UNIVERSIDAD NACIONAL

DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA -

ENERGA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA

MECNICA

CURSO : Electrnica Industrial

TEMA : Transistor

PROFESOR : Lozano Ricci Lucio

INTEGRANTES :

SURCO HALANOCCA EBER

LAUREANO NINAQUISPE MARCELO

CASTRO SANTOS EMBER

MEJIA MORENO JUAN JOSE

2015

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 1. INTRODUCCIN:

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una

seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de transferencia). Actualmente se
encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios,
televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras,
lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, entre otros.
El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un mono cristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las
de un conductor elctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se
contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando
lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con tomos de elementos donantes de electrones, como
el arsnico o el fsforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva) se logran contaminando con tomos aceptadores de electrones, como
el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la regin de la base, y las otras dos al emisor y
al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms
contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin
(difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Diagrama de Transistor NPN

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 2. OBJETIVO

Analizar y comprobar las caractersticas de polarizacin del BJT utilizando

solamente una fuente de alimentacin.
Estudiar las ventajas y/o limitaciones de la polarizacin en relacin a otros tipos
de polarizacion

3. FUNDAMENTO TERICO

Polarizacin del BJT.

Modos de polarizar un transistor bipolar.

Polarizacin fija o de base

Polarizacin por estabilizacin del emisor.
Polarizacin por divisor de tensin.

CIRCUITO DE POLARIZACIN FIJA

Polarizacin directa base-emisor

= 0

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Malla colector-emisor

+ = 0 =

CIRCUITO DE POLARIZACIN ESTABILIZADOR EN EMISOR

Malla emisor-base

= 0 = ( + 1)

( + 1) = 0

( + ( + 1) =

=
+ ( + )

Malla colector-emisor

+ + = 0

= ( + ) =

= + =

= = +

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POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE

Anlisis Exacto

+
=

=
+ (+)

= ( + )

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4. EQUIPOS, INSTRUMENTOS Y ACCESORIOS A UTILIZAR

1 transistor BC548

1 fuente de voltaje 12v.

1 multitester

1 protoboard

Resistencias y/o potencimetro

Cables

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 5. PROCEDIMIENTO

Armaremos el siguiente circuito que se muestra en la figura colocando las resistencias,

el transistor y la fuente de voltaje en el protoboard.

Una vez hecho esa se proceder a la toma de datos de voltaje y corriente del colector,
emisor, base

6. TABULACION DE DATOS

Datos Valores Prcticos

9.02 v
1.03 v
1.57v
8.02 v
0.53 v
7.34 v

Datos Valores Prcticos

1.2 mA
1.03 mA
0.01 mA

Caractersticas del transistor

Tipo ECG Descripcin y Colec- Colec- Base- Max

aplicacin base (v) emisor emisor coriente figura
(v) (v) Colec(A)
ECG
123 AP NPN - Silicio 75v 40v 6v 0.6A 200 T16

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 7 RESULTADOS TEORICOS

<>

Calculamos el : Calculo del :

1 +2 5.48+ 32.8 1 5.4812

= = = . = = = .
1 2 5.48 32.8 1 2 5.48+ 32.8

1.71 0.7
= = = .
+ ( + 1) 4.7 + (200 + 1)0.97

= = 200 5.0583 = .

= + = .

= ( + ) = 12 1.011(2.780.97) = .

= = 9.189 1.68025 = .

= = 12 1.011(2.78) = .

= = 9.189 8.20875 = .

= + = 0.7 + 0.98025 = .

Datos Valores Tericos

9.189 v
0.98025v
1.68025v
8.20875v
0.7v
7.50875

Datos Valores Tericos

1.011mA
1.016mA
5.0583

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Curva de Operacin

= .
= .
= .

Zona de operacin de un transistor

Cambios a efectuar para obtener la operacin del BJT en zona activa

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de

corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib),
de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que
se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de
seal.

La figura muestra una de las curvas de colector; los comentarios que siguen
pueden aplicarse a cualquier curva de colector. La parte inicial de la curva se
llama regin de saturacin, que comprende toda la curva entre el origen y el
codo. La parte plana de la curva es la regin activa, que es donde el transistor
debe operar si se desea que acte como una fuente controlada de
corriente. La parte final de la curva es la regin de ruptura, la cual debe
evitarse a toda costa.

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En la regin de saturacin el diodo colector est en polarizacin directa, la
accin normal del transistor se pierde y el transistor acta como resistencia
hmica pequea en lugar de fuente de corriente. Un aumento adicional en la
corriente de base no puede producir un incremento adicional en la corriente de
colector. El voltaje colector-emisor en la regin de saturacin es generalmente
de unos cuantos dcimos de volt, dependiendo de la cantidad de corriente de
colector que haya.

Para que el transistor opere en la regin activa, el diodo colector debe estar
polarizado inversamente; esto requiere un VCE mayor a 1 volt,
aproximadamente. Como una gua, muchas hojas de informacin tcnica
indican un VCE(sat) y/o el valor de VCE, en algn punto de la regin de
saturacin. Normalmente VCE(sat) es de slo unos cuantos dcimos de volt, por
lo que una operacin normal requiere un VCE mayor que VCE(sat).

8 RESULTADOS (MULTISISM)

Voltajes

Datos Valores Prcticos Valores Tericos Valores simulados

9.02 v 9.189 v 9.088v
1.03 v 0.98025v 1.018v
1.57v 1.68025v 1.656v
8.02 v 8.20875v 8.056v
0.53 v 0.7v 0.638v
7.34 v 7.50875v 7.418v

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 VCE,VBE,VCB:

VE,VB,VC:

Intensidad

Datos Valores Prcticos Valores Tericos Valores simulados

1.2 mA 1.011 mA 1.046 mA
1.03 mA 1.016 mA 1.051mA
0.01 mA 5.0583 3.553

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IE,IB,IC:

9 CONCLUSIONES

La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del

emisor. La corriente de base es mucho ms pequea, generalmente
menor que el 5% de la corriente de emisor.
La razn de la corriente de colector a la corriente de base se llama
ganancia de corriente, y se le denota por CD o bien por hFE.
Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la
regin activa. Cuando se usa en circuitos digitales, el transistor
usualmente opera en las regiones de saturacin y/o corte.
El funcionamiento de un transistor BJT. Ya sea NPN o PNP, depende
de la polarizacin que se le aplica en sus terminales, ya que una mala
polarizacin podra funcionar mal todo el circuito en el que se le aplique
o el usuario no podra tener los resultados satisfactorios.
Durante el experimento podemos comprobar la teora que fue asimilada
en el saln de clases, por ejemplo. que la corriente del colector despus
de cierto voltaje se aproxima ala corriente del emisor.

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