Fsica de Materiales

Tema 2. El cristal ideal

2.1. Orden peridico: simetra de traslacin
2.2. Redes de Bravais
2.3. Estructura cristalina
2.3.1. Algunos ejemplos importantes de
estructuras cristalinas
2.4. Notaciones cristalogrficas: Indices de Miller
2.5. La red recproca
2.6. Difraccin de Rayos X
2.7. Microscopa de campo prximo (SPM)
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Un cristal perfecto puede definirse como una agrupacin estable y ordenada de tomos (iones o
molculas) enlazados entre s, cuyas propiedades fsicas en el interior, representadas por f (por
ejemplo f puede ser la densidad electrnica), pueden ser correlacionadas por la expresin

r r r
f (r ) = f (r + l )
r r
donde r sita un punto genrico en el cristal y l es un vector caracterstico,
denominado vector reticular, que localiza posiciones fsicamente equivalentes a
r
las del punto definido en r .
E l c o n ju n to d e p u n to s e q u iv a le n te s q u e c a ra c te riz a la e c u a c i n 2 .1 f o rm a u n a re d
e n e l e s p a c io trid im e n s io n a l q u e s e d e n o m in a re d c r is ta lin a .
r
E l v e c to r l s e p u e d e e s c rib ir e n la f o rm a :
r r r r
l = l1 a 1 + l 2 a 2 + l 3 a 3 (2 .2 )
r r r
d o n d e l 1 , l 2 y l 3 s o n n m e ro s e n te ro s y a 1 , a 2 y a 3 s o n tre s v e c to re s f u n d a m e n ta -
le s , n o c o p la n a rio s , a lo s q u e s e le s c o n o c e c o m o v e c to re s p r im itiv o s o v e c to re s
base.

Los vectores base definen un paraleleppedo que referiremos como

celdilla primitiva. La celdilla primitiva es el volumen mnimo representativo del
cristal y por ello ha de llenar todo el espacio cristalino cuando se somete a
operaciones de traslacin. Existen varias posibilidades de eleccin de los vectores
r r r
a1 , a 2 y a 3 , pero normalmente se recurre a una eleccin bien conocida que
consiste en utilizar los vectores ms pequeos que cumplen la simetra de
traslacin.
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Triclnico P Monoclnico P Monoclnico I

Ortorrmbico P Ortorrmbico C Ortorrmbico I Ortorrmbico F

Trigonal R Tetragonal P Tetragonal I Hexagonal

Cbico P Cbico I Cbico F

Celdas unidad convencionales de las 14

redes de Bravais agrupadas segn los 7
sistemas cristalinos
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Representacin matricial de las redes de Bravais

a a a l1
[ ]=
r 1x 2 x 3 x
l [ A ][ l i ] = a 1y a 2 y a 3 y


l
2


a 1z a 2 z a 3 z l 3

Red cbica simple (c.s)

z a
r r r
a 1 = (a,0,0 ) a 2 = (0, a,0 ) a 3 = (0,0, a )

a 0 0 1 0 0
[ A ] = 0 a 0 = a

0
1 0

y
0 0 a 0 0 1
O

Un ejemplo de elemento que cristaliza en este tipo de red es el Polonio en su fase cristalina a
[Po(a)].
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Red cbica centrada en el cuerpo (bcc)

z
a
r a a a r a a a r a a a
a1 = , , a 2 = , , a 3 = , ,
2 2 2 2 2 2 2 2 2

a a a
2
a 1 1
2 2 1

y
[ A ]=
a

a a
= 1 1 1
2 2 2 2
a a a 1 1 1

2 2 2

Este tipo de estructura es la que presentan diversos metales como el Li, Na, K, Cr, Fe(a), Cs, Rb, etc
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Red cbica centrada en las caras (fcc)

z a r a a r a a r a a
a1 = 0, , a 2 = ,0, a 3 = , ,0
2 2 2 2 2 2

a a
0
a 0 1
2 2 1

O
[ A ]=
a
0
a
= 1 0 1
2 2 2
y a a 1 1 0
0
2 2

Elementos que cristalizan con este tipo de red son el Cu, As, Au, La(b), Al, Fe(g), etc.
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red + base = estructura cristalina

r
a1
r
a2

- Red: bastara marcar todos los puntos de idntico "contenido", por

ejemplo los ojos de los peces; obsrvese que se podra haber elegido otro punto
significativo del pez, con el mismo resultado.
r r
- Vectores base: a1 y a 2
r r
- Celdilla primitiva: paralelogramo definido por a1 y a 2
- Base estructural: el pez.
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Estructura tipo Cloruro de Cesio: CsBr, TlCl, TlI, AgMg, LiHg, AlNi, BeCu, etc.

Red c
cbica simple
Cs+
+ -
Base estructural (Cs ; (0,0,0), Cl ; (1/2,1/2,1/2))

Cl-

Estructura muy sencilla que se obtiene tomando una red cbica simple y
asociando a cada punto reticular una base formada por los iones Cs+ y Cl-,
situados en posiciones genricas (0, 0, 0) y (,,), respectivamente
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Estructura tipo diamante

a Descripcin 1: Red f.c.c. con una base

estructural constituida por dos tomos situados
en posiciones (0, 0, 0) y (, , ).

Descripcin 2: Red cbica simple

Base estructural: (0,0,0), (, , 0), (0, , ), (, 0,)
(, , ), (, , ), (, , , ), (,, )

En esta estructura cristalizan elementos y compuestos tan importantes como el C (diamante), Si, Ge, GaAs, etc
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Estructura tipo cloruro sdico

a
Se forma a partir de una red de Bravais f.c.c. y una base
estructural formada por un par de iones (Cl- y Na+) separados
una distancia a/2 y alineados en las aristas del cubo

Cl -

Ag+

Posiciones de los tomos con respecto a la base de una celdilla

cbica simple son
Cl-: (0, 0, 0), (, , 0), (, 0,), (0, , ),
Na+: (,,), (0, 0, ), (0, , 0), (, 0, 0)
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Descripciones alternativas
Descripci
Descripcin 1:
z Red: bcc
a
Base estructural: 1 tomo en (0,0,0)

Descripci
Descripcin 2:

y Red: cs
Base estructural: 1 tomo en (0,0,0), 1 tmomo
en (1/2, 1/2, 1/2)

x SON
EQUIVALENTES?
EQUIVALENTES
z a
Descripci
Descripcin 1:
Red: fcc
Base estructural: 1 tomo en (0,0,0)

O
y Descripci
Descripcin 2:
Red: cs
x Base estructural: tomos en (0,0,0), (1/2, , 0),
(1/2, 0, ), (0, , )
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Notaciones cristalogrficas: ndices de Miller

Direccin cristalogrficas

3 r
Sean x1, x2 y x3 las componentes de un vector direccin d , es decir, proyecciones de este
vector en los tres ejes (figura ). Por conveniencia, estas componentes se miden tomando
direccin [u v w]
como unidad de longitud la arista del cubo, de valor a. Siempre existe un nmero r para el
cual los cocientes x1/r, x2/r, x3/r resultan ser un grupo de nmeros enteros (los menores).
Estos cocientes se denominan ndices de direccin, y se representan por las letras u, v y w.
x3 La notacin completa que se emplea para describir la direccin es [u v w].
2

x1 Si se quieren representar distintas direcciones con propiedades

equivalentes, se utiliza la notacin < u v w> [[u v w ]]. As, por ejemplo, el eje
1 _
x2 x tendr ndices [1 0 0], y el x [ 1 0 0 ], donde el sobrerrayado del nmero ( 1 )
indica el sentido negativo.

Ejemplo:
Sean x1 = 3a, x2 = 4a, x3 = 2.5a .
Obtenemos en este caso los menores enteros si tomamos r = 0.5a:
x1/r = 6, x2/r = 8, x3/r = 5.
La direccin es [6 8 5].
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Notaciones cristalogrficas: ndices de Miller

Planos cristalogrficos

3 Se elige aquel plano de la familia ms cercano al origen de coordenadas sin que

r r r
corte a dicho origen. Supongamos que este plano corta a los ejes a1 , a 2 y a 3 a
unas distancias x1, x2 y x3 del origen (figura ). Existe un nmero S para el cual el
producto de S por los recprocos de los valores de los puntos de interseccin
forman el grupo de menores enteros. En esta situacin se definen tres nmeros h
x3 plano (hkl) = S/x1, k = S/x2, l = S/x3, conocidos como ndices de Miller del plano, cuya
notacin secuencial es (h k l). Para denominar familias de planos equivalentes, es
2
decir, con idnticas propiedades, se recurre a la siguiente notacin: { h k l} ((h k
x2 l)).

x1

Ejemplo:
Sean x1 = 0.5a, x2 = 1.25a, x3 = 1.5a.
El menor nmero S que multiplicado por 1/0.5a, 1/1.25a, 1/1.5a, conduce a
tres valores enteros es S = 7.5a, de donde:
h = 15, k = 6, l=5
Este plano se denomina (15 6 5).
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Funciones peridicas (1 dimensin)

energa potencial
tomo a
x

f ( x ) = f ( x + l)

2 2
1 i nx

f ( x) = n An e An =
i nx
a f ( x) e a dx
aa

f (x) = gn
A gn eignx

2
gn = n
a

eigl = 1 g.l = 2N Siendo n un numero entero

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Funciones peridicas (3 dimensiones)

En tres dimensiones el clculo sera equivalente y los resultados:

r rr
f(r ) =
r A gr e
ig.r
g
(2.17)

donde:
1 r rr r
f(r ) e
ig.r
A gr = dr
V
cel
r
siendo V el volumen de la celdilla y g un vector de componentes (g1, g2, g3) tal
que:
2
gi = ni (i = 1, 2, 3) (2.18)
ai

Tambin, con un razonamiento similar al anterior, se tendra:

rr
g. l = 2N ( N ) (2.19)
r
Obsrvese que el primer valor del desarrollo, gn = 0:

1 r r
A gr = 0 =
V
cel
f (r ) d r

r
Red recproca; corresponde con el valor medio de la propiedad f ( r ) en el cristal, la cual ser
justamente la propiedad macroscpica medida en el laboratorio.
conjunto de
puntos
descritos por g Importancia: Las propiedades fsicas se miden en la
red recproca
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Vectores base de la red recproca: Determinacin de la red recproca

Procedimiento 1

r r 0 si i j
bi .a j = 2ij ij =
1 si i = j

Procedimiento 2
r r r r
g = g1b1 + g2b 2 + g3b 3
r r r
(a 2 ^ a 3 )
b1 = 2 r r r
(a1, a 2 , a 3 )
r r r
(a 3 ^ a 1 )
b 2 = 2 r r r
(a1, a 2 , a 3 )
r r r
(a 1 ^ a 2 )
b 3 = 2 r r r
(a1, a 2 , a 3 )
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Procedimiento 3: Representacin matricial

b1x b 2 x b3 x g 1
[ r
g ] = [ B ][ g i ] = b 1 y b 2 y b3 y


g
2


b 1 z b 2 z b3 z
g 3

t
[B] [A]= 2[E]

VRed Recproca =
(2 )3
Consecuencia de lo previo
VRed Real
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Propiedades de la red recproca

i) Un vector reticular en el espacio recproco puede definirse como:

r r r r
g = hb1 + kb 2 + lb 3 (2.26)
3 r
1 1 1 Hemos denominado h, k y l a las componentes del vector g (g1, g2, g3),
h : k : l : : pero por qu precisamente los valores h, k y l, notaciones de los planos segn
l1 l2 l3
Miller?
r r
A partir del producto escalar de los vectores g y l se tiene:
(h k l)
rr
g. l = 2N = 2 (g1l1 + g 2l 2 + g3l3 )
r
operacin general, que en el caso de que el vector l est contenido en el eje 1,
2N1 = 2(g1l1 ) se deduce que:

2 N1
g1 =
l1
1 r
Caracterizacin del vector g en trminos de los Indices de Miller N2 N
y en forma anloga obtendramos que: g 2 = y g3 = 3 .
l2 l3

Ahora bien, de acuerdo con la figura, las componentes l1, l2 y l3, que
caracterizan el plano dibujado en el espacio real, definen un vector en el espacio
recproco cuyas componentes (g1, g2 y g3) cumplen la misma propiedad que
defini los ndices de Miller. Es decir: "el plano (h k l) corta a los ejes a distancias
inversamente proporcionales a los valores h, k y l", lo que evidencia la
equivalencia entre las componentes g1, g2, g3 y h, k, l.
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Propiedades de la red recproca

3
ii) Cada vector de la red recproca es perpendicular a una orientacin de
planos de la red real
r r
a3 Para mostrar esta propiedad es suficiente probar que g es perpendicular
l g a dos vectores cualesquiera contenidos en el plano (h k l), por ejemplo a los
r r r r r
a2 a1 a 2 a 1 a 3
2 vectores y .
k
h k h l

r Para comprobarlo, basta realizar los siguientes productos escalares:

a1
h
r ar r
1 ( r r
)
hb1 + kb 2 + lb 3 . 1 a2
= 2 2 = 0
k
h
(2.27)
r ar r
r
Caracterizacin de un plano cristalogrfico (h k l) mediante el vector g(h, k, l)
( r r
)
hb1 + kb 2 + lb 3 . 1 a3
= 2 2 = 0
l
h
r r
Donde se han utilizado las ecuaciones b i .a j = 2 ij
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Propiedades de la red recproca

r
iii) El mdulo del vector g es igual a 2 veces el inverso de la distancia dhkl
entre planos reticulares (h k l).
En efecto, en la figura 2.17 se tiene que:
r r r r r r r
a1 a1 g a1 hb1 + kb 2 + lb3 2
dhkl = .g = . r = . r = r (2.28)
h h |g| h | g| |g|

donde g es un vector unitario perpendicular a la familia de planos (hkl)

2
dhkl

r 1
a1
h

Clculo de la distancia interplanar dhkl

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Propiedades de la red recproca

iv) Los planos ms significativos de la red, es decir, los ms densamente poblados de

puntos reticulares, son los ms distanciados entre s.

Familias de planos cristalogrficos

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Aplicaciones de la difraccin de Rayos X

Objetivo: Determinar el origen del polvo luminaria

Adhesivo Silicona
Verificado por FTIR
y DRX
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Aplicaciones de la difraccin de Rayos X

paredes

arista

DIFRACCIN DE RAYOS X USANDO RADIACIN SINCROTN: Se pueden observar efectos con

muy poca cantidad de material, en tamaos muy pequeos o observar efectos a tiempo real.
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TOMOGRAFA de Rayos X: Tcnica de anlisis no destructivo que visualizar la estructura

interna de un material sin manipulacin previa
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Aplicaciones de la difraccin de Rayos X

Ver video radioscopia: Espumado del aluminio

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Conocido
Conocido
Desconocido
Radiacin
difundida
Radiacin SLIDO
Incidente CRISTALINO
k0
k
Cada slido tiene un patrn de difraccin caracterstico: Conocido el
patrn de difraccin podemos obtener informacin de la estructura del
slido

Teora cinemtica. Se basa en las dos aproximaciones

siguientes:
1.- La dispersin de la radiacin por la materia es elstica, es
decir la radiacin que vamos a considerar no pierde energa
cuando interacciona con la muestra
2.- No hay interaccin entre la radiacin incidente y la
difundida
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Onda electromagntica generada en un tomo

i (k o .r t )
r r
r
( r ) e o.e.m. plana monocromtica, que se propaga en el vaco, puede ser representada por una funcin de onda

r 2
| ko | =

r f i (kr rr t ) r r 2
d ( r ) e | k | =| k o | =
r
r r
( )
r r r r
Es necesario introducir un factor de desfase ik o . j fj i k o . j +|k|. |rj |
e dj (rj ) e
rj
f=factor de difusin atmica que depende de la naturaleza del tomo

Veamos el efecto de la dispersin por todos los tomos del cristal, en un punto D donde se sita un detector de radiaciones. Debido a las
condiciones geomtricas existentes en las experiencias de difraccin, en las que la distancia entre la muestra y el detector es del orden de
10 20 cm,

fj rr r r
i ( k R k . j )
r r r
dj e ( k = k k o )
R
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Descripcin del slido cristalino

r
i j = posicin genrica del tomo j situado en la celdilla i
ri
l = posicin de la celdilla primitiva donde est incluido el tomo (red)
ri
t j = distancia del tomo j al origen de su celdilla i (base estructural)
r r
siendo los vectores l i y t i j :
ri i r r r
l = l 1a1 + li 2 a 2 + li 3 a 3 (2.35)
ri r r r
t j = t i j1a1 + t i j 2 a 2 + t i j3 a 3 (2.36)
i i i i i i
con l 1, l 2 y l 3 nmeros enteros y t j1, t j2, y t j3 nmeros fraccionarios.

Suma a todos los tomos del slido

r 1 r 2 r 2
r
d (R) = dji
1 ikR
e
r ri
e ik. l
r ri
f j e ik. t j
r 1
R
r r
d ( R) e ikR G (k ) F (k ) I ( k ) 2 G ( k ) . F ( k )
ji R i j
R
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r 1 r 2 r 2
I ( k ) 2 G ( k ) . F ( k )
R

DEPENDE DE LA
DEPENDE DE LA BASE
RED ESTRUCTURAL
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Condiciones de difraccin de Laue

r rr
G( k ) = e i
i k . l i

Si suponemos que el cristal en estudio es un paraleleppedo de aristas

r r r
N1a1 , N2a 2 y N3a 3 , este trmino se puede descomponer en tres factores:

r N1 r r N 2 r r N 3 r i r
. e ik.l 3 .a 3

1 .a 1

i
G(k ) = e i k.l . e i k.l i 2 .a 2 (2.41)

i i i

donde N1, N2, N3 corresponden al nmero de puntos reticulares en las direcciones

r r r
a1 , a 2 y a 3 .
rr
Analicemos el primer factor, progresin geomtrica de razn e ik.a1 , cuya
suma es: r r
ik.N1a1
e 1
rr
ik.a1
e 1

r r r r r r r r
e ik.N1a1 1 e ik.N1a1 1 e 0 e ik.N1a1 e ik.N1a1 + 1
rr . rr = rr rr =
e ik.a1 1 e ik.a1 1 e 0 e ik.a1 e ik.a1 + 1
N rr
4.sen2 1 k.a1
= 2
1 rr
4.sen2 k.a1
2
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Actuando exactamente igual con los otros factores, se llegara a la

expresin:

N1 r r 2 N2
rr 2 N3
rr
r 2 sen 2 k.a 1 sen k.a 2 sen k.a 3
G(k ) = 2 2 2
2 1
rr . 2 1
rr . 1 rr
sen k.a1 sen k.a 2 sen 2 k.a 3
2 2 2

( )
sen N / 2 k.a
Representacin grfica de 1
rr
1

2
rr
r r versus k.a1
sen(1/2) k.a1

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Extendiendo este resultado a las tres direcciones del espacio, se obtendra

r
que la funcin | G( k) |2 presenta una serie de mximos principales para los
valores:
rr
k.a1 = 2N1
rr
k.a 2 = 2N 2
rr
k.a 3 = 2N3 r r
siendo N1, N2 y N3 nmeros enteros. Es decir:
rr
k = ng
k. l = 2N
expresin que se conoce como ecuacin de Laue

Si comparamos la ecuacin 2.44 con la obtenida al analizar las

Para que exista difraccin
rr en una determinada
propiedades de la red recproca, g. l = 2N (ecuacin 2.19), se tiene que los
r r
vectores g y k cumplen el mismo tipo de ecuacin. Es por ello que puede direccin esta debe
escribirse una nueva e importante relacin vectorial: coincidir con un vector de
la red recproca

Es decir:
r
i) los vectores k estn contenidos en el espacio recproco.
ii) para que exista difraccin originada por la familia de planos (hkl),
r
en una direccin definida por el vector deflexin k , es condicin
r r
necesaria que k coincida con el vector de la red recproca g(h, k, l)
asociado a estos planos.
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Ley de Bragg
r r r
2 | k | sen =| k || ng |
2
d hkl = r
|g|

r 2
| ko | =

2d hkl sen = n
Condiciones de Bragg de la difraccin

Unas ltimas observaciones sobre la ecuacin 2.47 son las siguientes:

i) Para que se produzca la difraccin debe suceder que:
Difraccin de:
2d
hkl 2dhkl
n
ii) Para que las manchas de difraccin sean fcilmente registrables, deben
Rayox X
evitarse los ngulos de Bragg () pequeos, ya que se mezclaran con el
haz de radiacin transmitido a travs de la muestra. De acuerdo con la
ecuacin de Bragg, la longitud de onda (que segn la primera observacin
Electrones 100 eV
es inferior a la distancia entre planos), no debe ser excesivamente
pequea Neutrones 0.1 eV
La conclusin de ambas observaciones es que la longitud de onda de la
radiacin monocromtica utilizada ha de ser del mismo orden de magnitud que las
distancias interplanares, es decir, Angstroms ( dhkl).
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Construccin de Ewald

Se realiza de la siguiente forma:

Construccin de Ewald en el espacio recproco para una situacin bidimensional
r
1) Se dibuja en el espacio recproco el vector k 0 correspondiente al haz
incidente, con la condicin de que debe situarse de manera que acabe
en un punto reticular (O'). Con este vector como radio y tomando
como origen el extremo inicial del vector, O, se construye una esfera
(una circunferencia en la representacin bidimensional de esta figura).
r
2) Los posibles vectores k que definirn los haces emergentes
difractados, deben partir del origen O y acabar en la superficie de la
r r
esfera, ya que como recordaremos | k 0 |=| k |= 2 / .

3) Los puntos reticulares cortados por esta circunferencia definen, con

el punto O', vectores reticulares en el espacio recproco para los
cuales:
r r
k = g .
r
Teniendo en cuenta que cada vector g(h, k, l) implica la existencia de una familia de
r
planos (h k l), cada radiacin k emergente ser consecuencia de la presencia en
el cristal de aquellos planos cristalogrficos, caractersticos de su estructura
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Factor de estructura geomtrica

Ejemplo
r rr

i k . t i j Calculemos el factor de estructura geomtrica del Fe(), elemento que a

F( k) = f je 20C cristaliza en el sistema cbico b.c.c. En nuestros clculos vamos a
j considerar esta estructura como una red cbica simple, con una base estructural
r
constituida por dos tomos situados en los puntos tj : (0, 0, 0) y (, , ).

r r
Las ecuaciones de Laue, segn la relacin 2.45, establecen que k = g , y
por tanto:
r
F(g) =
rr
ig. t j [2.(ht j1 +kt j 2 +lt j3 )]
jf j e = jf j e (2.48)
r
Considerando los valores de tj correspondientes a esta estructura se
obtiene:
Se debe calcular para cada [
Fhkl = fFe() 1 + e i (h + k + l) ] (2.49)
slido: base estructural De esta forma, la intensidad difractada ser I=0 cuando, a pesar de
cumplirse las leyes de Laue, la suma (h + k + l) sea impar:
especfica Fhkl = fFe( ) [1 1] = 0 I(h k l) = 0

lo que significa que planos cristalogrficos como el (100), (300), (111), (221), etc.,
no producen figuras de difraccin. En otras palabras, el difractograma del Fe() no
contendr informacin correspondiente a ese tipo de planos.
Por el contrario, cuando (h+k+l) sea par, se tiene:
Fhkl = 2fFe( )

es decir, en un diagrama de difraccin del Fe() aparecern imgenes de

difraccin originadas por los planos (110), (200), etc.

En el caso de slidos que cristalizan adquiriendo la estructura b.c.c. y

cuando los dos tomos de la base estructural sean diferentes (caso del ClCs), es
fcil comprobar que:

F=fCl + fCs si h + k + l = par

F=fCl fCs si h + k + l = impar
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Tabla 2.1. Condiciones de difraccin correspondientes al sistema cbico

Celdilla tomos (A, B) Factor de estructura Condiciones de

geomtrica difraccin
convencional
F = fA:

simple A (0, 0, 0) h, k y l pueden

f A exp[2i(0)]
tomar cualquier
valor.

f A exp[2i(0)] F = 4 fA:

A (0, 0, 0) h + k
h, k, l: todos pares
f A exp 2 i todos impares
2
A (, , 0) enteros.
f.c.c.
h + l
Extinciones
A (, 0, ) f A exp 2i F = 0:
2 sistemticas o
A (0, , ) h, k, l: pares e
l + k
f A exp 2i
impares enteros reglas de extincin
2 mezclados.

F = 2 fA:
f A exp[2i(0)]
A (0, 0, 0) h + k + l= par.
h + k + l
b.c.c. A (, , ) fA exp 2i
F = 0:
2

h + k + l= impar.
F = fA+ fB:
f A exp[2i(0)]
h + k + l= par.
A (0, 0, 0)
h + k + l F = fA- fB:
b.c.c. fB exp2i
B (, , ) 2
h + k + l= impar.
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Ejemplo
En el cuarto apartado de este captulo se presentaba la posibilidad de
representar una estructura cristalina en trminos de los conceptos de red y de
base estructural. Tambin se citaba el hecho de que el criterio de eleccin de la
red y de la base estructural no es nico. En el ejemplo anterior se ha recurrido al
uso de tan slo uno de los criterios para representar la estructura del Fe().
Una duda que puede surgir es si dada una estructura, que es posible
describir de dos maneras distintas, los resultados de la caracterizacin estructural
por mtodos de difraccin conducen a los mismos resultados en ambos casos.
Para comprobarlo, consideremos una estructura cristalina monoatmica de
tipo f.c.c. y demostremos que el clculo terico del difractograma resultado es
idntico cuando se elige:
a) Una red cbica simple y una base estructural formada por cuatro tomos por
celdilla en posiciones genricas (0, 0, 0), (, , 0), (, 0,), (0, , )
b) Una red de tipo f.c.c. con una base estructural formada por un nico tomo por
celdilla primitiva en posicin genrica (0, 0, 0)

DEMOSTRAR QUE AMBAS DESCRIPCIONES SON

EQUIVALENTES, ES DECIR CONDUCEN AL MISMO PATRN
DE DIFRACCIN
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Una red cbica simple y una base estructural formada por cuatro tomos por celdilla en posiciones genricas (0, 0,
0), (, , 0), (, 0,), (0, , )

Distancias entre planos Valores de 2a sen / h 2 + k 2 + l 2 obtenidos utilizando la descripcin red cbica

simple y cuatro tomos por celdilla (base estructural)

a
dhkl = Valores de (hkl) 2asen /
h +k +l
2 2 2
(111) 3
(200) 4
(220) 8
Reglas de extinci
extincin:
(311) 11

Todos los hkl pares o impares (222) 12

(400) 16
(331) 19
(420) 20
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Una red de tipo f.c.c. con una base estructural formada por un nico tomo por celdilla primitiva en posicin genrica (0, 0, 0)

Distancias entre planos

Valores de 2asen / 3(h 2 + k 2 + l 2 ) 2(hk + hl + kl) obtenidos utilizando la

descripcin red f.c.c. con un slo tomo por celdilla (base estructural)

a
dhkl =
3(h 2 + k 2 + l 2 ) 2(hk + hl + kl) (hkl) 2asen /

(100) 3
(110) 4
(111) 3
Reglas de extinci
extincin:
(200) 12
Todos los hkl son validos
(210) 11
(211) 8
(220) 16
(322) 19
(321) 20
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ESTRUCTURA CRISTALINA

RED DIRECTA BASE ESTRUCTURAL

RED RECIPROCA
CAMINO FACTOR DE
POSIBLE
SENCILLO ESTRUCTURA
REALIZAR
LEY DE BRAGG GEOMTRICA

NGULOS PARA
EXTINCIONES
LO QUE PUEDE
SISTEMTICAS
HABER
DIFRACCIN

PATRN DE DIFRACCIN
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Se considera un polvo cristalino, de un solo elemento qumico, en el

que se han efectuado diversas medidas con luz polarizada,
determinando que dicho elemento cristaliza en el sistema cbico. Con
el fin de determinar su estructura cristalina se realiz un experimento
de difraccin de rayos X utilizando el mtodo de Debye-Scherrer en
una cmara cilndrica. Las condiciones y resultados de dicho
experimento fueron:

Longitud de onda de la radiacin utilizada: =1.54

Circunferencia de la cmara de difraccin: 180 mm
Dimetro de los anillos de difraccin (mm): 29.5; 42.2; 52.3; 61.2; 69.3; 77.1; 84.6
A partir de los datos anteriores determinar:

a) La red de Bravais del compuesto.

b) El parmetro reticular a.
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2
dh k l
dhkl =
a
dhikili =
a i ii = Nj
h2 + k 2 + l 2 Ni dh k l Ni
j jj

Tabla 2.4. Relaciones Nj/Ni para la red cbica simple. Todos los planos cristalogrficos
estn permitidos

(100) (110) (111) (200) (210) (211) (220)

Nj / Ni 1 2 3 4 5 6 8

(100) 1 1 2 3 4 5 6 8
(110) 2 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 4,00
(111) 3 0,33 0,67 1,00 1,33 1,67 2,00 2,67
(200) 4 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 2,00
(210) 5 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00 1,20 1,60
(211) 6 0,17 0,33 0,50 0,67 0,83 1,00 1,33
(220) 8 0,13 0,25 0,38 0,50 0,63 0,75 1,00
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Tabla 2.5. Relaciones Nj/Ni para la red bcc. Los planos cristalogrficos que dan lugar a
difraccin cumplen la condicin h+k+l=par

(110) (200) (211) (220) (310) (222) (321)

Nj / Ni 2 4 6 8 10 12 14

(110) 2 1 2 3 4 5 6 7
(200) 4 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 3,50
(211) 6 0,33 0,67 1,00 1,33 1,67 2,00 2,33
(220) 8 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 1,75
(310) 10 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00 1,20 1,40
(222) 12 0,17 0,33 0,50 0,67 0,83 1,00 1,17
(321) 14 0,14 0,29 0,43 0,57 0,71 0,86 1,00

Tabla 2.6. Relaciones Nj/Ni para la red fcc. Los planos cristalogrficos que dan lugar a
difraccin son aquellos para los cuales los ndices (hkl) son todos pares o todos impares

(111) (200) (220) (311) (222) (400) (331)

Nj / Ni 3 4 8 11 12 16 19

(111) 3 1,00 1,33 2,67 3,67 4,00 5,33 6,33

(200) 4 0,75 1,00 2,00 2,75 3,00 4,00 4,75
(220) 8 0,38 0,50 1,00 1,38 1,50 2,00 2,38
(311) 11 0,27 0,36 0,73 1,00 1,09 1,45 1,73
(222) 12 0,25 0,33 0,67 0,92 1,00 1,33 1,58
(400) 16 0,19 0,25 0,50 0,69 0,75 1,00 1,19
(331) 19 0,16 0,21 0,42 0,58 0,63 0,84 1,00
Fsica de Materiales
 Fsica de Materiales

Tabla 2.7. Tabla experimental para los cocientes entre las distancias interplanares

2
(di/dj) 3.024 2.138 1.747 1.513 1.354 1.235 1.144
3.024 1,00 2,00 3,00 3,99 4,99 6,00 6,99
2.138 0,50 1,00 1,50 2,00 2,49 3,00 3,49
2
dhikili 1.747 0,33 0,67 1,00 1,33 1,66 2,00 2,33

dh jk jl j
1.513 0,25 0,50 0,75 1,00 1.25 1,50 1,75

1.354
1.235
0,20
0,17
0,40
0,33
0,60
0,50
0,80
0,67
1,00
0,83
1,20
1,00
1,40
1,17
1.144 0,14 0,29 0,43 0,57 0,71 0,86 1,00
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Microscopa de campo prximo (SPM)

Tres caractersticas distinguen esta tcnica:

1. Gran resolucin (algunos Angstroms)
2. Obtencin de imgenes tridimensionales (otras microscopas no miden la coordenada z)
3. Posibilidad de operar en distintos ambientes (vaco, aire, electrolitos, etc.)

Principio de operacin de la microscopia de efecto tnel (STM)

VT

Z
JT
VT
z
(
exp A1 / 2 z )

Donde VT es aplicada entre dos electrodos muy prximos, separados una distancia z, A =
1.025 (eV)-1/2 -1 para el vaco y es la funcin trabajo entre los electrodos.
Fsica de Materiales
 Fsica de Materiales

1/ 2
J T (5.0) J T (5.01) (VT / 5.01).e A( 4 ) 5.01
Un incremento de 0.01 producira una = 1 1/ 2
2%
J T (5.0) (VT / 5.0)e A( 4 ) 5.0
disminucin relativa de la corriente tnel
de

Fcilmente medible
 Fsica de Materiales

amperimetr
o

barrido VT

corriente
tunel

distancia

Tcnica STM, en modo altura constante

Micrografa de una superficie de grafito altamente orientado (HOPG)

 Fsica de Materiales

Microscop
Microscopa de Fuerza At
Atmica (Atomic
(Atomic Force Microscopy)
Microscopy)
sensor
lser
fuerza
fotodetector
fuerzas
repulsivas

separacin
fuerzas
atractivas

Balance de fuerzas entre punta y muestra en funcin de la

separacin entre ambas
Principio de operacin del AFM
a) b)

Imgenes AFM en 2D y 3D de una pelcula de SiC crecida mediante tcnicas de

deposicin qumica CVD promovida por plasma (PECVD). Gases precursores SiH4 y
CH4. El crecimiento se produce por nucleacin dando lugar a cristales de forma
definida.
 Fsica de Materiales

Logo de Intel Nano estructura

Fullerenos
en cobre

Nanopparticulas
autoensambladas
 Fsica de Materiales

Microscop
Microscopa de Fuerza At
Atmica (Atomic
(Atomic Force Microscopy)
Microscopy)
sensor
lser
fuerza
fotodetector
fuerzas
repulsivas

separacin
fuerzas
atractivas

Balance de fuerzas entre punta y muestra en funcin de la

separacin entre ambas
Principio de operacin del AFM
a) b)

Imgenes AFM en 2D y 3D de una pelcula de SiC crecida mediante tcnicas de

deposicin qumica CVD promovida por plasma (PECVD). Gases precursores SiH4 y
CH4. El crecimiento se produce por nucleacin dando lugar a cristales de forma
definida.
 Fsica de Materiales

Logo de Intel Nano estructura

Fullerenos
en cobre

Nanopparticulas
autoensambladas
 Fsica de Materiales

Carbon nanotubes