Sunteți pe pagina 1din 14

1.

Analizaasistatadecalculatoracircuitelorelectronicedeputeresebazeazape:
a.dispozitivesemiconductoaredeputere,componentepasiveiactivedecircuit,circuiteintegratedecomandicontrola
convertoarelorelectronicedeputere,mainielectriceetc
b.modelealedispozitivelorsemiconductoaredeputere,alecomponentelorpasiveiactivedecircuit,alecircuitelorintegratede
comandicontrolaconvertoarelorelectronicedeputere,alemainilorelectriceetc
c.scriereaunuisetdeecuatiidiferentialealedispozitivelorsemiconductoaredeputere,alecomponentelorpasiveiactivedecircuitetc
d.rezolvareaunuisetdeecuatiiKirchhoffaledispozitivelorsemiconductoaredeputere,alecomponentelorpasiveiactivedecircuit,
alecircuitelorintegratedecomandicontrolaconvertoarelorelectronicedeputere,alemainilorelectriceetc.

2.Analizaasistatadecalculatoracircuitelorelectronicedeputere:
a.poateinlocuiexperimentulpractic
b.nusefolosestedecatinstudiulteorieilegatedefunctionareadispozitivelorsicircuitelorelectronicedeputere
c.creazadoarmodelesimacromodelealeunordispozitivesemiconductoaredeputere
d.sprijinaprinetapesuccesivesimulareexperimentrealizareapractica

3.Analizatermicabazatapemacromodelecomportamentale:
a.seconsideratemperaturadispozitivelorconstant,cavaloaremediesaucavaloaredintrolistdevaloriconstantedate,pentrufiecare
dispozitvnparte
b.sedeterminavaloareainstantaneeatemperaturiidispozitivului,carevafiapoiutilizatncalcululvalorilorinstantaneeale
parametrilorelectrici
c.parametriielectrotermiciaidispozitivelorsuntdefiniideutilizatorprinintermediulsurselordetensiuneicurentcomandateneliniar
subformdeexpresiematematic
d.parametriireferitorilatemperaturvinsmodifice(pebazauneilegiinternesimulatorului,deobiceiinaccesibil
utilizatorului)valorileparametrilormodelelorintrinsecialedispozitivelornfunciedenouatemperaturTadispozitivului,vechile
valorifiinddeterminatelaotemperaturiniialT0

4.Caavantajfatadesimulatoareledegeneratiemaiveche,simulatoareledinnouageneratielucreazacu:
a.sursecomandatepolinomial
b.tabele
c.macromodele
d.sursecomandateprinexpresiimatematiceneliniare

5.CelmaisimplumacromodelstructuralalIGBTesteformatdoardin:
a.tranzistorMOSitranzistorbipolarinterconectatetinandseamadestructurainternaaIGBT
b.douatranzistoareVMOSinterconectate
c.douadiodeconectareinantiparalel
d.tranzistorMOSitranzistorbipolarnconexiuneDarlington

6.CelmaisimplumacromodelstructuralalunuitiristorGTOesteidenticcucelalunui:
a.tiristorMCT
b.tranzistorunijonctiune
c.tiristorconventional
d.tranzistorIGBT

7.Celsimplumacromodelstructuralalunuitiristorconventionalpornestedelaschemasaechivalentacu:
a.douadiodeconectareinantiparalel
b.douatranzistoarebipolareinterconectate
c.douatiristoareGTOconectateinantiparalel
d.douatranzistoareVMOSinterconectate

8.Comutatoarelecomandateincurentsitensiunesuntspecificemetodeidemodelareadispozitivelorelectronicedeputere:
a.tipcomutator
b.cumodeleintrinseci
c.prinmacromodelare
d.prinmodelaretermica
9.Dimensionarearadiatoarelornecesarepentruevacuareaclduriidindispozitiveledeputereserealizeazaprin:
a.macromodelarecombinata
b.proiectaretermica
c.modelaredetipcomutator
d.reactietermica

10.Dintretoatemetodeledemacromodelareexistenteinprezent,ceamaiapropiatadeidealuldemodeluniversalvalabilpentru
dispozitiveledeputereeste:
a.macromodelareaintrinseca
b.macromodelareatermica
c.macromodelareacombinatadetipstructuralcomportamentalcomutator
d.macromodelareacombinatadetipstructuralcomutatortermic

11.Dintretoatemetodeledemodelareadispozitivelorelectronicedeputere,ceacarepunecelemaimariproblemedeconvergenta
este:
a.modelareadetipcomutator
b.modelareaintrinseca
c.macromodelareatermica
d.macromodelareastructurala

12.DiodaSchottkydeputereacreiseciuneprinstructuratehnologicesteprezentatnfig.2.36.d)poatefimacromodelat
structuralfolosindaceleaimacromodelstructuraldinfig.2.36.c),cuamendamentulcfatadejonciuniledinsiliciuapare
urmatoareamodificare:
a.diodaintrinsecDsatarelrgimeabenziiinterziseEG=0,69eV
b.coeficientuldevariaiecutemperaturaalcurentuluidesaturaieXT1=2,maimaredectlajonciuniledinsiliciucareauXT1=3
c.parametriiISR,NRiIKFsetainenuli
d.curentuldesaturaieestecuctevaordinedemrimemaiscazut

13.Dispozitiveledeputereobinuteprinmbinareaselectivacaracteristicilordeputerealedispozitivelorrealizatentehnologie
bipolarcucaracteristiciledecomandaledispozitivelorrealizatentehnologieunipolarMOSsunt:
a.diaculsitiristorul
b.triaculsiTUJul
c.tranzistoruldeputere,triodatiristoaresitetroda
d.tranzistorulIGBTsitiristorulMCT

14.DispozitivulSeste:
a.simbolulcomutatoruluicontrolatincurent
b.simbolulcomutatoruluiON
c.simbolulcomutatoruluiOFF
d.simbolulcomutatoruluicontrolatintensiune

15.DispozitivulsemiconductordeputereintroduscelmairecentinbibliotecaSPICEeste:
a.tiristorulGTO
b.tranzistorulIGBT
c.tiristoulMCT
d.tranzistorulunijonctiune

16.DispozitivulWeste:
a.simbolulcomutatoruluicontrolatintensiune
b.simbolulcomutatoruluicontrolatincurent
c.simbolulcomutatoruluiON
d.simbolulcomutatoruluiOFF

17.DispozitivulZresprezinta:
a.unmodelintrinsecpentrutranzistorulIGBT
b.ometodanouademacromodelarestructurala
c.unmacromodelcomportamental
d.unmacromodeltermic

18.Ecranul1dinprogramulPARTSdemodelareatranzistoarelorIGBTTimpuldecdereIc=Ic(Time)permiteextragerea
parametrilor:
a.TAU,AREA,AGDiWB
b.KPiVT
c.KF
d.CGS,COXDiAGD

19.Ecranul2dinprogramulPARTSdemodelareatranzistoarelorIGBTCaracteristicadetransferIc=Ic(Vge)permite
extragereaparametrilor
a.TAU,AREA,AGDiWB
b.KPiVT
c.KF
d.CGS,COXDiAGD

20.Ecranul3dinprogramulPARTSdemodelareatranzistoarelorIGBTCaracteristicadesaturaieVce=Vce(Ic)permite
extragereaparametrilor:
a.TAU,AREA,AGDiWB
b.KPiVT
c.KF
d.CGS,COXDiAGD

21.Ecranul4dinprogramulPARTSdemodelareatranzistoarelorIGBTSarciniledegrilVge=Vge(Qg)permiteextragerea
parametrilor:
a.TAU,AREA,AGDiWB
b.KPiVT
c.KF
d.CGS,COXDiAGD

22.ElementelecomponentecomunealemacromodelelorstructuralealeTUJului,dateinfig.2.38.b)ic)sunt:
a.surseleHemiotorsiGrbaza
b.rezistenteleDemitor,Rb1siRb2
c.sursaHemitorsicapacitateaCrb
d.rezistenteleRb1siRb2

23.Fenomenuldecvasisaturaieestemodelatinmacromodeluldinfig.2.37.d)prin:
a.surseleFmultsiGscal
b.rezistenteleRbsiRc
c.tranzistorulsecundarQcuazisirezistenaRbaz
d.surseleFimultsiGscal

24.Folosindprogramulsms6.3alfirmeiOnSemiconductor(www.onsemi.com),prinapasareabutonuluiShowPower
ManagementICs,seafiseaza:
a.schemaelectricasurseiproiectate
b.datedecatalogsuplimentare
c.paginadeinternetafirmei
d.notedeaplicaiisuplimentare

25.Folosindprogramulsms6.3alfirmeiOnSemiconductor(www.onsemi.com),prinapasareabutonuluiViewAlternatives,se
afiseaza:
a.datedecatalogsuplimentare
b.componenteechivalentealealtorfirmesimilareinvedereacumparariicomponentelor
c.datelenecesareprivindachiziionareapieselorschemeielectrice
d.notedeaplicaiisuplimentare

26.FunciilematematicedecomandpredefinitensimulatorulSPICEsuntutilizarepentru:
a.macromodelareatermica
b.modelareatipcomutatorSsiW
c.macromodelareastructurala
d.macromodelareacomportamentala

27.Imbunatatireaperformantelormacromodelariistructuralecesadescriecupreciziesporitfenomeneleneliniaremodelate
aproximativprinmetodestructuraleseobtinecusimulatoarelemoderneprinutilizareadesursecomandatedetensiuneicurentde
tipul:
a.expresiematematic
b.tabel
c.comutatoareSsiW
d.functiematematica

28.Infig.2.42sursadetensiunenulVanod:
a.modeleazacomutaiatriaculuincadranele1i2
b.masoaracurentuldecomandpepoartceesteutilizatncomandasurselorEcom1_2iEcom3_4
c.modeleazrmnereanstareaONadispozitivuluidupdispariiacomenziipepoart,lafuncionareancadranele3i4
d.masoaracurentulanodic

29.Infig.2.42sursaHpoarta:
a.modeleazacomutaiatriaculuincadranele1i2
b.masoaracurentuldecomandpepoartceesteutilizatncomandasurselorEcom1_2iEcom3_4
c.modeleazrmnereanstareaONadispozitivuluidupdispariiacomenziipepoart,lafuncionareancadranele3i4
d.modeleazrmnereanstareaONatriaculuidupdispariiacomenziipepoartlafuncionareancadranele1i2

30.Infig.2.43componenteleDdrirsiDinvmodeleaza:
a.structuradebazaaIGBT
b.rmnereanstareaONadispozitivuluilanivelurinaltedecurent
c.strpungereadirectiinversaleIGBT
d.componentecomportamentale

31.Infig.2.43componenteleMosnsiQpnpmodeleaza:
a.rmnereanstareaONadispozitivuluilanivelurinaltedecurent
b.structuradebazaaIGBT
c.strpungereadirectiinversaleIGBT
d.componentecomportamentale

32.Infig.2.43sursaEcgdestedetip:
a.expresiematematicaliniara
b.expresiematematicaneliniara
c.tabel
d.intrinsec

33.Infig.2.44sursaStiristorreprezintaocomponentaspecificamodelariidetip:
a.structural
b.comutator
c.comportamental
d.intrinsec

34.Infig.2.44surseledetensiuneVanodsiVpoartaauroluldea:
a.masuracurentiiprinanodulsipoartatiristorului
b.alimentaanodulsipoartatiristorului
c.modelatensiunileanodicasidepoartaaletiristorului
d.modelafenomenesecundarespecificetiristoruluiconventional

35.Infig.2.45surseleErs,ErseS,ErdsiEvtomodeleaza:
a.expresiimatematiceliniaresineliniarealeparametrilorelectrici
b.comutatoarecontrolateintensiune
c.comutatoarecomandateincurent
d.marimitermicespecifice

36.Inmodelareaelectrotermicaseechivaleazacurentulelectriccu:
a.temperatura
b.putereatermicadisipata
c.rezistentatermica
d.nuseechivaleaza

37.Inmodelareaelectrotermicaseechivaleazarezistentaelectricacu:
a.temperatura
b.putereatermicadisipata
c.rezistentatermica
d.nuseechivaleaza

38.Inmodelareaelectrotermicaseechivaleazatensiuneaelectricacu:
a.putereatermicadisipata
b.rezistentatermica
c.temperatura
d.nuseechivaleaza

39.Inprezent,prgramulPARTSasistautilizatorulinmodelareaurmatoarelordispozitive:
a.diode,tranzistoarebipolare,MOSsiIGBT
b.tiristoareconventionale,GTOsiMCT
c.diode.diace,tiristoaresitriace
d.TUJuri,tetrodetiristoaresialestructuritiristoaremaiputinfolosite

40.Introducereainsimulatoralegiidecontrolincazulmodelariiprintabelserealizeazaprin:
a.predefinireaunuitabelcaresacontinacoordonatelepunctelorapartinandgraficuluilegiidecontrol
b.utilizareacaracteristicilorBode
c.specificareapunctcupunctacoordonatelepunctelor
d.utilizareatransformateiLaplace

41.Macromodelareacepermiteanalizasiindomeniultimpsiindomeniulfrecventaestecea:
a.comportamentala
b.combinata
c.termica
d.structurala

42.Macromodelareacombinatcembinnprezentavantajeleielimindezavantajelemetodelordemacromodelareindividuale
este:
a.macromodelareadetipcomportamentalcomutator
b.macromodelareadetipstructuralcomportamental
c.macromodelareadetipstructuralcomutator
d.macromodelareadetipstructuralcomportamentalcomutator

43.Macromodelareacombinataseconstruietefolosind:
a.structuratehnologicinternarespectivuluidispozitivdeputerencareseidentificcomponentepasiveidispozitiveactivestandard
pentrucaresimulatorularemodeleinterne
b.surselordetensiuneicurentcomandateneliniardetipexpresiematematicsauaproximateliniarpeporiunicuajutorulsurselorde
tiptabel
c.avantajelefiecreimetodedemodelarenparteieliminanddezavantajeleindividuale
d.proiectareatermicacearelabazavariaiacaracteristicilordispozitivului,numitreacietermic

44.Macromodelareacomportamentalaseconstruietefolosind:
a.structuratehnologicinternarespectivuluidispozitivdeputerencareseidentificcomponentepasiveidispozitiveactivestandard
pentrucaresimulatorularemodeleinterne
b.avantajelefiecreimetodedemodelarenparteieliminanddezavantajeleindividuale
c.surselordetensiuneicurentcomandateneliniardetipexpresiematematicsauaproximateliniarpeporiunicuajutorul
surselordetiptabel
d.proiectareatermicacearelabazavariaiacaracteristicilordispozitivului,numitreacietermic

45.Macromodelareacomportamentalasepoateface:
a.indomeniultimp
b.indomeniulfrecventa
c.atatindomeniultimpcatsiindomeniulfrecventa
d.ndomeniulLaplace,fieutiliznddiagrameleBodedetipmodulfrecvenifazfrecven

46.Macromodelareaesteabsolutnecesarpentru:
a.tiristorulconvenional,triac,tiristorulGTO,TUJitranzistorulMCT
b.tiristoareconventionale,GTOsiMCT
c.diode.diace,tiristoaresitriace
d.TUJuri,tetrodetiristoaresialestructuritiristoaremaiputinfolosite

47.Macromodelareaestededicatainspecialdispozitivelorsemiconductoaredeputerecarenupotfimodelatefolosind:
a.modelareatermica
b.modelareadetipcomutator
c.modelareadetipcomutatorsimodelareainterna
d.modelareaintrinseca

48.MacromodelareastructuralatranzistoruluiIGBTdinfig.2.41poatefiimbunatatitaprin:
a.variaieicapacitiiCgdcutensiuneVDS
b.luareanconsideraieavariaieicapacitiiCgdcutensiuneVDSiprinutilizareaunorsursecomandatedetipexpresie
matematic
c.prinutilizareaunorsursecomandatedetipexpresiematematic
d.modelareafenomenuluidezavorarelaniveluriridicatedecurent

49.Macromodelareastructuralseconstruietefolosind:
a.surselordetensiuneicurentcomandateneliniardetipexpresiematematicsauaproximateliniarpeporiunicuajutorulsurselorde
tiptabel
b.avantajelefiecreimetodedemodelarenparteieliminanddezavantajeleindividuale
c.structuratehnologicinternarespectivuluidispozitivdeputere
d.reactiatermica

50.MacromodelareastructuralaatiristoruluiMCTdinfig.2.41.b)sebazeazape:
a.modalitatearealderealizareaacestuidispozitivsemiconductordeputereprinconectareanparalelaunuinumrfoartemare(peste
100.000)deceluleelementareechivalente
b.schemaechivalentrealizatdintrosingurcelul
c.prinutilizareaunorsursecomandatedetipexpresiematematic
d.celmaisimplumacromodelstructuralalMCT,formatdoardintranzistorulMOSitranzistorulbipolarmontatenconexiune
Darlington

51.Macromodelareatermicapornestedela:
a.structuratehnologicinternarespectivuluidispozitivdeputere
b.surselordetensiuneicurentcomandateneliniardetipexpresiematematicsauaproximateliniarpeporiunicuajutorulsurselorde
tiptabel
c.analizaavantajelorfiecreimetodedemodelareieliminanddezavantajeleindividuale
d.reaciatermic

52.Macromodelarea,desidedicatapentruaceledispozitivepentrucarenuexistniciomologuldemicputere,nicimodele
intrinseci,nuexcludeposibilitateamacromodelriicelorlaltedispozitivedeputerecareau:
a.modeledesemnalmicstaticesidinamice
b.omoloagedemicputeresauaumodeleintrinseci
c.modelestructurale
d.modelecomportamentale

53.Macromodelelereprezint:
a.ansamblulsubcircuitelorfisieruluideintrare
b.circuiteechivalenterealizatedincombinaiidedispozitiveleintrinseciinterconectateicaresecomportlaniveldeterminal
asemntorcudispozitiveledeputere
c.modelareadetipcomutatorevoluat,completatcualtedispozitiveauxiliare
d.simulrilaniveldecomponentilaniveldesistem

54.Metodadeanalizaacircuitelor/sistemelordeputerecuecuatiidestareapartinecategoriei:
a.metodedeanaliznfrecvenutilizndfunciidecomutaie
b.metodedeanalizcuvariabilecomplexe
c.metodedeanalizdirectprinrezolvareaecuaiilordifereniale
d.metodedeanalizprintehnicidemediere

55.Metodadeanalizaacircuitelor/sistemelordeputereprinneglijareaarmonicelorsemainumeste:
a.metodavariabilelordeforare
b.metodadeanalizindirectfolosindseriaFourieraproximativ
c.metodadeanaliztopologic
d.metodadeanalizindirectfolosindtransformataLaplace

56.Metodanodalaapartinecategoriei:
a.metodedeanalizdirectprinrezolvareaecuaiilordifereniale
b.metodedeanalizprinmodelarecureelePetri
c.metodedeanalizcuvariabilecomplexe
d.metodedeanalizfolosindvectoriPark

57.Metodarezistentelorbinareeste:
a.metodadeanalizatopologicacutopologievariabila
b.metodadeanaliztopologiccutopologieconstanta
c.metodavariabilelordeforare
d.metodedeanalizprintehnicidemediere

58.Modelareacaretinecontdoardefenomeneleprincipalespecificedispozitivuluieste:
a.macromodelarea
b.modelareainterna
c.modelareadetipcomutator
d.modelareatermica

59.ModelareainternaatranzistoruluiMOSdeputereLEVEL1arelabaza:
a.ecuatiamatematicaaluiSchockley
b.ecuatiileEbersMoll
c.ecuatiileGoomelPoon
d.ecuatiileShichmanHodges

60.ModelareainternaatranzistoruluiMOSdeputereLEVEL2arelabaza:
a.ecuatiileMeyer
b.ecuatiileDang
c.ecuatiileEbersMoll
d.ecuatiileShichmanHodges

61.ModelareainternaatranzistoruluiMOSdeputereLEVEL3arelabaza:
a.ecuatiileMeyer
b.ecuatiileDang
c.ecuatiileGoomelPoon
d.ecuatiileShichmanHodges

62.ModelareainternamaicomplexaaTBParelabaza:
a.ecuatiamatematicaaluiSchockley
b.ecuatiileEbersMoll
c.ecuatiileGoomelPoon
d.ecuatiileShichmanHodges

63.ModelareainternasimplificataaTBParelabaza:
a.ecuatiamatematicaaluiSchockley
b.ecuatiileEbersMoll
c.ecuatiileGoomelPoon
d.ecuatiileShichmanHodges

64.Modelareainternastaticaadiodeidemicaputerearelabaza:
a.ecuatiamatematicaaluiSchockley
b.ecuatiileEbersMoll
c.ecuatiileGoomelPoon
d.ecuatiileShichmanHodges

65.Modelareastructuralaarelabaza:
a.fenomeneleprincipalesisecundarespecidicedispozitivului
b.modelareadirectaecuaiilorelectriceinternealedispozitivelorndomeniultimpsaundomeniulfrecven
c.proiectareatermic
d.structuriitehnologiceinternearespectivuluidispozitivdeputere

66.Modelareatermicutilizndmacromodelecomportamentaleiainconsideratie:
a.aceleaiecuaiineliniareuniversalvalabiledemodelareavariaieicutemperaturapentrudiversemarimielectricecomunediverselor
dispozitivepasivesiactivedecircuit
b.paralelismuldintrelegeacurentuluielectricsilegeatransportuluidecaldura
c.structurainternaadispozitivelorsemiconductoaredeputere
d.proiectareamanualaefectuatainprealabil

67.Modelareatermicutilizndmodeleleintrinseciiainconsideratie:
a.aceleaiecuaiineliniareuniversalvalabiledemodelareavariaieicutemperaturapentrudiversemarimielectricecomune
diverselordispozitivepasivesiactivedecircuit
b.paralelismuldintrelegeacurentuluielectricsilegeatransportuluidecaldura
c.structurainternaadispozitivelorsemiconductoaredeputere
d.proiectareamanualaefectuatainprealabil

68.Modelareatermicutilizndmodeleleintrinsecinuafostimplementataincapentru:
a.IGBT
b.diodadeputere
c.tranzistorulbipolardeputere
d.tranzistorulMOSdeputere
69.Modelareatermicaseutilizeaza:
a.pentrutoatedispozitivelesemiconductoaredemicasimareputere
b.pentrudispozitivelesemiconductoaredeputeredeoarecetemperaturalordelucrudiferamultdeceaamediuluiambiant
c.inmacromodelareastructurala
d.inmacromodelareacomportamentala

70.Modelareatipcomutatoradiacului:
a.utilizeazadoumodeledediodtipcomutator,conectateantiparalel
b.nusepoateface
c.esteaceeasicumodelareatipSadiodei
d.esteaceeasicumodelareatipWadiodei

71.ModelareatipcomutatoraTBPseface:
a.cuuncomutatorultipScomandatdetensiuneagrilsurs,lacareseadaugorezistenacemodeleazcurentuldescurgereagrilei
b.cuuncomutatorcomandatdecurentuldebaz,lacareseadaugdouadiodecepermitcirculaiacurenilordebazide
colectordoarnsensurilecorespunztoarefuncionriinregimactivnormal
c.utiliznddoumodeledetiristordetipcomutatorconectatenantiparalel,modelarejustificatpebazaschemeielectriceechivalentea
acestuidispozitiv
d.cudouadiodecarepermitcirculaiacurenilordoarnsensulreal,douasursedetensiunenuleceauroluldeamsuracurentulanodic,
respectivcurentuldecomandpepoart,osursadecurentcaremodelelazmeninereatiristoruluinstareadeconducieONdupdispariia
comenziipepoart,uncomutatorcomandatntensiune,cemodeleazrezistenaechivalentatiristorului,unrezistor,depecareseculege
tensiuneadecomandacomutatoruluisiuncondensator

72.Modelareatipcomutatoratiristoruluiseface:
a.cuuncomutatorcomandatdecurentuldebaz,lacareseadaugdouadiodecepermitcirculaiacurenilordebazidecolectordoar
nsensurilecorespunztoarefuncionriinregimactivnormal
b.cuuncomutatorultipScomandatdetensiuneagrilsurs,lacareseadaugorezistenacemodeleazcurentuldescurgereagrilei
c.utiliznddoumodeledetiristordetipcomutatorconectatenantiparalel,modelarejustificatpebazaschemeielectriceechivalentea
acestuidispozitiv
d.cudouadiodecarepermitcirculaiacurenilordoarnsensulreal,douasursedetensiunenuleceauroluldeamsura
curentulanodic,respectivcurentuldecomandpepoart,osursadecurentcaremodelelazmeninereatiristoruluinstareade
conducieONdupdispariiacomenziipepoart,uncomutatorcomandatntensiune,cemodeleazrezistenaechivalenta
tiristorului,unrezistor,depecareseculegetensiuneadecomandacomutatoruluisiuncondensator

73.ModelareatipcomutatoratranzistoarelordeputereMOSsiIGBTseface:
a.cuuncomutatorcomandatdecurentuldebaz,lacareseadaugdouadiodecepermitcirculaiacurenilordebazidecolectordoar
nsensurilecorespunztoarefuncionriinregimactivnormal
b.cuuncomutatorultipScomandatdetensiuneagrilsurs,lacareseadaugorezistenacemodeleazcurentuldescurgerea
grilei
c.utiliznddoumodeledetiristordetipcomutatorconectatenantiparalel,modelarejustificatpebazaschemeielectriceechivalentea
acestuidispozitiv
d.cudouadiodecarepermitcirculaiacurenilordoarnsensulreal,douasursedetensiunenuleceauroluldeamsuracurentulanodic,
respectivcurentuldecomandpepoart,osursadecurentcaremodelelazmeninereatiristoruluinstareadeconducieONdupdispariia
comenziipepoart,uncomutatorcomandatntensiune,cemodeleazrezistenaechivalentatiristorului,unrezistor,depecareseculege
tensiuneadecomandacomutatoruluisiuncondensator

74.Modelareatipcomutatoratriaculuiseface:
a.cuuncomutatorcomandatdecurentuldebaz,lacareseadaugdouadiodecepermitcirculaiacurenilordebazidecolectordoar
nsensurilecorespunztoarefuncionriinregimactivnormal
b.cuuncomutatorultipScomandatdetensiuneagrilsurs,lacareseadaugorezistenacemodeleazcurentuldescurgereagrilei
c.utiliznddoumodeledetiristordetipcomutatorconectatenantiparalel
d.cudouadiodecarepermitcirculaiacurenilordoarnsensulreal,douasursedetensiunenuleceauroluldeamsuracurentulanodic,
respectivcurentuldecomandpepoart,osursadecurentcaremodelelazmeninereatiristoruluinstareadeconducieONdupdispariia
comenziipepoart,uncomutatorcomandatntensiuneStiristor,cemodeleazrezistenaechivalentatiristorului,unrezistor,depecarese
culegetensiuneadecomandacomutatoruluiStiristorsiuncondensator

75.Modeleleintrinsecialedispozitivelorsemiconductoaredeputereaufostobtinuteprin:
a.implementareaecuaiilormatematicealedispozitivelorsubformdesubrutine(subprograme)
b.rezolvareaecuatiilorKirchhoffalecircuitului
c.introducerealordecatrefiecareutilizator
d.folosindmodeleledispozitivelorsemiconductoaresimilaredemicaputere

76.Modeluldedispozitivales:
a.poatefioricareceindeplinesteconditiadeconvergenta
b.trebuiesaindeplineascacriteriuldetimpdesimulareminimalcircuitului/sistemuluiincareesteplasat
c.trebuiesaoferepreciziemaximainsimularealcircuitului/sistemuluiincareesteplasat
d.trebuiesarealizezeuncompromisintretimpulminimdesimularesipreciziamaximaasimulariicircuitului/sistemuluiincare
esteplasat

77.Modelulpreferatdeoriceutilizatoreste:
a.modelulinterndinbibliotecasimulatorului
b.modeluldetipcomutator
c.modelulstructural
d.modelultermic

78.Nespecificcircuitelor/sistemelordeputereeste:
a.aparitiainterferentelorelectromagnetice
b.inlocuireaexperimentuluipracticcusimularea
c.caracterulputernicneliniaralblocurilorsisarciniicircuitului/sistemuluianalizat
d.modificareatopologieicircuitului/sistemuluideputerepediferiteleintervalealeuneiperioadedecomutatie

79.OmacromodelarestructuralatiristoruluiGTOconstdin:
a.douatranzistoarebipolareinterconectate
b.douadiodeconectareinantiparalel
c.doutiristoareconectatenparalel
d.douadiodeZenerconectareinantiparalel

80.ParametrulRELTOLreprezinta:
a.tolerantaabsolutapentrutensiuniincadrulaplicatieidate
b.tolerantarelativapentrutensiuniincadrulaplicatieidate
c.rezistentamaximaadmisadesimulator
d.tolerantasimulatorului

81.ParametrulROFFacomutatoarelortipSsiWarevaloareaideala:
a.1Ohm
b.0Ohm
c.infinit
d.1000000Ohm

82.ParametrulRONacomutatoarelortipSsiWarevaloareaideala:
a.0Ohm
b.1Ohm
c.infinit
d.1000000Ohm

83.ParametrulVNTOLreprezinta:
a.tolerantasimulatorului
b.tolerantarelativapentrutensiuniincadrulaplicatieidate
c.tolerantaabsolutapentrutensiuniincadrulaplicatieidate
d.rezistentamaximaadmisadesimulator

84.Pentruanalizaregimuluitermicdinamic:
a.seconsideratemperaturadispozitivelorconstant,cavaloaremediesaucavaloaredintrolistdevaloriconstantedate,pentrufiecare
dispozitvnparte
b.sedeterminavaloareainstantaneeatemperaturiidispozitivului,carevafiapoiutilizatncalcululvalorilorinstantaneeale
parametrilorelectrici
c.parametriielectrotermiciaidispozitivelorsuntdefiniideutilizatorprinintermediulsurselordetensiuneicurentcomandateneliniar
subformdeexpresiematematic
d.parametriireferitorilatemperaturvinsmodifice(pebazauneilegiinternesimulatorului,deobiceiinaccesibilutilizatorului)
valorileparametrilormodelelorintrinsecialedispozitivelornfunciedenouatemperaturTadispozitivului,vechilevalorifiind
determinatelaotemperaturiniialT0

85.Pentruanalizaregimuluitermicstatic:
a.seconsideratemperaturadispozitivelorconstant,cavaloaremediesaucavaloaredintrolistdevaloriconstantedate,
pentrufiecaredispozitvnparte
b.sedeterminavaloareainstantaneeatemperaturiidispozitivului,carevafiapoiutilizatncalcululvalorilorinstantaneeale
parametrilorelectrici
c.parametriielectrotermiciaidispozitivelorsuntdefiniideutilizatorprinintermediulsurselordetensiuneicurentcomandateneliniar
subformdeexpresiematematic
d.parametriireferitorilatemperaturvinsmodifice(pebazauneilegiinternesimulatorului,deobiceiinaccesibilutilizatorului)
valorileparametrilormodelelorintrinsecialedispozitivelornfunciedenouatemperaturTadispozitivului,vechilevalorifiind
determinatelaotemperaturiniialT0

86.PentrumodelareastructuralaatiristoarelorGTOesteobligatorieutilizareamodelului:
a.GummelPoon
b.EbersMoll
c.Meyer
d.Schotky

87.Pentruobinereaunorrezultatedesimularectmaiapropiatedecazulrealestenecesar:
a.cunoastereamatematicaacircuituluianalizat
b.folosireamodelelorinternededispozitive
c.elaborareaidezvoltareaunormodelectmaieficienteprecumifolosirealorcorect
d.utilizareavarianteloranalogicedemicputerepentrudispozitiveledeputerepentrucarenuexistavarianteanalogice.

88.PentrutranzistorulbipolardincomponentamodeluluiinternalunuiIGBTsauutilizat:
a.modelulGommelPoon
b.modelulEbersMoll
c.dousursedecurentcaredescriuexpresiilecurenilordecolector,respectivdebaz
d.unmodelinterncreatdefirmeporninddeladateledecatalog

89.PentrutranzistorulMOSdincomponentamodeluluiinternalunuiIGBTsuntutilizate:
a.ecuatiileDang(LEVEL3)
b.macromodele
c.ecuaiileShichmanHodges(LEVEL1)
d.ecuatiileMeyer(LEVEL2)

90.Principaluldezavantajalmacromodelriistructuraleesteacelac:
a.nutineseamadecatdeprincipalelefenomenedindispozitiveledeputere
b.algoritmuldeextragereaparametrilordispozitivelordincadrulmacromodeluluipornestedelacaracteristicileelectricefurnizatede
cataloage
c.ecuaiileinternealedispozitivelordeputerenupotfisimulateprecisprinintermediuluneicombinaiideecuaiiale
dispozitivelorintrinseci
d.algoritmulestedificildeoareceutilizeazadirectparametriitipicioferiidecataloage

91.ProblemaceamaidificilamacromodelriistructuralepentrutranzistoareleMOSdeputereoconstituie:
a.descriereacapacitiigrildrencevariazneliniarcutensiunealaborneVDS
b.inductaneleparazitealeterminalelorgrilisurs
c.diodaantiparalelinerentstructuriiMOS
d.rezistenavariabilaregiuniidedrift
92.Programeledesimularealefirmelormarifacpartedincategoria:
a.programeapartinandlaboratoarelordecercetarealeuniversitatilor
b.programecomercialededicatelucruluicuproduselefirmei
c.programeuniversaledeuzgeneral
d.programebazatepemetodademodelarefolosindreelePetri

93.Programeledesimulareutilizateinelectronicadeputere:
a.potinlocuiintotalitateexperimentulpractic
b.nuinlocuiescexperimentulpractic
c.uureazaiscurteazaprocesuldeproiectarececonstnetapesuccesivedesimulareirealizarepractic
d.nusepoatepreciza

94.ProgramulPARTSdinpachetulSPICEareroluldea:
a.extrageparametriidemodelinternporninddeladateledecatalogaledispozitivelor
b.creamacromodelepentrudispozitiveleinexistenteinbibliotecasimulatoruluiuSPICE
c.completamodelulinternaidispozitivuluidemicaputerecuparametrispecificidispozitivuluidemareputere
d.ajustaautomatcaracteristiciledecatalogaledispozitivuluianalizat

95.ProgramulSABEReste:
a.programpentruanalizalaputerimari,ceincontdefenomeneleEMI
b.programepentruanalizacircuitelordemicputerecenuincontdefenomeneleEMIintrodusedecomponenteleelectromagnetice
c.programeuniversaledeuzgeneral
d.programebazatepemetodademodelarefolosindreelePetri

96.ProgramulSIMULINKeste:
a.programdedicatsimulriicircuitelorisistemelorelectronicedeputere
b.programdeanalizasistemelordinamice,bazatepemetodedeanaliztopologic
c.programpentruanalizalaputerimari,ceincontdefenomeneleEMI
d.programdeproiectareideoptimizareaproiectrii

97.Reactiatermicasedatoreaza:
a.variatieiintimpcutemperaturaacaracteristicilorelectriceadispozitivelorelectronicedeputere
b.variatieiintimpacaracteristicilorelectriceadispozitivelorelectronicedeputere
c.necesitatiiidentificariiregimurilorcriticedefunctionare
d.structuriiinterneadispozitivuluisemiconductordeputere

98.Regiuneadedriftatranzistoruluibipolardeputere(TBP)areroluldeaasigura:
a.onaltcapabilitatencurentlapolarizareainversaadispozitivului
b.onaltcapabilitatedeblocareatensiunilor
c.lucrullatensiuni,cureni,deciputerimarialeTBP
d.protectiacontrafenomenuluidestrpungeresecundarcepoatedistrugeprinefecttermicdipozitivuldeputerelaoputeremaimic
dectputereamaximadmisibildatncatalog

99.Rezultatelesimulariidinaplicatia2.7sereferala:
a.ilustrareamacromodelariicomportamentalecusursedetipexpresiematematica
b.ilustrareamacromodelariistructuralecusursedetiptabel
c.ilustrareamodelariiintrinseciadiodeiprintabeldevalori
d.obtinereapunctuluistaticdefunctionarealdiodei

100.Scopulesentialalmacromodelariitermiceeste:
a.studiulreactieitermiceadispozitivelorsemiconductoaredeputere
b.studiuluiregimurilortermicecriticealedispozitivelor
c.inlocuireaproiectariitermicemanualecuceapecalculator
d.crestereaprecizieidecalcul
101.Selectatiafirmatiacorecta:
a.dispozitiveledeputeremoderne(VMOS,IGBT,MCT)suntrealizateprinconectareanparalelaunuinumrmaredestructuri
integratedemicaputere,curentulfiindrepartizategalntreacestea
b.simulatoarelemoderneauatinsinprezentidealuldemodelabsolutpentruuneledispozitivesemiconductoaredeputere,asigurand
astfelcompromisuloptimntretimpuldeanalizipreciziadesimulareobinut
c.ceamaisimplmodelarecedescrieexclusivfenomeneleprincipaledincircuiteledeputereestemodelareadetipcomutator
d.nuesteimportanttimpuldeanalizacipreciziadesimulareobtinuta

102.SelectatiafirmatiagresitaprivindrolulprogramuluiPARTSdinpachetulSPICE:
a.permiteextragereaperndavalorilorparametrilormodeluluiintern,porninddeladateledecatalog
b.asistautilizatorulnactivitateadeobinereaunuinoumodelintern,frcaacestasaibcunotinelevastereferitoarelafenomenele
fizicecesepetrecndispozitivilamodelarealormatematic
c.pentrudioda,PARTSfolosetecinciecranesuccesive,ncareutilizatorulintroducecelpuindoutreiperechidevaloripreluatedin
datele/caracteristiciledincatalog
d.pentrutranzistorulbipolar,programulPARTSfolosetesapteecranesuccesive,ncareutilizatorulintroduceperechide
valoripreluatedindatele/caracteristiciledincatalog

103.SelectatiafirmatiagresitaprivitoarelamodelareainternaatranzistoruluiMOSdeputere:
a.sepornestedelaecuaiileShichmanHodges(numitnivelul1demodelareLEVEL1),Meyer(numitnivelul2demodelare
LEVEL2)sauDang(numitnivelul3demodelareLEVEL3),enumeratenordineacreteriigraduluidecomplexitatealmodelului
b.sepornestedelasutedetranzistoareMOSdemicaputereconectateinparalel
c.semodeleazantreggrupuldetranzistoareMOSdemicputereprintrosingurschemelectricechivalentaunuiunictranzistor
MOSdeputere
d.oricarevariantsaralege,eanuinecontdefenomenelespecificetranzistoruluiMOSdeputere,carenuseregsesclatranzistorul
MOSdemicputere

104.Selectatiafirmatiagresita:
a.fenomenuldestrpungeresecundarpoatedistrugeprinefecttermicdipozitivuldeputerelaoputeremaimicdectputereamaxim
admisibildatncatalog
b.dispozitivelesemiconductoaredeputereaujonciuniledeariimultmaimari,faptcedeterminapariiaunorfenomenedesuprafa
specifice,cumarfi,deexemplu,aglomerareacurentului
c.nmodelareseineseamacrezistenaregiuniidedriftdominnexpresiarezisteneitotaleadispozitivuluinstaredeconducie,
caredevineastfelmultmaimaredectncazuldispozitiveloranaloagedemicputere
d.fenomenuldestrpungeresecundarcepoatedistrugeprinefecttermicdipozitivuldeputerelaoputeremaimicdect
putereamaximadmisibildatncatalogseregsetesinmodelriledispozitivelordemicputere

105.Surselecomandatedetiptabelsuntutilizatepentru:
a.descriereaprecisaalegiidecontrolneliniare
b.aproximarealiniarpeporiunialegiidecontrol
c.modelarearezistentelorunuicircuit
d.modelareatuturordispozitivelordincircuit

106.TimpiidecomutaieaiIGBTdatoraisarcinilorstocatenstructursuntmodelaiprinintermediulunor:
a.capacitati
b.rezistente
c.bobine
d.comutatoaretipSsiW

107.UntranzistorIGBTestemodelatinternfolosind:
a.untranzistorMOSconectatcuuntiristor
b.douadiodeconectatinantiparalel
c.douatiristoareconectateinantiparalel
d.untranzistorMOSconectatcuuntranzistorbipolar

108.UtilizareainmacromodelareaindomeniulfrecventaacaracteristicilorBodeestesimilarautilizariiindomeniultimpa:
a.surselortiptabel
b.surselordetipexpresiematematica
c.modelelorintrinsecialedispozitivelorsemiconductoaredeputere
d.surselorcomandateintensiunesicurent