Electrnica de potencia
Anteriormente, nos ocupamos de la conduccin intrnseca de los materiales
semiconductores, que depende de la temperatura. En esta oportunidad,
analizamos la conduccin extrnseca, relacionada directamente al proceso
de fabricacin del semiconductor.
Conduccin extrnseca
ara la fabricacin de componentes
P semiconductores se precisan
materiales cuya conductividad sea
prcticamente independiente de la tem-
peratura y de valor mucho mayor que la
debida a la conduccin intrnseca.
Por ello, se introducen en la red crista-
lina del semiconductor tomos extra-
os, llamados impurezas, que tienen o
bien tres o bien cinco electrones de
valencia. La adicin de impurezas se
llama contaminacin. Las figuras 1 y 2
nos muestran una representacin
esquemtica de dos cristales de silicio
contaminados. Las impurezas pertur-
ban la estructura uniforme del cristal,
aunque ste permanece elctricamen-
te neutro.
Figura 1. Cristal de silicio contaminado con arsnico.
(parte 2)
conductividad elctrica generando
nuevos electrones libres.
Mediante adicin de impurezas
puede aumentarse la conductivi-
dad de los materiales semiconduc-
tores.
Un semiconductor contaminado con
impurezas pentavalentes se dice que
es de tipo n.
En los semiconductores de tipo n la
conduccin de la corriente es debi-
Figura 2. Cristal de silicio contaminado con indio. da principalmente a electrones.
A continuacin explicaremos por qu contina en pgina 18 u
aumenta la conductividad de un
semiconductor con impurezas res-
pecto al no contaminado.
Al aadir impurezas pentavalentes,
por ejemplo, arsnico, slo se preci-
san cuatro de los electrones de
valencia del tomo de arsnico para
formar enlaces con los tomos semi
conductores vecinos.
El quinto electrn de valencia puede
desprenderse fcilmente del tomo
de arsnico y moverse a travs del
cristal bajo el influjo de una tensin,
dando lugar a un electrn libre (figu-
ra 3). Por tanto, al contaminar con
tomos pentavalentes se aumenta la Figura 3. Semiconductor tipo n.
16 Electroinstalador MAYO 2010

u viene de pgina 16
Figura 4. Semiconductor tipo p.
Cuando se aaden al silicio tomos
extraos, o sea, impurezas trivalen-
Electrnica de potencia (Parte 2)
tes, como por ejemplo indio, no todos
los electrones de valencia del semi-
conductor quedarn integrados en la
estructura cristalina, pues donde
exista una impureza faltar un elec-
trn para formar el cuarto enlace
(figura 2), lo que tambin dar lugar a
irregularidades en la estructura cris-
talina.
Estas imperfecciones debidas a las
impurezas tienden a aceptar electro-
nes, por lo que producirn huecos en
el cristal (figura 4). Por tanto, las
impurezas trivalentes aumentan la
conductividad elctrica debido a la
aparicin de huecos.
El material semiconductor contamina-
do con impurezas trivalentes se dice
que es de tipo p.
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18 Electroinstalador ABRIL 2010
En los semiconductores de tipo p la
conduccin de la corriente es debi-
da principalmente a los huecos.
La conductividad de un semicon-
ductor debida a la adicin de impu-
rezas se denomina conductividad
extrnseca.
En la prctica se contaminan los semi-
conductores de modo que la conductivi-
dad intrnseca sea despreciable frente a
la extrnseca.
Como esta ltima es independiente de
la temperatura la conductividad de un
semiconductor con impurezas tambin
depender muy poco de ella.
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