = u1
u1 i2 = i+= o
( )
v = A(u+ - u-)
u2
u2 u+ = u2
Fig.7.10 Fig.7.11
Rezistena de intrare poate fi calculat pe baza schemei echivalente a
amplificatorului, schem prezentat n fig.7.11. n urma analizei ei se pot
scrie urmtoarele ecuaii:
i2 = 0 (7.33)
u+ = u2 (7.34)
u- = u1 (7.35)
u1 A(u + u ) u1 Au 2 + Au1 A(u1 u 2 )
i1 = = (7.36)
R R R
n ultime relaie am inut seama egalitile (7.34) i (7.35) i de

faptul c A >> 1. Din relaiile (7.32), (7.33) i (7.36) rezult expresia final a
rezistenei de intrare a amplificatorului din fig.7.9:
R
Rinr = (7.37)
A
De cele mai multe ori rezistena de reacie este de ordinul 10 - 20k.
Astfel, dac R = 10k i A = 105, rezult pentru rezistena de intrare
valoarea RinRN = 0,1. Aceasta este o valoare extrem de mic comparativ cu
celelalte rezistene care apar n circuit, fiind aproape un scurcircuit.
Deoarece ea apare conectat ntre cele dou intrri ale amplificatorului
operaional, se poate spune cu o foarte bun aproximaie c potenialul fa
de mas al intrrii inversoare este egal cu potenialul fa de mas al
intrrii neinversoare:
u+ u (7.38)
n cazul particular n care intrarea neinversoare este conectat la
traseul comun, considerat ca potenial de referin nul (mas),potenialul
intrrii neinversoare va fi i eln acest caz se spune despre nodul M
(fig.7.12) c este un punct virtual de mas (PVM).
R
PUNCT VIRTUAL
DE MASA
Fig.7.12
Am folosit cuvntul virtual pentru c ntre intrarea inversoare i
mas nu exist un contact galvanic. Potenialul nul este rezultatul reaciei
negative realizate prin rezistena R.
7.2.2 Circuite de baz cu amplificatoare operaionale

Deoarece factorul de amplificare al amplificatorului operaional n bucl
deschis este foarte mare, la aplicarea unei mici diferene de potenial ntre
intrrile sale el poate intra n saturaie pozitiv sau negativ. De aceea,
atunci cnd el este folosit n diferite aplicaii, se realizeaz o bucl de reacie
negativ prin conectarea unei rezistene ntre ieire i intrarea inversoare. Pe
lng micorarea drastic a factorului de amplificare, reacia negativ are i

un rol determinant n mrirea stabilitii n funcionare a amplificatorului.
Vom constata peste cteva rnduri c factorul de amplificare al unui circuit
particular va fi determinat numai de valorile rezistenelor conectate n
exteriorul circuitului integrat, nefiind influenat n nici un fel de ctre
factorul de amplificare n bucl deschis, A. Deoarece valorile rezistenelor
sunt mult mai puin dependente de temperatur dect proprietile
materialelor semiconductoare, stabilitatea n funcionare a circuitului n
raport cu variaiile de temperatur va fi mult mai bun.
n unele manuale, circuitele de baz cu amplificatoare operaionale
care realizeaz diverse funcii, sunt prezentate sub denumirea de conexiuni
ale amplificatorului operaional. Tipurile de conexiuni se definesc n funcie
de modul n care sunt conectate elementele de circuit exterioare
amplificatorului operaional. Vom porni de la o conexiune general, cu surse
de tensiune i rezistene conectate la ambele intrri, care se numete
conexiunea diferenial. Ea este prezentat n fig.7.13. Expresia tensiunii de
ieire pentru conexiunea diferenial poate fi apoi particularizat pentru
celelalte conexiuni de baz.
R2
R1
u1 R3
v
u2
R4
Fig.7.13
nainte de a analiza conexiunea diferenial este necesar o
precizare. Deducerea expresiei tensiunii de ieire, i implicit a factorului de
amplificare, pentru toate conexiunile amplificatorului operaional ncepe
prin construirea schemei echivalente a ntregului circuit, schem n care
amplificatorul operaional ideal este nlocuit cu schema sa echivalent din
fig.7.8. Continuarea analizei se poate face pe dou ci distincte, cu aceeai
finalitate:
aplicnd condiia de egalitate a potenialelor celor dou intrri
ale amplificatorului operaional, u + u (relaia (7.38)).
nlocuind valoarea v a tensiunii sursei echivalente de la ieire cu
expresia ei, v = A(u+ - u-) i aplicnd apoi condiia A >> 1.
Vom demonstra aceast afirmaie analiznd conexiunea diferenial
pe baza schemelor echivalente pentru cele dou intrri, scheme prezentate n
fig.7.14. Reamintim nc odat c amplificatorul operaional este considerat

ideal i i+ =i- =0.
Aplicnd teorema lui Millman pe schema echivalent din fig.7.14a
se poate scrie expresia potenialului fa de mas al intrrii inversoare:
R2 R1
u = u1 + v (7.39)
R1 + R2 R1 + R2
Pentru a obine expresia potenialului intrrii neinversoare observm
c n fig.7.14b avem un divizor de tensiune i putem scrie:
R4
u+ = u2 (7.40)
R3 + R4
( )
R1 R3 ( )
R2
u- u2
u1 v R4 u+
a b
Fig.7.14
Pn aici drumul a fost comun pentru cele dou modaliti de
analiz. Acum ele se despart.
Prima modalitate
Pe baza condiiei (7.38) egalm expresiile (7.39) i (7.40) i exprimm
tensiunea de ieire:
R1 + R2 R4 R
v= u 2 2 u1 (7.41)
R1 R3 + R4 R1
A doua modalitate
n expresia tensiunii de ieire v = A(u+ - u-) nlocuim u+ i u- cu expresiile
lor din relaiile (7.39) i (7.40) i obinem:
AR1 R4 R2
v1 + = A u2 u1 (7.42)
R1 + R2 R3 + R4 R1 + R2
Deoarece R1 i R2 au acelai ordin de mrime i A >> 1, se poate
AR1
scrie >> 1. Cu aceast aproximare, va rezulta pentru tensiunea de
R1 + R2
ieire chiar expresia (7.41) pe care nu o mai scriem nc odat.
Din punctul de vedere al utilizatorului este de dorit s fie amplificate
doar diferenele tensiunilor de intrare. Aceast nseamn c dac u1 = u2,
tensiunea de ieire trebuie s fie nul, v = 0. Impunnd aceast condiie n
relaia (7.41), se obine egalitatea:
R3 R1
= (7.43)
R 4 R2
Aceasta este condiia obligatorie pentru ca amplificatorul n
conexiune diferenial s opereze n condiii optime. n practic, de cele mai
multe ori se lucreaz n condiiile: R3 = R1 i R4 = R2.
Fcnd substituia (7.43) n expresia tensiunii de ieire (7.41) se
obine:
R
v = 2 (u1 u 2) (7.44)
R1
de unde rezult imediat expresia factorului de amplificare al conexiunii
difereniale:
v R
Ar = = 2 (7.45)
u1 u 2 R1
Se poate observa ca factorul de amplificare al amplificatorului
diferenial construit cu un amplificator operaional nu depinde de factorul de
amplificare n bucl deschis al acestuia din urm. Acest lucru este o
consecin a reaciei negative puternice.
Pentru analizarea celorlalte tipuri de conexiuni de baz vom
particulariza relaia (7.41) n funcie da particularitile fiecrui circuit.
Menionm ns faptul c fiecare dintre ele poate fi analizat independent
urmnd una dintre cele dou ci prezentate anterior.
Conexiunea inversoare (fig.7.15) se caracterizeaz prin faptul ca semnalul
de intrare este aplicat intrrii inversoare n timp ce intrarea neinversoare este
conectat la mas.
R2
R1 i
PVM
uin
v
Fig.7.15
Comparnd acest circuit cu cel al amplificatorului care lucreaz n

conexiune diferenial (fig.1.13) vom observa c n relaia (7.41) trebuie sa
facem urmtoarele substituii:
R4 = 0 R3 u2 = 0 u1 = uin
Cu acestea, pentru tensiunea de ieire va rezulta urmtoarea
expresie:
R2
v= u in (7.46)
R1
astfel nct factorul de amplificare al conexiunii inversoare va avea
expresia.
R2
Ar = (7.47)
R1
Deoarece i- = 0, curentul care circul prin rezistenele R1 i R2 este
acelai i l-am notat cu i. Mai observm c n cazul acestei conexiunii
intrarea inversoare este un punct virtual de mas (PVM), astfel nct
expresia curentului i va fi:
u
i = in (7.48)
R1
Se poate observa imediat c intensitatea curentului prin rezistena R2
nu depinde de mrimea acesteia. De aceea ramura de reacie din schema
conexiunii inversoare este denumit ramur de curent constant.
n cazul conexiunii neinversoare (fig.7.16) semnalul este aplicat
direct pe intrarea neinversoare a amplificatorului operaional i intrarea
inversoare este conectat la mas prin intermediul rezistenei R1.
Particularizarea relaiei (7.41) se face punnd condiiile:
R4 R3 = 0 u1 = 0 u2 = uin
Pentru tensiunea de ieire se va obine expresia:
R
v = 1 + 2 u in (7.49)
R1
R2
R1
v
uin
Fig.7.16
Aadar, factorul de amplificare al conexiunii neinversoare va fi:
R2
Ar = 1 + (7.50)
R1
Cea mai simpl dintre conexiuni este conexiune repetoare (fig.7.17).
v
uin
Fig.7.17
Practic ea este o particularizare a conexiunii neinversoare n care:
R1 R2 = 0
Fcnd aceste substituii n relaia (7.50) se obine pentru factorul
de amplificare al conexiunii repetoare:
Ar = 1 (7.51)
Desigur c v vei pune ntrebarea: la ce

uin[V]
este util o astfel de conexiune dac
6
oricum ea nu face nimic? Rspunsul 5
poate fi simplu: datorit reaciei negative 4
3
totale, circuitul se comport fa de 2
sursa de semnal ca o impedan extrem 1 t
0
de mare, iar fa de sarcina conectat la -1
-2
ieirea lui ca o surs de tensiune cu o -3
impedan de ieire extrem de mic. De -4
-5
aceea el este folosit ca etaj tampon -6
(buffer) n diferite circuite complexe. v[V]

INVERSOR, Ar = -R2/R1 = -5
O nelegere mai bun a modului 6
5
n care fiecare dintre conexiunile 4
3
inversoare, neinversoare i repetoare 2
acioneaz asupra unui semnal de intrare 1 t
0
se realizeaz examinnd reprezentrile -1
-2
grafice din fig.7.18 ale formelor de und -3
de la intrare i ieire pentru aceste -4
-5
conexiuni. Exemplificarea este fcut -6
pentru cazul: R1 = 2k i R2 = 10k. v[V]

NEINVERSOR, Ar = 1+ R2/R1 = 6
6
Dac privim conexiunile 5
4
prezentate pn acum putem stabili i o 3
coresponden cu operaiile aritmetice: 2
1 t
0
conexiunea inversoare -1
nmulire cu o constant i -2
-3
schimbare de semn -4
-5
-6
conexiunea neinversoare v[V]
nmulire cu o constant 6
5
4 REPETOR, Ar = 1
conexiunea repetoare 3
2
nmulirea cu elementul neutru 1 t
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
Fig.7.18
7.2.3 Alte conexiuni ale amplificatorului operaional

O conexiune care generalizeaz ntr-un fel conexiunea inversoare este
conexiunea sumatoare. n fig.7.19a este prezentat un sumator pentru dou
tensiuni, dar rezultatul pe care-l vom obine n urma analizei lui poate fi
generalizat foarte uor.
Datorit faptului c intrarea neinversoare este conectat la mas,
intrarea inversoare este un punct virtual de mas, ceea ce nseamn c u- =
0. Prin aplicarea teoremei lui Millman pe schema echivalent pentru intrarea
inversoare prezentat n fig.7.19b, se obine urmtoarea expresie pentru
tensiunea dintre intrarea inversoare i mas:
R2 ( )
R11
R12 R12
R11 R2
u1 u2 u-
v u1 u2 v
a b
Fig.7.19
u1 u v
+ 2 +
R R12 R 2
u = 11 (7.52)
1 1 1
+ +
R11 R12 R 2
Punnd condiia u- = 0 se obine pentru tensiunea de ieire:
R R
v = 2 u1 + 2 u 2 (7.53)
R11 R12
Se poate observa imediat c tensiunea de ieire este o nsumare
ponderat a tensiunilor de intrare, coeficienii de ponderare fiind chiar
factorii de amplificare ai conexiunilor inversoare independente pentru
fiecare tensiune de intrare.
Relaia de nsumare (7.53) poate fi generalizat sub forma:
n
R2
v = ui (7.54)
i =1 R1i
Alte circuite cu amplificatoare operaionale cu care se pot construi

funcii matematice de baz sunt circuitele de integrare, derivare i
logaritmare.
uC uR
C iC = iR
iR= iC
R
R C
PVM PVM
uin uin
v v
Fig.7.20 Fig..7.21
Schema de baz a unui circuit de integrare este prezentat n
fig.7.20. Ramura de reacie n care se afl condensatorul este ramura de
curent constant (vezi i relaia (7.48)):
u (t )
iC (t ) = (7.55)
R
Deoarece intrarea inversoare a amplificatorului operaional este un
punct virtual de mas se poate scrie:
1
C
v = u c = iC (t )dt (7.56)
nlocuind expresia curentului din relaia (7.55) n relaia (7.56) se

obine expresia tensiunii de ieire n funcie de tensiunea de intrare:
1
RC
v= u (t )dt (7.57)
Tensiunea de ieire va reprezenta integrala tensiunii de intrare

demultiplicat cu constanta de timp a circuitului de reacie luat cu semnul
-.
Circuitul de derivare prezentat n fig.7.21 poate fi analizat n mod
asemntor cu cel de integrare, scriindu-se relaiile:
du c (t )
i R (t ) = iC (t ) = C (7.58)
dt
v = u R = i(t ) R (7.59)
du c (t )
v = RC (7.60)
dt
Funcionarea circuitului de logaritmare din fig.7.22 se bazeaz pe

dependena curentului prin dioda polarizat direct de tensiunea la bornele ei,
dependen descris de relaia (2.3).
ud
iR= id
R
PVM
uin
v
Fig.7.22
innd seama de faptul c dioda se afl n ramura de curent constant
i c intrarea inversoare este un punct virtual de mas se pot scrie relaiile:
eud
id (t ) = i R (t ) = I s e kT (7.61)
u (t )
i R (t ) = (7.62)
R
i
v = u d (7.63)
Dac se nlocuiete expresia curentului (7.62) n relaia (7.61), apoi
aceasta din urm se logaritmeaz i se exprim tensiunea ud, pe baza
egalitii (7.63) va rezulta pentru tensiunea de ieire:
kT u (t )
v= ln (7.64)
e RI s
129
8 AMPLIFICAREA I REACIA
8.1 Reacia la amplificatoare

n electronic, prin reacie se nelege aducerea unei fraciuni din semnalul
de ieire ( X ies ) la intrarea amplificatorului. Aceast fraciune, care se
numete semnal de reacie ( X r ), se nsumeaz (vectorial sau fazorial) cu
semnalul furnizat de sursa de semnal ( X s ), iar rezultanta lor va constitui
semnalul de intrare n amplificator ( X in ). Pentru a obine semnalul de
reacie, semnalul de ieire se aplic la intrarea unui circuit alctuit din
elemente de circuit pasive (rezistori, condensatori, bobine), circuit care se
numete reea de reacie. Reeaua de reacie pe de o parte divizeaz
semnalul de ieire i, pe de alta, introduce un defazaj al semnalului de
reacie fa de semnalul de ieire. Sublinierea semnalelor ne arat c acestea
sunt mrimi complexe, caracterizate prin amplitudine, frecven i faz.
Schema bloc a unui amplificator cu reacie este prezentat n fig.8.1. n ea
am notat cu A i modulul factorului de amplificare al amplificatorului fr
reacie, respectiv modulul factorului de transfer al reelei de reacie iar cu
A i defazajul introdus de amplificator, respectiv defazajul introdus de
reeaua de reacie.
Xs X in AMPLIFICATOR X ies
+
A = Ae j A
Xr
RETEA DE REACTIE
j
= e
Fig.8.1
Cu aceste notaii, ntre semnalele din circuit se pot scrie urmtoarele
relaii:
X ies = A X in (8.1)
X r = X ies (8.2)
X in = X s + X r (8.3)
130 Amplificarea i reacia
Cu ajutorul acestor relaii, factorul cu care semnalul furnizat de sursa

de semnal este amplificat de ctre amplificatorul cu reacie va fi:
X A
A r = ies = (8.4)
Xs 1 A
Produsul complex dintre factorul de amplificare al amplificatorului
i factorul de reacie poate fi scris sub forma:
( )
= Ae j = A(cos + j sin )
j A +
A = Ae (8.5)
n care reprezint suma defazajelor introduse de amplificator i reeaua

de reacie. Astfel, modulul factorului de amplificare n prezena reaciei va
fi:
A
Ar = (8.6)
1 2 A cos + 2 A 2
Aceast relaie poate fi discutat n funcie de valoarea lui . Vom

considera dou cazuri de referin:
dac = (2k+1), cos = -1 i semnalul de reacie este n
antifaz cu semnalul furnizat de sursa de semnal. Reacia se numete
reacie negativ i factorul de amplificare va avea expresia:
A
Ar = (8.7)
1 + A
Se poate observa c n prezena reaciei negative factorul de
amplificare este mai mic dect n absena ei:
Ar < A.
dac = 2k, cos =1 i semnalul de reacie este n faz cu
semnalul furnizat de sursa de semnal. Reacia se numete reacie
pozitiv i factorul de amplificare va avea expresia:
A
Ar = (8.8)
1 A
Din aceast relaie rezult c factorul de amplificare n prezena
reaciei pozitive este mai mare dect n absena ei:
Ar > A.
8.2 Influena reaciei negative asupra parametrilor

amplificatorului
8.2.1 Influena asupra mrimii factorului de amplificare
Am artat deja c prezena reaciei negative are drept consecin
micorarea factorului de amplificare.
8.2.2 Influena asupra stabilitii factorului de amplificare
Am vzut n capitolele precedente c parametrii unui element activ (n
particular un tranzistor) depind de poziia punctului static de funcionare
care, la rndul su, este dependent de temperatura ambiant, de variaiile
tensiunii de alimentare, de zgomote de alt natur etc. Aceasta nseamn c
i factorul de amplificare al unui amplificator va fi influenat de aceti
factori perturbatori. Considernd relaia (8.7) i derivnd-o n raport cu
variabila A vom obine:
dAr 1 A 1 1
= = (8.9)
dA (1 + A) 2
1 + A A 1 + A
Observnd c am aranjat relaia astfel nct n ea s apar expresia
factorului de amplificare cu reacie, putem s exprimm variaia relativ a
acestuia:
dA
dAr
= A (8.10)
Ar 1 + A
Deci, variaia relativ a factorului de amplificare n prezena reaciei
negative este de 1+A ori mai mic dect variaia relativ a lui n absena
reaciei negative. Dac de exemplu A = 9 i dA/A = 1%, atunci dAr/Ar =
0,1%. Deci, reacia negativ contribuie la mrirea stabilitii factorului de
amplificare.
8.2.3 Influena asupra benzii de frecvene

Expresiile (6.10) i (6.16) ne spun cum variaz factorii de amplificare n
tensiune ai unui amplificator fr reacie la frecvene joase, respectiv nalte.
Ele pot fi rescrise n condiiile n care amplificatorul are reacie negativ.
Astfel, la frecvene joase factorul de amplificare n prezena reaciei poate fi
scris sub forma:
Auo
fj Auo
1 j
Auj f 1 + Auo
Aujr = = = (8.11)
1 + Auj Auo 1 fj
1+ 1 j
fj f 1 + Ao
1 j
f
sau, mai concentrat:
Aor
Aujr = (8.12)
f jr
1 j
f
unde:
fj
f jr = (8.13)
1 + Auo
Procednd n mod analog cu factorul de amplificare cu reacie
negativ la frecvene nalte:
Auo
f Auo
1+ j
Aui fi 1 + Auo
Auir = = = (8.14)
1 + Aui Auo f
1+ 1+ j
f f i (1 + Ao )
1+ j
fi
obinem:
Aor
Auir = (8.15)
f
1+ j
f ir
unde:
f ir = f i (1 + Auo ) (8.16)
Vom observa c expresiile (8.12) i (8.15) au forme asemntoare
expresiilor (6.10) i (6.16).
Am vzut n Capitolul 6 c frecvenele fj i fi delimiteaz inferior,
respectiv superior, banda de frecvene amplificatorului fr reacie. n mod
similar, fjr i fir vor delimita banda de frecvene a amplificatorului care
lucreaz cu reacie negativ. Se vede clar c ele reprezint acele frecvene la
care amplificarea scade cu 3dB fa de amplificarea la frecvene medii n
prezena reaciei negative (Auor). Din expresiile lor, (8.13) i (8.16), rezult
c frecvena limit inferioar scade n timp ce frecvena limit superioar

crete. Aceasta nseamn c reacia negativ conduce la mrirea benzii de
frecvene a amplificatorului.
Astfel, banda de frecvene a amplificatorului cu reacie negativ va fi:
Br3dB = fir - fjr fir (8.17)
deoarece, practic fir >> fjr.
Am vzut pn acum c reacia negativ are dou aciuni
complementare: micorarea factorului de amplificare i lrgirea benzii de
frecvene. S vedem ce obinem dac facem produsul acestora:
Auo
Auor Br 3dB = f i (1 + Auo ) = Auo f i (8.18)
1 + Auo
Dar, produsul Auofi reprezint chiar produsul amplificare x banda de
frecvene n absena reaciei negative. Aadar:
Auor Br 3dB = Auo B3dB (8.19)
adic, produsul amplificare x banda de frecvene rmne constant. Sau,
altfel spus, banda de frecvene poate fi lrgit pe seama micorrii factorului
de amplificare sau, un factor de amplificare foarte mare poate fi obinut
numai n interiorul unei benzi nguste de frecvene.
8.2.4 Influena reaciei negative de tensiune asupra

impedanelor de intrare i ieire
Reacia poate fi de tensiune, de curent sau mixt. Dac semnalul care intr
n reeaua de reacie este o tensiune proporional cu tensiunea de ieire iar
semnalul de reacie este tot o tensiune (care apare n serie cu tensiunea
semnalului de amplificat), atunci reacia este de tensiune. n acest caz
amplificatorul trebuie s fie un amplificator de tensiune. El poate fi
reprezentat ca un cuadrupol care, pentru sursa de semnal, se comport ca o
impedan (impedana de intrare a cuadrupolului) iar pentru sarcin se
comport ca o surs real de tensiune. Reeaua de reacie fiind pasiv, se
comport ca un cuadrupol pasiv cu o impedan de intrare (Z1) i una de
ieire (Z2).
Schema bloc a unui amplificator cu reacie negativ n tensiune este
prezentat n fig.8.2. Pentru ca amplificatorul s lucreze n condiii optime
este necesar ca energia consumat de ctre reeaua de reacie s fie ct mai
mic. De aceea, impedana de intrare a reelei de reacie trebuie s fie ct
mai mare (Z1 >> Zsarc) i impedana de ieire ct mai mic (Z2 << Zin). De
asemenea, este necesar ca sursa de semnal i amplificatorul s se apropie ct
mai mult de nite surse ideale de tensiune n raport cu intrarea
amplificatorului, respectiv cu impedana de sarcin, adic: Zs << Zin i Zies

<< Zsarc.
iin
Zies
uin Zin
Au Zsarc uies
us Auuin
ur Z2 Z1
Fig.8.2
Vom presupune c toate aceste condiii sunt ndeplinite i vom
deduce expresiile impedanei de intrare i impedanei de ieire ale
amplificatorului cu reacie negativ n tensiune.
Astfel:
u u + u r u in u
Z inru = s = in = 1 + r (8.20)
iin iin iin uin
uin u
Dar, = Z in i r = Au , astfel nct:
iin u in
Z inru = Z in (1 + Au ) (8.21)
Pentru calculul impedanei de ieire pornim de la definiia
impedanei de ieire a unui cuadrupol:
u iesgol
Z iesru = (8.22)
iiessc
Analiznd schema din fig.8.2, se poate observa c n condiii de
mers n gol ( Z sarc ) prin impedana de intrare Z1 a reelei de reacie
circul curent, deci reacia negativ este prezent. Astfel:
Au
u iesgol = us (8.23)
1 + Au
n condiii de mers n scurcircuit (Zsarc = 0) intrarea reelei de reacie
este untat i nu mai exist reacie negativ. De aceea uin = us i:
Au u s
iiessc = (8.24)
Z ies
Din ultimele trei relaii vom exprima impedana de ieire:
Z ies
Z iesru = (8.25)
1 + Au
Relaiile (8.21) i (8.25) ne spun c impedana de intrare a
amplificatorului cu reacie negativ de tensiune crete de (1 + Au) ori, n
timp ce impedana lui de ieire scade de acelai numr de ori. Aceasta
nseamn c la intrare amplificatorul ajut sursa de semnal s se apropie
de idealitate iar la ieire are o comportare mai apropiat de o surs ideal de
tensiune fa de impedana de sarcin. Adic, se mbuntesc condiiile pe
care le consideram necesare cu cteva paragrafe mai sus.
8.2.5 Influena reaciei negative de curent asupra impedanelor

de intrare i ieire
Dac semnalul care intr n reeaua de reacie este un curent proporional cu
intensitatea curentului de ieire i semnalul de reacie este tot un curent care
se nsumeaz n antifaz cu cel al semnalului pentru a da semnalul de
intrare, atunci reacia este o reacie negativ de curent. n acest caz,
amplificatorul trebuie s fie un amplificator de curent. Reprezentat ca un
cuadrupol, el trebuie s aib o impedan de intrare ct mai mic fa de cea
a sursei de semnal i o impedan de ieire ct mai mare pentru a se
comporta fa de sarcin ca o surs de curent ct mai apropiat de idealitate.
is iin
ir Ai
is uin Aiiin Zies Zsarc uies
Zin
Z2 Z1
Fig.8.3
Schema bloc a unui amplificator cu reacie negativ de curent este

prezentat n fig.8.3. Pentru ca amplificatorul s lucreze n condiii optime
este necesar Z1 << Zsarc i Z2 >> Zin. De asemenea, este necesar ca sursa
de semnal i amplificatorul s se apropie ct mai mult de nite surse ideale
de curent n raport cu intrarea amplificatorului, respectiv cu impedana de

sarcin, adic: Zs >> Zin i Zies >> Zsarc.
Presupunem, ca i n cazul reaciei negative de tensiune, c toate
condiiile enumerate mai sus sunt ndeplinite. n aceste condiii, expresia
impedanei de intrare a amplificatorului cu reacie negativ de curent va fi:
u u u 1
Z inri = in = in = in (8.26)
is iin + ir iin 1 + ir
iin
uin i
Dar, = Z in i r = Ai , astfel nct:
iin iin
Z in
Z inri= (8.27)
1 + Ai
Impedana de ieire o vom calcula i n acest caz pornind de la
definiia ei reiterat n relaia (8.22).
Pe schema din fig.8.3 se poate observa c n condiii de mers n gol
( Z sarc ) prin impedana de intrare Z1 a reelei de reacie nu circul
curent, deci nu exist reacie negativ. n aceast situaie iin = is i:
u iesgol = Ai i s Z ies (8.28)
Dac ieirea amplificatorului este scurcircuitat (Zsarc = 0), atunci

prin impedana de intrare Z1 a reelei de reacie circul curent i reacia
negativ este prezent. Atunci:
Ai
iiessc = is (8.29)
1 + Ai
Din relaia de definire a impedanei de ieire (8.22) i ultimele dou
relaii vom exprima impedana de ieire:
Z iesri = Zies (1 + Ai ) (8.30)
Din relaiile (8.27) i (8.30) se poate observa c impedana de intrare
a amplificatorului cu reacie negativ de tensiune scade de (1 + Ai) ori, n
timp ce impedana lui de ieire crete de acelai numr de ori. Deci,
condiiile pe care trebuie s le ndeplineasc un amplificator de curent,
impedan de intrare ct mai mare i impedan de ieire ct mai mic, se
mbuntesc considerabil dac amplificatorului propriu-zis i se adaug o
reea de reacie negativ de curent.
137
9 AMPLIFICAREA, REACIA I GENERAREA

SEMNALELOR ARMONICE
9.1 Condiia de autooscilaie

Am vzut n Capitolul 8 c dac unui amplificator i se adaug o reea pasiv
de reacie i semnalul de reacie este n faz cu semnalul furnizat de sursa de
semnal (reacie pozitiv), factorul de amplificare are expresia (8.8):
A
Ar =
1 A
Din punct de vedere fizic, pentru ca relaia precedent s aib sens
este necesar ca produsul A s fie subunitar. Dac aceast condiie este
ndeplinit, factorul de amplificare al amplificatorului n prezena reaciei
pozitive va fi mai mare dect factorul de amplificare n absena ei, Ar > A.
Situaia cea mai interesant apare atunci cnd produsul A se apropie
de unitate sau devine chiar egal cu ea, A = 1. Atunci, cel puin teoretic,
factorul de amplificare cu reacie devine infinit, ceea ce nseamn c poate
exista un semnal la ieirea amplificatorului cu reacie pozitiv chiar i atunci
cnd la intrarea nu se aplic nici un semnal din exterior. Cu alte cuvinte
amplificatorul poate deveni el nsui generator de semnal, intrnd ntr-un
regim de autooscilaie. De aceea se mai spune c un oscilator poate fi
definit ca un amplificator cu reacie pozitiv care i genereaz singur
semnalul de intrare.
Putem aadar concluziona c pentru ca un amplificator s devin
generator de semnal (oscilator) trebuie ndeplinite dou condiii:
s aib reacie pozitiv
produsul dintre factorul de amplificare i factorul de reacie s
fie unitar, A = 1.
Aceste condiii pot fi deduse i pornind de la faptul c factorul de
amplificare i factorul de reacie sunt mrimi complexe, punnd condiia
general de autooscilaie:
A =1 (9.1)
Condiia (9.1) se mai numete condiia de oscilaie a lui
Barkhausen. Fiind o relaie ntre mrimi complexe ea poate fi scris i sub
forma (vezi i relaia (8.5)):
138 Amplificarea, reacia i generarea semnalelor armonice
Ae
(
j A + ) =1 (9.2)
Aceast egalitate complex poate fi descompus n dou egaliti
reale:
A = 1/ = (9.3)
i
A + = 2k (9.4)
unde este atenuarea reelei de reacie i k = 0,1,2....

Condiia (9.3) reprezint necesitatea ca atenuarea introdus de
reeaua de reacie s fie compensat de amplificator (condiia de
amplitudine) iar relaia (9.4) arat c suma defazajelor introduse de
amplificator i reeaua de reacie trebuie s fie un multiplu ntreg de 2,
adic semnalul de reacie trebuie s fie n faz cu semnalul de intrare
(condiia de faz).
Pn aici totul pare logic. Dar se pun dou ntrebri de bun sim:
dac amplificatorului cu reacie pozitiv nu i se furnizeaz un
semnal din exterior atunci ce va amplifica el? Cum i genereaz
el semnalul?
dac amplificarea devine teoretic infinit, de ce totui semnalele
generate au o amplitudine finit?
Vom ncerca nite rspunsuri tot de bun sim.
La prima ntrebare rspunsul este ceva mai complicat i probabil l
vom nelege mai bine dup ce vom analiza n detaliu cteva reele de
reacie. Am vzut c reeaua de reacie trebuie s introduc un anumit
defazaj pentru a realiza condiia de faz. Deci, n mod obligatoriu ea trebuie
s conin elemente de circuit reactive: condensatori sau bobine sau ambele.
Deoarece reactanele acestora depind de frecven (XC = 1/C, XL = L), i
factorul de reacie va depinde de frecven. Aceasta nseamn c, pentru
un factor de amplificare A dat i pentru nite valori concrete ale elementelor
de circuit din reeaua de reacie, va exista o singur frecven pentru care
condiia A = 1 va fi satisfcut. Sau, altfel spus, reeaua de reacie este
selectiv. i totui, ce amplific amplificatorul? S ne continuam
raionamentul. La conectarea tensiunii de alimentare a amplificatorului-
oscilator curenii i tensiunile pe elementele reactive vor avea un regim
tranzitoriu. De la zero la nite valori finite. Se tie c orice semnal poate fi
considerat ca fiind compus dintr-o serie de semnale pur armonice
(sinusoidale) cu frecvene diferite. Dintre toate acestea va fi favorizat doar
semnalul cu frecvena pentru care este ndeplinit condiia lui Barkhausen.
Acesta va fi cel amplificat de amplificator, apoi prin reeaua de reacie
ajunge din nou la intrarea amplificatorului, este din nou amplificat i

fenomenele se repet. Amplitudinea semnalului favorizat va crete dup
fiecare ciclu. Dar, pn cnd?
Este clar c acest proces nu poate avea o durat infinit pentru c, n
caz contrar, el ar duce la nite oscilaii cu amplitudine infinit. Din punct de
vedere fizic aceasta ar nsemna un consum infinit de energie. Deci, undeva
trebuie s ne oprim. Finalul acestui proces va fi dictat de elementul activ al
amplificatorului. S spunem c acesta este un tranzistor care, atunci cnd
semnalul de intrare depete o anumit amplitudine, va intra n fiecare
semiperioad a lui n stare de blocare sau de saturaie limitnd amplitudinea
oscilaiilor la o valoare care depinde i de mrimea tensiunii de alimentare.
Putei nelege mai bine acest mecanism dac mai privii odat cu atenie
fig.4.4. Astfel, un rspuns mai sec la cea de a doua ntrebare ar putea fi:
amplitudinea oscilaiilor generate este limitat de neliniaritatea
caracteristicii de transfer a elementului activ.
9.2 Reele de reacie

Structura reelelor de reacie folosite la construcia oscilatoarelor
depinde n primul rnd de domeniul de frecven n care se ncadreaz
oscilaiile generate. n general, n domeniul audiofrecven se folosesc reele
de tip RC, iar n domeniul radiofrecven se folosesc circuite rezonante LC.
Vom analiza pe rnd cteva dintre reele de reacie folosite mai frecvent.
9.2.1 Reeaua RC
Reeaua RC este alctuit din trei filtre elementare trece-jos sau trece-sus
conectate n cascad. Un exemplu de astfel de reea este prezentat n fig.9.1.
C C C
i1 i2 i3
uin R R R uies
Fig.9.1
Ea este o cascad de trei filtre trece-sus. Pentru calculul funciei de
transfer i a defazajului introdus de reea putem scrie expresiile legii a doua
a lui Kirchhoff pe cele trei ochiuri de reea, apelnd la metoda curenilor
independeni:
uin = i1(R jXc) i2R (9.5)

0 = -i1R + i2(2R jXc) i3R (9.6)
0= - i2R + i3(2R jXc) (9.7)
1
n ecuaiile precedente am introdus notaia X c = .
C
Pe de alt parte, tensiunea de la ieirea reelei de reacie va fi:
uies = i3R (9.8)
Rezolvnd sistemul de ecuaii (9.5) (9.7) n raport cu i3 i
nlocuindu-l pe acesta n ecuaia (9.8), se obine pentru tensiunea de ieire
expresia:
1 (9.9)
u =u
ies in
f2 f f2
1 5 1 j 1 6 1
f 2 f f 2

n care am introdus notaia:
1
f1 = (9.10)
2RC
u ies
Funcia de transfer a reelei, = , va fi:
u in
1 (9.11)
=

f 12 f f 12
1 5 j 1 6
f 2
f f 2

Dup raionalizarea relaiei precedente se poate scrie expresia
defazajului dintre semnalul de ieire i cel de intrare ca funcie de frecven:
f1 f2
6 1
f f 2
(9.12)
= arctg
f2
1 5 12
f
Caracteristica de transfer i caracteristica de faz pentru reeaua de
defazare cu R = 4,7k i C = 10nF sunt prezentate n fig.9.2. La frecvena
f 1
fo = 1 = = 1,38kHz reeaua introduce un defazaj de radiani
6 2RC 6
i o atenuare de 30dB.
[dB]
0
-30
f[kHz]
-200
0.01 1.38 1000
[rad]
-
2
-3
2
f[kHz]
-2
0.01 1.38 1000
Fig.9.2
9.2.2 Reeaua Wien

O reea cu proprieti selective bune i cu o larg utilizare n oscilatoarele de
joas frecven este reeaua Wien prezentat n fig.9.3.
C1 R1
R2 C2 uies
uin
Fig.9.3
Schema reprezint o combinaie de dou filtre: un filtru trece-jos,
care introduce un defazaj negativ i un filtru trece-sus, care introduce un
defazaj pozitiv. Va exista astfel o frecven la care defazajele se
compenseaz reciproc, rezultnd un defazaj total nul. Pentru analizarea
comportrii filtrului vom observa c avem un divizor de tensiune a crui
tensiune de ieire poate fi scris sub forma:
1
R2
j C 2
1
R2 +
jC 2
u ies = u in (9.13)
1
R2
1 jC 2
R1 + +
jC1 1
R2 +
j C 2
Dup efectuarea ctorva operaii elementare funcia complex de
transfer poate fi adus la forma:
1
= (9.14)
R C 1
1 + 1 + 2 + j C 2 R1
R2 C1 C R
1 2
Situaia cea mai frecvent ntlnit este aceea n care R1 = R2 = R i

1
C1 = C2 = C. Dac introducem notaia f o = , atunci expresiile funciei
2RC
de transfer i a defazajului introdus de reea sunt:
1 [dB]
= (9.15) -9,5dB
f f 0
3 + j o
fo f
fo f

f fo
= arctg (9.16) f[kHz]
3 -60
0,1 15,9 5000
Reprezentrile grafice ale [rad]
acestor funcii pentru o reea Wien 2
cu valorile elementelor
componente R = 1k i C = 10 nF
sunt prezentate n fig.9.4. La o 0
frecven f = fo =15,9kHz defazajul
este nul ( = 0) i atenuarea f[kHz]
introdus de reeaua de defazare -2
este 9,5dB ( = 1/3). 0,1 15,9 5000
Fig.9.4
9.2.3 Reeaua dublu T

Un alt tip de reea selectiv RC cu o selectivitate mai bun dect reeaua
Wien este reeaua dublu T prezentat n fig.9.5. Ea este compus din doi
cuadrupoli n T conectai n paralel. Cuadrupolul format din rezistenele R i
din capacitatea C/k reprezint un filtru trece-jos iar cel format din
capacitile C i rezistena kR reprezint un filtru trece-sus. Dac se
introduce notaia fo = 1 , atunci se obine urmtoarea funcie de transfer
2RC
pentru aceast reea dublu T:
f2 f f3
k 2k 2 o j 2k 2 o k o3
f 2 f f
= (9.17)
f o2 f 3
k (
2 k 2
+ 2 k + 1) ( f
)
j 2k 2 + 2k + 1 o k o3
f 2 f f
R R
C C
uin kR C uies
k
Fig.9.5
[dB]
Valoarea minim a modulului 0
funciei de transfer este:
k (2k 1)
= (9.18)
2k 2 + k + 1 -51,5dB
f[kHz]
Pentru k = 1/2 reeaua dublu T va -60
introduce un defazaj nul la frecvena f = 5 15,5 25
[rad]
fo, iar funcia de transfer va prezenta o
2
atenuare maxim (teoretic infinit).
Reprezentrile grafice ale funciei de
transfer i defazajului unei reele dublu T 0
cu valorile elementelor de circuit R =

f[kHz]
1k, C = 10nF i k = 1/2 sunt prezentate -
n fig.9.6. 5 15,5 25
Fig.9.6
9.2.4 Circuitul rezonant

n multe tipuri de oscilatoare care genereaz semnale armonice n domeniul
radiofrecven se folosesc drept sarcin i reea de reacie circuite rezonante
LC. Unul dintre acestea este prezentat n fig.9.7.
R
uin C1
r
C2
uies
Fig.9.7
Circuitul rezonant este format dintr-o bobin cu inductana L i
rezistena de pierderi r i condensatorii cu capacitile C1 i C2. Dac notm
cu Cech capacitatea echivalent serie a celor doi condensatori:
C1C 2
C ech = (9.19)
C1 + C 2
i cu fo frecvena de rezonan a unui circuit paralel LCech fr pierderi:
1
fo = (9.20)
2 LC ech
atunci se poate demonstra c frecvena de rezonan a circuitului din fig.9.7,
alimentat cu un curent constant, este:
C ech r 2
f = fo 1 (9.21)
L
Curentul de alimentare a circuitului rezonant este furnizat de ieirea
amplificatorului care poate fi privit ca surs de tensiune sau surs de curent.
Pentru a funciona ca reea de reacie ntr-un oscilator, tensiunea de ieire a
reelei (tensiunea de reacie a amplificatorului) se colecteaz de pe
condensatorul C2. n fig.9.7 am presupus c reeaua este alimentat de o
surs de tensiune cu rezistena de ieire R.
Caracteristica de transfer i caracteristica de faz pentru o reea de
reacie ca cea din fig.9.7, alctuit din elemente cu valorile: L = 1mH, r =
10, C1 = C2 = 1nF i R =10k sunt prezentate n fig.9.8. Am ales pentru
cele dou capaciti aceeai valoare pentru c, dup cum vom vedea n
paragrafele urmtoare, intrarea n regim de autooscilaie este mai uoar n
aceast situaie.
[dB] -3dB
10
f[kHz]
-40
100 225 500
[rad]
0
-
2
-
f[kHz]
-3
2 100 225 500
Fig.9.8
Se poate observa c la o frecven egal cu frecvena proprie de
rezonan a circuitului (aici, aproximativ 225kHz) caracteristica de transfer
prezint un maxim i defazajul dintre tensiunea de ieire i tensiunea de
intrare este de - radiani. Dac i amplificatorul introduce tot un defazaj de -
radiani, atunci defazajul total va fi de 2 radiani, ndeplinind condiia de
reacie pozitiv.
9.3 Oscilator RC cu tranzistor bipolar

Schema unui oscilator de joas frecven cu tranzistor bipolar i reea de
defazare cu trei celule RC identice este prezentat n fig.9.9.
Oscilatorul este realizat dintr-un amplificator conexiune emitor
comun, urmat de reeaua de reacie prezentat i analizat n paragrafele
precedente. Defazajul dintre tensiunea de la ieirea amplificatorului i cea
de la intrarea lui este de radiani. Pentru a avea reacie pozitiv reeaua de
reacie trebuie s introduc i ea tot un defazaj de radiani. Frecvena la
f 1
care se produce acest defazaj este f = o = = 1,38kHz (vezi
6 2RC 6
relaia (9.12) i graficul din fig.9.2).
AMPLIFICATOR +EC
10V 1,38kHz
R1` Rc C C C
68k 6,8k 10nF 10nF 10nF
CB BC 171
R R R
4,7k 4,7k 4,7k
10F
R2 RE CE RETEA DE REACTIE
15k 470 10F
Fig.9.9
Din relaia (9.11) rezult c la aceast frecven modulul factorului
1
de transfer al reelei de reacie este = . innd seama de condiia de
29
autooscilaie a lui Barkhausen , Auo =1, rezult c dac Auo 29
amplificatorul cu reacie pozitiv din fig.9.9 va intra n regim de
autooscilaie pe frecvena de 1,38kHz.
9.4 Oscilator Wien cu amplificator operaional

Un oscilator pentru frecvene relativ joase, foarte uor de realizat i fr a
ridica probleme din punct de vedere al intrrii n regim de autooscilaie este
cel cu reea de reacie Wien i cu amplificator operaional. O schem
concret este prezentat n fig.9.10.
1
Dup cum am vzut, la frecvena f o = reeaua de reacie nu
2RC
introduce defazaj ntre semnalul de la intrarea ei i cel de la ieire (vezi
relaia (9.16) i fig.9.4). Aceasta nseamn c pentru a avea o reacie
pozitiv nici amplificatorul nu trebuie s introduc vreun defazaj. n cazul
amplificatorului operaional, am nvat c tipul de conexiune care
ndeplinete aceast condiie este cea neinversoare. Aadar, pentru
ndeplinirea condiiei de faz semnalul de reacie trebuie aplicat pe intrarea
neinversoare a amplificatorului operaional.
AMPLIFICATOR R2
15,9kHz
2k R2
R1 R1= 2
1k R2
741 R1 2
R C
1k
10nF
C R
1k
10nF
RETEA DE REACTIE
Fig.9.10
Din relaia (9.15) rezult c la frecvena pentru care este ndeplinit
condiia de faz (n cazul de fa fo = 15,9kHz), factorul de transfer al reelei
de reacie este = 1/3. Factorul de amplificare al conexiunii neinversoare
este Ar = 1 + R2/R1. Din condiia de autooscilaie: Ar = 1 , se stabilete
valoarea raportului minim dintre rezistenele care determin factorul de
amplificare: R2/R1 = 2 . Pentru aceast valoare a raportului R2/R1 semnalul
de ieire va fi sinusoidal. Dac valoarea raportului este mai mic, condiia
de autooscilaie nu este ndeplinit i la ieire nu vom avea nici un fel de
semnal variabil. Dac valoarea lui este mai mare dect 2 , la ieire vom
obine un semnal asemntor cu o sinusoid cu vrfurile retezate deoarece
ieirea amplificatorului operaional va ajunge alternativ n saturaie pozitiv
sau negativ.
9.5 Oscilator de radiofrecven cu tranzistor bipolar

Oscilatoarele de radiofrecven (3.104 - 3.108 Hz) conin ca reea de reacie
selectiv un circuit paralel LC cu frecvena de rezonan n domeniul
considerat. Se tie c dac un condensator cu capacitatea C, ncrcat cu o
anumit cantitate de energie electric, este conectat la bornele unei bobine
cu inductana L i rezistena de pierderi r, n circuitul format (circuit
oscilant) pot lua natere oscilaii sinusoidale amortizate. Dac bobina este de
bun calitate (L r ) , frecvena acestora va fi determinat doar de
inductana bobinei i capacitatea condensatorului:
1
fo (9.22)
2 LC
Procesul periodic de transformare a energiei acumulate n cmpul
electric al condensatorului n energie acumulat n cmpul magnetic al
bobinei i invers se va desfura numai dac este ndeplinit condiia:
L
r <2 (9.23)
C
Amortizarea oscilaiilor se datoreaz pierderilor de energie prin efect
Joule n rezistena de pierderi a bobinei i rezistenele cablurilor de
conexiune. Viteza de atenuare a amplitudinii lor este cu att mai mare cu ct
rezistena total de pierderi este mai mare. Intuiia ne spune c dac aceste
pierderi de energie vor fi compensate ntr-un mod oarecare, procesul
oscilatoriu poate continua un interval de timp orict de lung fr ca
amplitudinea oscilaiilor s scad.
Practic exist dou posibiliti de realizare a acestui deziderat:
compensarea rezistenei pozitive de pierderi cu o rezisten
diferenial negativ
pomparea n circuit n fiecare perioad a oscilaiei a unei
cantiti de energie egal cu cea disipat n acelai interval de
timp.
Oscilatoarele cu rezisten negativ au n schema lor un element de
circuit cu o caracteristic voltamperic care are o poriune cu pant negativ.
Un astfel de element este dioda tunel a crei caracteristic este prezentat n
fig.2.13. Dac ea este polarizat astfel nct punctul su static de funcionare
s fie pe poriunea AB a acestei caracteristici, atunci efectul rezistenei
difereniale negative:
du
= (9.24)
di
poate compensa efectul de pierderi al rezistenei pozitive.
Oscilatoarele de radiofrecven LC fac parte din cea de a dou
categorie, n care energia pierdut n elementele de circuit disipative este
compensat cu energie absorbit de elementul activ de la sursa de
alimentare i transmis circuitului oscilant. Exist mai multe tipuri de
oscilatoare de radiofrecven LC. Dintre acestea vom exemplifica analiza
unui astfel de generator de semnale sinusoidale pe oscilatorul Colpitts. O
schem funcional de oscilator Colpitts este prezentat n fig.9.11. Ea
folosete drept sarcin i reea de reacie un circuit rezonant de tipul celui
AMPLIFICATOR +Ec
R1 Rc
39k 3k Cc 750kHz
Cb BF 255 4,7F
C1
4,7F 2,2nF L,r
R2 RE CE 40H
10k C2 6
750
4,7F
2,2nF
RETEA DE REACTIE
Fig.9.11
Schema echivalent la variaii a oscilatorului din fig.9.11 este
ib
h11 h21ib -1 C1
R1 R2 Rc h22
r
C2
Fig.9.12
Avnd n vedere valorile concrete ale elementelor de circuit i
parametrii caracteristici ai tranzistorului, se pot face urmtoarele
aproximaii:
1
R1 R2 Rc h22
>> h11 ; 1
>> Z ' (9.25)
R1 + R2 Rc + h22
unde Z este impedana circuitului oscilant n condiii de rezonan mpreun

cu rezistena de intrare h11 a tranzistorului. Precizm c aproximaiile
precedente nu au o influen semnificativ asupra rezultatelor finale.
Schema echivalent simplificat pe baza acestor aproximaii este prezentat
n fig.9.13.
ib
L
h11 h21ib C1
r
ib
C2 ur
i1 i2
Fig.9.13
Pe baza ei se poate scrie sistemul de ecuaii:
h21ib + ib = i1 + i2 (9.26)
i1 1
= i2 r + jL + ib (r + jL ) (9.27)
jC1 jC 2
i2
u r = (9.28)
j C 2
u r
ib = (9.29)
h11
Din ecuaiile (9.27), (9.28) i (9.29) se exprim i1 i ib n funcie

de i2, se nlocuiesc n ecuaia (9.26) care apoi se aduce la forma Re + jIm
=0:
[ ]
( 2 C1C 2 h11 r + 2 C1 L h21 1) j h11 (C1 + C 2 ) + rC1 2 C1C 2 Lh11 = 0
(9.30)
Pentru ca aceast ecuaie s fie satisfcut este necesar ca simultan
Re = 0 i Im = 0, rezultnd:
2 C1C 2 h11 r + 2 C1 L h21 1 = 0 (9.31)
h11 (C1 + C 2 ) + rC1 2 C1C 2 Lh11 = 0 (9.32)

Din ecuaia (9.32) se obine frecvena oscilaiilor generate:

r C1
f osc = f o 1 + (9.33)
h11 C1 + C2
unde
1
fo = (9.34)
CC
2 L 1 2
C1 + C 2
De multe ori termenul al doilea de sub radicalul din expresia (9.33)
este mult mai mic dect unu i frecvena oscilaiilor generate va fi dictat n
principal de valorile elementelor componente ale circuitului rezonant.
Din ecuaia (9.31), n care pentru simplificarea calculelor se poate
considera o = 2 f o , se obine condiia de amorsare a oscilaiilor:
C1 rh11
h21 = + (C1 + C 2 ) (9.35)
C2 L
De obicei, n proiectarea acestui tip de oscilator se accept drept
condiie minimal pentru intrarea n regim de autooscilaie:
C1
h21 > (9.36)
C2
Se vede c dac C1 = C2, condiia precedent devine h21 > 1, condiie
ndeplinit de orice tranzistor n domeniul de frecvene pentru care este
proiectat.
Ecuaia (9.32) se poate scrie i sub forma:
C2
h11 (1 + ) + r 2 C 2 Lh11 = 0 (9.37)
C1
La o examinare mai atent a ei se poate observa c termenii care o
compun au dimensiunile fizice ale unor rezistene i c apare un termen cu
semnul "-". El poate fi interpretat ca efectul de rezisten negativ introdus
de ctre elementul activ, n cazul nostru tranzistorul:
rn = 2 C 2 Lh11 (9.38)
nlocuind pulsaia cu expresia sa rezultat din ecuaia (9.34), se
obine pentru rn relaia:
C
rn = h11 1 + 2 (9.39)
C1
Aceast rezisten negativ compenseaz toate pierderile pe
rezistenele pozitive din circuit.
Dac n schema din fig.9.11, n reeaua de reacie, condensatorii C1
i C2 se nlocuiesc cu dou bobine L1 i L2 iar bobina L se nlocuiete cu un
condensator C, se obine tot un oscilator de radiofrecven. El se numete
oscilator Hartley i analiza funcionrii lui se poate face n acelai mod ca i
cea a oscilatorului Colpitts.
9.6 Oscilator de radiofrecven cu cristal de cuar

Atunci cnd n domeniul radiofrecven este necesar o stabilitate foarte
bun a frecvenei, n locul circuitului rezonat clasic format din bobine i
condensatori, se folosete un cristal de cuar dedicat acestui scop,
funcionarea cruia se bazeaz pe efectul piezoelectric. Unui astfel de cristal
i se poate asocia o schem electric echivalent ca cea din fig.9.14a.
Z
Cs
Lq
Cp
rq
fs fp f

Cq
+2
0
f
-
2
a b
Fig.9.14
Este vorba despre un circuit oscilant serie, valorile elementelor de
circuit fiind determinate de proprietile mecanice ale cristalului: inductana
Lq - de mas, capacitatea Cq - de elasticitate i rezistena de pierderi Rq - de

frecrile mecanice. Capacitatea Cp reprezint capacitatea dintre electrozii
plani ntre care se afl cristalul, prin intermediul crora acesta se poate
conecta n circuitul electric.
Variaia impedanei electrice a cristalului de cuar i a defazajului
dintre tensiune i curent n funcie de frecven este prezentat n fig.9.14b.
Se poate observa c impedana sa are dou puncte de extrem,
corespunztoare la dou frecvena de rezonan:
1
fs = (9.40)
2 Lq Cq
i
1 Cq
fp = = fs 1 + (9.41)
CC Cp
2 Lq p q
Cp + Cq
Prima dintre acestea reprezint frecvena de rezonan a circuitului
serie, iar cea de a doua (frecvena paralel) este frecvena la care reactana
inductanei Lq devine egal cu reactana capacitii echivalente serie format
din Cq i Cp. n deducerea relaiilor (9.40) i (9.41) s-a neglijat contribuia
rezistenei de pierderi Rq deoarece valoarea ei este mult mai mic dect
reactana inductiv Lq. Din dependena de frecven a defazajului tensiune-
curent se vede c pentru frecvenele cuprinse ntre fs i fp comportamentul
cristalului este inductiv i n afara acestui domeniu el devine capacitiv.
Deoarece raportul Cq/Cp poate lua valori n domeniul 10-3-10-5, cele
dou frecvene sunt foarte apropiate, diferena dintre ele:
1 C
f p fs = fs q (9.42)
2 Cp
fiind de cele mai multe ori mai mic dect 1%. Deoarece la frecvena paralel
funcionarea cristalului este foarte instabil, n practic n serie cu cristalul
se conecteaz o capacitate Cs numit capacitate de sarcin (ntre linii
punctate n fig.9.14), care deplaseaz frecvena paralel nspre cea serie,
astfel nct diferena dintre ele devine:
1 Cq
f p f s = f s (9.43)
2 C p + Cs
Valoarea capacitii Cs se alege de 3-4 ori mai mare dect valoarea
lui Cp pentru a asigura funcionarea stabil a cristalului.
n domeniul de frecvene 10-50 MHz rezistena de pierderi a
cristalului este sub 100 , inductana sa este de ordinul 10-2-10-3 H, astfel
nct factorul de calitate al acestuia, sLq/Rq, este de ordinul 104-105. Acest

factor de calitate ridicat nseamn o selectivitate foarte bun a circuitului
rezonant echivalent al cuarului, ceea ce asigur o stabilitate foarte bun a
frecvenei de oscilaie n raport cu variaiile de temperatur atunci cnd este
folosit ca circuit rezonant n oscilatoare.
AMPLIFICATOR
+EC
12V
Rc
100
R1 Cc RETEA DE REACTIE
10k 1nF
BF 255 12MHz
C2
C
2,2nF 20-50pF 12MHz
R2 C1 C3
10k 2k 390pF 2,2nF
Fig.9.16
n fig.9.16 este prezentat o schem aplicativ pentru un oscilator cu
cristal de cuar (oscilatorul Pierce) care genereaz semnale sinusoidale cu
frecvena de 12MHz. Cu ajutorul capacitii C se poate regla fin frecvena
de oscilaie n vecintatea frecvenei de rezonan a cristalului de cuar.
155
10 REPREZENTAREA DIGITAL
10.1 Niveluri logice

n reprezentarea digital pentru exprimarea cantitativ a informaiei se
folosesc semnale electrice care pot avea doar dou niveluri de tensiune: un
nivel cobort i un nivel ridicat. Dac acestor dou niveluri le asociem
simbolurile numerice 0 i 1 nseamn c putem opera cu ele n sistemul de
numeraie binar. Pentru c algebra care se ocup cu operaiile n sistemul
binar se mai numete i algebr logic, cele dou niveluri de tensiune se mai
numesc 0 logic i 1 logic. De semnalele electrice care pot avea doar
dou niveluri de tensiune se ocup electronica digital.
n practic, zgomotele, care au diverse surse (mecanice, termice,
electromagnetice), determin fluctuaii ale semnalelor electrice. De
asemenea, cderile de tensiune pe unele elemente de circuit pot influena
cele dou niveluri de tensiune. S ne gndim numai la tensiunea colector-
emitor de saturaie a unui tranzistor bipolar care este foarte apropiat de 0V
dar nu este exact 0V (vezi i fig.3.7). De aceea, celor dou niveluri logice nu
li se asociaz dou valori fixe de tensiune ci dou intervale de tensiune care
depind de familia de circuite digitale integrate care este n discuie. Ele sunt
prezentate n fig.10.1.
familia TTL familia CMOS
VCC [V] VDD [V]
5 5
4 4 1 LOGIC
1 LOGIC
3 3
2 2
1 1
0 LOGIC 0 LOGIC
0 0
TTL - Transistor Transistor Logic

CMOS - Complementary Metal Oxide Semiconductor
Fig.10.1
156 Reprezentarea digital
Productorii de circuite digitale garanteaz c orice semnal care are

tensiunea n interiorul acestor intervale de tensiune este interpretat ca 0
logic, respectiv 1 logic.
Trebuie menionat c exist circuite CMOS alimentate cu VDD =
3,3V sau 2,7V care au domeniile de valori corespunztoare valorilor logice
mprite n mod asemntor: ntre 0 i 30% din VDD pentru 0-logic i ntre
70% din VDD i VDD pentru 1-logic.
Nivelurile logice 0 i 1 pot fi generate de tranzistorii bipolari sau cu
efect de cmp care lucreaz n regim de comutaie ntre cele dou stri
extreme: saturat-blocat, respectiv deschis-nchis. Tranziia ntre cele dou
stri nu se poate face instantaneu pentru c ea implic redistribuirea
purttorilor de sarcin (electroni i goluri). Timpul necesar tranziiilor dintre
stri se numete timp de comutaie. Deoarece el determin viteza de lucru a
unui sistem digital, s-au fcut i se fac n continuare eforturi pentru
micorarea lui. Deocamdat, pentru un tranzistor el a ajuns undeva sub 10ps.
Dar, s nu uitm c ntr-un circuit digital informaia aplicat la intrare trece
prin mai muli tranzistori n drumul ei spre ieire, astfel nct timpii de
comutaie se cumuleaz. Timpul necesar unei informaii (s spunem o
tranziie 0 1) pentru a ajunge de la intrare la ieire se numete timp de
propagare.
10.2 Ce este un semnal digital ?

Informaiile pe care le percepem de la fenomenele din jurul nostru sunt n
genere analogice. Pentru a le msura i prelucra semnalele de orice natur
sunt transformate n semnale electrice folosind dispozitivele electronice
numite traductori. Aceste semnale sunt tot analogice. Prelucrarea semnalelor
electrice n sistemele digitale prezint avantajele vitezei mari de operare,
imunitii mai bune la zgomote, programabilitii sau a posibilitii de
memorare.
Transformarea unui semnal din form analogic n form digital
(digitizarea) presupune dou etape prezentate i n fig.10.2:
eantionarea citirea valorii lui analogice la intervale de timp
egal distanate ntre ele (s timp de eantionare). Semnalul
obinut este tot ntr-o reprezentare analogic dar este un semnal
eantionat.
cuantificarea fiecrui eantion i se atribuie un cod numeric
care conine doar dou simboluri, 0 i 1. Codul numeric este n
direct legtur cu valoarea analogic a eantionului cruia i se
asociaz. Cel mai frecvent este folosit codul binar.
Pentru ca informaiile digitale astfel obinute s poat fi prelucrate

sau folosite n diferitele pri componente ale unui sistem digital complex
este necesar memorarea lor.
n legtur cu operaie de digitizare a unui semnal analogic se pune
ntrebarea fireasc: la ce intervale de timp trebuie luate eantioanele? Sau
1
altfel spus: ct de mare trebuie s fie frecvena de eantionare, f s = ?
s
Rspunsul este: trebuie s fie att de mare nct semnalul continuu s poat
fi reconstituit ct mai fidel din eantioanele sale. Teorema eantionrii a lui
Shanon ne lmurete pn la capt, spunndu-ne c pentru a fi posibil
reconstrucia unui semnal continuu din eantioanele sale este necesar ca
frecvena de eantionare s fie cel puin egal cu dublul frecvenei maxime
a semnalelor armonice din care se compune semnalul eantionat
f s 2 f max .
u(t) [V]
10 SEMNAL ANALOGIC CONTINUU
9
8
7
6
5
4
3
2
1 t
0
s
uk(t) [V]
10
9 SEMNAL ANALOGIC ESANTIONAT
8
7
6
5
4
3
2
1 t
0
0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 .....................
MEMORIE
SEMNAL DIGITAL MEMORAT
Fig.10.2
10.3 Sisteme de numeraie

n viaa cotidian folosim sistemul de numeraie zecimal fr s ne
punem prea des ntrebarea de ce?. Probabil pentru c este cel mai sugestiv
i cel mai uor de utilizat de noi la efectuarea operaiilor aritmetice. Din
pcate, sistemul de numeraie zecimal cu care suntem att de obinuii nu se
preteaz la folosirea lui convenabil n sistemele digitale. De pild, este
foarte dificil proiectarea unui echipament electronic digital care s opereze
cu zece niveluri diferite de tensiune, niveluri care s corespund n mod
univoc celor zece caractere zecimale (0 - 9). n schimb, este mult mai simpl
proiectarea i realizarea unor circuite electronice care s opereze doar cu
dou niveluri de tensiune. Drept urmare, aproape toate sistemele digitale
folosesc sistemul de numeraie binar (n baza 2) ca sistem de operare de
baz dar nu exclud folosirea i a altor sisteme de numeraie atunci cnd
acest lucru uureaz funcionarea sistemului. De aceea considerm necesar
o reamintire succint a sistemelor de numeraie folosite n electronica
digital, precum i modalitile de trecere de la un sistem de numeraie la
altul.
10.3.1 Sistemul binar

n sistemul binar se folosesc doar dou simboluri sau valori posibile pe care
le poate avea un bit: 0 sau 1. El este un sistem poziional deoarece fiecrui
digit i se atribuie o pondere de rang binar (20, 21, 22, ...) n funcie de poziia
pe care o ocup n expresia numrului binar.
ponderi poziionale
3 2 1 0 -1 -2
......... 2 2 2 2 2 2 2-3......

1 0 1 1 1 0 1
punct binar
cel mai semnificativ bit cel mai puin semnificativ bit
(MSB) (LSB)
Pentru a gsi echivalentul zecimal al numrului exprimat n sistem
binar vom face o sum de produse a valorii fiecrui digit cu ponderea de
rang binar corespunztoare poziiei lui:
1011.1012 = (1x23) + (0x22) + 1x21) + (1x20) + (1x2-1) + 0x2-2) + (1x2-3)=
= 8 + 0 + 2 + 1 + 0.5 + 0 + 0.125 =
= 11.62510
n sistemul binar termenul de digit binar este adesea abreviat ca bit.
n numrul din exemplul precedent cei 4 bii din stnga punctului binar
reprezint partea ntreag a numrului iar cei 3 bii din dreapta punctului
binar reprezint partea fracionar a lui. Cnd lucrm cu numere binare
suntem limitai la un anumit numr de bii care este impus de concreteea
circuitelor electronice folosite. Dac N este numrul de bii din
reprezentarea binar (de obicei N este o putere a lui 2) atunci numrul
maxim pe care-l putem reprezenta are corespondentul zecimal 2N-1. Este
evident c o secven de numrare care ncepe de la 0 se va termina la 2N-1.
n Tabelul 10.1 este prezentat o astfel de secven de numrare n cazul
unei reprezentri binare pe 4 bii. Se poate observa c cel mai puin
semnificativ bit (cu ponderea 20) "basculeaz" la fiecare modificare a valorii
numrului reprezentat. Bitul cu ponderea 21 basculeaz ori de cte ori bitul
cu ponderea 20 trece din 1 n 0. n mod asemntor, bitul cu ponderea 22
basculeaz ori de cte ori bitul cu ponderea 21 trece din 1 n 0 iar bitul cu
ponderea 23 basculeaz ori de cte ori bitul cu ponderea 22 trece din 1 n 0.
Observaia ar putea continua n acelai mod i pentru o reprezentare pe 8
bii, 16 bii ...
Tabelul 10.1
Binar
Corespondentul
Ponderea
zecimal
23 = 8 22 = 4 21 = 2 20 = 1
0 0 0 0 0
0 0 0 1 1
0 0 1 0 2
0 0 1 1 3
0 1 0 0 4
0 1 0 1 5
0 1 1 0 6
0 1 1 1 7
1 0 0 0 8
1 0 0 1 9
1 0 1 0 10
1 0 1 1 11
1 1 0 0 12
1 1 0 1 13
1 1 1 0 14
1 1 1 1 15
Se vede deci c cel mai puin semnificativ bit i schimb starea de la

0 la 1 sau de la 1 la 0 la fiecare pas al procesului de numrare. Al doilea bit
st doi pai n starea 0 i doi pai n starea 1, al treilea bit st patru pai n
starea zero i patru n starea 1 iar al patrulea bit st opt pai n starea 0 i opt
n starea 1. Generaliznd, n cazul unei reprezentri pe N bii cel mai
semnificativ bit va sta 2N-1 pai de numrare n starea 0 i apoi nc 2N-1 pai
n starea 1.
Pentru conversia unui numr exprimat n sistemul de numeraie
zecimal n corespondentul su binar exist dou modaliti. n cazul
numerelor relativ mici, ele pot fi scrise direct ca o sum de produse ale
puterilor lui 2 cu coeficienii 0 sau 1. Aceti coeficieni, aezai ordonat
conform ponderii de rang binar de care sunt ataai, vor reprezenta
exprimarea binar a numrului zecimal. De exemplu:
2310 = 16 + 4 + 2 +1 = 1x24 + 0x23 +1x22 + 1x21+1x20
2310 = 1 0 1 1 12
n cazul numerelor mai mari, scrierea lor ca sum de produse nu mai
este chiar att de lesnicioas i atunci se recurge la diviziunea repetat cu 2.
Numrul se mparte la 2 rezultnd restul egal cu 0 sau 1. Acest rest va
constitui cel mai puin semnificativ bit din reprezentarea binar a numrului.
Apoi, ctul primei mpriri se mparte la doi. Restul mpririi (evident tot 0
sau 1) va constitui cel de-al doilea bit al reprezentrii binare. Procesul de
conversie va continua pn cnd ctul mpririi va fi 0. Restul acestei
ultime mpriri va constitui cel mai semnificativ bit al reprezentrii binare.
Ca exemplificare a acestei metode s facem conversia numrului 25 prin
aceast metod:
25 : 2 = 12 rest 1 LSB - cel mai puin semnificativ bit
12 : 2 = 6 rest 0
6:2=3 rest 0
3:2=1 rest 1
1:2=0 rest 1 MSB - cel mai semnificativ bit
deci: 2510 = 110012

Exemplul l-am dat tot pe un numr mic, la care ar fi mai uoar
prima metod, doar pentru a observa c metoda diviziunii repetate se
preteaz foarte bine unui proces de algoritmizare. Atunci cnd se utilizeaz
un calculator, ctul mpririi va fi un numr ntreg sau un numr fracionar
cu fraciunea zecimal 5. n primul caz restul este evident 0 iar n al doilea
restul se obine prin multiplicarea cu 2 a prii fracionare. Iat cum se vor
prezenta lucrurile n cazul conversiei numrului 37 dac se folosete un

calculator:
37 : 2 = 18.5 rest 1 LSB
18 : 2 = 9.0 rest 0
9 : 2 = 4.5 rest 1
4 : 2 = 2.0 rest 0
2 : 2 = 1.0 rest 0
1 : 2 = 0.5 rest 1 MSB
deci: 3710 = 1001012
10.3.2 Sistemul octal

Sistemul de numeraie octal este foarte important n sfera calculatoarelor
digitale. El este un sistem ponderat cu baza de numeraie 8, deci exist opt
valori pentru digiii care reprezint numrul. Fiecare digit al unui numr
octal poate avea oricare dintre cele opt valori: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6 sau 7.
Ponderea unui digit este dat de poziia sa fa de punctul octal:
......... 84 83 82 81 80 8-1 8-2 8-3......

punct octal
Conversia unui numr octal n corespondentul su zecimal se poate
face scriind suma de produse dintre valoarea fiecrui digit cu ponderea sa de
rang octal. De exemplu:
3728 = 3x82 + 7x81 + 2x80
= 3x64 + 7x8 + 2x1
= 25010
Conversia unui numr zecimal n corespondentul su octal se poate
face cu metoda diviziunii repetate cu 8 dup acelai algoritm ca i conversia
zecimal-binar, cu deosebirea c restul unei mpriri poate lua orice valoare
de la 0 la 7. S facem conversia numrului zecimal 266 n sistemul de
numeraie octal:
266 : 8 = 33 rest 2 LSB
33: 8 = 4 rest 1
4:8=0 rest 4 MSB
deci: 26610 = 4128
S notm c primul rest este cel mai puin semnificativ bit iar ultimul este
cel mai semnificativ bit.
Dac se folosete un calculator restul se poate calcula multiplicnd

cu 8 fraciunea zecimal a ctului mpririi. De exemplu: 266 : 8 = 33.25;
0.25x8 = 2.
Conversia octal-binar. Cel mai important avantaj al sistemului de
numeraie octal este uurina cu care un numr octal poate fi convertit n
corespondentul su binar. Conversia const n nlocuirea fiecrui digit octal
cu corespondentul su binar, coresponden dat n Tabelul 10.2.
Tabelul 10.2.
Digit octal 0 1 2 3 4 5 6 7
Echivalentul
000 001 010 011 100 101 110 111
binar
Folosind aceast coresponden s convertim 4728 n echivalentul su binar:

4 7 2

100 111 010
deci: 4728 = 100 111 0102

Verificarea o putem face convertind ambele numere n baza 10:
4728 = 4x82 + 7x81 + 2x80 = 256 + 56 +2 = 31410
1001110102 = 1x28 + 1x25 + 1x24 + 1x23 + 1x21 = 256+32+16+8+2 =
31410
Conversia unui numr ntreg binar ntr-un numr ntreg octal se face
invers dect n cazul conversiei octal-binar. Mai nti se organizeaz biii
numrului binar n grupe de cte trei, pornind de la cel mai puin
semnificativ bit. Apoi, fiecare grup este convertit n echivalentul su octal.
n cazul n care numrul binar nu are un numr de bii care s fie un
multiplu de 3, se realizeaz acest lucru prin adugarea unuia sa a doi bii 0 la
stnga celui mai semnificativ bit. S facem conversia numrului binar
11010110 n corespondentul su octal:
011 010 110

3 2 6
deci: 110101102 = 3268
Se poate observa c, pentru realizarea conversiei, am adugat un bit 0 la
stnga celui mai semnificativ bit al numrului binar.
Valoarea celui mai mare digit n sistemul de numeraie octal este 7.

Cnd se face numrarea n octal i se ajunge la 7, la urmtoarea
incrementare digitul respectiv trece n zero iar digitul vecin lui de rang
superior va crete cu o unitate. Iat dou secvene de numrare n octal care
ilustreaz cele afirmate mai sus:
65, 66, 67, 70, 71, 72
sau
275, 276, 277, 300
n prima secven cnd se ajunge la 67, primul digit trece n 0 (7
0) iar digitul de rang superior crete cu o unitate (6 7). La fel se ntmpl
n a doua secven de numrare:7 0, 7 0 i 2 3.
Cu N digii octali se poate numra de la 0 la 8N-1. De exemplu, cu
trei digii octali se poate numra de la 0008 la 7778, care nseamn 83 =
51210 numere octale diferite.
Uurina cu care se poate realiza conversia ntre sistemele octal i
binar face ca sistemul de numeraie octal s fie deosebit de atractiv mai ales
pentru scrierea numerelor binare foarte mari, pentru c, dup cum se tie, n
lumea calculatoarelor numerele binare pe 64 de bii de exemplu nu sunt un
lucru neobinuit.
Numerele binare nu reprezint ntotdeauna cantiti numerice. Ele
pot fi i coduri convenionale care conin o anumit informaie. n
calculatoare numerele binare pot avea urmtoarele semnificaii:
date numerice reale
numere corespunztoare unei locaii (adrese) de memorie
instruciune codificat
coduri de litere sau alte caractere nenumerice
un grup de bii reprezentnd starea unui dispozitiv intern sau
extern calculatorului
Cnd se opereaz cu cantiti mari de numere binare alctuite din
muli bii, este convenabil i eficient ca aceste numere s fie scrise mai
degrab n sistemul octal dect n cel binar. Atenie ns, circuitele i
sistemele digitale opereaz numai n sistemul binar, sistemul octal fiind
numai un ajutor pentru operatorii sistemului.
10.3.3 Sistemul hexazecimal

Sistemul hexazecimal folosete baza de numeraie 16, existnd deci 16
simboluri diferite pentru digii. Cele 16 simboluri sunt cifrele de la 0 la 9
plus literele A, B, C, D, E i F. Tabelul 10.3 arat corespondena dintre
aceste simboluri i exprimarea lor n sistemele zecimal i binar.
Tabelul 10.3
Hexazecimal Zecimal Binar
0 0 0000
1 1 0001
2 2 0010
3 3 0011
4 4 0100
5 5 0101
6 6 0110
7 7 0111
8 8 1000
9 9 1001
A 10 1010
B 11 1011
C 12 1100
D 13 1101
E 14 1110
F 15 1111
Sistemul hexazecimal fiind i el unul ponderat, fiecrui digit i se
atribuie o pondere n funcie de poziia ocupat n expresia numrului.
Avnd n vedere acest lucru, conversia hexazecimal-zecimal se face dup
acelai algoritm cu conversiile binar-zecimal sau octal-zecimal. De
exemplu, numrul 2AF16 poate fi convertit astfel:
2AF16 = 2x162 + 10x161 + 15x160
= 512 + 160 + 15
= 68710
Conversia zecimal-hexazecimal se poate face prin metoda diviziunii
repetate, dup acelai algoritm ca i n cazurile zecimal-binar sau zecimal-
octal, inndu-se seama de corespondena din Tabelul 10.3. S convertim n
sistemul hexazecimal numrul 42310:
423 : 16 = 26 rest 7 LSB
26 : 16 = 1 rest 10 A
1: 16 = 0 rest 1 MSB
deci:
42310 = 1A716
Dac se folosete un calculator pentru efectuarea mpririi, restul se
calculeaz multiplicnd cu 16 fraciunea zecimal a ctului.
Conversia hexazecimal-binar se face n mod asemntor conversiei
octal - binar. Fiecrui digit hexazecimal i se asociaz corespondentul su
binar conform tabelului 3. S exemplificm convertind n binar numrul
9F216.
9 F 2

1001 1111 0010
deci:
9F216 = 1001111100102
Conversia binar - hexazecimal este procesul invers celui precedent.
Numrul binar se mparte n grupe de cte patru digii i fiecare grup este
nlocuit cu corespondentul su hexazecimal conform tabelului 3. n cazul
n care numrul total de digii nu este un multiplu de patru se adaug unu,
doi sau trei digii 0 la stnga celui mai semnificativ bit pentru realizarea
acestui deziderat. S exemplificm convertind n sistemul hexazecimal
numrul binar 111101001102.
0111 1010 0110

7 A 6
deci:
111101001102 = 7A616
Cnd se face numrarea n hexazecimal valoarea celui mai puin
semnificativ digit crete cu o unitate de la 0 la F. Odat ajuns la aceast
valoare, la urmtorul pas acest digit trece n 0 iar urmtorul digit ca pondere
crete cu o unitate. Procesul continu pn cnd i al doilea digit ajunge la F
i, trecnd n 0, determin al treilea digit s creasc cu o unitate i aa mai
departe. Exemplificm acest lucru prin dou secvene de numrare:
38, 39, 3A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F, 40, 41, 42
6F8, 6F9, 6FA, 6FB, 6FC, 6FD, 6FE, 6FF, 700, 701, 702
166
11 PORI LOGICE
11.1 Operaii i pori logice

Algebra care opereaz numai cu dou simboluri, 0 i 1, este mult mai simpl
dect algebra clasic, existnd doar trei operaii de baz:
Adunarea logic - cunoscut i ca operaia SAU (OR) cu
simbolul de operare "+".
Multiplicarea logic - cunoscut i ca operaia I (AND) cu

simbolul de operare " ".
Inversiunea - cunoscut i ca operaia NU (NOT) cu simbolul de
operare " ".
Aceste operaii elementare pot fi efectuate cu ajutorul unor circuite
electronice care opereaz doar cu cele dou niveluri de tensiune definite n
capitolul precedent, circuite care se numesc pori logice.
Porile logice elementare opereaz cu doar cu dou variabile de
intrare. Drept urmare ele au dou intrri i o ieire. Legtura dintre starea
logic a ieirii i toate combinaiile posibile ale nivelurilor logice ale
intrrilor poate fi sintetizat ntr-un tabel care se numete tabel de adevr.
11.1.1 Operaia SAU (adunarea logic)

Dac A i B sunt variabile independente de intrare, atunci expresia variabilei
de ieire x n cazul n care circuitul realizeaz adunarea logic este:
x=A+B
n aceast expresie simbolul "+" nu are semnificaia tradiional a
adunrii algebrice clasice ci a operaiei logice SAU. Tabelul 11.1 este
tabelul de adevr al funciei SAU de dou variabile.
Tabelul11.1
B A x = A+ B
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
Adunarea logic este identic cu adunarea algebric exceptnd

situaia n care A = B = 1. n acest caz, datorit faptului c nivelul logic al
ieirii nu poate fi 2, suma logic 1 + 1 va avea ca efect apariia nivelului
logic 1 la ieire. Expresia x = A + B se citete "x este egal cu A sau B". La

fel se ntmpl lucrurile i dac avem trei variabile de intrare A, B, C. Dac
A = B = C = 1, atunci:
x=1+1+1=1
Prin urmare, se poate observa c n cazul adunrii logice ieirea ia
nivelul logic 1 ori de cte ori cel puin o intrare este la nivel logic 1.
Poarta logic SAU este un circuit digital care realizeaz adunarea
logic i care are dou sau mai multe intrri i o ieire.
A
x=A+B
B
Fig.11.1
n fig.11.1 este prezentat simbolul unei pori logice sau cu dou
intrri. Intrrile A i B pot fi la nivelurile logice de tensiune corespunztoare
variabilelor binare 0 sau 1 iar ieirea x ia nivelul logic de tensiune
corespunztor adunrii logice a variabilelor de intrare. Altfel spus, ieirea
porii logice SAU cu dou intrri este la un nivel nalt de tensiune dac fie
intrarea A, fie intrarea B, fie ambele intrri sunt la nivel nalt de tensiune.
Ieirea va fi la un nivel cobort de tensiune numai dac ambele intrri sunt
la nivel cobort de tensiune.
Ideea prezentat poate fi extins i asupra porilor logice cu mai mult
de dou intrri.
ieirea unei pori SAU cu mai multe intrri este la un nivel nalt de
tensiune dac cel puin una dintre intrri este la un nivel ridicat de
tensiune.
n fig.11.2 sunt reprezentate formele de und ale semnalelor aplicate
la intrrile ale unei pori SAU cu trei intrri precum i forma de und a
semnalului de la ieirea ei. Dei construirea formei de und a semnalului de
ieire nu poate constitui o problem pentru nimeni, totui o atenie aparte
trebuie acordat fenomenelor care se petrec la momentul de timp t1. n acest
moment de timp intrrile tind s aib efecte contrare asupra ieirii. Intrarea
A trece de la nivel nalt la nivel cobort, n timp ce intrarea B trece de la
nivel cobort la nivel nalt. Deoarece cele dou tranziii au loc aproape
simultan i ele au o anumit durat, va exista un scurt interval de timp n
care ambele intrri vor fi ntr-un domeniu de tensiuni undeva ntre 0 logic i
1 logic. Aceasta va face ca n acest interval de timp i ieirea s fie tot ntr-o
stare incert iar forma de und va prezenta un "pi". Trebuie remarcat
faptul c dac n intervalul de timp n care au loc procesele de comutaie
168 Pori logice
intrarea C ar fi la nivel logic 1, acest "pi" nu ar mai fi prezent pentru c

intrarea C ar fi "obligat" ieirea s rmn la nivel logic 1.
nivel
logic
1
A
0 t
1
B
A 0 t
B x=A+B+C
C 1
C
0 t
1
x
0 t
t1
Fig.11.2
11.1.2 Operaia I (produsul logic)

Dac dou variabile logice sunt combinate folosind multiplicarea I,
rezultatul x se poate exprima cu relaia:
x=A

n aceast expresie simbolul " "semnific operaia Boolean de
multiplicare logic al crei tabel de adevr este prezentat mai jos.
B
Tabelul 11.2
B A x=A
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
Formal, multiplicarea logic d aceleai rezultate cu nmulirea

clasic. Dac oricare dintre variabilele A sau B este 0 rezultatul nmulirii
logice este 0. Dac att A ct i B au valoarea 1 rezultatul nmulirii logice

este 1.
Expresia x = A B se citete " x este egal cu A i B". Pentru

operativitatea scrierii, n majoritatea cazurilor simbolul operaiei de
multiplicare " " se omite, expresia multiplicrii logice scriindu-se: x = AB.
Poarta logic I este circuitul electronic care realizeaz produsul
logic Simbolul unei porii I cu dou intrri care este artat n fig.11.3.
A .
x=AB
B
Fig.11.3
Acelai mod de operare este caracteristic i pentru o poart I cu mai
mult de dou intrri. n cazul cel mai general se poate spune c:
ieirea unei pori I va fi la nivel logic 1 numai dac toate cele trei
intrri sunt simultan la nivel logic 1.
Este bine s observai diferena dintre simbolurile pentru poarta I i
poarta SAU. Ori de cte ori vedei simbolul porii I ntr-o schem cu
circuite logice, acesta v spune c ieirea sa va fi la nivel nalt numai dac
toate intrrile sunt la nivel nalt. Ori de cte ori vedei simbolul porii SAU
acesta v spune c ieirea sa va fi la nivel nalt dac oricare dintre intrrile
lui este la nivel nalt.
nivel
logic
1
A
0 t
1
B
0 t
.
x=A B
1
0 t
Fig.11.4
n fig.11.4 sunt prezentate formele de und de la intrrile i ieirea
unei pori I cu dou intrri. Se poate observa c ieirea este la nivel logic 1
doar atunci cnd ambele intrri sunt la nivel logic 1. S remarcm faptul c
ieirea este la nivel logic 0 ori de cte ori B = 0 i c forma de und de la
ieire coincide cu cea de la intrarea A ori de cte ori B = 1. Aceasta ne
sugereaz posibilitatea folosirii intrrii B ca intrare de control, care decide
cnd forma de und de la intrarea A poate traversa poarta i cnd nu.
170 Pori logice
11.1.3 Operaia NU (negarea logic)

Spre deosebire de operaiile SAU i I, operaia NU poate fi aplicat unei
singure variabile de intrare. De exemplu, dac variabila A este obiectul
operaiei NU, atunci rezultatul acestei operaii, x, poate fi scris sub forma:
x=A
n care bara de deasupra lui A simbolizeaz operaia NU sau operaia de
negare (inversare). Aceast relaie se citete "x este negatul lui A" sau "x
este inversul lui A" sau "x este complementul lui A". Toate aceste trei
propoziii indic faptul c valoarea logic a lui x = A este opusul valorii
logice a lui A. Acest lucru este concretizat n tabelul de adevr al funciei I.
Tabelul 11.3
A x=A
0 1
1 0
Operaia NU mai este cunoscut i sub denumirea de inversiune sau
complementare, termeni care pot fi interschimbabili n text. Dei n prezenta
lucrare vom folosi ca simbol pentru operaia de negare bara superioar, este
important de cunoscut faptul ca se accept ca simbol pentru ea i ( ' ):
A' = A
Circuitul NU, cunoscut mai des i ca INVERSOR are simbolul
prezentat n fig.11.5. Acest circuit are ntotdeauna o singur intrare, nivelul
logic al ieirii fiind inversul nivelului logic al intrrii. De asemenea, n
graficul alturat figurii este artat efectul inversorului asupra unui semnal
aplicat la intrarea sa.
nivel
logic
1
A
0 t
A x=A
1
x=A
0 t
Fig.11.5
Tabelul 11.4 prezint ntr-o form sintetic rezultatele posibile ale
celor trei operaii de baz din algebra Booleean.
Tabelul 11.4
SAU I NU
0+0=0 0.0= 0
0+1=1 0.1=0 0=1
1+0=1 1.0=0 1= 0
1+1=1 1.1=1
11.1.4 Porile SAU-NU i I-NU
Alte dou tipuri de pori logice folosite frecvent n circuitele digitale sunt
porile SAU-NU i I-NU. Ele combin cele trei operaii de baz SAU, I,
NU, putnd fi uor descrise folosind noiunile elementare de algebr
Boolean.
Simbolurile porilor SAU-NU i I-NU cu dou intrri i
echivalentele lor cu pori elementare sunt artate n fig.11.6 i 11.7 iar
tabelele 11.5 i 11.6 prezint regulile de operare ale celor dou pori. Se
poate observa c singura deosebire fa de porile SAU, respectiv I, este
prezena a cte unui cercule la ieirile porilor SAU-NU i I-NU. Acest
cercule simbolizeaz operaia de inversare. Modurile de operare ale porilor
SAU-NU i I-NU cu dou intrri pot fi extinse asupra porilor de acelai
fel cu mai multe intrri.
Tabelul 11.5 A
SAU SAU-NU x=A+B
B
B A A+B A+ B
0 0 0 1
0 1 1 0 A
x=A+B
1 0 1 0 B
1 1 1 0
Fig.11.6
Tabelul 11.6
A
I I-NU x=AB
B
B A A.B AB
0 0 0 1
0 1 0 1 A
x=AB
1 0 0 1 B
1 1 1 0
Fig.11.7
172 Pori logice
11.2 Electronica porilor logice

11.2.1 Tranzistorul MOS ca element al porilor logice
Tehnologia circuitelor digitale s-a dezvoltat n paralel cu tehnologia
dispozitivelor electronice i a materialelor semiconductoare. Primele pori i
circuite logice au fost realizate cu tuburi electronice. Apoi a nceput era
materialelor semiconductoare i, odat cu ea, dezvoltarea circuitelor digitale
integrate realizate cu diferite tehnologii. Primele pori logice integrate au
fost realizate cu diode semiconductoare i tranzistori bipolari. Tendina
permanent a tehnologiilor a fost orientat n mai multe direcii: mrirea
vitezei de lucru, creterea gradului de integrare (miniaturizarea), micorarea
puterii consumate, micorarea tensiunii de alimentare. Tehnologia CMOS a
reuit s rezolve n mare parte aceste probleme dar cu siguran lucrurile nu
se vor opri aici. De aceea vom prezenta pe scurt structura electronic a
inversorului i a porilor SAU-NU i I-NU realizate cu tranzistori MOS,
pori care au calitatea de universalitate. Vom arta n capitolul urmtor c
folosind numai pori SAU-NU sau numai pori I-NU pot fi realizate i
celelalte funcii logice elementare.
Tranzistorii cu efect de cmp care se folosesc pentru realizarea
porilor logice sunt tranzistori MOS cu canal de tip n sau de tip p.
Simbolurile folosite n scheme sunt prezentate n fig.11.8.
D S
G G
S D
TECMOS TECMOS
cu canal n cu canal p
Fig.11.8
Structurile posibile ale tranzistorilor cu efect de cmp au fost

prezentate n Capitolul 5. De aceea vom puncta doar acele caracteristici care
ne sunt utile la nelegerea funcionrii lor:
poarta fiind izolat fa de structura semiconductoare, curentul care intr
sau iese prin ea este sub 1A, astfel nct el poate fi neglijat.
canalul semiconductor dintre dren i surs se comport ca o rezisten a
crei valoare depinde de tensiunea dintre poart i surs.
n circuitele digitale tranzistorii lucreaz n regim de comutaie:
blocat conducie blocat conducie
pentru tranzistorul MOS-n, dac VGS = 0V (nivel logic 0) canalul are o
rezisten mai mare de 106, iar dac VGS = 5V (nivel logic 1) canalul
are o rezisten foarte mic (uzual 100 ).
pentru tranzistorul MOS-p, dac VGS = 0V (nivel logic 0) canalul are o
rezisten mai mare de 106, iar dac VGS = -5V (nivel logic 1) canalul
are o rezisten foarte mic (uzual 200 ).
Pentru acelai grad de dopare i acelai volum al canalului
semiconductor, n stare de conducie canalul p are o rezisten mai mare
dect canalul n datorit mobilitii mai mici a golurilor fa de electroni.
Valorile rezistenelor canalelor n stare de conducie cresc dac tensiunea
dintre poart i surs (n modul) este mai mic de 5V, dup cum i
rezistenele lor n stare de blocare scad dac tensiunea este mai mare (n
modul) de 0V.
Avnd n vedere aceste considerente, atunci cnd analizm un circuit
care lucreaz n regim de comutaie, tranzistorul MOS l putem nlocui cu o
rezisten conectat ntre dren i surs a crei valoare este dictat de
tensiunea dintre poart i surs la un moment dat.
Logica CMOS se bazeaz pe folosirea simultan a celor dou tipuri
de tranzistori, astfel nct ntre sursa de alimentare i mas s existe cel
puin un tranzistor blocat. Dac aceast condiie este ndeplinit consumul
de putere de la sursa de alimentare va fi ntotdeauna foarte mic.
11.2.2 Inversorul CMOS
Inversorul CMOS are structura prezentat n fig.11.9. Canalele celor doi
tranzistori complementari sunt conectate n serie iar grilele lor sunt
conectate mpreun, constituind intrarea circuitului inversor.
+5V +5V
VDD= +5V
200 106
T1
106 4,999 V 100 499,95 V
T2 Vies
Vin
Vin = 0 Vin = 5 V
P = 25 W P = 25 W
Fig.11.9
Ieirea inversorului este conectat la drenele comune ale
tranzistorilor. Dei sursa de alimentare este conectat la sursa tranzistorului
T1, ea este notat tot cu indicele D (dren).
174 Pori logice
n fig.11.9 sunt prezentate i schemele echivalente cu rezistene

pentru cele dou situaii posibile. Tensiunea de ieire poate fi calculat
observnd c este vorba de un divizor de tensiune. Funcionarea circuitului
este sintetizat n Tabelul 11.7, de unde se vede imediat c el lucreaz ca
inversor.
Tabelul 11.7
Vin LOGIC VGS1 T1 VGS2 T2 Vie LOGIC
0 0 -5V conducie 0 blocat 4,99V 1
5V 1 0 blocat 5V conducie 499V 0
n ambele situaii posibile de funcionare unul dintre cei doi

tranzistori este blocat, el constituind o cale de rezisten foarte mare ntre
sursa de alimentare i mas. Ca urmare, puterea consumat n cele dou stri
extreme este foarte mic (25 W). Dar, n intervalele de timp n care au loc
tranziiile ntre cele dou stri, tensiunile ntre grile i surse vor avea i
valori cuprinse ntre 0 5V, respectiv ntre 0 -5V, valori pentru care
rezistenele canalelor blocate sunt mai mici i consumul de putere este mai
mare.
Faptul c tranzistorul MOS-p intr n stare de conducie atunci cnd
poarta sa este conectat la mas (nivel logic 0) poate fi evideniat prin
adugarea n simbolul su a cerculeului care simbolizeaz inversarea, aa
cum este artat n fig.11.10. Cu acest simbol poate fi intuit mai bine logica
de funcionare a inversorului. De aceea va fi folosit i n continuare.
tranzistorul conduce S
cand poarta
este la nivel logic 0
D
TECMOS
cu canal p
Fig.11.10
11.2.3 Poarta CMOS SAU-NU

Prin combinarea potrivit a unor structuri asemntoare inversorului pot fi
construite i alte pori logice cu dou sau mai multe intrri. Astfel, n
fig.11.11 este prezentat schema unei pori SAU-NU cu dou intrri. Este
vorba despre o combinaie serie-paralel n care tranzistorii lucreaz n
tandem (T1 cu T3 i T2 cu T4) asemntor modului de lucru ntr-un inversor.
VDD= +5V
T1
T2
T3 T4
Vies
V in1
Vin2
Fig.11.11
n fig.11.12 sunt prezentate schemele echivalente cu rezistene
pentru cele patru combinaii posibile de niveluri logice ale semnalelor de
intrare. Dac am boteza cele dou variabile de intrare cu A i B, tabelul de
adevr ar fi similar Tabelului 11.5 al funciei SAU-NU.
+5V +5V +5V
200 106 106
200 200 106
106 106 4,996 V 100 106 499,8 V 100 100 124,9968 V
Vin1 = 0 Vin1 = 5V Vin1 = 0 Vin1 = 5V

Vin2 = 0 Vin2 = 0 Vin2 = 5V Vin2 = 5V
P = 50 W P = 25 W P = 12,5 W
Fig.11.12
176 Pori logice
11.2.4 Poarta CMOS I-NU

n mod asemntor cu poarta SAU-NU poate fi construit poarta I-NU.
Modul de conexiune al tandemurilor de tranzistori este prezentat n fig.11.13
iar schemele echivalente cu rezistene pentru toate combinaiile posibile de
niveluri logice ale semnalelor de intrare sunt prezentate n fig.11.14.
VDD= +5V
T1 T2
T3
Vin1 Vies
T4
Vin2
Fig.11.13
+5V +5V +5V
200 200 106 200 106 106
106 100 100

4,99975 V 4,999 V 1,9992 mV
106 106 100
Vin1 = 0 Vin1 = 5V Vin1 = 0 Vin1 = 5V

Vin2 = 0 Vin2 = 0 Vin2 = 5V Vin2 = 5V
P = 12,5 W P = 25 W P = 50 W
Fig.11.14
n fig.11.12 i11.14, pe lng valorile tensiunilor de ieire, sunt
prezentate i valorile puterilor consumate n fiecare stare staionar
posibil. Toate sunt foarte mici, dar rmne valabil observaia menionat
la circuitul inversor referitoare la consumul de putere pe durata tranziiei
dintr-o stare staionar n alta.
177
12 PORILE LOGICE I ALGEBRA BOOLEAN
12.1 Variabilele Booleene i tabelul de adevr

Aa dup cum am artat n paginile anterioare, intrrile i ieirile circuitelor
digitale pot fi doar n dou stri de potenial electric (niveluri logice) crora
li s-au atribuit variabilele logice 0 i 1. Aceast caracteristic a circuitelor
logice permite folosirea algebrei Booleene (algebra lui 0 i 1) ca instrument
de analiz i proiectare a lor. Prin combinarea porilor logice elementare se
construiesc circuite logice mai complicate care pot fi analizate tot cu
ajutorul algebrei Booleene.
Ca i n cazul porilor logice elementare, pentru orice circuit logic
poate fi construit un tabel de adevr care s ne arate care este nivelul logic al
ieirii lui n funcie de diferitele combinaii posibile ale nivelurilor logice de
la intrri. Dac se noteaz cu A, B, C, ... variabilele de intrare i cu x
variabila de ieire, atunci formele tabelelor de adevr pentru circuitele cu
dou, trei i patru intrri sunt cele prezentate n Tabelul 12.1.
Tabelul 12.1
dou intrri trei intrri patru intrri
B A x C B A x D C B A x
0 0 ? 0 0 0 ? 0 0 0 0 ?
0 1 ? 0 0 1 ? 0 0 0 1 ?
1 0 ? 0 1 0 ? 0 0 1 0 ?
1 1 ? 0 1 1 ? 0 0 1 1 ?
1 0 0 ? 0 1 0 0 ?
1 0 1 ? 0 1 0 1 ?
1 1 0 ? 0 1 1 0 ?
1 1 1 ? 0 1 1 1 ?
1 0 0 0 ?
1 0 0 1 ?
1 0 1 0 ?
1 0 1 1 ?
1 1 0 0 ?
1 1 0 1 ?
1 1 1 0 ?
1 1 1 1 ?
n toate cele trei cazuri au fost prezentate toate combinaiile posibile
ale nivelurilor logice de la intrare. Numrul acestora este funcie de numrul
178 Porile logice i algebra Boolean
de intrri N, i el este 2N. Valoarea variabilei de ieire a fost marcat cu "?"

n toate coloanele x deoarece ea depinde de tipul circuitului logic folosit.
Ordinea niruirii combinaiilor posibile la intrare este cea a numrrii
binare. Procednd n acest mod se evit omiterea vreunei combinaii
posibile.
12.2 Descrierea algebric a circuitelor logice

12.2.1 Analiza unui circuit logic
Orice circuit, indiferent ct de complex ar fi el, poate fi descris folosind
operaiile Booleene definite anterior, deoarece porile logice SAU i I,
precum i circuitul INVERSOR, stau la baza construirii sistemelor digitale.
De exemplu, s considerm circuitul din fig.12.1.
A .
AB
B AB+C x=AB+C
C
Fig.12.1
Acest circuit are trei intrri A, B i C i o singur ieire x. Expresia
lui x poate fi gsit foarte uor folosind expresiile Booleene pentru fiecare
poart n parte, pornind de la intrare ctre ieire. Astfel, expresia pentru
ieirea porii I este A.B. Ieirea porii I este conectat la una din intrrile
porii SAU, la cealalt fiind aplicat variabila C. Expresia variabilei de
ieire a porii SAU este A.B + C. Deoarece ieirea porii SAU este conectat
la intrarea inversorului, variabila de ieire va avea expresia: x = AB + C .
n procesul de evaluare a nivelului logic al ieirii unui circuit alctuit
din mai multe pori logice se aplic urmtoarele reguli fundamentale:
prima dat se efectueaz operaia de inversare a tuturor
termenilor izolai care reclam aceast operaie
apoi se efectueaz toate operaiile din paranteze
ntotdeauna operaia I se va efectua naintea operaiei SAU.
Operaia I este de rang superior operaiei SAU.
operaiile din paranteze se efectueaz naintea celorlalte
dac o expresie este negat, mai nti se efectueaz operaiile din
expresie i apoi rezultatul final se inverseaz
[ ]
Exemplu: s se evalueze expresia x = D + ( A + B ) C E dac A = B
= 0 i C = D = E = 1.
[ ]
x = 1 + (0 + 0 ) 1 1
= [1 + 0 1] 1
= [1 + 0] 1
= [1 + 1] 1
= 1 1
=1
Evaluarea nivelului logic al ieirii unui circuit cu o configuraie
cunoscut poate fi fcut i fr gsirea prealabil a expresiei Booleene a
variabilei de ieire. Aceast metod poate fi folosit n timpul proiectrii i
testrii unui sistem logic. n fig.12.2 este prezentat un exemplu n acest sens,
presupunnd c cele trei variabile de intrarea au valorile logice A = 0, B = 1,
C = 1 i D = 1.
A=0
1
1 1
B=1 x=0
1
C=1 0
0
1
D=1 1
Fig.12.2
12.2.2 Sinteza unui circuit pe baza expresiei Booleene
Dac modul de operare a unui circuit este definit printr-o expresie
Booleean atunci, pornind de la ea, se poate construi direct schema logic a
circuitului. De exemplu, dac avem nevoie de un circuit definit de expresia x
= A.B.C, imediat vom recunoate c este vorba despre o poart logic I cu
trei intrri. Dac avem nevoie de un circuit definit de expresia x = A + B
vom folosi o poart SAU cu dou intrri i un inversor conectat la una dintre
ele. Aceleai raionamente simple pot fi aplicate i n cazul unor circuite
descrise de expresii Booleene mai complicate.
S presupunem c dorim s construim un circuit a crui ieire este
descris de funcia Boolean x = AC + BC + ABC . Aceast expresie
conine trei termeni ( AC, BC si ABC ) legai ntre ei prin operaia SAU.
Avem deci nevoie de o poart SAU cu trei intrri. Dar cum fiecare termen
de la intrrile ei este de fapt cte un produs de doi sau trei termeni, pentru
realizarea acestor produse mai avem nevoie de dou pori I cu dou intrri
i o poart i cu trei intrri. Ieirile celor trei pori I vor constitui intrri
pentru poarta SAU. Observm ns c n dou dintre cele trei produse avem
i cte o variabil inversat. Pentru realizarea operaiilor de inversare mai
sunt necesare nc dou inversoare. Pe baza acestor considerente poate fi

construit schema circuitului care va realiza funcia logic preconizat
(fig.12.3).
A AC
B BC x
ABC
C
Fig.12.3
Dei aceast metod de proiectare poate fi folosit oricnd, n cazul
expresiilor mai complicate ea devine greoaie i obositoare. Exist i alte
metode mai inteligente i mai eficiente pentru proiectarea circuitelor logice
pornind de la funcia logic pe care trebuie s o realizeze. Toate aceste
metode stau la baza conceperii programelor soft specializate de proiectare
electronic, programe crora le este suficient s le dm funcia logic iar ele
ne vor da imediat cel mai simplu circuit logic care o realizeaz.
12.3 Teoremele algebrei Booleene

Am vzut cum poate fi folosit algebra Boolean pentru analiza i sinteza
unui circuit logic i scrierea sub form matematic a modului su de
operare. Studierea teoremelor (regulilor) algebrei Booleene este de un real
ajutor n aciunea de simplificare a expresiilor i circuitelor logice.
12.3.1 Teoreme pentru porile cu o variabil de intrare

Aceste teoreme se refer la situaia n care la intrarea unei pori logice doar
una dintre mrimile de intrare este variabil, iar cealalt (dac ea exist)
este constant. Pentru a demonstra aceste teoreme este suficient s ne
gndim la funciile logice i tabelele lor de adevr.
Teorema 1. Dac oricare dintre variabilele unei intrri ale unei
pori I este 0 rezultatul va fi 0.
x0 = 0
Teorema 2. Dac o variabil este multiplicat logic cu 1, rezultatul
va avea valoarea variabilei.
x 1 = x
Teorema 3. O variabil multiplicat cu ea nsi are ca rezultat
valoarea variabilei.
x x = x
Aceast teorem poate fi demonstrat simplu dnd lui x valorile logice 0 sau
1 (0.0 = 0 i 1.1 = 1).
Teorema 4. Rezultatul multiplicrii unei variabile cu inversul ei este
0.
xx = 0
Teorema 5. Rezultatul adunrii unei variabile cu 0 va fi egal cu
valoarea variabilei.
x+ 0 = x
Teorema 6. Rezultatul adunrii unei variabile cu 1 va fi egal cu 1.
x +1 = 1
Teorema 7. Rezultatul adunrii unei variabile cu ea nsi va fi egal
cu valoarea variabilei.
x+x= x
Teorema 8. Rezultatul adunrii unei variabile cu inversul ei este 1.
x + x =1
12.3.2 Teoreme pentru porile cu mai multe variabile de intrare
Teorema 9 x+ y = y+x
Teorema 10 x y = yx
Teorema 11 x + ( y + z) = ( x + y) + z = x + y + z
Teorema 12 x ( y z) = ( x y) z = x y z
Teorema 13a x ( y + z) = x y + x z
Teorema 13b ( w + x) ( y + z ) = w y + w z + x y + x z
Teorema 14 x+ x y = x
Teorema 15 x + xy = x + y
Teoremele de la 9 la 13 sunt n fapt teoremele comutativitii,
asociativitii i distributivitii, similare cu cele din algebra clasic.
Teoremele 14 i 15 nu au corespondent n algebra clasic. Teorema 14 poate
fi demonstrat uor cu ajutorul teoremelor 2, 13a i 6:
x + x.y = x.1 + x.y = x(1 + y) = x.1 = x
Teorema 15 poate fi demonstrat nlocuind n ea toate combinaiile
posibile pentru variabilele x i y.
Iat n continuare dou exemple de aplicare a acestor teoreme care

nu fac altceva dect s demonstreze utilitatea lor:
y = A BD + A B D = A B(D + D ) = A B (teoremele 13a i 8)
y = ( A + B)(A + B) = AA + AB + AB + BB=( A + A)B+B=B+B= B

(teoremele 13b, 4, 8 i 7)
12.3.3 Teoremele lui DeMorgan

Aceste teoreme sunt dintre cele mai importante ale algebrei Booleene, fiind
extrem de utile pentru simplificarea expresiilor n care apar sume inversate
sau produse inversate. Iat cele dou teoreme ale lui DeMorgan:
Teorema 16 (x + y) = x y
Teorema 17 x y = x + y
Teorema 16 spune c atunci cnd o sum SAU de dou variabile este
inversat, ea se poate calcula inversnd mai nti variabilele i fcnd apoi
produsul logic al lor. Teorema 17 spune c atunci cnd un produs I de dou
variabile este inversat, el se poate calcula inversnd mai nti variabilele i
fcnd apoi suma logic a lor. Fiecare dintre teoremele lui DeMorgan poate
fi demonstrat considernd toate combinaiile posibile dintre x i y.
Dei teoremele lui DeMorgan au fost enunate pentru variabile
simple, x i y, ele sunt valabile i n situaiile n care x sau y sunt expresii
care conin mai mult de o variabil. De exemplu, s aplicm aceste teoreme
la simplificarea expresiei ( AB + C ) :
( AB + C )= AB C
AB C = ( A + B ) C
( A + B ) C = ( A + B) C
( A + B) C = AC + BC
S observm c n rezultatul final semnul de inversare este asociat
numai unor variabile simple.
12.3.4 Implicaii ale teoremelor lui DeMorgan

Teoremele lui DeMorgan au implicaii interesante din punctul de vedere al
circuitelor logice. S considerm mai nti teorema 16:
( x + y) = x y
Termenul din stnga ecuaiei poate fi privit ca ieirea unei pori
SAU-NU ale crei intrri sunt x i y. Pe de alt parte, termenul din dreapta
ecuaiei este rezultatul inversrii mai nti a variabilelor x i y i apoi al
aplicrii lor la intrrile unei pori I. Aceste dou reprezentri echivalente
sunt ilustrate n fig.12.4a.
x x
x x+y x x.y x .y
y y
y y
a b
Fig12.4
Se poate observa c o poart I precedat la intrrile sale de dou
inversoare este echivalent cu o poart SAU-NU. Atunci cnd o poart I cu
intrrile inversate este folosit pentru realizarea funciei SAU-NU se poate
folosi, pentru simplitate, simbolul din fig.12.4b n care la fiecare intrare este
marcat cerculeul simboliznd operaiunea de inversare.
S considerm acum Teorema 17:
xy = x + y
Termenul din partea stng a ecuaiei poate fi implementat cu o
poart I-NU cu dou intrri, x i y. Termenul din partea dreapt poate fi
implementat inversnd mai nti intrrile x i y i aplicndu-le apoi la
intrrile unei pori SAU. Aceste dou reprezentri echivalente sunt ilustrate
n fig.12.5a.
x x
x x.y x x+y x+y
y y
y y
a b
Fig.12.5
Poarta SAU avnd cte un inversor la fiecare intrare este echivalent
cu o poart I-NU. Atunci cnd o poart SAU cu ambele intrri inversate
este folosit pentru realizarea funciei I-NU se poate folosi simbolul
simplificat prezentat n fig.11.14b. i aici cerculeele de la intrri au
semnificaia inversrii valorii logice.
12.4 Universalitatea porilor I-NU i SAU-NU

Toate expresiile Booleene sunt alctuite din diverse combinaii ale
operaiilor de baz I, SAU, NU. Prin urmare, orice expresie poate fi
implementat folosind pori I, pori SAU i inversoare. Totodat este

posibil implementarea unei expresii folosind exclusiv pori I-NU.
Aceasta, deoarece folosind combinaii potrivite de pori I-NU pot fi
realizate toate celelalte funcii logice de baz: I, SAU, NU. Acest lucru
este demonstrat n fig.12.6.
x xx=x+x=x a
x xy=xy b
xy
y
x x
xy=x+y c
y y
Fig.12.6
Se poate observa c dac se conecteaz mpreun cele dou intrri
ale unei pori I-NU se obine un inversor (fig.12.6a). Inversorul astfel
obinut poate fi folosit n combinaie cu alte pori I-NU pentru realizarea
produsului logic (fig.12.6b) i a adunrii logice (fig.12.6c).
x x+x=x.x=x a
x x+y=x+y b
x+y
y
x x
x+y=xy c
y y
Fig.12.7
n mod similar se poate arta c porile SAU-NU pot fi combinate n
mod corespunztor pentru implementarea oricrei funcii Booleene
elementare (fig.12.7a, b i c). i asta n primul rnd pentru c o poart SAU-
NU cu intrrile conectate mpreun se transform ntr-un inversor. Deoarece
orice operaie Boolean poate fi implementat folosind numai pori I-NU,
orice circuit logic poate fi realizat numai cu pori I-NU. Aceeai concluzie
este valabil i pentru porile SAU-NU.
Iat un exemplu de punere n practic a acestor concluzii. S
presupunem c trebuie s proiectm un circuit care sa realizeze funcia
logic z = AB + CD folosind un numr minim de circuite integrate.
Menionm c o capsul de circuit integrat poate conine una, dou sau patru
pori logice de acelai fel.
Metoda direct de implementare a expresiei logice amintite necesit
folosirea a dou pori I care s realizeze cele dou produse logice, urmate
de o poart SAU care s realizeze adunarea logic. Porile se conecteaz ca
n fig.12.8a, fiind necesare dou circuite integrate: unul care conine patru
pori I cu dou intrri (CI 1) i unul care conine patru pori SAU cu dou
intrri (CI 2). Deci, din totalul de opt pori, cinci rmn neutilizate.
1/2 CI 1 1/4 CI 2
A
B AB+CD
B a
SI SAU
A
1 3 5
B
AB+CD
7
A
2 4 6
B
SI b
A
1
B
AB+CD
7
A
2
B CI 3 c
Fig.12.8
O alt modalitate de implementare poate fi aplicat prin nlocuirea
porilor I i SAU din schema anterioar cu combinaii de pori I-NU care
s realizeze aceleai funcii, aa cum este artat n fig.12.8b. La prima
vedere, pentru realizarea concret a acestei scheme ar fi necesare apte pori
logice, deci dou circuite integrate. Dar, observnd succesiunea de cte dou
inversoare pe fiecare intrare a porii I-NU cu numrul 7 i avnd n vedere
efectul lor complementar, ele pot fi nlturate din schem fr a influena
funcionarea ei. Va rezulta schema din fig.12.8c, care necesit doar trei pori
I-NU, adic un singur circuit integrat (CI 3).
12.5 Reprezentri alternative ale porilor logice

Pe lng simbolurile standard ale porilor logice elementare prezentate n
paragrafele anterioare, n unele scheme vom gsi i simboluri care fac parte
dintr-un set de simboluri alternative pentru porile logice standard. nainte
de a discuta utilitatea folosirii lor, le vom prezenta artnd i echivalena lor
cu simbolurile standard (fig.12.9).
n partea stng a figurii sunt prezentate simbolurile standard pentru
fiecare poart logic iar n partea dreapt simbolurile alternative.
Echivalena simbolurilor poate fi demonstrat folosindu-ne de implicaiile
teoremelor lui DeMorgan exemplificate n fig.12.4 i 12.5.
Simbolul alternativ pentru fiecare poart se poate obine din simbolul
standard n modul urmtor:
se schimb simbolul porii I cu cel al porii SAU iar al porii
SAU cu cel al porii I. Simbolul inversorului rmne
neschimbat.
se inverseaz fiecare intrare i ieirea simbolului standard prin
adugarea sau tergerea cerculeului simboliznd negarea.
SI
SAU
NU
SI-NU
SAU-NU
Fig.12.9
Analiznd echivalena dintre simbolurile alternative i simbolurile
standard trebuie subliniate cteva aspecte:
pentru fiecare tip de poart, att simbolurile standard ct i cele
alternative reprezint acelai circuit fizic, fr nici o diferen.
simbolurile standard I i SAU nu au nici un cercule, n timp

simbolurile lor alternative au cerculee la toate intrrile i la
ieire.
porile I-NU i SAU-NU fiind pori inversoare, att simbolurile
lor standard ct i cele alternative au cerculee fie la ieire, fie la
intrri.
echivalena este valabil indiferent de numrul intrrilor.
ntrebarea fireasc pe care o vei pune este: pare interesant, dar de ce

s ne mai complicm cu simbolurile alternative din moment ce att
simbolurile standard ct i simbolurile corespondente alternative presupun
realizarea acelorai funcii logice?. Rspunsul este urmtorul: folosirea i a
simbolurilor alternative poate face mai uoar nelegerea modului de
operare a circuitelor logice mai simple i face posibil descrierea funciei pe
care o realizeaz cu ajutorul unor propoziii simple. Vom ncerca s v
convingem de acest adevr pornind chiar de la porile elementare.
Pentru nceput vom atribui simbolurilor porilor SAU i NU cte un
cuvnt semnificativ, aa dup cum se vede n fig.12.10.
Fig.12.10
Apoi facem urmtoarea convenie: dac o linie de semnal nu are
cercule considerm ca ea se afl la nivel logic 1 iar dac are cercule se afl
la nivel logic 0.
Acceptnd aceste dou convenii, s ncercm s descriem prin
propoziii simple funcionarea porilor elementare reprezentate prin
simbolurile standard i prin cele alternative.
1 0
1 0
SI
1 0
iesirea este la nivel logic 1 numai daca iesirea este la nivel logic 0 daca
TOATE intrarile sunt la nivel logic 1 ORICARE intrare este la nivel logic 0
Fig.12.11
n fig.12.11 am aplicat conveniile pentru o poart I reprezentat

prin cele dou simboluri posibile. Apoi am scris cte o propoziie, pornind
de la ieire ctre intrri, folosind drept cuvnt de legtur cuvntul pe care l-

am asociat simbolului de baz: pentru I TOATE i pentru SAU
ORICARE.
Cu acelai algoritm putem descrie n propoziii funcionarea i a
celorlalte pori elementare (fig.12.12).
0
1 0
1 SAU 0
1
iesirea este la nivel logic 1 daca iesirea este la nivel logic 0 numai daca
ORICARE intrare este la nivel logic 1 TOATE intrarile sunt la nivel logic 0
1 0
0 1
SI-NU
1 0
iesirea este la nivel logic 0 numai daca iesirea este la nivel logic 1 daca
TOATE intrarile sunt la nivel logic 1 ORICARE intrare este la nivel logic 0
1 0
0 1
SAU-NU
1 0
iesirea este la nivel logic 0 daca iesirea este la nivel logic 1 numai daca
ORICARE intrare este la nivel logic 1 TOATE intrarile sunt la nivel logic 0
Fig.12.12
A
1
B
z
3
C
2
D
Fig.12.13
Algoritmul descris mai sus poate fi extins asupra analizrii
circuitelor cu mai multe pori. S ncercm acest lucru pe circuitul din
fig.12.13. Descrierea ncepe de la ieire spre intrare. S ncepem cu poarta 3:
ieirea porii 3 este la nivel logic 1 numai dac ambele intrri sunt la nivel
logic 1. Mergnd spre stnga vom constata c numai una dintre intrrile
porii 3 este la nivel logic 1. Cea de a doua este pe o linie de semnal cu
cercule la ieirea porii 1, ceea ce implic nivelul logic 0. Aceasta nseamn
c nu ne mai putem continua logica. Ar fi fost mai bine ca ieirea porii 1 s

fie fr cercule, la fel ca i intrarea porii 3 la care este conectat. Putem
soluiona aceast cerin dac nlocuim poarta 1 cu simbolul alternativ,
rezultnd schema din fig.12.14.
A
1
B
z
3
C
2
D
Fig.12.14
Acum putem relua raionamentul:
ieirea porii 3 este la nivel logic 1 numai dac toate intrrile sale
sunt la nivel logic1 (i constatm c ieirile la care sunt conectate
cele dou intrri sunt la nivel logic 1).
ieirea porii 1 este la nivel logic 1 numai dac ambele intrri ale
sale sunt la nivel logic 0.
ieirea porii 2 este la nivel logic 1 numai dac ambele intrri ale
sale sunt la nivel logic 1.
Acum, totul fiind n ordine, putem sintetiza funcionarea ntregului
circuit:
ieirea este la nivel logic 1 numai dac intrrile A i B sunt simultan
la nivel logic 0 n timp ce intrrile C i D sunt simultan la nivel logic
1.
Am vzut c dificultile de formulare a propoziiilor noastre s-au
datorat faptului c o ieire cu cercule (inversat) era conectat la o intrare
fr cercule. Ele au disprut atunci cnd, prin folosirea unui simbol
alternativ, am fcut ca ieirea i intrarea s fie de acelai fel (n cazul nostru
fr cercule). De aceea se poate face urmtoarea recomandare:
La interconectarea porilor logice se vor folosi (atunci cnd este
posibil) acele simboluri care s asigure conectarea ieirilor cu
cerculee la intrri cu cerculee i a ieirilor fr cerculee la intrri
fr cerculee.
190
13 CIRCUITE LOGICE COMBINAIONALE
13.1 Minimizarea funciilor logice

Circuitele alctuite din porile logice de baz, a cror operare poate fi
descris cu ajutorul algebrei Booleene, se numesc circuite logice
combinaionale, deoarece n fiecare moment de timp starea logic a ieirii
depinde de modul n care se combin nivelurile logice ale intrrilor n acel
moment de timp. Ele nu au capacitatea de memorare a informaiei.
Problema esenial care trebuie rezolvat cu ajutorul circuitelor
logice combinaionale este implementarea unor funcii logice cu ajutorul
unui numr minim de pori logice. Pentru atingerea acestui scop, funcia
logic trebuie adus la o form ct mai simpl care s conin un numr
minim de termeni. Acest proces se numete minimizarea funciei logice.
Despre funciilor logice aduse la o form minimizat se mai spune c sunt
scrise sub form canonic. Exist dou forme canonice utile n proiectarea
circuitelor logice combinaionale, suma de produse sau produsul de sume,
prima dintre ele fiind cea mai folosit.
Minimizarea funciilor logice pn la una din formele canonice se
poate face n dou moduri:
folosind teoremele algebrei Booleene
folosind tehnica diagramelor
n cazul scrierii funciei sub form de sum de produse, ea este
alctuit din doi sau mai muli termeni care includ funcia I, dup care
acetia sunt unii ntre ei cu ajutorul funciei SAU. Termenii I ai sumei
trebuie s respecte urmtoarea regul:
un termen I poate conine una sau mai multe variabile Booleene,
variabile care pot fi prezente o singur dat, n forma normal sau
complementar.
Aceast regul ne precizeaz faptul c semnul de inversiune poate s
apar numai deasupra variabilelor individuale. De aceea nu sunt admii n
expresia unei funcii logice termeni de forma ABC sau ABC .
13.1.1 Minimizarea algebric

Minimizarea algebric se poate realiza utiliznd teoremele algebrei
Booleene dar, din pcate, nu tim ntotdeauna care teorem trebuie aplicat
ntr-o situaie dat i dac expresia obinut este sub cea mai simpl form
posibil. De aceea, mai ales n cazul funciilor complicate, simplificarea

algebric poate deveni o surs de erori i necazuri.
n general, n procesul de simplificare algebric a unei funcii logice
se recomand efectuarea a doi pai:
funcia se scrie sub form de sum de produse
termenii sunt grupai dup factorul comun (dac exist), care
apoi se scoate n faa parantezei. Aceast operaie poate conduce
la eliminarea unuia sau mai multor termeni.
S aplicm aceste etape la implementarea funciei:
z = ABC + AB AC( ) (13.1)
Funcia z poate fi simplificat cu ajutorul teoremelor algebrei Booleene.
Astfel, factorul AC poate fi scris:
AC = A + C = A + C
astfel nct funcia z devine:
z = ABC + AB( A + C ) = ABC + AB A + ABC
Deoarece AA = A:
z = ABC + AB + ABC = AC ( B + B) + AB
Dar B + B = 1 , astfel nct se obine forma minimizat sub form de sum
de produse a funciei z:
z = AB + AC (13.2)
Pe baza acestei expresii se poate proiecta circuitul cel mai simplu care s o
realizeze, circuit prezentat n fig. 13.1.
A AB
B B z=AB+AC
AC
C
Fig.13.1
Pentru a v convinge c munca de minimizare i are rostul ei
ncercai s desenai circuitul combinaional care realizeaz funcia logic
descris de ecuaia (13.1).
De multe ori funcia logic trebuie scris pornind de la tabelul de
adevr care descrie funcionarea circuitului. n acest caz, pentru a scrie
expresia funciei logice care trebuie realizat, se recomand parcurgerea
urmtoarelor dou etape:
192 Circuite logice combinaionale
se scrie cte un termen I pentru fiecare combinaie a nivelurilor

logice de intrare pentru care ieirea este la nivel logic 1. Fiecare
termen I trebuie s conin toate variabilele de intrare sub form
inversat sau neinversat dup cum n linia corespunztoare din
tabel apar la nivel logic 0 sau 1.
termenii I astfel obinui sunt legai ntre ei cu operaia logic
SAU, obinndu-se expresia final a funciei logice.
dac este necesar, se simplific funcia logic folosind teoremele
algebrei Booleene.
S considerm exemplul din Tabelul 13.1 n care avem trei variabile
de intrare A, B i C i o variabil de ieire, x. Aplicnd regulile de mai sus se
obine expresia funciei logice care trebuie realizat.
Tabelul 13.1
C B A x Termeni I Funcia logic
0 0 0 0 -
0 0 1 1 AB C
0 1 0 1 ABC
0 1 1 0 - x = AB C + ABC + ABC
1 0 0 0 -
1 0 1 0 -
1 1 0 0 -
1 1 1 1 ABC
La o prim observare constatm c funcia noastr este sub form
canonic minimizat, astfel nct putem trece la proiectarea circuitului logic
care s o realizeze. Din analiza ei se poate vedea c avem nevoie de o poart
SAU cu trei intrri, de trei pori I tot cu trei intrri i de trei inversoare,
deoarece toate variabilele de intrare apar i sub form inversat. Circuitul
logic care realizeaz funcia este prezentat n fig.13.2.
A
B x
Fig.13.2
Din cele prezentate pn acum se poate observa c scrierea unei
funcii logice sub form de sum de produse faciliteaz proiectarea
circuitului care s o realizeze folosind porile logice elementare I, SAU i

INVERSORUL. Din punct de vedere teoretic totul pare a fi n ordine. Din
punct de vedere practic ns, apare un mic inconvenient. Majoritatea
circuitelor integrate care conin pori logice au la baz porile logice I-NU
i SAU-NU cu ajutorul crora se pot realiza toate celelalte funcii logice
elementare. Am artat acest lucru n Capitolul 12. Dac n procesul de
implementare a funciilor logice se vor folosi astfel de circuite integrate, este
evident necesar ca schema logic ce realizeaz funcia minimizat s fie
realizat numai cu pori I-NU sau cu pori SAU-NU.
13.1.2 Minimizarea cu diagrame Karnaugh

O alt metod folosit pentru minimizarea funciilor logice este cea a
diagramei Karnaugh. Ea este o metod grafic de obinere a funciei logice
minimizate i de proiectare circuitul logic care s o realizeze, avnd ca
punct de start tabelul de adevr. Teoretic, metoda poate fi folosit pentru un
numr de variabile de intrare orict de mare, ns practic este aplicabil
pentru cel mult ase variabile de intrare.
Diagrama Karnaugh este un careu de form ptratic sau
dreptunghiular coninnd 2N csue, N fiind numrul variabilelor de intrare.
Fiecare csu corespunde unei singure combinaii posibile de form I a
variabilelor de intrare. Att pe orizontal ct i pe vertical, dou csue
adiacente difer ntre ele doar prin valoarea logic a unei singure variabile
din combinaiile corespunztoare lor. n fiecare csu se va nscrie cifra 1
sau 0 dup cum combinaia corespunztoare ei are ca rezultat 1 logic sau 0
logic.
Expresia minimizat a variabilei de ieire poate fi obinut din
diagrama Karnaugh prin gruparea i ncercuirea csuelor adiacente care
conin variabila binar 1. Gruparea se poate face n perechi de dou, patru
sau opt csue. Se mai spune c se face gruparea n dublei, quazi sau octei.
Trebuie menionat faptul c se consider adiacente i ptratele de la
extremitile unei linii sau unei coloane.
S considerm exemplul din Tabelul 13.2 cruia i corespunde
diagrama Karnaugh din fig. 13.3. n acest exemplu se pot grupa n dublei
csuele cu numerele 2 i 6, respectiv 10 i 11. Avnd doi dublei, expresia
final a funciei logice va avea doi termeni care pot fi obinui astfel: din
primul dublet dispare variabila B care apare att n forma normal ct i
inversat, astfel c primul termen al funciei va fi AC D ; din al doilea
dublet dispare variabila C care apare att n forma normal ct i inversat,
astfel c al doilea termen al funciei va fi ABD. Expresia final funciei
logice va fi:
x = AC D + ABD
Tabelul 13.2
D C B A x Termeni I
0 0 0 0 0 -
0 0 0 1 0 -
0 0 1 0 0 -
0 0 1 1 0 -
0 1 0 0 0 -
0 1 0 1 0 -
0 1 1 0 0 -
0 1 1 1 0 -
1 0 0 0 1 ABCD
1 0 0 1 0 -
1 0 1 0 1 ABCD
1 0 1 1 1 AB CD
1 1 0 0 0 -
1 1 0 1 0 -
1 1 1 0 0 -
1 1 1 1 1 ABCD
C C
C C
1 0 0 1 B
0 1 0 0 B 1 2 3 4
1 2 3 4 A
A
0 1 1 0
0 1 0 0 5 6 7 8 B
5 6 7 8 B
0 1 1 0
0 1 1 0 A 9 10 11 12
9 10 11 12
A 1 0 0 1 B
0 0 0 0 B 13 14 15 16
13 14 15 16
D D D
D D D
Fig.13.3 Fig.13.4
Gruparea n quazi o exemplificm pe diagrama Karnaugh din fig.13.4.
Prin gruparea n quazi se elimin cte dou variabile din fiecare

quad, evident cele care apar n formele normal i inversat. n exemplul
nostru, expresia funciei logice va avea doi termeni de cte dou variabile
pentru c avem doi quazi. Astfel, din quadul care cuprinde csuele 6, 7, 10
i 11 se elimin variabilele A i C, rmnnd termenul BD, iar din quadul
care conine csuele din cele patru coluri se elimin tot variabilele A i C,
rmnnd termenul B D . Astfel, expresia funciei logice realizate va fi:
x = BD + B D
n cazul gruprii n octei se aplic aceleai reguli, cu deosebirea c
prezena unui octet este echivalent cu eliminarea a trei variabile din
termenul corespunztor lui.
C C
1 0 0 1 B
1 2 3 4
A
1 0 0 1
5 6 7 8 B
1 0 0 1
9 10 11 12
A
1 0 0 1 B
13 14 15 16
D D D
Fig.13.5
n cazul exemplului din fig.13.5 se elimin variabilele A, B i C.
Avnd un singur octet, funcia logic va avea un singur termen i expresia ei
va fi:
x=D
Unele circuite pot fi proiectate astfel nct s existe anumite stri ale
intrrilor pentru care nivelul logic al ieirii s nu fie precizat, pentru simplul
motiv ca strile respective ale intrrilor nu se vor realiza niciodat n situaia
concret de funcionare a circuitului. Acestea se numesc stri
nedeterminate. n aceste situaii, proiectantul are libertatea de a pune n
csuele corespunztoare strilor de nedeterminare 0 sau 1 astfel nct s-i
fie ct mai uor s simplifice expresia boolean a funciei de ieire.
Este foarte probabil ca n multe cazuri s nu putem grupa csuele
dintr-o diagram Karnaugh numai n dublei, quazi sau octei, avnd i
situaii mai complexe n care va trebui s lucrm pe aceeai diagram cu
dou, trei sau chiar patru tipuri de grupri. Cnd am spus patru, ne-am
gndit i la cazurile de termeni izolai care nu pot fi grupai cu ali termeni.

n aceste situaii se recomand parcurgerea urmtoarei succesiuni de pai
pentru obinerea formei finale a funciei logice:
construirea diagramei Karnaugh pe baza tabelului de adevr. Este
important de menionat c dac exist combinaii ale variabilelor de
intrare pentru care starea ieirii este nedeterminat (ea poate fi 0 sau
1), proiectantul are libertatea ca n diagrama Karnaugh, n csua
corespunztoare combinaiilor respective s pun 0 sau 1, astfel nct
aceasta s-l ajute la minimizarea mai eficient a funciei.
se vor ncercui csuele izolate care conin variabila 1. Aceste csue
nu sunt adiacente cu alte csue care conin variabila binar 1.
se vor cuta csuele care conin variabila 1 i care au o singur
csu adiacent care conine variabila 1. Astfel se realizeaz
dubleii.
se ncercuiesc octeii chiar dac vreo csu din ei a fost inclus n
dublei.
se ncercuiesc quazii chiar dac vreo csu din ei a fost inclus n
dublei sau octei.
se ncercuiete orice pereche care include csue care nc nu au fost
ncercuite, asigurndu-ne c numrul de ncercuiri este minim.
se face suma termenilor generai de fiecare grupare, obinndu-se
astfel expresia final a funciei logice.
C C
0 0 1 0 B
1 2 3 4
A
1 1 1 1
5 6 7 8 B
1 x 0 0
9 10 11 12
A
0 0 0 1 B
13 14 15 16
D D D
Fig.13.6
S aplicm n ordine aceste reguli pe exemplul din fig.13.6:
1. - csua 10 prezint o stare de nedeterminare i ne avantajeaz s
o considerm n starea 1.
2. - csua 16 este izolat i ea va genera termenul ABC D .

3. - csua 3 se nvecineaz numai cu csua 7 formnd dubletul 3-7
care genereaz termenul ACD .
4. - nu sunt octei.
5. - exist doi quazi: 5-6-7-8 care genereaz termenul AB i 5-6-9-
10 care genereaz termenul BC .
6. - nu mai sunt alte perechi i csue coninnd 1, neincluse n
combinaiile precedente.
7. - expresia final a funciei logice va fi:
x = ABC D + ACD + AB + BC
13.2 Porile SAU EXCLUSIV i SAU EXCLUSIV-NU

Poarta SAU EXCLUSIV este o poart logic care poate avea numai dou
intrri i care
furnizeaz un 1 logic la ieire ori de cte ori cele dou intrri sunt
n stri complementare.
Simbolul operaiei SAU EXCLUSIV este . S proiectm
circuitul logic care o realizeaz pornind de la scrierea tabelului de adevr
conform afirmaiei precedente:
Tabelul 13.3
B A x = A B Termeni I
0 0 0
0 1 1 AB
1 0 1 AB
1 1 0
i de la expresia funciei logice care realizeaz operaia SAU EXCLUSIV,
scris pe baza lui:
A B = AB + AB
Observm imediat c avem nevoie de dou inversoare, dou pori I
i o poart SAU, astfel nct circuitul logic combinaional pentru funcia
noastr arat ca cel din fig.13.7, n care este prezentat i simbolul porii
SAU EXCLUSIV folosit n schemele digitale.
x=AB + AB A x=A + B
B
Fig.13.7
Poarta SAU EXCLUSIV-NU opereaz exact n opoziie cu poarta
SAU EXCLUSIV. Tabelul 13.4 ne ajut la scrierea expresiei funciei logice
pentru aceast operaie:
Tabelul 13.4
B A x = A B Termeni I
0 0 1 AB
0 1 0
1 0 0
1 1 1 AB
x = AB + AB
Ea ne indic faptul c variabila x va avea valoarea logic 1 n dou
cazuri: A = B = 1 (termenul AB) i A = B = 0 (termenul AB ). Cu alte
cuvinte:
poarta SAU EXCLUSIV-NU va produce un nivel nalt al tensiunii de
ieire ori de cte ori cele dou intrri vor fi la acelai nivel logic.
Deoarece aceast poart compar dou niveluri logice i ne atrage
atenia cnd ele sunt egale, se mai spune c ea realizeaz funcia de
echivalen. n fig.13.8 este artat circuitul cu ajutorul cruia poate fi
realizat aceast funcie logic i simbolul porii logice aferente.
A
A x=A + B
x=AB + AB
B
Fig.13.8
Deoarece circuitul SAU EXCLUSIV-NU opereaz complementar cu

circuitul SAU EXCLUSIV, simbolul s poate fi obinut din simbolul porii
SAU EXCLUSIV prin adugarea cerculeului de negaie la ieire.
13.3 Circuite pentru prelucrarea informaiilor digitale

Pentru prelucrarea datelor n sistemele digitale i apoi pentru citirea i
afiarea rezultatelor prelucrrii, sunt necesare mai multe etape de lucru:
codarea i decodarea (transformarea datelor dintr-un cod n
altul)
multiplexarea (transmiterea ctre o ieire a unei singure
informaii dintr-un grup de informaii)
demultiplexarea (introducerea succesiv a datelor la diferite
adrese posibile)
Toate aceste operaii pot fi realizate cu ajutorul porilor logice
conectate n combinaii rezultate n urma stabilirii funciei (funciilor) logice
de transfer pe care trebuie s o (le) realizeze circuitul.
13.3.1 Circuite de codare a informaiei

Un circuit de codare are un anumit numr de intrri (codul de intrare), dintre
care doar una poate fi activat la un moment dat i N ieiri care reprezint
numrul de bii ai codului n care sunt reprezentate informaiile de la intrare.
La un circuit de codare numrul de bii ai codului de ieire este mai mic
dect numrul de bii ai codului de intrare. Cel mai frecvent caz este acela al
codrii n binar. n aceast situaie:
N = log2(numrul de intrri)
Tabelul 13.5
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 O2 O1 O0
0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0
0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1
0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0
0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1
0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0
0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1
0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 0
1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1
Pentru a exemplifica modalitatea de proiectare circuitelor de codare
s considerm exemplul unui circuit de codare cu opt intrri i N = log28 =3
ieiri (Tabelul 13.5). S notm cu A0, A1, A7 cele opt intrri i cu O0, O1
i O2 cele trei ieiri i s construim un tabel de adevr n care combinaia

biilor de la ieire s fie corespondentul binar al indicelui zecimal intrrii.
ncercnd s stabilim o coresponden biunivoc ntre strile logice ale
ieirilor i cele ale intrrilor, vom observa c:
O0 = 1 dac A1 SAU A3 SAU A5 SAU A7 sunt la nivel logic 1
Deci, circuitul de codare va trebui s aib cte o poart SAU cu patru
intrri care s comande fiecare ieire. Modul de conectare a intrrilor
circuitului de codare la intrrile celor patru pori SAU este artat n fig.13.9.
Intrarea A0 nu este conectat deoarece ieirea va indica automat starea 000
dac A1 = A2 = = A7 = 0.
Ao A1 A 2 A3 A 4 A5 A6 A7
Oo
O1
O2
Fig.13.9
Unul dintre neajunsurile circuitului de codare, aa cum este el
prezentat n fig.13.9, este acela c dac dou intrri sunt simultan la nivel
logic 1, atunci rezultatul este eronat. De exemplu, dac intrrile A3 i A5 sunt
simultan la nivel logic 1, atunci strile ieirilor vor fi 111, ceea ce
corespunde nivelului logic 1 la intrarea A7. De aceea au fost realizate
circuite de codare cu prioritate, care conin circuite logice astfel aranjate
nct dac dou sau mai multe intrri sunt aduse simultan la nivel logic 1,
atunci la ieire va avea prioritate (va apare) codul numrului mai mare de la
intrare.
13.3.2 Circuite de decodare a informaiei

Operaia invers a codrii este decodarea. Un decodor este un circuit logic
combinaional cu N intrri i M 2N ieiri. La intrarea decodorului se aplic
o informaie codat pe N bii. Pentru o combinaie dat a nivelurilor logice
de la intrare va fi activat o singur ieire. Deoarece unele coduri nu
folosesc toate combinaiile posibile ale nivelurilor logice oferite de numrul
de bii pe care este exprimat informaia, numrul de ieiri poate fi i mai
mic dect 2N. Astfel, cnd o informaie zecimal este codat n binar
(BCD)se folosesc numai 10 (0000, , 1001), din cele 16 combinaii
posibile deci un decodor BCD zecimal nu va avea 16 ieiri ci numai 10.
Unul dintre cele mai folosite decodoare este cel de la 3 la 8 linii.
Proiectarea lui cu pori logice poate fi realizat dac se cunoate funcia de
transfer pentru fiecare ieire. Aceasta poate fi exprimat pe baza tabelului de
adevr 13.6.
Tabelul 13.6
Funcia de
A2 A1 A0 O7 O6 O5 O4 O3 O2 O1 O0
transfer
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 O0= A2 A1 Ao
0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 O1= A2 A1 Ao
0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 O2= A2 A1 Ao
0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 O3= A2 A1 Ao
1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 O4= A2 A1 Ao
1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 O5= A2 A1 A o
1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 O6= A2 A1 Ao
1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 O7= A2 A1 Ao
Cunoscnd funciile de transfer pentru fiecare ieire, putem trece la

proiectarea circuitului de decodificare a informaiei. Se vede c fiecare
ieire este caracterizat de un produs de trei termeni n stare normal sau
complementar. Deci, pentru fiecare ieire vom folosi cte o poart I cu cel
puin trei intrri. Unele decodoare au i una sau mai multe intrri de validare
cu ajutorul crora se poate controla starea de funcionare a lor. Astfel, dac
pentru decodorul de la 3 la 8 linii se folosesc pori I cu patru intrri
(fig.13.10), cea de-a patra intrare a fiecreia dintre pori poate fi folosit ca
intrare de validare, E (ENABLE).
E Ao A1 A2
Oo
O1
O2
O3
O4
O5
O6
O7
Fig.13.10
13.3.3 Multiplexoare
Un multiplexor este un circuit logic combinaional cu mai multe intrri i o
singur ieire. El accept mai multe date de intrare, permind doar uneia
dintre ele s treac la un moment dat
spre ieire. Deoarece face o selecie de I o MUX
date, multiplexorul mai este denumit II 1
SELECTOR DE DATE. Ordinea de

2
transmitere a datelor spre ieire este iesire

hotrt de una sau mai multe intrri
de dirijare a informaiei, numite
intrri de selecie. Dac vrei, putem I N-1
compara multiplexorul cu o gar cu

mai multe linii pe care se afl trenuri
care trebuie s o prseasc ntr-o
intrari de selectie
anumit ordine, ntre dou gri
existnd o singur linie. Fig.13.11
Multiplexorul acioneaz ca un comutator multipoziional controlat

digital, n care codul digital aplicat la intrarea de selecie hotrte care este
ordinea de transmitere spre ieire a datele de intrare (fig.13.11). Cu alte
cuvinte, multiplexorul poate trimite la pensie btrnul acar din vechile gri
de pe vremea locomotivelor cu aburi.
Deoarece numrul de stri logice distincte ale intrrii de selecie
trebuie s fie egal cu numrul de intrri de date N, numrul de intrri de
selecie poate fi calculat din relaia:
numrul intrrilor de selecie = log2N
Multiplexorul de baz este i cel mai simplu, avnd dou intrri de
date i o intrare de selecie (log22 = 1). Funcia de transfer a multiplexorului
poate fi scris pe baza tabelului de adevr 13.7 ca o sum de produse a
termenilor care furnizeaz un 1 logic la ieire, tabel n care variabilele de
intrare sunt Io, I1 i S (selecie) iar variabila de ieire este z. Condiia impus
este aceea ca la ieire s fie transferat informaia de la intrarea Io dac S = 0
i cea de la intrarea I1 dac S =1.
Tabelul 13.7
S I1 Io z Termeni I
0 0 0 0
0 0 1 1 S I o I1
0 1 0 0
0 1 1 1 S I o I1
1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 1 S I o I1
1 1 1 1 SI 0 I 1
Funcia de transfer va fi:

z = S I o I1 + S I o I1 + S I o I1 + SI 0 I1
care, dup minimizare, devine: I1
z = S I o + SI1 z
Se poate vedea c pentru I0

realizarea ei avem nevoie de dou pori
I, o poart SAU i un INVERSOR, S
conectate ca n fig.13.12.
Fig.13.12
n mod analog, pot fi gndite scheme de multiplexoare cu patru, opt

sau aisprezece intrri, multiplexoare care sunt realizate sub form integrat.
13.3.4 Demultiplexoare
Operaia invers multiplexrii este
DEMUX Oo
demultiplexarea. De data aceasta O1
trenurile nu mai ies din gar ci intr n O2
ea pe rnd, pe o singur linie, i trebuie intrare
distribuite pe liniile grii. Aceast
operaie o face demultiplexorul
(fig.13.13). Deoarece numrul de stri
ON-1
logice distincte ale intrrii de selecie
trebuie s fie egal cu numrul de ieiri
de date N, numrul de intrri de
selecie poate fi calculat din relaia: intrari de selectie
numrul de intrri de selecie
N=2 Fig.13.13
Proiectarea unui demultiplexor se poate face stabilind funcia de
transfer pe baza tabelului de adevr. Astfel, dac avem o gar cu opt linii,
multiplexorul care distribuie trenurile va trebui s aib trei intrri de selecie
(log28 = 3). Variabilele de intrare n demultiplexor vor fi cele de la intrarea
de date i intrrile de selecie. Punnd condiia ca primele opt date de intrare
s fie distribuite n ordine la cele opt ieiri, se poate construi urmtorul tabel
de adevr:
Tabelul 13.8
Funcia de
S2 S1 So O7 O6 O5 O4 O3 O2 O1 O0
transfer
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 I O0=I S 2 S1 S o
0 0 1 0 0 0 0 0 0 I 0 O1=I S 2 S1S o
0 1 0 0 0 0 0 0 I 0 0 O2=I S 2 S1 S o
0 1 1 0 0 0 0 I 0 0 0 O3=I S 2 S1 S o
1 0 0 0 0 0 I 0 0 0 0 O4=I S 2 S1 S o
1 0 1 0 0 I 0 0 0 0 0 O5=I S 2 S1 S o
1 1 0 0 I 0 0 0 0 0 0 O6=I S 2 S1 S o
1 1 1 I 0 0 0 0 0 0 0 O7=I S 2 S1 S o
Dup cum se poate vedea, pentru codul de selecie 000 valoarea

logic a intrrii I este dirijat ctre ieirea O0, pentru codul de selecie 001
valoarea logic a intrrii I este dirijat ctre ieirea O1, , pentru codul de
selecie 111 valoarea logic a intrrii I este dirijat ctre ieirea O7. Deci,
demultiplexorul poate fi construit din opt pori I cu cte patru intrri, cte o
poart pentru fiecare ieire. De asemenea, mai sunt necesare trei inversoare,
cte unul pentru fiecare intrare de selecie. Schema de principiu a acestui
multiplexor este artat n fig.13.14.
intrare date
I So S1 S2
Oo
O1
O2
O3
O4
O5
O6
O7
Fig.13.14
O analiz atent a schemei demultiplexorului ne va arta c ea este
identic cu aceea a unui decodor cu o intrare de validare. Pentru a fi folosit
ca demultiplexor, intrrile decodorului sunt folosite ca intrri de selecie iar
intrarea de validare este folosit ca intrare de date. Pentru c pot fi folosite
n ambele scopuri, circuitele integrate de acest tip sunt denumite
DECODOARE/ DEMULTIPLEXOARE.
206
14 CIRCUITE LOGICE SECVENIALE
14.1 Circuite basculante bistabile

14.1.1 Ce sunt strile stabile?
Circuitele logice secveniale sunt acele circuite care au n structura lor att
circuite logice combinaionale ct i elemente de memorie binar. Datorit
acestei combinaii de circuite, strile ieirilor circuitelor secveniale depind
att de combinaia nivelurilor logice de la intrri la un moment dat, ct i
de semnalele aplicate la intrri n momente anterioare.
Circuitele basculante bistabile (CBB, Fig.14.1) sunt circuite logice
secveniale cu dou sau mai multe intrri i dou ieiri, acestea din urm
neputnd fi dect n stri complementare din punct de vedere al nivelurilor
logice de tensiune: dac una este la nivel logic 1, n mod obligatoriu cealalt
este la nivel logic 0. Intrrile sunt folosite pentru a provoca bascularea
circuitului nainte sau napoi ntre cele dou stri. Dac un impuls aplicat la
intrare provoac bascularea CBB ntr-o stare, circuitul va rmne n aceasta
chiar i dup dispariia impulsului de la intrare. Aceasta este caracteristica
de memorie a CBB.
iesire
normala
CIRCUIT
intrari BASCULANT
BISTABIL
iesire
complementara
Fig.14.1
Se pune ntrebarea: ce ar putea fi n interiorul spaiului pe care scrie
circuit basculant bistabil?. Pentru a rspunde la aceast ntrebare, pornim
de la o schem simpl cu dou inversoare conectate fiecare cu ieirea la
intrarea celuilalt (conexiune n cross, fig.14.2)
1 0 0 1 1
1
2 2
0 1 1 0
a b
Fig.14.2
Cunoscnd faptul c ieirea unui inversor este ntotdeauna

complementul logic al intrrii sale, dup o examinare sumar a circuitului se
poate observa c circuitul are dou stri stabile (fig.14.2a, i b).
Inconvenientul major al acestui circuit bistabil este acela c starea n care el
se va afla la un moment dat nu poate fi influenat din exterior. La
conectarea tensiunii de alimentare circuitul va trece n una dintre cele dou
stri stabile, n funcie de care dintre cele dou inversoare va reaciona mai
rapid la acest stimul i va rmne n aceasta atta timp ct este alimentat.
Explicarea fizic a acestui comportament poate fi dat pornind de la
caracteristica de transfer a inversorului CMOS din fig.11.9, caracteristic
prezentat n fig.14.3a.
Uies[V] Uies1, Uint2 [V]

stabil
5 5
M
4 4
3 3 instabil
Q
2 2
1 1
P stabil
0 1 2 3 4 5 Uin[V] 0 1 2 3 4 5 Uin1, Uies2 [V]

a b
Fig.14.3
n cazul circuitului din fig.14.2 tensiunea de ieire a unui inversor
reprezint tensiune de intrare pentru cellalt i invers. Dac reprezentm pe
acelai grafic cele dou caracteristici de transfer (fig.14.3b), vom observa c
ele au trei puncte de intersecie, care reprezint cele trei puncte posibile de
funcionare. Dac la un moment dat circuitul s-ar afla n starea
corespunztoare punctului Q, o variaie de tensiune orict de mic va
determina deplasarea lui n punctele M sau P, n funcie de sensul iniial de
variaie al tensiunii. Punctele de funcionare M i P sunt stabile, n ele fiind
satisfcut i modul de funcionare al inversorului.
14.1.2 Circuit basculant bistabil SR de baz

Un circuit bistabil a crui stare poate fi determinat de un impuls exterior
poate fi construit cu dou pori SAU-NU conectate ca n fig.14.4. Circuitul
are dou intrri S (SET) i R (RESET) i dou ieiri Q1 i Q2. n stare
inactiv cele dou intrri se afl la nivel logic 0. Atta timp ct ele se afl n
208 Circuite logice secveniale
aceast stare, ieirile nu i vor schimba strile logice n care se afl. Avnd
n vedere funcia logic pe care o realizeaz o poart SAU-NU, s vedem
care sunt strile posibile ale ieirilor n stare inactiv a celor dou intrri (S
= 0, R = 0). Astfel, dac intrrile porii 2 sunt n starea 00, ieirea ei va fi n
( )
starea Q2 = 1 0 + 0 = 1 . Ieirea porii 2 foreaz a dou intrare a porii 1 n
( )
starea 1 i ieirea ei va fi n starea Q1 = 0 0 + 1 = 0 . Aceeai logic poate fi
aplicat i n cazul n care intrrile porii 2 sunt n starea 01. n acest caz
ieirile trebuie s fie n strile Q2 = 0, Q1 = 1. Putem deci concluziona c n
stare inactiv cele dou ieiri trebuie s fie n stri complementare
(Q 2 = Q 1 )
0 0
S 1 S 0
0 2 Q2 1 2 Q2
1 0
1 Q1 1 Q1
R 0 R 1
0 0
Fig.14.4
Avnd n vedere complementaritatea celor dou ieiri n starea de
ateptare, vom folosi n continuare urmtoarele notaii pentru ele: Q1 = Q
i Q 2 = Q , i le vom denumi ieirea normal, respectiv ieirea
complementar. (fig.14.5).
1
0
S
2 Q
1 Q
R 1
0
Fig.14.5
Bascularea circuitului dintr-o stare stabil n starea complementar
poate fi provocat prin aducerea la nivel logic 1, pentru un interval de timp
foarte scurt (impuls pozitiv), a uneia dintre cele dou intrri, S sau R. Starea
n care se vor afla ieirile dup aplicarea unui astfel de stimul de intrare,
poate fi determinat considernd cele dou stri posibile ale ieirilor i
funciile logice realizate de porile SAU-NU. Funcionarea unui circuit
basculant bistabil SR este sintetizat n tabelul 14.1, iar simbolul su este

prezentat n fig.14.6. n tabel, s-au folosit notaiile:
Qn starea ieirii normale nainte de aplicarea impulsului de
nivel logic 1 pe una dintre intrri
Qn+1 - starea ieirii normale dup revenirea intrrii respective
la nivel logic 0
Tabelul 14.1
S R Qn+1
0 0 Qn S Q
1 0 1
0 1 0 R Q
1 1 ?
Fig.14.6
Se poate observa c dac impulsul de nivel logic 1 este aplicat la
intrarea S, ieirea normal va fi la nivel logic 1 indiferent de starea sa
iniial. De aceea intrarea S se mai numete intrare de nscriere a unei
informaii. Dac impulsul de nivel logic 1 se aplic la intrarea R, ieirea
normal va fi la nivel logic 0 indiferent de starea sa iniial. Intrarea R se
mai numete intrare de tergere.
n tabelul 14.1 apare i situaia n care ambele intrri sunt aduse
simultan la nivel logic 1. n intervalul de timp n care ele se afl la nivel
logic 1 ambele ieiri vor fi la nivel logic 0. Acest lucru rezult din analiza
logic a circuitului ca un circuit combinaional n stare staionar. Ce se
ntmpl ns dup ce intrrile revin n starea de nivel logic 0? Cele dou
pori nu reacioneaz simultan la un stimul extern. Una dintre ele va
reveni mai rapid dect cealalt la nivel logic 0, lsnd celeilalte rolul de
poart de decizie. Dar, cum nu avem de unde ti care dintre cele dou pori
este mai rapid, n circuit se poate ntmpla orice. Dup revenirea la nivel
logic 0 a celor dou intrri, ieirile vor fi n starea 01 sau 10, dar fr a putea
prezice n care. De aceea, se spune despre aceast situaie c este una
nedorit, tocmai pentru c are un efect imprevizibil. Vom vedea mai trziu
cum o putem nltura.
14.1.3 Circuit basculant bistabil SR sincronizat

n multe sisteme digitale este necesar ca procesele de comutare s aib loc
numai la anumite momente de timp bine determinate, adic ele s fie
sincronizate cu alte semnale. Aceste semnale de sincronizare se mai numesc
semnale de tact sau de ceas (clock - CLK). De regul, ele sunt semnale
dreptunghiulare periodice i se aplic pe o intrare distinct numit intrare

de tact. Toate CBB-urile sincronizate pot avea una sau mai multe intrri
sincronizate cu semnalul de tact, intrri care se mai numesc i intrri de
control. Ele pot fi denumite n diferite moduri, dup funcia pe care o
ndeplinesc (de exemplu SET i RESET din cazul precedent). Intrrile de
control vor determina starea ieirilor circuitului, dar efectul lor este
sincronizat cu unul din fronturile semnalului de tact. Cu alte cuvinte,
nivelurile logice prezente la intrrile sincronizate vor controla modul n care
se schimb nivelurile logice ale ieirilor n timp ce semnalul de tact va
tranzita de la un nivel la altul.
Prin adugarea a dou pori I bistabilului SR de baz i a unui
detector de front se obine un circuit basculant bistabil SR sincronizat cu
unul din fronturile semnalului de tact (fig.14.7).
1
0
S
4
2 Q
detector
CLK*
CLK de front
1 Q
3
R 1
0
Fig.14.7
Circuitul detector de front furnizeaz un impuls scurt (CLK )

coincident cu frontul cresctor sau descresctor al semnalului de tact. Cele
dou pori I alctuiesc un circuit de dirijare, care permite impulsului
CLK s treac spre circuitul SR de baz n funcie de starea logic a
intrrilor de control S i R.
Tabelul 14.2 sintetizeaz funcionarea circuitului SR sincronizat cu
frontul descresctor al semnalului de tact. Se poate observa c starea de
incertitudine privind rspunsul circuitului n situaia n care ambele intrri
sunt aduse simultan la nivel logic 1 se pstreaz. n fig.14.8 este prezentat
simbolul circuitului SR sincronizat. Intrarea de tact este simbolizat printr-
un mic triunghi precedat de un cercule, semn c procesul de comutare poate
avea loc pe frontul descresctor al semnalului de tact. n cazul n care
comutarea are loc pe frontul cresctor al semnalului de tact, intrarea de tact
se simbolizeaz numai printr-un triunghi. Frontul semnalului de tact care
permite realizarea unui proces de comutare se numete front activ.
Tabelul 14.2
CLK S R Qn+1 S Q
1 0 0 Qn
1 CLK
1 0 1
1 0 1 0 R Q
1 1 1 ?
Fig.14.8
n fig. 14.9 sunt reprezentate formele de und ale semnalelor pentru
o situaie oarecare a evoluiei n timp a strilor intrrilor sincronizate. Am
presupus c n starea iniial intrrile sincronizate S i R sunt inactive i
ieirea normal este la nivel logic 0. Situaia n care S = R = 1 a fost evitat
intenionat, tocmai pentru c nu tim cum va rspunde circuitul.
CLK front activ

1
0 t
CLK*
1
0 t
S
1
0 t
R
1
0 t
Q
1
0 t
Fig.14.9
14.1.4 Circuitul basculant bistabil JK (Jam-Keep) sincronizat

Inconvenientul circuitelor basculante SR, referitor la starea de
nedeterminare a ieirilor atunci cnd cele dou intrri sunt aduse simultan la
nivel logic 1, este nlturat prin folosirea la intrare a dou pori logice I cu
trei intrri i a dou circuite de reacie, aa cum se arat n fig.14.10.
1
0
J 4
2 Q
detector
de front CLK*
CLK
1 Q
K 1
3
0
Fig.14.10
Se poate observa c ieirile porilor SAU-NU sunt conectate la
intrrile porilor I care le comand. Fiind vorba despre un sistem cu reacie,
pentru ca circuitul s nu intre n autooscilaie este necesar ca impulsul
CLK s fie foarte scurt. El trebuie s revin la zero nainte ca ieirea s
basculeze, deci durata lui trebuie s fie mai mic dect timpul de propagare
a informaiei de la intrare i pn la ieire.
Din analiza funcionrii circuitului se constat c atunci cnd ambele
intrri sunt aduse simultan din starea logic 0 n starea logic 1, ieirea
basculeaz n starea complementar celei iniiale. Astfel, dac starea iniial
a ieirilor este Q = 0 i Q =1, impulsul CLK va trece prin poarta 4 spre
poarta 2 i circuitul va bascula n starea Q = 1, Q = 0. Dac starea iniial a
ieirilor este Q = 1 i Q = 0, impulsul CLK va trece prin poarta 3 spre
poarta 1 i circuitul va bascula n starea Q = 0, Q = 1.
Tabelul 14.3 sintetizeaz funcionarea circuitului basculant bistabil
JK, iar n fig.14.11 este prezentat simbolul unui astfel de circuit sincronizat
cu frontul descresctor al semnalului de tact.
Tabelul 14.3
CLK J K Qn+1 J Q
1 0 0 Qn
1 CLK
1 0 1
1 0 1 0 K Q
1 1 1 Qn
Fig.14.11
14.1.5 Circuitul basculant bistabil D (Data)

Prin adugarea unui inversor la intrarea K a unui bistabil JK i conectarea
intrrii lui la intrarea J, se obine circuitul basculant bistabil D. n fig.14.12
sunt prezentate modalitatea de obinere a circuitului precum i simbolul su,
iar tabelul 14.4 sintetizeaz funcionarea lui.
D
J Q D Q
CLK
K Q CLK Q
Fig.14.12
Tabelul 14.4
CLK J(D) Qn+1
1 1 1
1 0 0
Se poate observa c, datorit conectrii inversorului, din tabelul de

adevr al bistabilului JK mai rmn doar liniile n care cele dou intrri sunt
n stri complementare. Pe frontul activ al semnalului de tact informaia
aplicat la intrarea D este copiat la ieirea normal Q. Circuitul rmne n
aceast stare pn la aplicarea unui alt impuls la intrare, impuls sincronizat
cu frontul activ al semnalului de tact. S-ar prea deci c n orice moment de
timp starea ieirii bistabilului D este identic cu starea intrrii lui.
CLK front activ
1
0 t
CLK*
1
0 t
D
1
0 t
Q
1
0 t
Fig.14.13
Din exemplificarea prezentat n fig.14.13 se poate observa ns c

ieirea copiaz nivelul logic al intrrii numai n momentele de timp
determinate de frontul activ al semnalului de tact, forma de und de la ieire
nefiind identic cu cea de la intrare.
14.1.6 CBB "trigger"

Circuitul basculant bistabil "trigger" se obine din circuitul JK prin
conectarea mpreun a celor dou intrri sincronizate, aa cum este artat n
fig.14.14. Aceasta nsemn c, din tabelul de adevr al circuitului JK, mai
rmn doar liniile n care intrrile sunt la acelai nivel logic, rezultnd
tabelul 14.5.
Tabelul 14.5
J Q CLK J=K Qn+1
1 0 Qn
CLK
1 1 Qn
K Q
Fig.14.14
Se poate observa c dac ambele intrri sincronizate sunt la nivel
logic 1, pe frontul activ al semnalului de tact bistabilul "trigger" va bascula
dintr-o stare n alta.
n fig.14.15 sunt prezentate formele de und ale semnalelor de la
intrrile i ieirile unui circuit basculant bistabil JK n situaia n care
intrrile sincronizate sunt simultan la nivel logic 1.
CLK front activ
1
0 t
CLK*
1
0 t
J=K
1
0 t
Q
1
0 t
Fig.4.15
14.1.7 Intrri asincrone

Pe lng intrrile de control sincronizate, CBB-urile pot fi prevzute i cu
intrri asincrone care opereaz independent de intrrile sincronizate i de
semnalul de tact. Ele se mai numesc intrri prioritare de nscriere
(PRESET) i de tergere (CLEAR) i pot fi active atunci cnd sunt la nivel
logic 0 sau la nivel logic 1. n fig.4.15 este prezentat simbolul unui CBB JK
cu dou intrri asincrone, active atunci cnd sunt la nivel logic 0, iar alturat
tabelul su de adevr (tabelul 14.6). Simbolul x din tabel ne arat c intrrile
asincrone pot aciona supra ieirilor n orice moment de timp, independent
de semnalul de tact.
Tabelul14.6
CLK DC SET DC CLEAR Raspuns
DC
J SET Q opereaza
x 1 1 sincron
CLK x 0 1 Q=1
K DC Q x 1 0 Q=0
CLEAR nu se
x 0 0 foloseste
Fig.14.16
n stare normal intrrile asincrone sunt meninute la nivelul logic 1
neafectnd funcionarea sincron a CBB. Aducerea intrrii asincrone DC
SET la nivel logic 0 va aduce ieirea CBB n starea Q = 1, Q = 0, deci
informaia este nscris la ieirea normal. Activarea intrrii DC CLEAR are
ca efect tergerea informaiei (dac ea exist) de la ieirea normal. Trebuie
menionat faptul c intrrile asincrone rspund i la semnale continue de
tensiune (nu numai la impulsuri), astfel nct un CBB poate fi meninut ntr-
o anumit stare un interval de timp orict de lung.
14.2 Registrul de deplasare

Registrul de deplasare poate fi folosit la stocarea de bii informaionali. Biii
informaionali pot fi transferai ntr-un alt registru identic cu primul.
Transferul poate fi serial (bit dup bit) sau paralel (toi biii deodat). n
cazul transferului paralel, circuitele basculante din componena registrului
trebuie s aib intrri asincrone.
Registrul de deplasare de baz este alctuit dintr-un numr de CBB
conectate n cascad (serie), ieirea fiecruia fiind conectat la intrarea
urmtorului. El are calitatea de a memora un numr de bii informaionali
egal cu numrul de CBB. n fig.4.17 este prezentat un registru de deplasare
pe patru bii.
1011
t OUT
D Q D Q D Q D Q
IN
A B C D
CLK Q CLK Q CLK Q CLK Q
Fig.4.17
CLK
1
1 2 3 4 5
0 t
CLK*
1
0 t
IN
1
1 1 0 1
0 t
QA
1
1 1 0 1
0 t
QB
1
1 1 0 1
0 t
QC
1
1 1 0
0 t
QD
1
1 1
0 t
Fig.4.18
Impulsurile de comand se aplic simultan pe cele patru intrri de
tact prin conectarea lor mpreun. Informaia (n cazul de fa succesiunea
de bii 1101) se aplic succesiv (n serie) la intrarea primului CBB. La
aplicarea fiecrui impuls de tact informaia prezent la intrarea fiecrui
bistabil este transferat la ieirea lui (fig.4.18).
Astfel, dup aplicarea a patru impulsuri de tact cei patru bii aplicai
la intrare vor forma coninutului registrului de deplasare. Aceast
informaie, odat nmagazinat, poate fi "citit" la ieirea ultimului CBB,
sau poate fi transferat serial unui alt registru de deplasare pe patru bii prin
aplicarea a nc patru impulsuri de tact. n cazul n care se dorete transferul
informaiei ctre un alt registru identic cu primul (registru destinaie),
intrarea acestuia se conecteaz la ieirea serial a registrului surs.
14.3 Numrtoare
Numrtoarele se bazeaz pe proprietile circuitelor basculante bistabile de
tip "trigger" de a trece dintr-o stare n alta pe fiecare front activ al
semnalului de tact, dac intrrile sincronizate sunt la nivel logic 1. Celor
dou stri posibile ale ieirii li se asociaz cifrele 0 i 1 din reprezentarea n
cod binar a unui numr oarecare. n acest mod pot fi numrate n cod binar
impulsurile aplicate la intrarea de tact. De aceea, n cazul numrtoarelor,
intrarea de tact se mai numete i intrare de numrare.
14.3.1 Numrtorul asincron

Un singur circuit bistabil de tip trigger, avnd dou stri distincte ale
ieirii, poate numra pn la doi n cod binar. Dac se conecteaz n cascad
un numr N de circuite basculante bistabile de tip "trigger", astfel nct
ieirea fiecruia s fie conectat la intrarea de numrare (intrarea de tact) a
urmtorului, se realizeaz un numrtor pe N bii (pot fi contorizate numere
alctuite din N bii n baza de numeraie 2). Impulsurile care trebuie
numrate se aplic la intrarea de tact a primului bistabil din lanul de
numrare. Fiecrei ieiri i se atribuie o pondere de rang binar ncepnd
cu 20 i terminnd cu 2N-1.
n fig.4.19 este prezentat un numrtor asincron pe patru bii, iar n
fig.4.20 sunt reprezentate formele de und ale semnalelor de la intrare i de
la ieirile celor patru circuite basculante bistabile, presupunnd c n starea
iniial toate ieirile normale sunt la nivel logic 0.
Pentru o nelegere mai bun a funcionrii lui este necesar fixarea
urmtoarelor idei:
+5V
20 21 22 23
J Q J Q J Q J Q
CLK A CLK B CLK C CLK D

IN K Q K Q K Q K Q
Fig.4.19
intrrile sincronizate ale tuturor bistabilelor sunt meninute la nivel logic

1 (+5V)
impulsurile care vor fi contorizate se aplic numai la intrarea de tact a
primului bistabil i fiecare ieire normal acioneaz ca intrare de tact
pentru bistabilul urmtor
bascularea tuturor bistabilelor se face pe frontul descresctor al

semnalelor de tact (frontul activ)
dac fiecrei ieiri i se atribuie o pondere de rang binar, atunci evoluia
n timp a ieirilor va reprezenta un ir de secvene de numrare de la
starea binar 0000 pn la starea binar 1111
dup 15 impulsuri aplicate la intrare numrtorul va fi n starea 1111 iar
la al 16-lea impuls va trece n starea 0000 i secvena de numrare este
reluat ciclic. Datorit faptului c numrtorul are 16 stri distincte el se
mai numete numrtor modulo 16 (MOD-16) i poate numra pn la
15. n general, un numrtor cu N circuite basculante bistabile se
numete MOD-2N i el poate numra pn la 2N-1.
IN (CLK)
1
1 2 3 4 5 15 16
0 t
QA
1
1 1 0
0 t
QB
1
0 1 0
0 t
QC
1
1 1 0
0 t
QD
1
0 1 0
0 t
01012 = 510
11112 = 1510
Fig.4.20
Acest tip de numrtor se numete asincron deoarece schimbarea
strilor bistabilelor nu se face n sincronism perfect cu impulsurile de tact de
la intrare. Astfel, bistabilul B trebuie s atepte schimbarea strii bistabilului
A nainte de basculare, C trebuie s atepte shimbarea strii lui B, etc.
Aceasta se ntmpl datorit timpului de ntrziere ntre aplicarea unui
impuls la intrarea unui CBB i momentul rspunsului su la acest impuls.
Acest timp de ntrziere dintre cauz i efect este de ordinul 101ns i uneori
el poate fi deranjant.
Analiznd formele de und ale semnalelor de la ieirile
numrtorului se pot formula cteva concluzii:
numrul de impulsuri de la ieirea fiecrui CBB este de dou ori

mai mic dect cel de la intrarea sa
n funcie de numrul N de celule de numrare se poate realiza o
divizare cu 2N a numrului de la intrare
dac la ieirile complementare este nscris la un moment dat un
anumit numr (n cod binar evident) i se urmrete efectul
impulsurilor de intrare asupra lor, se poate constata c se obine
un numrtor n sens invers.
14.3.2 Numrtorul sincron

Inconvenientul major al numrtoarelor asincrone este acumularea timpilor
de ntrziere datorit propagrii n timp finit a informaiei prin lanul de
circuite basculante bistabile ale numrtorului, deci i limitarea frecvenei
de operare. Acest inconvenient poate fi nlturat cu ajutorul numrtoarelor
sincrone, n care toate circuitele basculante bistabile sunt comandate
simultan de ctre impulsurile care trebuie contorizate, acestea fiind aplicate
pe toate intrrile de tact deodat.
n fig.4.21 este prezentat schema unui numrtor sincron MOD 16.
0 1 2 3
+5V 2 2 2 2
J Q J Q J Q J Q
CLK A CLK B CLK C CLK D

K Q K Q K Q K Q
Fig.4.21
Ambele intrri de comand ale bistabilului A fiind n permanen la
nivel logic 1, el va fi activ la sosirea oricrui impuls la intrarea sa de tact.
Bistabilul B va fi activ pe frontul descresctor al lui QA. Datorit prezenei
celor dou pori I la intrrile bistabilelor C i D, cu conexiunile indicate n
figur, bistabilul C va fi activ pe fronturile simultan descresctoare ale lui
QA i QB iar bistabilul D va fi activ pe fronturile simultan descresctoare ale
lui QA, QB i QC. Astfel, va fi ndeplinit funcia de numrare a
numrtorului sincron, formele de und de la ieirile circuitelor basculante
bistabile fiind identice cu cele ale numrtorului asincron.
Un numrtor sincron n jos poate fi construit ntr-o manier similar
folosind semnalele de la ieirile inversoare drept semnale de comand
pentru intrrile circuitelor urmtoare.
220
BIBLIOGRAFIE
1. T. J. Floyd, Dispozitive electronice, Ed. Teora, Bucureti 2003.

2. D. Dasclu, L. Turic i I. Hoffman, Circuite electronice, Ed.
Didactic i Pedagogic, Bucureti 1981.
3. K. F. Ibrahim, Introducere n electronic, Ed. Teora, Bucureti 2001.
4. D. D. Sandu, Dispozitive i circuite electronice, Ed. Didactic i
Pedagogic, Bucureti 1973.
5. Th. Dnil, Dispozitive i circuite electronice, Ed. Didactic i
Pedagogic, Bucureti 1982.
6. R. Stere, I. Ristea i M. Bodea, Tranzistoare cu efect de cmp Ed.
Tehnic, Bucureti 1972.
7. G. Vasilescu i . Lungu, Electronic, Ed. Didactic i Pedagogic,
Bucureti 1981.
8. J. F. Wakerly, Circuite digitale, Ed. Teora, Bucureti 2002.
9. B. Wilkinson, Electronic digital, Ed. Teora, Bucureti 2002.
10. R. J. Tocci, Digital Systems, Prentice Hall International, New Jersey
1985.
11. S. D. Anghel, Instrumentaie cu circuite digitale, Universitatea
Babe-Bolyai, Cluj-Napoca 2001.

Bazele Electronicii Analogice Si Digitale

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Bazele Electronicii Analogice Si Digitale

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

5

8.2.4 Influena reacie negative de tensiune asupra

12.3.2 Teoreme pentru porile cu mai multe variabile

astfel de informaie ajunge la receptor (aparat sau om) este semnalul

1.1 Elemente de circuit. Reea electric

O reea electric (electronic) este alctuit din mai multe elemente

controlabil. Dac intensitatea curentului debitat n circuitul conectat la

Din punctul de vedere al intensitii curentului prin rezistena de

1.2 Teoremele reelelor electrice

echivalent, conectat n serie cu impedana echivalent a ramurii

1.2.2 Teorema superpoziiei

1.2.3 Teorema substituiei (compensaiei)

Dac se nlocuiesc elementele unei ramuri k, fie cu o surs de

1.2.4 Teorema lui Thvenin

Alegem acum pentru tensiunea o astfel de valoare nct i1 = 0.

1.2.5 Teorema lui Norton

Din punctul de vedere al dipolului, reeaua activ este echivalent

1.2.6 Transfigurarea dipolului

Din condiia de echivalen a celor dou impedane (Rs = Rech i Xs =

Este foarte util exprimarea acestor relaii de transformare n funcie

Acest rezultat era previzibil din momentul n care am impus condiia

Se poate observa c n aceast situaie componenta reactiv a

1.2.7 Transferul maxim de putere

Vom conveni c o reactan, X, este pozitiv n cazul n care ea are

vom obine: Rsarc = Rg

1.3 Cuadrupoli liniari

Observaie: exist tendina de definire a impedanei de ieire sub

1.3.2 Parametrii hibrizi

variabile independente curentul de intrare i1 i tensiunea de ieire u2. Fiecare

Cu ajutorul parametrilor hibrizi, ecuaiile (1.31) i (1.32) devin:

i2 = h21i1 + h22 u 2 (1.34)

Materialele semiconductoare stau la baza tuturor componentelor i

2.1 Jonciunea semiconductoare. Dioda

diferenei de concentraie de purttori majoritari de acelai fel din cele dou

O astfel de structur semiconductoare este denumit diod. Ea este

Pentru caracteristica volt-amperic a jonciunii semiconductoare s-a

caracteristica volt-amperic a diodei este punctul static de funcionare al

ct i rezistena opus de aceasta trecerii curentului electric. De aceea, n

polarizare polarizare polarizare polarizare polarizare polarizare

2.2 Modelul de semnal mic

n fig.2.7 este prezentat un regim de funcionare ca cel descris mai

2.3 Redresarea curentului alternativ

cderilor de tensiune pe jonciunile celor dou diode aflate simultan n stare

Expresia lui poate fi dedus folosindu-ne de expresiile puterilor.

Puterea disipat pe sarcin de componenta variabil va fi diferena

2.4 Alte tipuri de diode

Zener n care purttorii de sarcin sunt generai chiar de ctre cmpul

Difereniind ecuaia (2.17) i innd seama de faptul c i iZ ,

2.4.2 Dioda varicap

2.4.3 Dioda tunel (Esaki)

a diodei tunel (reprezentat de panta caracteristicii), este negativ. Curentul

2.4.4 Dioda Schottky

2.4.5 Dioda electroluminiscent (LED, Light Emitting Diode)

William Shockley fizician american, laureat al premiului Nobel n 1956

3.1 Structura i caracteristicile statice

Din punct de vedere tehnologic structura de tranzistor are dou

conexiunea baz comun fig.3.4b

I C = f (I B ) U , caracteristica de transfer n curent

U BE = f (U CE ) I , caracteristica de transfer invers n

comportamentului unor diode. Vom numi n continuare jonciunea emitoare

regimul blocat DE i DC - blocate,

Regimul de funcionare n zona activ este folosit atunci cnd

Regimurile de funcionare ale tranzistorului bipolar pot fi vizualizate

3.2 Polarizarea tranzistorului bipolar