Electromagnetismo 2017

3 Electrosttica en dielctricos
 Electromagnetismo 2017
Plan de la clase:
Electrosttica en dielctricos
1 Polarizacin
2 Dipolo elctrico. Potencial y campo lejanos
3 Fuerza y cupla de un campo externo sobre un dipolo
4 Desarrollo multipolar del potencial
5 Cuerpos polarizados. Potencial inducido. Polarizacin
6 Forma general de la ley de Gauss. Vector desplazamiento
7 Permitividad
8 Condiciones de frontera del campo electrosttico
9 ESD (descarga electrosttica)

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1 Polarizacin
Dielctricos: Carga ligada

Polarizacin atmica: dipolo elctrico

Campo inducido

Otros mecanismos de polarizacin:

rotacional: molculas polares
cristalina
dominios: materiales ferroelctricos

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 Electrosttica en dielctricos
2 Dipolo elctrico. Potencial y campo lejanos
Modelamos el dipolo elctrico como dos cargas
puntuales de igual carga absoluta y signo opuesto.
De la figura:
q 1 1
(r )
4 0 R R
con:
d2 d2 d
R r 2
rd cos r 1 2 2 cos
4 4r 2r
donde hemos aplicado el teorema del coseno.
Las unidades polarizables son habitualmente microscpicas y las observaciones
se realizan en dimensiones macroscpicas. Entonces podemos aproximar este
resultado considerando puntos lejanos (r d). En este caso podemos usar el
desarrollo de McLaurin para de la expresin del potencial creado por el dipolo:
1 1 1 1 d cos d2
1 O 2
R r d2 d r 2r r
1 2 2 cos
4r 2r 4
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Entonces, si despreciamos nuevamente trminos de orden cuadrtico y supe-
rior, tenemos:
q d cos d cos qd cos
(r ) 1 1
4 0r 2r 2r 4 0r 2
p r p r
y finalmente: (r ) con p qd z
4 0 r 2 4 0 r 3

p es el momento dipolar del dipolo, un vector que va desde la carga negativa

a la positiva.
Unidades: [p] = Cm

3(p r ) r p
Campo elctrico del dipolo: E(r ) (r ) E(r )
4 0 r 3
Comparar con el potencial y el campo de una carga puntual:
Q Q r
(r ) ; E(r )
4 0 r 4 0 r 2

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3 Fuerza y cupla de un campo externo sobre un dipolo
En presencia de un campo elctrico exterior E hay una fuerza neta y una cupla
sobre un dipolo.
Consideremos un dipolo donde la separacin entre las
cargas es muy pequea. Entonces la fuerza que acta
sobre el dipolo es:
F q E( d ) E( )
Reescribimos esta expresin aplicando el desarrollo
de Taylor:
E E
F q E( d ) E( ) q E( ) d E( ) q d


Pero: p q d es el momento dipolar. La expresin de la fuerza entonces se
puede escribir:
F(r ) p
E


p E(r ) F(r ) p E(r )

La fuerza sobre el dipolo depende de la variacin del campo aplicado en la

posicin del mismo. Se ve que si el campo en el entorno del dipolo es unifor-
me la fuerza es nula.
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Existe adems una cupla sobre el dipolo en un campo elctrico. Como las
fuerzas sobre las cargas son aproximadamente iguales (por el tamao infinite-
simal del dipolo) en magnitud y direccin y de sentidos opuestos, la magnitud de
la cupla es: q E d sen p E sen p E
Existe cupla aun cuando el campo elctrico en el entorno donde se halla el
dipolo es uniforme, aunque en este caso la fuerza es cero.
Esta cupla tiende a hacer rotar el momento dipolar hasta alinearse con el campo
aplicado. En este estado, = 0 y la cupla es cero.
Cuando p y E no estn alineados, la cupla produce un giro elemental d que da
lugar a una variacin de la energa del sistema dU:
dU d p E sen d
Integramos esta ecuacin para obtener la energa del sistema en funcin del
ngulo de giro :
dU p E sen d U p E cos U p E
Cuando p y E estn alineados ( = 0) la cupla es nula y la energa es mnima
(equilibrio estable). Cuando p y E estn alineados en reversa ( = ) la cupla es
nuevamente cero pero la energa es mxima: se trata de un estado de equilibrio7
inestable.
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4 Desarrollo multipolar del potencial
Para una distribucin arbitraria de carga:
1 (r )
(r )
4 0
V
R
dV con R r r

1 1 1

R r r r 2 2 r r r 2
donde nuevamente usamos el teorema del coseno.
Para r r desarrollamos en serie de Taylor el factor 1/R del integrando:

1 1 1 1 1 x 3x 2 5 x3
1 ...
R r 2 2 r r r 2 r r r 2 r 1 x r 2 8 16
r 1 2 2
r r
r r r 2
con x 2 2
r r

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Operamos y obtenemos finalmente:

1 (r ) 1 r r 1 3(r r ) 2 r 2
4 0 V R 4 0 r V
(r ) dV (r ) 1 2
2
... dV
r 2 r r
Q p r 1 3
ij xi x j ...
4 0 r 4 0 r 2 8 0 r 5 i , j 1
con:
Q (r ) dV la carga total o carga neta
V

p (r ) r dV el vector momento dipolar

V

ij (r) 3xixj r 2 ij dV el tensor momento cuadrupolar

V

y hay ms trminos de orden superior. Cada uno de los sucesivos trminos

tiene menos peso en la suma ya que el denominador decae como rn.

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Si el cuerpo es neutro (Q = 0) los sucesivos trminos de este desarrollo multi-
polar comienzan a tener relevancia. Entonces predominar el trmino dipolar,
lo que ocurre en el caso de los materiales polarizados. Si el momento dipolar
tambin es nulo, la descripcin se basa en las propiedades del momento
cuadrupolar, etc.

Grficas de lneas de campo para modelos de carga puntual de cada uno de

los 3 primeros trminos del desarrollo multipolar.

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5 Cuerpos polarizados. Potencial inducido. Polarizacin
Cuando un cuerpo dielctrico se coloca en una regin del espacio donde hay un
campo elctrico externo E0, sus unidades elementales (tomos, molculas, etc.)
se polarizan. Estas unidades elementales se pueden modelar mediante dipolos,
los llamados dipolos inducidos, que tienden a alinearse con el campo, creando
un momento dipolar neto que genera un campo electrosttico inducido.
Dividimos el cuerpo en elementos de volumen
infinitesimales y adjudicamos a cada uno un
momento dipolar elemental: dV dp(r )
Este momento dipolar crea un potencial lejano:
R R R r r
dp R P(r ) R
d i (r ) dV
4 0 R 2
4 0 R 2

donde R es la distancia entre el dipolo fuente y el

punto de observacin, y se ha definido el vector
polarizacin: P(r ) dp dV r r
que es un campo cuyo valor punto a punto es el momento dipolar por unidad de
volumen.
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Ahora aplicamos superposicin para sumar los potenciales creados por todos
los elementos de volumen del cuerpo y obtener el potencial creado por el
cuerpo polarizado:
1 P(r ) R
4 0 V R 2
i (r) dV

A partir del potencial podemos calcular el campo inducido Ei(r) y el campo

total que se observa en un punto cualquiera del espacio:
E(r) Ei (r) E0 (r)
que es la superposicin del campo externo y el campo inducido.
Como se ilustra en la figura, dentro del material la separacin
de cargas originada por el campo aplicado crea un campo
inducido (campo de depolarizacin) que se opone al campo
externo original
Entonces el proceso lleva a que el campo total es menor que el original. Fuera
del material, la suma vectorial de los campos no permite en general predecir
el valor final del campo total sin realizar el clculo.

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 Electrosttica en dielctricos
La expresin del potencial inducido puede reescribirse observando que:
R R 1 1 1 1

R 2 R3

R

R
i (r )
4 0 V P (r ) dV
R
Adems:
F f ( f F) f F P(r ) (1/R) [P(r )/R] P(r )/R
(las derivadas se realizan sobre las coordenadas primadas). Tenemos as:
1 P(r ) P(r ) 1 P(r ) n 1 P(r )
i (r )
4 0 V

R

R

dV
4 0
S
R
dS
4 0 V R dV
donde hemos usado el teorema de la divergencia para reescribir la primera
integral. Esta ltima expresin puede escribirse como:
1 P (r ) 1 P (r )
i (r)
4 0 S R

dS
4 0 V R
dV

que es el potencial que creara una hipottica distribucin de carga libre con
densidades:
volumtrica P (r ) P(r ) y superficial P (r ) P(r ) n
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 Electrosttica en dielctricos
La densidad de carga equivalente de polarizacin superficial es la proyeccin
del vector polarizacin sobre la superficie frontera del cuerpo polarizado y la
densidad de carga equivalente de polarizacin volumtrica est ligada con las
variaciones de la polarizacin en el seno del material, a travs de la divergencia
del vector de polarizacin.
Por lo tanto, podemos resolver el problema del potencial inducido por un cuerpo polarizado
reemplazando al cuerpo por una distribucin equivalente de carga libre, para la cual valen las
consecuencias de la ley de Coulomb y la electrosttica de cargas libres.

Cul es la realidad de estas cargas?

En la figura se ve que hay un exceso de carga negativa so-
bre el lado izquierdo de la superficie y un exceso de carga
positiva sobre el lado derecho. Esta redistribucin est
asociada a las cargas superficiales de polarizacin.
Si elegimos un recinto en el seno del material, podemos ver
que en casos (el crculo rojo) la densidad neta de carga encerrada es cero, mien--
tras que en otros casos (el crculo verde) la densidad neta de carga encerrada no
es cero porque hay zonas heterogneas, simbolizadas por dipolos de menor
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tamao.
 Electrosttica en dielctricos
6 Forma general de la ley de Gauss. Vector desplazamiento
En el vaco: (r )
E(r )
0

Fuente
Campo
(r ) (r ) P (r )
Cuando hay cuerpos polarizados: E(r ) E(r )
0 0
(r ) P(r )
P (r ) P(r ) E(r ) 0 E(r ) P(r ) (r )
0
Y finalmente:
D(r ) 0 E(r ) P(r ) D(r ) = (r ) ; D
S
n dS Q

El campo de desplazamiento D(r) tiene como fuentes a las cargas libres.

Obtenemos entonces la forma general de la ley de Gauss.

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7 Permitividad
La polarizacin de un material depende del campo local, que es la suma del
campo exterior y del campo inducido por el material polarizado. Existe entonces
una ligazn entre estos campos, y en particular entre el vector polarizacin y el
campo total local.
En general, estos campos estn vinculados entre s: P(r) P E(r )
Esta relacin puede ser muy compleja, pero en muchos casos de inters tecnol-
gico, y para campos de intensidad suficientemente baja para no producir ruptura
dielctrica u otros efectos asociados a campos intensos, podemos expresar esta
relacin como una relacin lineal: P(r ) 0 (r ) E(r )
donde [] es el tensor de susceptibilidad dielctrica, un tensor de rango dos
que, en coordenadas cartesianas, puede escribirse como una matriz que vincula
las componentes de los vectores:
Px (r ) xx (r ) xy (r ) xz (r ) Ex (r )
P (r ) (r ) (r ) (r ) E (r ) (r ) (r ); i, j x, y, z
y 0 yx yy yz y ij ji

Pz (r ) zx (r ) zy (r ) zz (r ) Ez (r )
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 Electrosttica en dielctricos
En cuerpos istropos y homogneos el tensor de susceptibilidad se reduce a una
constante escalar: P(r ) 0 E(r )

Y entonces: D(r ) 0 E(r ) P(r ) 0 1 E(r ) E(r )

donde 0 r 0 (1 )
es la permitividad del material y el parmetro adimensional r es la permitivi-
dad relativa.
Tabla de permitividades de materiales comunes:
Sustancia r Sustancia r
aire (a presin atmosfrica) 1.0006 tefln 2.1
hexafloruro de azufre 1.002 nylon 3.8
PVC 5-7 papel seco 1.9 - 2.9
polipropileno 2.3 papel impregnado con aceite 3.2 - 4.7
polietileno 2.2 mica 5.5 - 7
parafina 2.1 aceite mineral aislante 2 - 2.5
poliestireno 2.7 dodecilbenceno 2.1 - 2.5

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 Electrosttica en dielctricos
8 Condiciones de frontera del campo electrosttico
Una superficie interfaz separa dos medios de permitividades
diferentes. En cada medio hay un campo elctrico, y en
general son diferentes. Para obtener la relacin entre ambos
campos elctricos aplicamos las propiedades integrales del
campo, ya que por la discontinuidad en las componentes del
campo al pasar la superficie frontera, no se pueden usar las
ecuaciones diferenciales ya que no se puede calcular las
derivadas.
Primero usamos la ley de Gauss: D n dS Ql
S
donde S es la superficie del cilindro y Ql es la carga libre en-
cerrada por el cilindro. Este cilindro tiene una altura h muy
pequea, y una de sus tapas est en el medio 1 y la otra en
el medio 2.
Suponemos adems que la superficie de las tapas es lo suficientemente
pequea para que el tramo de superficie interfaz encerrada por el cilindro (S) se
pueda suponer plana.
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 Electrosttica en dielctricos
Condiciones de frontera del campo electrosttico (cont.)
Entonces la integral puede escribirse como:
D n dS D1 n 1 dS D2 n 2 dS D n dS Ql
S S1 S2 Slat
Ahora tomamos el lmite de esta expresin para h0. La
integral sobre la superficie lateral se anula porque la
superficie misma se anula.
Las dos superficies tapas tienden a la superficie encerrada S y, tomando conven-
cionalmente el versor normal a la interfase desde el medio 1 al medio 2,
tenemos que: n1 n ; n 2 n y queda:

D
S
n dS D1 n 1 dS D2 n 2 dS
S1 S2
D
Slat
n dS D1 n dS D2 n dS
S S

de donde: D n dS D2 D1 n dS Ql dS
S S S
y finalmente: D2 D1 n
Las componentes normales de D se conservan a menos que haya carga superfi-
cial en la interfaz.
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 Electrosttica en dielctricos
Condiciones de frontera del campo electrosttico (cont.)
Ahora consideramos la propiedad de irrotacionalidad de E:
E
C
dr 0

Tomamos una curva de circulacin que es un rectngulo de

altura h, una de cuyas bases est en el medio 1 y la otra en
el medio 2. Tenemos entonces:
E
C
dr E1 dr E2 dr
l1 l2
E
llat
dr 0

donde la ltima integral se extiende a los dos lados laterales (cortos) del rectn-
gulo. Si ahora nuevamente tomamos h0, la tercera integral se anula porque el
intervalo de integracin se anula y adems: dr1 dr ; dr2 dr
Entonces: E dr E1 dr E2 dr E2 E1 dr 0 E2 E1 dr 0
C l l l
Las componentes tangenciales a la interfaz del vector campo elctrico se
conservan. Podemos escribir la conservacin de las componentes tangenciales
de E en la forma:
E1 E2 n 0
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 Electrosttica en dielctricos
Condiciones de frontera del campo electrosttico (cont.)
El potencial electrosttico cumple tambin una condicin de frontera
sobre la interfaz. Como E(r ) (r) , la circulacin a lo largo de un
camino infinitesimal que una dos puntos a ambos lados de la interfaz
es proporcional al trabajo de transportar una carga de prueba a tra-
vs de ella. Como este trabajo casi siempre es infinitesimal [salvo en
el caso en que existe una doble capa o capa de dipolos sobre la in-
terfaz], el potencial electrosttico es continuo al cruzar la interfaz.

En resumen, las condiciones de borde o de frontera que cumple el campo elec-

trosttico al cruzar una interfaz son:
1 2

D n dS Ql D1 D2 n l
S

E dr 0 E1 E2 n 0
C

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 Electrosttica en dielctricos
9 ESD
La descarga electrosttica es el fenmeno de transferencia de carga
entre objetos a potenciales electrostticos diferentes.

Triboelectricidad
Se llama carga triboelctrica a la carga obtenida por contacto y eventual
posterior separacin, que involucra el intercambio de electrones.
Prcticamente todos los materiales son triboelctricos. Por ejemplo, las
personas se cargan por roce y/o contacto en la mayora de las situaciones.
La carga de un cuerpo est asociada con un potencial electrosttico respecto
de tierra a travs de la capacidad del cuerpo.
La humedad del ambiente colabora a descargar los cuerpos cargados por el
efecto triboelctrico.
Tambin puede haber transferencia de carga sin contacto por ruptura dielc-
trica del aislador que separa dos cuerpos a potenciales diferentes.

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 Electrosttica en dielctricos
ESD Serie tribolgica
Mximo Positivo Cuerpo Humano
Vidrio
La cantidad de carga transferida por efecto tribo-
Mica
elctrico depende de la separacin de los mate-
Nylon
Lana
riales en la serie tribolgica (que se muestra en
Plomo
forma parcial en la figura).
Aluminio Si dos de estos materiales se ponen en contacto,
Papel el ms alto en la serie ceder electrones al otro,
0 -------------------- ALGODN cargndose positivamente (mientras que el otro
Madera
material adquirir una carga negativa).
Acero
Nquel-Cobre Cuanto ms separados se hallen los materiales
Goma mayor es la transferencia de carga, y por lo tanto,
Poliester se genera una diferencia de potencial mayor.
PVC
Se observa que el cuerpo humano es el material
Silicio
ms tribo-positivo de la serie.
Mximo Negativo Tefln

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 Electrosttica en dielctricos
ESD Modelos de descarga en ESD
La energa de una descarga electrosttica se puede acoplar al circuito vctima
mediante acoplamiento resistivo (contacto directo), capacitivo, inductivo y
radiacin de campo cercano (cuando no hay contacto).
Para chequear la susceptibilidad de dispositivos a la ESD se han desarrollado
varios modelos y normas de procedimiento.
Todos los mtodos de prueba modelan la descarga con un circuito para definir el
voltaje mximo que puede soportar el dispositivo a testear ante un evento de
ESD.
Este circuito consiste de una fuente de alta tensin de
salida variable que carga el capacitor C a travs de
una resistencia de valor alto R. Si cambiamos de
posicin la llave S, el capacitor se descarga a travs de
la impedancia Z sobre el circuito a testear.

Los valores de R, C y Z dependen del modelo usado.

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 Electrosttica en dielctricos
ESD Modelo de cuerpo humano (HBM)
El modelo ms antiguo y ms comn es el Modelo de Cuerpo Humano, que
simula la descarga desde un cuerpo humano por contacto.
En este modelo R = 1-10 M, C = 100 pF, y la impedancia de descarga en serie
con el dispositivo a testear es puramente resistiva: Z = 1.5 k.
El tiempo de cada al 36.8% de la corriente pico es del orden de 150 ns y las
oscilaciones son habitualmente menores del 10% del valor pico.
Este modelo proviene del siglo XIX. Luego fue adoptado por normas militares y
civiles dado que la situacin ms comn de ESD se da en la manipulacin
humana de objetos.
El ensayo con este modelo permite hallar la susceptibilidad del dispositivo en
testeo. Por ejemplo, en la norma britnica HBM-ESD STM5.1-1998 de la ESD
Association:

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 Electrosttica en dielctricos
ESD Modelo de mquina (MM)
En el Modelo de Mquina se simula la descarga desde un objeto conductor,
como una herramienta o dispositivo de anclaje metlico.
Este modelo se origin en el Japn a partir del ensamblaje robtico, como
modelo de peor caso en la manipulacin de dispositivos.
En este modelo R > 10 M, C = 200 pF, y la impedancia de descarga en serie
con el dispositivo a testear es nula o se usa un inductor de L = 0.5 H, que
limita la amplitud del pico precursor inicial de corriente.
La siguiente tabla, de la norma ANSI/ESD-S5.2-1994 da la clasificacin de acuer-
do al Modelo de Mquina:

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 Electrosttica en dielctricos
ESD Modelo de dispositivo cargado (CDM)
El modelo de dispositivo cargado simula la descarga generada por el propio
dispositivo cuando se ha cargado previamente.
Esta carga puede generarse, por ejemplo, en el deslizamiento en una lnea de
produccin automtica. El posterior contacto con alguna herramienta o
sujetador metlicos produce la descarga.

Un mtodo en uso actual coloca el dispositivo

sobre una placa metlica con sus pines hacia
arriba, lo carga y finalmente lo descarga. C1 es
la capacidad parsita del dispositivo a tierra,
C2 la capacidad distribuida entre el dispositivo
y la placa de tierra, L la inductancia parsita
del dispositivo y sus elementos de conexin, y
la resistencia de 1 es la del medidor de
corriente.

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 Electrosttica en dielctricos
ESD Tcnicas de prevencin
Ambiente de produccin
Superficies disipativo-estticas
Conexiones a tierra
Enlaces equipotenciales
Ropa y herramientas adecuadas
Control de humedad ambiente
Tcnicas de empaquetado
Protocolos de operacin y control
Auditora y entrenamiento

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 Electrosttica en dielctricos
EOS Electrical Overstress (sobrecarga elctrica)
ESD es un caso particular de EOS.
EOS es una categora ms moderna, que se define como:1
Un dispositivo elctrico sufre un evento de sobrecarga elctrica (electrical
overstress) cuando se excede un lmite mximo absoluto de:
- la tensin aplicada al dispositivo,
- la corriente que circula por l, o
- la potencia disipada en l
y este evento causa dao o mal funcionamiento inmediatos o dao latente que
resulte en una reduccin impredecible de su vida til.

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1 Industry Council on ESD Target Levels - Understanding Electrical Overstress EOS (2016)