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TRANSISTORES DE EFECTO
CAMPO (JFET, MESFET V MOSFET)
1
Los transistores de efecto de campo o FET se denominan as
porque durante su funcionamiento la seal de entrada crea un campo
elctrico que controla el paso de la comente a travs del dispositivo.
Estos transistores tambin se denominan unipolares para distinguir-
los de los transistores bipolares de unin (cap. 6) y para destacar el
hecho de que slo un tipo de portadores -electrones o huecos- inter-
viene en su funcionamiento.
I
Nota: El acrnimo FET proviene del nombre en ingls: "Field Effect Transistor". Asimismo JFET procede del
nombre: "Junction Field Effect Transistor":
226 Transistores de efecto campo (JFET,
VIII. Fundamentos
MESFETde yelectrnica
MOSFET)fsica y microelectrnica
227
Segn se muestra en la fig. 8.1 a, la estructura bsica de un JFET est formada por un
semiconductor, de tipo n por ejemplo, con dos contactos hmicos en sus extremos, uno de
ellos S denominado fuente o surtidor y el otro D conocido por el nombre de drenador o
sumidero. El tercer electrodo G, denominado puerta, est constituido por dos regiones de tipo
p difundidas a ambos lados de la estructura del semiconductor. Se forma as en el contacto de
puerta dos uniones p-n, las cuales estn conectadas entre s y polarizadas en inverso, de forma
que la corriente que pasa a travs de ellas es prcticamente nula. Generalmente la unin de
puerta es del tipo p +- n, lo cual significa que la regin p de la puerta est mucho ms dopada
que la regin n del semiconductor.
r. carga
espacial p+
a)
s G D
r. carga
espacial zona activa
del transistor
capa epitaxial (n)
substrato (p)
contacto
b)
c)
a) b) e)
regin de
agotamiento
s o o o
canal
lo esTngulamien saturacin
regin lineal
Vo(sat)
Fig. 8.2 Parte superior: Esquema de la variacin de anchura del canal para
valores crecientes del voltaje de drenador, VD' de un transistor JFET: a) Para
VD<< VD.sal . b) VD= VD.sal . c) VD >> VD.sal . Parte inferior: Representacin
de la curva de variacin de la corriente de drenador, ID"
de a ambos lados de cada una de las dos uniones tiene una anchura mayor en la regin del
canal, ya que sta es la que est menos dopada (regin sombreada en la fig. 8. la). Es impor-
tante sealar que la anchura de la zona de agotamiento es ms acusada conforme se avan-
za hacia el drenador, ya que el potencial V(x) a lo largo del canal semiconductor (regin
n) es cada vez ms positivo respecto de la puerta (regin p),
voltaje
V(x)
o L X
resistencia baja
s D
Fig. 8.3. Parte superior: Variacin del voltaje, V(x), a lo largo del canal de un
JFET (tipo n) cuando se aplica un voltaje VD superior al de estrangulamiento
(punto de operacin en la regin de saturacin). Las lneas a trazos indican la
situacin correspondiente a diferentes valores de VD (V'D> VD> V"D). Parte
inferior: Esquema de la situacin de estrangulamiento del canal en un punto P,
en el interior del JFET.
Aparte de este efecto, existe otra limitacin de la corriente que se presenta sobre todo
en los transistores con una longitud de canal, L, pequea. La corriente en este caso puede
quedar limitada por la velocidad mxima que alcanzan los portadores en la parte posterior del
canal (detrs del punto P), donde el campo elctrico toma valores muy elevados. Efectiva-
mente, se sabe que para campos relativamente altos, del orden de 104 Vcm-1 para el silicio, la
velocidad de los electrones alcanza un valor de saturacin ( vase fig. 8.10), ya que la movili-
dad de los electrones en este rango decrece al aumentar el campo elctrico aplicado. Este
efecto de saturacin de la velocidad de los electrones en la zona posterior del canal se puede
superponer al ya mencionado de la constancia de la cada de tensin en la parte anterior del
canal, produciendo uno u otro una limitacin de la corriente en la regin de voltajes superiores
al voltaje de estrangulamiento.
Fundamentos
231 Transistores de efecto campo (JFET,
VIII. MESFET dey electrnica
MOSFET)fsica y microelectrnica
231
231
231
10(mA)
VG=OV
1.0
0.8 VG =-0.5 V
0.6 VG=-1.0V
0.4
VG = -1.5 V
0.2
Vo(V)
o 2 4 6 8 10 12 14
Para voltajes de drenador inferiores al de saturacin, V 0<V Disat- se puede obtener una
relacin cuantitativa entre la corriente, 10, y el voltaje aplicado, V 0, utilizando para el
semiconductor el modelo de la fig. 8.1 a en dos dimensiones. Para efectuar el clculo supon-
dremos adems (vase fig. 8.5) que: i) se trata de un dispositivo de longitud de canal L y
semianchura a, simtrico con respecto a un plano horizontal, ii) las cadas de voltaje en el
contacto de fuente (punto de abscisa x=O) y del drenador (punto x=L) son despreciables, y iii)
la variacin de las variables electrostticas en la direccin horizontal (x) es mucho ms lenta
que en la vertical, lo cual ocurrir si Loe-a (aproximacin del canal gradual).
Consideremos el JFET de canal n tal como se representa en fig. 8.5, es decir antes del
estrangulamiento total del canal. Debido al estrechamiento del canal su resistencia es ms
elevada a medida que se avanza hacia el drenador. Sin embargo, la corriente 10 que fluye a
voltaje
o X L X
s o
regin de
G carga espacial
dV =lodR [8.1]
dR = p (dx / S)
Ahora bien, segn el resultado obtenido en ec. [3.47], en una unin abrupta tipo p + - n la
anchura, w(x), de la zona de carga espacial en la regin n viene dada por una expresin del
tipo:
112
w(x) = [ q2N
E d [V + V(x)- Vd
0
J [8.4]
[8.6]
Particularizando para los valores de wr, cuando x=O, V=O, y w2, cuando x=L, V=Vo y hacien-
do uso de [8.4] se tiene finalmente:
donde:
lp = [8.8]
Vp = [8.9]
Tanto lp como V p son parmetros que dependen de las caractersticas del semiconductor
utilizado as como de sus dimensiones geomtricas. As, un aumento de la seccin transversal
del semiconductor (esto es, de la semianchura a la profundidad z), o bien una disminucin de
la longitud L, hace que el valor de lp sea ms elevado. Del mismo modo, el voltaje V p tambin
crece con la semianchura del semiconductor. Este parmetro es conocido como voltaje de
estrangulamiento, ya que su valor coincide aproximadamente (si no se tiene en cuenta el valor
V 0) con el potencial en inverso que es necesario aplicar sobre la puerta para cerrar el canal
cuando la corriente de drenador es cero (es decir 10=0), segn se puede demostrar fcilmente
a partir de la ec. [8.4]. De esta misma ecuacin se deduce adems que si aplicamos a la puerta
un voltaje determinado, V G, la situacin de estrangulamiento en el borde del drenador se pro-
235 Transistores de efecto campo (JFET,
VIII. Fundamentos
MESFET dey electrnica
MOSFET) fsica y microelectrnica
235
235
235
lo/los
r. lineal
...r.. .d.e. saturacin
. VG = O V
1.0 .----------
0.8
VG = -0.5 V
0.6
VG = -1.0 V
0.4
0.2
._/
. ----- VG = -1.5 V ---
VG =-2.0 V
_
o
o 2 3 4 5 Vo(V)
duce cuando la tensin de drenador alcanza un valor, V Disat- tal que cumpla la ecuacin:
2E
a = [ --(V+
q Nct
Vo,sat - Va)
Vp = Vo,sat + Yo - Va [8.10]
En la fig. 8.6 se ha representado en trazo continuo las curvas tericas 10-V O (normali-
zadas) correspondientes a la ec. [8.7] para un semiconductor tpico. Las curvas representan la
variacin del cociente lo/los en funcin de V O (siendo los el valor de lo,sat correspondiente a
V a = 0) para voltajes inferiores al de saturacin (V O <V o,sa1). Obsrvese que para voltajes V O
236 Transistores de efecto campo (JFET,
VIII. Fundamentos
MESFET dey electrnica
MOSFET) fsica y microelectrnica
235
236
pequeos las curvas caractersticas tienen un comportamiento cuasi-lineal, con una pendiente
236
en el origen dada por el factor lp I V p. Es fcil demostrar que este cociente representa la
237 Transistores de efecto campo (JFET,
VIII. Fundamentos
MESFET dey electrnica
MOSFET) fsica y microelectrnica
235
237
237
resistencia del canal completamente abierto. A medida que aumenta V O las curvas se separan
del comportamiento lineal debido a la influencia de los trminos segundo y tercero de la ec.
(8. 7]. Para V O> V o,sat la ec. (8. 7] deja de ser vlida y la corriente se considera constante, igual
al valor de saturacin, lo,sat (lneas de trazo discontinuo en la fig. 8.6). El valor de lo,sat se
puede obtener a partir de la ec. (8.7] haciendo V0 = Vo,sat, con lo que resulta:
1 = 1 [ V P - 3 (V - V a) + ( V - V o )3 i z ] (8.11]
O,sat p 3V 3 V
p p
Utilizando los datos de la fig. 8.6 para las curvas caractersticas 10-V O de un transistor
JFET se puede obtener la variacin de 10 en funcin de V G en la regin de saturacin. Resulta
as la denominada curva de transferencia (fig. 8.7), la cual se obtiene a partir de la ordenada
del punto de interseccin de las curvas de la fig. 8.6 con una recta paralela al eje de ordenadas
en un punto de abscisa V 0, contenido en la regin de saturacin. Es fcil demostrar que la
curva de transferencia cumple aproximadamente la ecuacin:
loflos
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
o
o
donde los es, segn hemos visto, la corriente de saturacin mxima, es decir, la corriente lo,sat
para VG = O. Aunque esta ecuacin parece muy distinta de la ec. [8.11], da sin embargo
resultados muy aproximados y es mucho ms sencilla de aplicar. A partir de la curva de
transferencia se define un parmetro caracterstico del transistor denominado transconductancia,
gm , el cual coincide con la pendiente de la curva de transferencia en el punto de operacin, es
decir:
L\10
gm = .V
1
[8.13]
G VD
Al estudiar los amplificadores con transistores (cap. IX) veremos que el factor de am-
plificacin en voltaje de los JFET est directamente relacionado con el factor gm.
[8.14]
[8.15]
VIII.
239 Transistores de efecto campo (JFET, MESFET
Fundamentos MOSFET)fsica y microelectrnica
deyelectrnica 237
239
239
a)
b)
es la denominada conductancia del canal. En los transistores JFET esta magnitud suele tener
un valor muy pequeo, ya que las curvas caractersticas en la regin de saturacin son prcti-
camente horizontales.
La ec. [8.14] sugiere el circuito equivalente de pequea seal del JFET representado en
la fig. 8.8b, en el cual la corriente en el circuito de salida, id, se obtiene mediante la suma de la
corriente suministrada por el generador de corriente de valor gmv g y la corriente a travs de la
resistencia r= l/g0 debida a la seal vden el circuito de salida. Normalmente esta resistencia es
muy elevada, varias decenas de kiloohmios, por lo que desde un punto de vista prctico suele
eliminarse en el circuito de salida. Por otra parte, el circuito de entrada se ha dejado abierto,
es decir sin conexin con el terminal de fuente o de drenador, para tener en cuenta el hecho
VIII.
240 Transistores de efecto campo (JFET, MESFET
Fundamentos MOSFET)fsica y microelectrnica
deyelectrnica 237
240
240
fundamental de que la resistencia de entrada en el terminal de puerta de los JFET es
muy elevada. Es sta quizs una de las caractersticas ms distintivas de la familia de transis-
241 Transistores de efecto campo Fundamentos
VIII. de electrnica
(JFET, MESFET y MOSFET) fsica y microelectrnica
239
241
tores de efecto campo. Ntese la similitud del circuito de la fig. 8.8b con el circuito equivalen-
te del transistor bipolar representado en la fig. 6.18.
Cuando los JFET operan a muy alta frecuencia hay que tener en cuenta el tiempo de
trnsito, t., de los portadores a travs del canal. Se puede demostrar que tr es proporcional a
2
L , por lo que la frecuencia de corte a partir de la cual los portadores ya no responden a las
2
variaciones de la seal aplicada es inversamente proporcional a L Por tanto para mejorar el
comportamiento del transistor a frecuencias altas es muy conveniente que la longitud del canal
sea lo ms pequea posible.
fuente, S
puerta, G
drenador, O
semicond. tipo n
sustrato
semiaislante
de la fig. 8.9. La estructura se completa con otros dos electrodos metlicos depositados sobre
la superficie del semiconductor, en sus extremos, formando un contacto hmico con el
semiconductor. Uno de estos electrodos acta de fuente o surtidor (S) y el otro de drenador o
sumidero (D).
El funcionamiento del MESFET es muy similar al del JFET estudiado en los apartados
anteriores. De hecho la capa epitaxial semiconductora acta como un canal efectivo para los
portadores, ya que est limitado en su parte inferior por el substrato semiaislante. Si el canal
es de tipo n, el electrodo de puerta se polariza negativamente, con lo cual se forma una regin
de carga espacial en el semiconductor vaca de portadores, que controla la anchura efectiva
del canal. Asimismo, en el modo normal de operacin, la fuente se conecta a tierra y el drenador
a un potencial positivo. De esta forma la fuente inyecta electrones hacia el sumidero a travs
del canal formado por el semiconductor.
v(cm/s)
3.0 107 GaAs
2.0 107
1.0 107
Fig. 8.1 O. Velocidad de arrastre de los electrones enfuncin del campo elctrico,
para el GaAs y el Si.
10(mA)
0.8
0.6
0.4
0.2
o
Vo(V)
o 2 4 6 8 10
10(mA)
VG=O.SV
0.8
VG=0.4V
0.6
0.4 VG = 0.3 V
VG=0.2V
0.2
VG=0.1 V
o
o 2 4 6 8 10 12 Vo(V)
s G D
xido contacto
metlico
n+
n+
Si tipo p
contacto
metlico
a)
s o
o
Ll
1b)
vimos en el captulo anterior, este canal est limitado en su parte superior por la capa aislante
de Si02 y en la parte inferior por la regin de carga espacial que se forma en el semiconductor
bordeando la puerta y tambin alrededor de las islas n + de los contactos de fuente y sumidero.
En estas circunstancias si se aplica un voltaje positivo de valor pequeo al drenador (vase la
fig. 8.14a), los electrones fluyen desde la fuente al drenador a lo largo del canal que acta
ahora como si fuera una resistencia de valor bajo (ntese que en el canal, al estar invertido, la
conduccin tiene el mismo carcter que en la fuente y el sumidero). Se obtiene as, en esta
regin de voltajes de drenador bajos, una variacin lineal entre la corriente 10 y el voltaje
aplicado, VD
s G D
...
e)
- L
a) b)
//
Vo(sat)
VIII. Transistores de efecto campo Fundamentos
246 (JFET, MESFET y MOSFET)
de electrnica 246
fsica y microelectrnica
246
Fig. 8.14. Esquema de la variacin de la anchura del canal al aplicar voltajes
de drenador crecientes en un MOSFET de canal n. En la parte inferior se
muestra la correspondiente curva caracterstica I 0-V 0.
VIII. Transistores de efecto campo Fundamentos
246 (JFET, MESFET y MOSFET)
de electrnica 247
fsica y microelectrnica
247
Al aumentar V 0, manteniendo V O< Va, tanto la regin de carga espacial que rodea al
drenador como aquella que existe a lo largo del canal se ensancha, ya que el contacto inferior
del dispositivo est a tierra. Debido a la progresiva cada de tensin desde la fuente al drenador,
el ensanchamiento es tanto mayor cuanto mas prximos nos hallemos del drenador. Por otra
parte, esta cada de tensin a lo largo del canal semiconductor hace que la diferencia de poten-
cial efectiva entre la puerta y el semiconductor sea cada vez ms pequea a medida que se
avanza hacia el drenador. Todo ello da lugar a una disminucin del nmero de electrones
que estn presentes en la capa de inversin prxima al drenador, lo que equivale a su vez
a una reduccin, tambin progresiva, de la anchura del canal. Evidentemente, esta reduc-
cin es ms acusada en la zona del drenador. El efecto global es una disminucin de la pen-
diente en la curva de variacin de 10 en funcin de V 0.
Cuando se alcanza un voltaje, tal que la anchura del canal se reduce a cero en el drenador
(fig. 8.14b), se dice que ha ocurrido el estrangulamiento del canal (punto P en fig. 8.14b).
Esto ocurrir para un voltaje denominado voltaje de saturacin, V o,sat, el cual ha de cumplir la
relacin V Disat = V 0-V T Para voltajes ms elevados, la regin del canal estrangulada, &,
aumentar de longitud en la direccin de la fuente (fig. 8.14c) y la corriente se mantendr
esencialmente constante, ya que el voltaje en el nuevo punto P de estrangulamiento se mantie-
ne prcticamente igual a V Disat- De hecho, el mecanismo de limitacin de la corriente entre el
punto P y la regin de agotamiento del drenador es muy similar a la de un transistor JFET
(vase sec. 8.1.2), de ah que las caractersticas 10-V O sean tambin similares.
10(mA)
10 VG=5V
8
VG=4 V
6
VG =3V
4
VG=2V
2
VG = 1 V
o
o 5 10 15 20 25 Vo(V)
Con objeto de obtener una relacin sencilla entre la corriente 10 y el voltaje V O para un
transistor MOSFET de canal n consideraremos el caso ideal, es decir, cuando no hay diferen-
cia entre la funcin de trabajo del metal de puerta y la del semiconductor, las cargas elctricas
en el xido son nulas y no existen estados superficiales. Supondremos adems que inicial-
mente aplicamos en la puerta una tensin Va superior a la umbral, esto es, Va > V T Esto
quiere decir que, incluso sin tensin aplicada en el drenador, el canal se encuentra en condicio-
nes de inversin fuerte.
dV = 10dR [8.16]
siendo dR la resistencia de un elemento dx en una posicin x a lo largo del canal, con una
resistividad p variable. El valor de dR vendr dado por:
dx dx
dR = p (x) - = [8.17]
S q e n(x) z y(x)
Fundamentos
248 Transistores de efecto campo (JFET,
VIII. MESFET dey electrnica
MOSFET)fsica y microelectrnica
249
donde S = zy(x) representa el rea de la seccin transversal del canal de profundidad z y altura
y(x) variable (fig. 8.16). El producto qn(x)y(x) del denominador corresponde a la densidad de
carga de inversin contenida en el canal en la posicin x, Q'nv(x). As pues, a partir de las ecs.
[8.16] y [8.17] podremos escribir:
donde Q' s(x) es la carga total en el punto de coordenada x de la interfase del semiconductor
con el aislante y Q' agolx) es la carga comprendida en la zona de agotamiento (ambas por
unidad de superficie). Ahora bien, en la situacin de inversin Q' s est directamente relacio-
nada con la capacidad especfica de la estructura MOS, C' ox- a travs de la ecuacin:
Q' s= -C' ox Y ox- En esta ecuacin V ox es la parte del potencial de puerta que cae en el xido.
Teniendo en cuenta adems la ec. [7.20], la ecuacin anterior queda:
112
Q'nv (x) = - C'ox [V G - 2'1f - V(x)] + { 2qENa [2'1f + V(x)]} [8.22]
Vo
Oinv (x) dx
Vo
y
V(x)
. . .
: : :
X L X
Sustituyendo ahora en la ec. [8.18] el valor de Q' inv(x) dado por ec. [8.22] e integrando
ambos miembros de la ecuacin anterior entre los lmites x=O y x=L, para V=O y V=Vo,
respectivamente, resulta finalmente:
Vo = Vo,sat
50 - -- - - --
VG VT = 7 V
40 VG-VT = 6 V
:J'
-.... 30 VG-VT= 5 V
-o-
(.)
e
:i
VG-VT = 3 V
10
o 1
Vo(V)
o 2 4 6 8 10 12
En la regin lineal, para voltajes V0 mucho menores que (Va-VT) la ec.[8.23] puede
aproximarse por:
[8.24]
En esta regin la conductancia del canal, g0, vendr dada de forma aproximada por:
[8.25]
VIII.
251 Transistores de efecto campo (JFET, MESFET
Fundamentos MOSFET)fsica y microelectrnica
de yelectrnica 251
251 251
251 251
y la transconductancia, gm:
gm = avI 1
V - -
,
z e ox Vo [8.26]
G D L
Al igual que en el caso del JFET, para V O = V Disat ocurre el estrangulamiento del canal
en el drenador. Por encima de este voltaje, la corriente toma un valor constante, lo.sal (lneas
de trazo discontinuo en la fig. 8.17). El valor de la corriente de saturacin, Io,sat, puede hallar-
se obteniendo primero el valor de V Disat a partir de la ec. [8.22] imponiendo la condicin que
para x=L se cumple que Q' inv = O y sustituyendo el valor as obtenido en la ec. [8.23] (vase
problema 8.9). Se obtiene de este modo para Io,sa1:
[8.28]
circuito equivalente resultante son muy similares a las obtenidas para el transistor JFET. La
fig. 8.18a muestra el circuito equivalente de un MOSFET operando a baja frecuencia. Igual
que en el JFET, la puerta G se encuentra separada de los electrodos de la fuente y el sumidero
debido a la resistencia prcticamente infinita de la capa de xido. En este sentido, el MOSFET
es el transistor que presenta mejores caractersticas en lo que se refiere a la resistencia de
entrada, ya que al ser casi infinita, el dispositivo no consume corriente de la fuente de alimen-
tacin que proporciona la seal v g Ntese en el circuito equivalente que la seal de salida se
obtiene a travs de un generador de corriente de valor gmv g Hay que sealar que, en lo que se
refiere al circuito de salida, el MOSFET, al igual que otros transistores, se comporta como una
fuente de corriente constante. Este hecho es debido a la horizontalidad de las curvas 10-V O en
la regin de saturacin.
Vg
Go
9mVg T 1/g0 : D Vd
so s
a)
CGo
Go o
Vg CGs
I 9mVg 1/go Vd
s s
b)
Cuando se trabaja con seales de alta frecuencia es preciso tener en cuenta las capaci-
dades parsitas entre el electrodo de puerta y los de fuente y sumidero (Cas y C00 en la
fig. 8.18b). Estas capacidades parsitas pueden tener bastante importancia en el transistor
MOSFET, ya que alteran profundamente el tiempo de respuesta del transistor. Se puede de-
mostrar que el tiempo de respuesta es proporcional al cuadrado de la longitud L del canal, por
VIII.
253 Transistores de efecto campo (JFET, MESFET
Fundamentos MOSFET)fsica y microelectrnica
de yelectrnica 253
253 253
253 253
lo que cuando se desea trabajar a frecuencias altas es preciso reducir la longitud del canal al
mximo posible.
VIII.
254 Transistores de efecto campo (JFET, MESFET
Fundamentos MOSFET)fsica y microelectrnica
de yelectrnica 254
254 254
254 254
En las secciones anteriores hemos visto que la conductividad del canal en un MOSFET
aumenta sustancialmente al formarse una capa de inversin mediante la aplicacin de un vol-
taje superior al umbral. A este tipo de transistores, bien sean de canal n p se les denomina
MOSFET de enriquecimiento y tambin se les conoce como transistores de canal "normal-
mente cerrado".
s G o
n+
a)
10(mA) Vo=2V
20
16 V0 = 1V
12
Vo=OV
8
Vo=1V
4
Vo = -2V
o 4 8 12 16 20 24 Vo(V)
b)
Igual que ocurre en el JFET, el lmite de la frecuencia superior de utilizacin del tran-
sistor est relacionado con el tiempo de trnsito de los electrones de la fuente al sumidero, por
lo que es conveniente que la longitud L del canal sea la menor posible, siendo el lmite actual
de L alrededor de media micra. De los dos tipos de MOSFET de silicio, de canal n o de canal
p, los primeros son preferidos por la mayor movilidad de los electrones en relacin a los
huecos.
El voltaje umbral para la estructura MOS ideal, dado por la ecuacin (7.24], es alrede-
dor de 1 V para los MOSFET de silicio de canal n y -1 V para los de canal p. Ahora bien, si
tenemos en cuenta que la diferencia entre las funciones de trabajo del metal y el semiconductor
es qcl>ms : : : -1 V y que el cociente QtlCox (Qr es la carga fija en el xido) resulta tambin del
orden de -1 V, se tendr que el voltaje umbral real es alrededor de -1 V y -3V para los MOSFET
de canal n y p, respectivamente. Quizs uno de los mayores avances en la disminucin de VT
se consigui al utilizar el propio silicio en forma policristalina (polisilicio) como contacto de
puerta, en lugar del aluminio, ya que de esta forma la diferencia de funciones de trabajo es
cero. Para hacer ms conductor el silicio policristalino se dopa fuertemente con fsforo du-
rante la deposicin, quedando el material como un semiconductor degenarado, es decir con
una conductividad elevada.
C0x utilizando una primera capa de Si02 para conservar las buenas propiedades de la interfase
Si-Si02 seguido de una capa de nitruro de silicio (SiJN4) que tiene una constante dielctrica
aproximadamente el doble de la del Si02 Otro mtodo muy utilizado para reducir el voltaje
umbral consiste en dopar ligeramente la regin del canal con impurezas de signo opuesto
mediante implantacin inica. Para ello iones de tipo donador, fsforo, p.e., son acelerados
hasta unos 300 KeV y con ellos se bombardea el substrato de tipo p, siendo ms fcil entonces
formar el canal n. Mediante una dosificacin adecuada de los iones donadores, con esta
tcnica se puede formar en un mismo proceso las regiones o islas de la fuente y el sumidero (de
carcter n "). Incluso, en el mismo substrato de tipo p se pueden fabricar tambin otros dispo-
sitivos MOSFET de agotamiento simplemente aumentando la dosis de fsforo en la regin
correspondiente al canal de estos dispositivos. Por ltimo mencionaremos que tambin se
puede disminuir V T haciendo el aislante de la puerta lo ms fino que sea posible. En este
sentido, actualmente se han preparado transistores MOS con espesor del xido aislante de tan
slo unos 100 . Para conseguir que un xido de estas caractersticas mantenga sus propieda-
des aislantes es preciso preparar la capa de xido con un grado de perfeccin elevado. Los
problemas asociados con la tcnica de obtencin del Si02 vienen descritos en el captulo XIII.
CUESTIONES Y PROBLEMAS
8.1 Sealar las caractersticas ms destacadas de los transistores de efecto campo, compa-
rndolas con las de los trasistores bipolares.
8.3 Hacer un esquema de las bandas de energa a lo largo de una lnea vertical en la seccin
transversal del JFET especificada en la fig. 8.5.
8.4 Sea un transistor JFET de silicio de canal n, con una semianchura a = 2,5 m y un
15 3
dopaje N, = 10 cm- Se pide calcular: a) El voltaje de estrangulamiento y b) la
semianchura del canal cuando 10 = O y V O = 2V. Comparar el resultado con la
semianchura original.
Asimismo, para el transistor de curvas caractersticas como las de la fig. 8.4, hallar de
forma aproximada el valor de rd para V O = O.
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8.7 Dibujar la curva de transferencia de un JFET con los =12 mA y Vp =-5V. Demostrar
que la tangente a esta curva en el punto de corte con el eje de ordenadas corta al eje de
abscisas en el punto V p/2.
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8.8 En un transistor de GaAs tipo MESFET de canal n con N, = 10 cm- la altura de la
barrera metal-semiconductor en el electrodo de puerta es de 0.9 eV, y las dimensiones
del canal son: a=0.2 m, Le l m y z=lO m. a)Averiguar si se trata de un dispositivo
con canal normalmente abierto o cerrado, b) calcular el voltaje umbral y la corriente de
saturacin para V 0=0.
8.9 A partir de la expresin [8.23] demostrar que para un MOSFET de canal n el voltaje de
saturacin viene dado por la expresin:
voltaje aplicado V O = 5 V.