Tipos de encapsulado

Encapsulado tipo DIP

Es una palabra reducida del idioma ingles que expresa Dual in Line Package o encapsulado de
doble lnea; es un tipo de chip de memoria que posee pines metlicos organizados en dos
zonal lineales simtricas.

Encapsulado tipo SIP

Es una palabra reducida del idioma ingles que expresa Single in Line Package o encapsulado de
una sola lnea; es un tipo de chip de memoria que posee pines metlicos organizados solo en
un extremo del empaque.

Encapsulado tipo SIMM

Es igual a los mdulos SIP pero en vez de patillas se utilizan unos contactos normalmente de 72
bits y de 32 bits

Encapsulado tipo DIMM DDR

DIMM DDR con 184 contactos, slo tienen una muesca.

DIMM DDR2 con 240 contactos y una muesca pero en un sitio distinto.
DIMM DDR3 con 240 contactos y una muesca pero en un sitio distinto, son fsica y
elctricamente incompatibles a las DDR2.

Encapsulado tipo RIMM

Tienen 232 contactos, ms rpidos pero ms caros que los DIMM DDR, se usan en memorias
RDRAM. Cuenta con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de
difusores de calor consistentes en una placa metlica que recubre los chips del mdulo. Se
basan en un bus de datos de 16 bits y estn disponibles en velocidades de 300MHz, 356 MHz,
400 MHz y 533 MHz.

Encapsulado tipo FB-DIMM

Este tipo de encapsulado se suelen utilizar en servidores. Los datos entre el mdulo y el
controlador de memoria se transmiten en serie, con lo que el nmero de lneas de conexin es
inferior. Tienen 240 pines, pero con muescas distintas a las DDR2.

Encapsulado tipo GDDR o RAM DDR

Son chips de memoria insertados en algunas tarjetas grficas. Este tipo de memoria trabajaba
al igual que el estndar DDR, enviando dos bits por cada ciclo de reloj, pero en este caso los
mdulos de memoria GDDR se optimizaron para lograr altas frecuencias de reloj acortando los
tiempos de acceso de las clulas de memoria en comparacin con la memoria DDR
convencional. Esto es necesario dada la gran cantidad de datos que tienen que procesar las
tarjetas grficas.
La memoria GDDR1 tiene una velocidad de transmisin de datos de 0.5-0.9 gbps. Su velocidad
de reloj era de alrededor de 200MHz con latencias de lecturas de 3 a 5 ciclos de reloj y utilizan
2,5 voltios. Transmitan informacin con una velocidad de 16GB/s con un bus de 128 bits.
Tiene una frecuencia efectiva de 166-950 MHz y adems un ancho de banda de 1,2-30,4 GB/s.

La memoria GDDR2 permita que las velocidades del ciclo de reloj fueran altas, al menos 2
ciclos de reloj. Usaban de 1,8 a 2 voltios, pero tenan un problema con el calor, no funcionaban
de manera correcta debido a este factor. Tiene una frecuencia efectiva de 533-1000 MHz y un
ancho de banda de 8,5-16 GB/s.
La memoria GDDR3 tiene una velocidad de transmisin de datos de 1-2.4 gbps. Tiene un
mayor ancho de banda dado que transmite ms informacin por cada ciclo de reloj que las
memorias DDR2. Adems las memorias GDDR3 almacenan la misma cantidad de informacin
utilizando menos energa a temperaturas ms bajas. Tiene una frecuencia efectiva de 700-
1700 MHz y un ancho de banda de 5,6-54,4 GB/s.
La memoria GDDR4 reduce el consumo elctrico y disipacin trmica notablemente,
aumentando la velocidad de transferencia de datos y aumentando la eficiencia de manera
considerable consumiendo aproximadamente un 45% menos que la GDDR3. Tiene una
frecuencia efectiva de 1600-1800 MHz y un ancho de banda de 64-86,4 GB/s.
La memoria GDDR5 tiene una velocidad de transmisin de datos de 3.1-6 gbps. En este tipo de
memoria se aprecia bastante la gran optimizacin de grficos 3D respecto a generaciones
anteriores. Tiene una frecuencia efectiva de 3200-7000MHZ y un ancho de banda de 24-448
GB/s.

Encapsulados SO-DIM y micro-DIMM

Son utilizadas en porttiles. El tipo de DRAM es DDR, tiene una capacidad de almacenamiento
de 256 MB, su formato es MicroDIMM de 172 pins y su velocidad de DIMM es de PC2700 o
333Mhz y tiene un voltaje de 2,5v.