Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
FolletoLabElecAnalog1.pdf 1
Preliminar 09/08/2017 11:02:06 a. m.
REGLAMENTO
Reglamento General para Laboratorios de la Coordinacin de Ingeniera Electrnica
El presente reglamento tiene como objetivo el regular y establecer las normas de trabajo y
orden dentro de los laboratorios de la coordinacin de ingeniera electrnica.
En caso de que el alumno o el personal docente requieran utilizar el laboratorio fuera del
horario normal establecido deber apegarse al procedimiento de autorizacin para utilizacin
de los laboratorios y equipo fuera del horario normal. (Tramitando el permiso ante la
Subdireccin Administrativa)
Sobre los usuarios de laboratorio.
Todos los alumnos con credencial vigente de la FIME-UANL tendrn derecho a utilizar las
instalaciones del laboratorio en horario normal cuando:
a. Hayan tomado el curso sobre seguridad en laboratorios.
b. Se encuentren en una sesin de clase programada en el laboratorio.
c. Se encuentren realizando prcticas o experimentos de laboratorio bajo supervisin de
un profesor o personal asignado. (Becario, Prestador de Servicio Social, Auxiliar
administrativo o Practicante profesional)
El uso del laboratorio quedar restringido durante las horas en que exista una clase (brigada)
programada. Es decir, no podrn tener acceso alumnos al laboratorio si no pertenecen a la
brigada programada, a menos que el profesor en turno autorice que el alumno utilice el
laboratorio, el cual podr continuar trabajando dentro del laboratorio en silencio y sin
interrumpir la clase. El profesor tendr la libertad de pedirle al alumno que se retire del
laboratorio si considera que est interrumpiendo la clase.
Sobre el Orden y la Limpieza.
Queda estrictamente PROHIBIDO:
Ingresar alimentos, bebidas, y lquidos a las reas de trabajo del laboratorio.
Sacar cualquier tipo de equipo o material del laboratorio sin realizar el procedimiento de
prstamo de equipo y sin el consentimiento del responsable del laboratorio.
Jugar con el equipo, darle un uso inapropiado o cualquier tipo de juego entre los usuarios
dentro del laboratorio.
Obstruir las reas de trabajo y pasillos con mochilas, bolsas u otros objetos ajenos a las
prcticas (Experimentos).
Mover las computadoras de lugar
Desconectar los equipos de las tomas de corriente o de la red de datos.
Preliminar
REGLAMENTO
Sobre el orden y limpieza
Revisar antes y despus el orden y limpieza del rea de trabajo, es decir que no exista basura ni
polvo en el lugar utilizado o material de desecho derivados de la ejecucin de la prctica o
experimento
Revisar, que las sillas se encuentren acomodadas en su lugar, que las computadoras se
encuentren completas, en su lugar (1 teclado, 1 monitor, 1 CPU, 1 ratn), y que no estn
desconectadas, ni con los cinchos cortados. Si el usuario detecta alguna anomala, deber
comunicarlo al encargado del laboratorio inmediatamente de manera verbal, y elaborar un
reporte por correo electrnico.
Sobre la Seguridad.
Para hacer uso del equipo se requiere autorizacin previa de los profesores o instructores.
Respetar las reas de trabajo.
Leer las instrucciones del experimento a realizar antes de ingresar a las instalaciones.
Mantener sobre las mesas de trabajo solo el material de la prctica, es decir, tiles escolares,
equipos de cmputo, mochilas, bolsas, accesorios e indumentaria extra debern resguardarse
en el lugar predestinado para ello (Debajo de las mesas de trabajo, el alumno es responsable de
cuidar sus pertenencias).
Cuidar y no causar dao a el mobiliario y equipo. (Ttulo Cuarto, Captulo I, Artculo 147, Seccin
XI y Ttulo Noveno, Captulo I, Artculo 243 del reglamento de la FIME)
Portar lentes de seguridad.
Sobre el prstamo de Material (Equipos de medicin).
El material requerido deber ser solicitado por el alumno al personal encargado (Becario,
Servicio Social, Practicante Profesional, Profesor).
El alumno deber contar con la credencial vigente de la UANL, que lo acredite como alumno de
la FIME o en caso contrario con una identificacin con fotografa.
Sobre la operacin del equipo.
Para usar el equipo es requisito saber operarlo o contar con un manual de operacin. Estos
manuales se encuentran en la pgina del fabricante y existir una impresin en los libreros de
cada laboratorio donde el alumno pueda consultarlos de acuerdo a sus necesidades (deber
solicitarlo a su profesor o personal a cargo).
Es indispensable seguir al pie de la letra las rutinas de encendido y apagado de los diferentes
equipos. Si se realiza alguna modificacin fsica en los equipos, al terminar de trabajar ste
debe quedar en las mismas condiciones en las que fue entregado.
Sobre las sanciones. (Ttulo Noveno, Captulo III, Artculos 249-253)
De no respetar el presente reglamento, el usuario se har acreedor a un reporte disciplinario y
una sancin dependiendo de la gravedad de la falta. Las sanciones sern determinadas por la
coordinacin del laboratorio en concordancia con los reglamentos vigentes de la FIME-UANL.
Preliminar
PRESENTACIN Y PROPSITO
Este folleto es una referencia para guiar la implementacin de los circuitos electrnicos del laboratorio de
Electrnica Analgica I, es un material de apoyo para guiar el proceso de aprendizaje y tener claros los objetivos del
contenido de la Unidad de Aprendizaje del Laboratorio de Electrnica Analgica 1, vinculando la teora vista en el
Programa Analtico de la Unidad de Aprendizaje de Electrnica Analgica I con la Prctica.
Con este folleto se pretende desarrollar en el estudiante de Ingeniera, las competencias instrumentales a nivel
bsico y reforzar las competencias personales y de interaccin social plasmadas en el Programa Analtico, que es
utilizado en los programas educativos: Ingeniera en Electrnica y Comunicaciones, Ingeniera Mecatrnica,
Ingeniera Electrnica y Automatizacin de la FIME-UANL.
Los circuitos electrnicos utilizados en este manual proceden de distintas fuentes y se adaptaron con la finalidad de
cumplir con los objetivos que se pretenden alcanzar en la Unidad de Aprendizaje.
El listado de material, los objetivos, las instrucciones estn bien detalladas, la secuencia de aprendizaje de cada
prctica est acompaada de un cuestionario para afianzar los conocimientos adquiridos y que el estudiante debe
contestar en cada prctica.
El estudiante est obligado a leer las instrucciones antes de iniciar con la prctica, los conceptos tericos deben ser
expuestos de manera que alcance una comprensin clara de lo que se va a realizar. El estudiante debe registrar la
experiencia y las medidas realizadas en el laboratorio, para contar con la informacin suficiente para llegar a una
conclusin.
Propsito:
Esta unidad de aprendizaje tiene como finalidad formar estudiantes de Ingeniera de la FIME-UANL competentes y
proactivos, en las que su desempeo integre las habilidades y actitudes necesarias para adaptarse de forma gil al
entorno industrial. Para esto los estudiantes debern de realizar 10 prcticas de laboratorio en las que se
demostrarn mediante pruebas con circuitos electrnicos, los conocimientos adquiridos en la clase, adems se
desarrollarn las competencias necesarias para la utilizacin de equipo e instrumentacin electrnica, la elaboracin
de reportes y la identificacin de los circuitos electrnicos en los sistemas utilizados a nivel industrial, se estar en
posibilidad de efectuar diseos de circuitos electrnicos y elaborar mantenimientos correctivos, identificacin de
fallas en el campo de aplicacin.
Preliminar
ndice
TABLA DE REPORTES 2
CDIGO DE COLORES 3
CIRCUITO RECORTADOR 14
EXPERIMENTO 4 17
CIRCUITO SUJETADOR 17
REGULADOR ZENER 26
Preliminar
Tabla de Reportes
Tabla de Reportes
Nombre:_______________________________________________________________________Matrcula:______________________
Profesor:
3.-Circuito recortador
4.-Circuito sujetador
Experimento
6.-Regulador Zener
Preliminar
10.-Diseo de un amplificador surtidor comn
Cdigo de Colores
* *Como se puede observe la tercer franja equivale a la cantidad de
Color Franjas Franja Tolerancias ceros, a excepcin de los colores oro y plata que son un
1y2 3 multiplicador directo.
Negro 0 0 Otro caso son las resistencias de precisin, las cuales contienen
Caf 1 1 1% cinco franjas; las primeras dos son valores enteros como en las
normales, pero la tercera pasa a ser otro valor entero, y la cuarta
Rojo 2 2 2%
es la cantidad de ceros.
Naraja 3 3 De sta manera por eliminacin nos damos cuenta que la quinta
Amarillo 4 4 franja es la franja multiplicadora.
Verde 5 5 Normalmente stas resistencias tienen 1% de tolerancia, y se
Azul 6 6 pueden encontrar en aparatos de precisin como los multmetros
Violeta 7 7 (Figura 1).
Gris 8 8 A continuacin se muestran dos ejemplos (figura 2, 3)
Blanco 9 9
Dorado X 0.1 5%
Plateado X 0.01 10%
Sin color 20%
Tabla 1 cdigo de colores
Figura 2 Ejemplo de uso de cdigo de colores Figura 3 Ejemplo de uso de cdigo de colores
Como se puede observar la tolerancia es de 5%, por lo Resistencia de precisin, de las normalmente
tanto, el valor debe ser estar entre 950 y 1050. De encontradas en multmetros, y otros aparatos de
no ser as, la resistencia podra estar en mal estado. mucha exactitud. El valor es de 1000 con 1% de
tolerancia, es decir su valor debe de estar entre 990 y
1010
Experimento 1 1 Protoboard
Curva caracterstica del diodo 1 Resistencia 1k
1 Diodo 1N4148
1 Transformador 120/12 VCA a 1A o ms.
1 Resistencia de 1K.
1 Resistencia de 3.3K.
1 Cinta de aislar
1 Resistencia de 1 de 3W o mayor.
1 Puente rectificador de 1 A de 50 V.
1 Resistencia 100 K, W
Experimento 7
Curvas caractersticas del transistor bipolar 1 Resistencia 100 , W
1 Resistencia 3.3 K, W
1 Resistencia 22K, W
1 Resistencia 120K, W
2 Resistencia 10K, W
Experimento 8
Diseo de un amplificador emisor comn 1 Resistencia 1.2K, W
1 Resistencia 330, W
1 Puente rectificador de 1 A
1 Resistencia 100, W
Experimento 9
Curvas caractersticas del FET 1 Resistencia 10K, W
2 Resistencias 3.3K, W
2 Resistencias de 100K, W
1 Resistencia de 10K, W
1 Resistencia de 470, W
Experimento 1
Curva Caracterstica Del diodo
Objetivo.
Obtener la curva de respuesta del diodo a travs de un circuito formado por una resistencia y
un diodo, medir las cadas de voltaje y flujo de corriente.
Hacer uso adecuado del multmetro.
Usar escalas adecuadas.
Lista de Material
1 Protoboard
1 Resistencia de 1K (La potencia la puedes calcular en base al voltaje que se va aplicar)
1 Diodo 1N4148 (Busca la pgina web del fabricante y descargar hoja de especificaciones del
diodo)
Equipo
(Proporcionado en el Laboratorio)
1 Multmetro
1 Fuente de voltaje variable de 0 a 10 volts.
Teora preliminar
El circuito (Figura 6) consta de una resistencia en serie con un diodo, la fuente a utilizar es una
fuente de voltaje variable entre 0 y 10 volts. Al variar la fuente de voltaje cambiar la corriente y
el voltaje a travs del diodo, tomar dichos valores para graficar la curva real del diodo, que ser
aproximadamente la que observamos en libros de texto (Figura 5)
La caracterstica general de un diodo semiconductor se puede definir mediante la ecuacin de
Shockley, para las regiones de polarizacin en directa y en inversa (Boylestad, 2009):
Dnde:
Corriente del diodo
IS Corriente de saturacin en inversa
= ( 1) ()
VD Voltaje de polarizacin en directa aplicado a travs del
diodo
n factor de idealidad, el cual es una funcin de las
condiciones de operacin y construccin fsica; vara entre 1 y
2 segn una amplia diversidad de factores.
Figura 5 Curva obtenida utilizando la ecuacin (2) de Shockley en MATLAB (Attia, 1999)
Procedimiento:
1.-Implementar el siguiente circuito (Figura 6):
Figura 6 Diagrama del circuito (Diodo polarizado en directa a travs de una resistencia)
2.- Colocar los aparatos de medicin como se muestra a continuacin ( Figura 7):
Preliminar
Figura 7 Conexiones para medir corriente (a) y voltaje (b).
Coordinacin de Ingeniera Electrnica, versin 2017
Curva caracterstica el diodo con multmetro
3.- Efectuar las siguientes mediciones al estar variando la fuente de voltaje con los valores que
aparecen en la tabla.
+V (Volts) VD ID Ley de Ohm
0
0.2
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
2
4
6
8
10
Tabla 3 Valores de Voltaje y Corriente en el Diodo. (No olvides incluir las unidades en los valores medidos.)
4.- Registrar la siguiente informacin
Reporte :
1.-Graficar ( ) la corriente contra el voltaje del diodo utiliza MATLAB y aplica la aproximacin
necesaria para que la curva se asemeje lo ms posible a la teora. Consulta: Karris, S. T. (2005).
Electronic Devices and Amplifier Circuits with MATLABApplications. Orchard Publications.
(Opcional, consulta con tu profesor)
2.- Graficar del voltaje y la corriente en el diodo (Tambin puedes usar EXCEL y OCTAVE , para
realizar tus graficas). (John W. Eaton, 2017)
I
d
Anota la escala
por divisin
utilizada en
cada eje.
V
d
Investigar:
Qu es un LED?
______________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
________
Qu sucede si se conecta un diodo o un LED directamente a la fuente?
______________________________________________________________________________
__
Qu funcin tiene la resistencia en un circuito con Diodos?
______________________________________________________________________________
__
Cul es la corriente mxima de operacin, del diodo que utilizaste?
______________________________________________________________________________
__
Experimento 2
Objetivo
Obtener la curva de respuesta del diodo en el osciloscopio utilizando un circuito formado
por una resistencia, un diodo, un puente de diodos y un transformador.
Aprender a utiliza el osciloscopio, en el modo XY.
Utilizar las escalas adecuadas en el osciloscopio.
Lista de Material
1 Puente rectificador de 1 Amp. a 50 V.
1 Diodo 1N4148 (Usar el mismo del experimento anterior).
1 Transformador de 120/12 VCA de 1 Amp.
1 Resistencia de 1K.
1 Resistencia de 3.3K.
Equipo
1 Osciloscopio. (Verifica la marca y modelo en el laboratorio y descarga el manual de la
pgina del fabricante)
Procedimiento
1.- Implementar el circuito de la Figura 8
Figura 8 Diagrama del circuito para observar la curva del diodo en el osciloscopio
2.-Ajustar las escalas en el osciloscopio, de acuerdo a las magnitudes que se van a medir.
3.- Conectar un osciloscopio a los puntos (X, Y, G) que se marcan en el diagrama.
4.- Ajustar los controles del osciloscopio para operar en el modo XY; ajustar la escala vertical a 2
V/div, y la escala horizontal a 0.5 V/div.
5.- Observar la curva caracterstica del diodo; hacer uso de los controles de posicin vertical y
horizontal para colocar la curva en el origen de la pantalla del osciloscopio (Debe iniciar en el
origen de los ejes X, Y).
6.- Tomar una fotografa ( ) de la curva caracterstica del diodo mostrada en la pantalla del
osciloscopio, asegurarse que las perillas y escalas de los canales del osciloscopio sean visibles,
inserta la fotografa en tu reporte e indica los valores de las escalas utilizados en los ejes de
voltaje (X) y corriente (Y) del diodo. En caso de estar usando un osciloscopio digital, guardar la
imagen y los datos en una memoria USB (Consulta el manual del modelo correspondiente,
BKprecision o Tektronik).
Experimento 3
Circuito Recortador
Objetivo
Comprobar el funcionamiento de un circuito recortador.
Aprender a utilizar el generador de funciones.
Conocer con los botones y perillas del generador de funciones.
Medir frecuencia, voltaje mximo y voltaje pico-pico en el osciloscopio.
Afianzar los conocimientos del uso adecuado del osciloscopio.
Material
1 Potencimetro lineal de 1K
1 Resistencia de 100 K
1 Diodo 1N4148 (Descargar la hoja de especificaciones)
Equipo
1 Osciloscopio (Revisar marca y modelo; descargar y leer el manual de operacin)
1 Fuente de alimentacin
1 Generador de funciones (Revisar marca y modelo; descargar y leer el manual de
operacin)
Teora Preliminar
En el circuito recortador serie (Figura 9)el diodo nicamente conduce cuando la seal de entrada
(Vi) excede (es mayor) al voltaje de referencia (VC). De tal manera que el comportamiento del
circuito se puede resumir de la siguiente manera:
= para <
= para >
lo anterior considerando que el diodo es ideal (recuerda que el voltaje de operacin para un
diodo ideal es cero y para el diodo prctico es 0.7V).
Preliminar
correctamente, para que el circuito funcione de forma adecuada.
Procedimiento
2.- Usar el multmetro digital (En modo Voltmetro C.D.) para cerciorarse que la seal no tiene
componente de C.D. Si la tiene cancelarla con el control de offset del generador de funciones.
(Recuerda haber ledo el manual de operaciones del generador de funciones)
3.- Usar el multmetro digital para ajustar el potencimetro, hasta que el voltaje de C.D. en VB
sea de 3 Volts.
Se recomienda dejar conectado el multmetro en las terminales del potencimetro, para
estar monitoreando el valor del voltaje.
7.-Repetir el paso anterior ( ) haciendo que el voltaje de la fuente VBB sea de -12 V. (Invertir las
terminales de la fuente de Voltaje, para obtener el voltaje de -12 V)
Formas de onda de entrada y salida de un circuito recortador serie con un voltaje en la fuente
VBB= -12 V.
REPORTE
1.- Explicar el funcionamiento del circuito recortador serie (Figura 9).
____________________________________________________
____________________________________________________
____________________________________________________
____________________________________________________
2.- Explicar el comportamiento del circuito recortador serie (Figura 9), si el procedimiento se
ajusta para VB=0
____________________________________________________
____________________________________________________
Preliminar
____________________________________________________
____________________________________________________
3.- Explique el funcionamiento del circuito recortador serie (Figura 9), cuando la fuente VBB es
igual a -12V (Paso 7 del procedimiento).
____________________________________________________
____________________________________________________
____________________________________________________
____________________________________________________
4.- En un Circuito recortador serie (Figura 9), porqu se asignaron los valores en la resistencia del
potencimetro (Rp), RP1=0.25K RP2 = 0.75K.
Experimento 4
Circuito Sujetador
Objetivo
Observar el comportamiento de un circuito sujetador.
Aplicar los conocimientos adquiridos en el uso del generador de funciones.
Aplicar los conocimientos adquiridos en el uso del osciloscopio.
Lista de Material
1 Potencimetro de 1K
1 Resistencia 100K , W
1 Diodo 1N914
1 Capacitor 0.1 f, 100V
Equipo
1 Osciloscopio
1 Generador de seales
1 Multmetro digital
1 Fuente de alimentacin
Teora Preliminar.
Existen dos formas de agregar una componente de C.D. a una seal de entrada de C.A.
Agregando una fuente de voltaje de C.D. en serie.
Agregando un circuito sujetador (Capacitor, Resistencia y Diodo).
Durante el semi-ciclo positivo la constante de tiempo es mucho mayor que la mitad del
periodo. ( >> 2) y esto no permite que el capacitor se descargue, por lo tanto, el diodo no
conduce, analizando la malla con LVK (Leyes de Voltajes de Kirchhoff) obtenemos:
Preliminar
Ecuacin 3 () = () +
Esta ltima ecuacin (3) es la expresin del voltaje de salida en funcin del tiempo.
Nota: El potencimetro deber ser colocado en el protoboard de tal forma que no genere
falsos. Un extremo del potencimetro se conecta al nodo de la fuente, el otro extremo al nodo
comn y la terminal central al ctodo del diodo (VB). El diodo deber estar conectado
correctamente, para que el circuito funcione de forma adecuada.
Procedimiento.
1.- Implementar el circuito sujetador (Figura 11)
2.- Usar el multmetro digital (Como voltmetro C.D.) para cerciorarse que la seal de entrada Vi
no tiene componente de C.D. Si la tiene, cancelarla con control de offset del generador de
funciones.
3.- Usar el multmetro digital como voltmetro para ajustar el potencimetro, hasta que el
voltaje de C.D. en VB sea de 3 volts.
7.- Realizar una simulacin ( ) del circuito considerando VBB = -12V, RP1 = 0.25K y RP2 =
0.75K . Agregar la grfica de las formas de onda.
Experimento 5
Objetivo.
Observar y medir las formas de onda de voltaje presente en un circuito rectificador de onda
completa tipo puente.
Medir voltajes pico-pico en el osciloscopio.
Medir voltajes rms (VCA) en el multmetro.
Obtener la curva de regulacin de una fuente no regulada.
Obtener la curva de rizado de una fuente no regulada.
Obtener y medir la corriente de pico repetitiva en los diodos.
Observar el efecto que produce la modificacin del valor del capacitor del filtro.
Lista de Material.
1 Cinta de aislar. (Para cubrir las conexiones del transformador a la clavija)
1 Transformador 120/12 VCA con capacidad de 1 Amp. o ms.
1 Clavija. (Para la conexin del transformador al contacto de voltaje de 120VcA)
4 Diodos 1N4148. (Descargar hoja de especificaciones de la pgina del fabricante y verificar
la corriente mxima de conduccin y el voltaje pico inverso, PIV)
2 Capacitores electrolticos de 330F, de 50V o ms.
1 Resistencia de 1 de 3W o mayor. (Se puede hacer el clculo de potencia, antes de
comprarla, si utilizas una resistencia de baja potencia es probable que se queme)
10 Resistencias de 100 de 3W o mayor. (Se puede hacer el clculo de potencia antes de
comprarlas, recuerda que usar componentes con una potencia no adecuada, se pueden
quemar los componentes)
Nota: Recuerda que entre ms potencia soporte el dispositivo, ms grande es su volumen y el
calibre de sus terminales. A mayor potencia en el circuito, ms calor ser disipado a travs
de las resistencias.(Precaucin: las resistencias pudieran calentarse)
Equipo
1 Osciloscopio.
1 Multmetro digital.
Teora Preliminar.
La seal rectificada de onda completa se puede observar en el osciloscopio en el modo de C.D.,
conectando la punta del canal 1 (CH1) entre los puntos O y G, siempre y cuando la carga est
conectada y el capacitor desconectado (Figura 12).
Figura 12 Circuito simulado en Multisim 14, (Instruments, 2017) donde se muestra en el osciloscopio la forma
de onda a la salida del rectificador tipo puente y el voltaje mximo, sin capacitor.
Figura 13 Circuito simulado en Multisim 14 (Instruments, 2017), donde se muestra en el osciloscopio la forma
de onda del voltaje de rizo, pico-pico, a la salida del rectificador tipo puente con capacitor.
Procedimiento
2.- Verificar las conexiones de las resistencias, desconectando el puente entre los puntos O y O1
y el puente entre los puntos G y G1 y conectando el multmetro como hmetro, debe marcar
un valor entre 900 y 1100 . En caso de no tener este valor en el multmetro, verifica las
conexiones entre las resistencias.
3.-Conectar de nuevo los puentes entre los puntos O y O1, G1 y G, conecta el multmetro entre
los puntos O y G, en modo de voltaje de CD (Las puntas de medicin quedarn en paralelo la
carga, verifica que la polarizacin del circuito coincida con la del multmetro, de no serlo, el
valor del voltaje ser negativo).
5.- Conectar al osciloscopio en los puntos O y G (En paralelo con la carga y multmetro). De la
siguiente manera:
6.- Ajustar los controles del osciloscopio para operar inicialmente en:
Modo de C.D.
2 o 5 mV/div.
VCD=_________________
10.- Conectar un solo capacitor (330F) como filtro y efectuar las mediciones de voltaje de
salida () y de voltaje de rizo ( ), llenar la Tabla 5.
11.-Tomar una foto a la pantalla del osciloscopio y al multmetro por cada valor de RL (Esto
es opcional, consltalo con tu profesor) (Recuerda ajustar la escala de voltaje en cada
medicin)
= =
1000 500
900 400
800 300
700 200
600 100
Tabla 5 Valores de Vr y Vo para una carga variable.
(No olvides colocar un puente cada vez que retires una resistencia, para cerrar el circuito y fluya la corriente.)
12.- Conectar los dos capacitores electrolticos en paralelo y observa que sucede en el voltaje de
rizo (Toma una fotografa a la pantalla del osciloscopio). Tomar valores:
=________
=________
Al terminar desconectar el capacitor que agregaste.
13.- Conectar al osciloscopio solamente los siguientes puntos de prueba.
A al canal 1 (CH1).
B al comn del osciloscopio del canal 1 (CH1).
14.- Observar (toma una fotografa de la pantalla del osciloscopio) y toma lectura del valor
del voltaje de pico repetitivo en los diodos.
IPR=___________
Reporte.
1.- En los pasos 5 y 6 mediste los valores de los voltajes de salida mximo y de C.D. Determine el
valor terico del voltaje de C.D. (Consulta el libro de texto, Boylestad, 10 edicin, captulo 2)
=
VCD=______________
3.- Obtener la curva de rizo de la fuente no regulada. Para ello graficar Vr contra IL. (Graficar en
EXCEL o MATLAB)
Experimento 6
Regulador Zener
Objetivo.
Comprobar el principio de funcionamiento del regulador Zener.
Calcular el porcentaje de regulacin.
Lista de Material.
1 Diodo Zener de 12V de 1 W o ms. (Descargar hoja de especificaciones de Internet)
1 Resistencia de 58 de 1 W o ms.
2 Resistencias de 1.2K, de 1 W
Equipo
1 Multmetro digital.
1 Fuente de alimentacin
Teora Preliminar.
Se dise el circuito regulador Zener (Figura 15) bajo las siguientes condiciones.
a) La corriente en la carga vara de 10 a 20 mA.
b) El voltaje de la fuente varia de 10 a 20 V.
Si consideramos constante el valor de la resistencia de carga es factible medir el porciento de
regulacin de la siguiente forma:
% =
En donde Vo nominal es igual a 12 Volts.
Procedimiento.
1.- Implementar el circuito Regulador Zener (Figura 15). Ajuste la fuente a 10V y la carga a 0.6 K
(2 resistencias de 1.2K en paralelo).
2.- Tomar lectura del voltaje de salida mnimo Vomin, utilizando el multmetro digital en volts de
C.D.
Vomin=__________________
3.- Ajustar para obtener un voltaje de la fuente de 20V y una carga de 0.6 K.
4.- Tomar lectura del voltaje de salida mximo Vomax, usando el multmetro digital como
voltmetro en la escala de volts de C.D.
Vomax=______________
5.- Repetir los pasos del 1 al 4 con un valor de carga igual a 1.2 K.
Vomin=___________
Vomax=___________
6.- Registra la siguiente informacin:
Equipo utilizado Fabricante-Modelo No. de serie
Multmetro Digital
Osciloscopio
Generador de funciones
Fuente de voltaje
OTRO (Especifica):
REPORTE.
1.- Calcular el valor de la resistencia (58) del circuito regulador zener (Figura 15) (Considerar
el circuito de diseo visto en el libro de texto.
Datos:
Vmax= 20V
Vmin= 10V
Ilmax= 20mA
Ilmin= 10mA
Vz= 12V
2.- Determinar el % de regulacin del circuito con la carga a 0.6 K. Utiliza los resultados de los
pasos del 2 al 4 del procedimiento de diseo.
3.- Determinar el % de regulacin del circuito con la carga a 1.2 K. Utiliza los resultados de los
pasos del # 5 del procedimiento de diseo.
Experimento 7
El circuito de la Figura 16, permite por el lado del circuito base-emisor, ajustar el valor de la
corriente de base. Por ejemplo, si la fuente se ajusta de tal modo que la cada en RB sea de 2
volts, entonces la corriente de base es de 20 A.
Por el lado del circuito colector-emisor, se aplica una seal rectificada de onda completa. La
cada de voltaje en la resistencia del colector RC, es proporcional a la corriente del colector IC,
por lo que se usara para la deflexin vertical del haz de electrones en el osciloscopio. El voltaje
entre colector y emisor VCE con signo negativo se aplicar en la entrada horizontal del
osciloscopio operando en modo X-Y. De la forma anterior es posible obtener una curva
caracterstica del transistor y solo es cuestin de ajustar de nuevo la corriente de base para
observar un nuevo trazo.
Procedimiento.
1.- Implementar el circuito de la Figura 16 para obtener las curvas del transistor en un
osciloscopio en modo XY.
Figura 16 Circuito para obtener las curvas del transistor en un osciloscopio en modo XY.
2.- Medir la cada en RB con el multmetro digital y ajusta la fuente de alimentacin para
obtener una cada de voltaje igual a 2 volts.
Acoplamiento de CD.
500 mV/div.
Modo XY.
(En caso de usar osciloscopio digital, solo configurarlo de forma adecuada)
Preliminar
La corriente de base est determinada por la cada de voltaje en RB.
Ecuacin 2 =
5.- Ajustar la perilla de escala horizontal hasta tener un desplazamiento horizontal igual a 4
veces el actual. El resultado de esto es una escala horizontal de 2.5V/div. En este paso utiliza los
controles de posicin vertical y horizontal, para hacer que el origen de la curva est cerca de la
esquina inferior derecha de la pantalla del osciloscopio.
6.- Dibujar una familia de curvas caractersticas para los siguientes valores de cada de voltaje
en RB. (Si cuentas con cmara en tu celular, tomar una ) La curva se observa en el
osciloscopio y se debe de tomar una fotografa.
VRB 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 V
IB 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Tabla 6 Valores de corriente de base vs voltaje de resistencia de base
Para cambiar el voltaje en RB, ajusta el valor de la fuente de alimentacin y medir solamente la
cada de voltaje con el multmetro digital. Etiquetar a cada curva con el valor de la corriente de
base que le corresponde.
Reporte.
1.- Determinar el valor de la ganancia de corriente directa (F) del transistor para el punto de
operacin dado por.
IBq= 60A
VCEq= 10V
Emplear la familia de curvas obtenidas en el paso 6 del procedimiento.
ICq=_________________
F=_________________
Medir con el multmetro digital el valor del hfe y compralo con el calor calculado.
2.- Determinar el valor de la ganancia de corriente alterna () del transistor para el siguiente
punto de operacin:
IBq= 60A
VCEq= 10V
IC2=__________________
para IB2= 80A
IC1=__________________
para IB1=40A
=____________________
Experimento 8
0.026
Ecuacin 6 =
Ecuacin 7 = 1 + 2
12
Ecuacin 9 = 5+
1 +10+
1.2
Ecuacin 10 =
Icq= 0.699mA
RE= 1.72 K
RE1= 0.363 K
Seleccionar 330
RE2= (1.72-0.363)K= 1.357 K Seleccionar 1.2 K
VBB= 1.82V
Preliminar
12
Ecuacin 17 = 5+
1 +10+
1.2
Ecuacin 18 =
Procedimiento.
1.- Implementar el circuito del amplificador E-C (Figura 17). Observar que los valores corresponden
al diseo planteado en la teora preliminar.
8.- Medir el valor de la resistencia de entrada del amplificador, insertar una resistencia de 10 K
entre los puntos A y B.
Tomar lectura con el osciloscopio de los siguientes voltajes, es decir cambiar los canales 1 y 2 a los
puntos A y B (alternativamente puedes utilizar el multmetro digital en voltaje de CA)
VA=________________ VB=________________
El valor de Ri se puede determinar sabiendo que
=
10 +
= .
Al terminar de medir los voltajes (VA y VB) retirar del circuito la resistencia de 10 K.
7.- Medir la resistencia de salida del amplificador, tomando nota de los siguientes voltajes de CA.
Con la carga RL= 10K conectada.
Vo=_______________
Con la carga de RL=5 K (usa dos de 10 K en paralelo)
Vo=_______________
La resistencia de salida se puede determinar con la siguiente relacin:
= + (Realiza el clculo)
( )
+
Repo
rte
1.- Realizar el anlisis del diseo del amplificador E-C utilizando las leyes de Kirchhoff (nodos o
mallas) planteado en la seccin de teora preliminar.
2.- Utilizar las curvas de operacin del transistor para encontrar el valor de Icq (corriente de
operacin del colector), con los resultados obtenidos en el paso 2 del procedimiento.
3.- Determinar el valor de la ganancia de voltaje del amplificador, haciendo uso de los resultados
obtenidos en el paso 6 del procedimiento.
4.- Determinar el valor de la resistencia de entrada del amplificador, con los resultados del paso 7
del procedimiento. Demostrar la relacin planteada. Calcular la resistencia de entrada terica y
efectuar una comparacin.
5.- Determinar el valor de la resistencia de salida, con los resultados obtenidos en el paso 8 del
Preliminar
procedimiento. Demostrar la relacin planteada.
Experimento 9
Teora Preliminar.
Las curvas caractersticas del FET, son un conjunto de curvas que describen el
comportamiento de la corriente de salida Id, con respecto al voltaje de salida VDS, para distintos
valores de voltaje de entrada VGS. Ilustracin 1 Diagrama del circuito para obtener las curvas del
FET utilizando al osciloscopio como trazador de curvas.
El circuito de la Figura 18, permite por el lado de la (G) compuerta-(S) surtidor, ajustar el valor del
voltaje VGS. Por ejemplo, VGS=0 si la fuente esta desconectada, o bien VGS puede tomar un valor
negativo de: 0.5V si el valor de la fuente se ajusta.
Por el otro lado del circuito (D)drenador (S) surtidor, se aplica una seal rectificada de onda
completa. La cada de voltaje en la resistencia del drenador RD, es proporcional a la corriente en el
drenador ID, por lo que se usar para el eje vertical (Y) en el osciloscopio. El voltaje entre (D)
drenador y (S) surtidor VDS con signo negativo se aplicar a la entrada horizontal (X) del
osciloscopio, operando en el modo X-Y. De la forma anterior es posible obtener una sola curva
caracterstica del FET y solo es cuestin de ejecutar de nuevo el voltaje VGS, para observar un
nuevo trazo.
Procedimiento.
1.- Implementar el circuito de la Figura 18
Figura 18 Diagrama del circuito para trazar las curvas del FET en el osciloscopio .
2.- Con el multmetro digital medir el voltaje entre compuerta-surtidor VGS. Iniciar con VGS = 0 volts
desconectando o apagando la fuente de alimentacin.
5.- Ajustar la perilla de escala horizontal (X) hasta tener un desplazamiento horizontal (X) igual a 2
V/div.
En este paso utiliza los controles de posicin vertical (Y) y horizontal (X), para hacer que el origen
de la curva este cerca de la esquina inferior derecha de la pantalla de osciloscopio.
6.- Dibujar la familia de curvas caractersticas para los siguientes valores de VGS.(En la tabla).
Dibujar la curva que s que observa en el osciloscopio en la cuadricula. (Si utilizas un transistor
equivalente, verificar los voltajes para VGS en las curvas proporcionadas por el fabricante en la hoja
Preliminar
de especificaciones).
Reporte.
1.- Determinar el valor de la transconductancia gm del FET para el punto de operacin dado por:
VGSq =-1.5
VDSq =10V
Emplear la familia de curvas obtenidas en el paso 6 del procedimiento. Para lograr lo anterior
utilizar VDS=10V.
Id2=_______________ para VGS = -1V
Id1=________________ para VGS = -2V
= =_______________
Ecuacin 7 =
Ecuacin 8 = 1 + 2
Sustituir los valores en las ecuaciones anteriores, se obtendrn los siguientes valores
RD=1.9K seleccionar 2.2K
RS1=69 seleccionar 68
RS2=431 seleccionar 470
PASO3.- Seleccionar RG
RG=100K
Procedimiento
1.- Implementar el circuito del amplificador S-C (Figura 19). Observar que los valores
corresponden al diseo planteado en la teora preliminar.
4.- Aplicar en la entrada del amplificador una seal senoidal de 5 KHz y 200mVp-p
aproximadamente. Observar en el osciloscopio las seales de entrada y de salida
simultneamente. (Realiza el ajuste necesario en las escalas de voltaje para cada canal)
7.- Medir la resistencia de salida del amplificador, tomar nota de los siguientes voltajes de C.A.
Con la carga RL=10K conectada.
Vo=_______________
Con una carga RL=2.2K (use un nuevo valor)
Vo=_______________
La resistencia de salida se puede determinar de la siguiente relacin:
Reporte.
1.- Repetir con mayor detalle el diseo del amplificador surtidor comn planteado en la seccin
de teora preliminar. (Anotar paso a paso el anlisis terico, incluir las grficas del fabricante).
2.- Determinar indirectamente el valor de IDq, con los resultados obtenidos en el paso 2 del
procedimiento.
3.- Determinar el valor de la ganancia de voltaje del amplificador, haciendo uso de los
resultados obtenidos en el paso 5 del procedimiento.
4.- Determinar el valor de la resistencia de entrada del amplificador, con los resultados del paso
6 del procedimiento. Comparar con el valor terico.
5.- Determinar el valor de la resistencia de salida con los resultados obtenidos en el paso 7 del
procedimiento.
Experimento 1
Boylestad, R. L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico: PEARSON EDUCACIN.
Nashelsky, R. L. (1996). Laboratory Manual Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey: Prentice Hall.
Karris, S. T. (2005). Electronic Devices and Amplifier Circuits with MATLABApplications. Orchard Publications.
John W. Eaton, David Bateman, Sren Hauberg, Rik Wehbring (2016).GNU Octave version 4.2.0 manual: a high-level
interactive language for numerical computations. URL
http://www.gnu.org/software/octave/doc/interpreter/
Observar los siguientes videos:
((Espaa), 2017), La Unin PN. Cmo funcionan los diodos? (Versin en castellano),
https://www.youtube.com/watch?v=hsJGw_c-Nn4
((Espaa), EL LED - Cmo funciona el led? - Spanish version (espaol) , 2017),
https://www.youtube.com/watch?v=N73txERy5Fs
Fabricantes de semiconductores:
Texas Instruments:
https://www.ti.com/
ST Semiconductor:
http://www.st.com/content/st_com/en/products/diodes-and-rectifiers.html
Software de simulacin:
NI Multisim, National Instruments,
https://lumen.ni.com/nicif/esa/academicevalmultisim/content.xhtml
NI Multisim Live, National Instruments,
https://beta.multisim.com/create/
Labview, National Instruments,
http://www.ni.com/download-labview/esa/
DC/AC Virtual Lab,
https://dcaclab.com/es/home
Easy EDA,
https://easyeda.com/
MATLAB ,
https://www.mathworks.com/academia/students.html?s_tid=acmain_sp_gw_bod
Experimento 2
Boylestad, R. L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico: PEARSON EDUCACIN.
Hambley, A. R. (2001). Electronica. Madrid: Prentice Hall.
Malvino, A. P., & Bates, D. J. (2007). Principios de electrnica. McGraw-Hill Interamericana de Espaa S.L.
Neamen, D. A. (1999). Anlisis y diseo de circuitos electrnicos. Mxico: McGraw-Hill Interamericana.
Nashelsky, R. L. (1996). Laboratory Manual Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey: Prentice Hall.
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Karris, S. T. (2005). Electronic Devices and Amplifier Circuits with MATLABApplications. Orchard Publications.
BK Precision. (15 de Marzo de 2017). Obtenido de www.bkprecision.com
Tektronics. (15 de Marzo de 2017). Obtenido de www.tektronics.com
Experimento 3
Boylestad, R. L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico: PEARSON EDUCACIN.
Nashelsky, R. L. (1996). Laboratory Manual Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey: Prentice Hall.
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Karris, S. T. (2005). Electronic Devices and Amplifier Circuits with MATLABApplications. Orchard Publications.
Experimento 4
Boylestad, R. L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico: PEARSON EDUCACIN.
Nashelsky, R. L. (1996). Laboratory Manual Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey: Prentice Hall.
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Karris, S. T. (2005). Electronic Devices and Amplifier Circuits with MATLABApplications. Orchard Publications.
Alicante, R. I. (19 de Mayo de 2017). Laboratorio Integrado de Ingeniera Industrial . Obtenido de Prctica 1.
Simulacin de circuitos electrnicos mediante PSIM.:
https://rua.ua.es/dspace/bitstream/10045/23718/1/LII-P1__Simulador.pdf
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
GMEZ, M. . (24 de Mayo de 2017). Dispositivos Electrnicos I / Tecnologa Electrnica. Obtenido de
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema7.pdf
Instruments, N. (5 de Junio de 2017). Opciones de evaluacin de multisim. Obtenido de
http://www.ni.com/multisim/try/esa/
Izquierdo, G. V. (22 de Mayo de 2017). Circuitos con diodos. Obtenido de http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-
y-sistemas-electronicos/material-de-clase-1/tema-2.-circuitos-con-diodos.pdf
John W. Eaton, D. B. (3 de Junio de 2017). GNU Octave version 4.2.0 manual: a high-level interactive language for
numerical computations. Obtenido de URL http://www.gnu.org/software/octave/doc/interpreter/
Laquidara, I. A. (12 de 09 de 2011). Facultad de Ingeniera Universidad Nacional de la Plata. Recuperado el 8 de 5 de
2017, de http://catedra.ing.unlp.edu.ar/electrotecnia/electronicos2/download/Apuntes/Teo1.1-
FuentesCCnoregu.pdf
Olea, A. A. (25 de Mayo de 2017). El Limitador/. Obtenido de
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema4/Paginas/Pagina18.htm
Olea, A. A. (22 de Mayo de 2017). ELECTRNICA BSICA/ Curso de Electrnica Bsica en Internet. Obtenido de
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema5/Paginas/Pagina2.htm
Experimento 5
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Boylestad, R. L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico: PEARSON EDUCACIN.
Karris, S. T. (2005). Electronic Devices and Amplifier Circuits with MATLABApplications. Orchard Publications.
Instruments, N. (5 de Junio de 2017). Opciones de evaluacin de multisim. Obtenido de
http://www.ni.com/multisim/try/esa/
Experimento 7
Alicante, R. I. (19 de Mayo de 2017). Laboratorio Integrado de Ingeniera Industrial . Obtenido de Prctica 1. Simulacin
de circuitos electrnicos mediante PSIM.: https://rua.ua.es/dspace/bitstream/10045/23718/1/LII-P1__Simulador.pdf
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Boylestad, R. L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico: PEARSON EDUCACIN.
Complutense, U. (24 de Mayo de 2017). CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL. Obtenido de
https://cv3.sim.ucm.es/access/content/group/portal-uatducma-
43/webs/material_original/Diapos/TEMA04.pdf
Crdoba, F. d. (22 de Mayo de 2017). El transistor bipolar. Obtenido de
http://www.famaf.proed.unc.edu.ar/pluginfile.php/24577/mod_resource/content/3/Gu%C3%ADa%20Transisto
r%20Bipolar.pdf
Ejea, P. E. (24 de Mayo de 2017). El transistor bipolar/Universidad deValencia/Escuela Tcnica Superior de Ingeniera.
Obtenido de http://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf
GMEZ, M. . (24 de Mayo de 2017). Dispositivos Electrnicos I / Tecnologa Electrnica. Obtenido de
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema7.pdf
Instruments, N. (5 de Junio de 2017). Opciones de evaluacin de multisim. Obtenido de
http://www.ni.com/multisim/try/esa/
Izquierdo, G. V. (23 de Mayo de 2017). TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR BJT. Obtenido de
http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-de-clase-1/tema-3.-transistores-de-
union-bipolar-bjt.pdf
John W. Eaton, D. B. (3 de Junio de 2017). GNU Octave version 4.2.0 manual: a high-level interactive language for
numerical computations. Obtenido de URL http://www.gnu.org/software/octave/doc/interpreter/
Olea, A. A. (22 de Mayo de 2017). ELECTRNICA BSICA/ Curso de Electrnica Bsica en Internet. Obtenido de
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema5/Paginas/Pagina2.htm
R. Carrillo, J. H. (24 de Mayo de 2017). Departamento de Ingeniera Elctrica Universidad de la Frontera. Obtenido de
Analisis y modelos a pequea seal del transistor: http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/Tr04Iee2.pdf
Experimento 8
Alicante, R. I. (19 de Mayo de 2017). Laboratorio Integrado de Ingeniera Industrial . Obtenido de Prctica 1. Simulacin
de circuitos electrnicos mediante PSIM.: https://rua.ua.es/dspace/bitstream/10045/23718/1/LII-
P1__Simulador.pdf
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Boylestad, R. L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico: PEARSON EDUCACIN.
Complutense, U. (24 de Mayo de 2017). CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL. Obtenido de
https://cv3.sim.ucm.es/access/content/group/portal-uatducma-
43/webs/material_original/Diapos/TEMA04.pdf
Crdoba, F. d. (22 de Mayo de 2017). El transistor bipolar. Obtenido de
http://www.famaf.proed.unc.edu.ar/pluginfile.php/24577/mod_resource/content/3/Gu%C3%ADa%20Transisto
r%20Bipolar.pdf
Ejea, P. E. (24 de Mayo de 2017). El transistor bipolar/Universidad deValencia/Escuela Tcnica Superior de Ingeniera.
Obtenido de http://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf
Experimento 9
Alicante, R. I. (19 de Mayo de 2017). Laboratorio Integrado de Ingeniera Industrial . Obtenido de Prctica 1. Simulacin
de circuitos electrnicos mediante PSIM.: https://rua.ua.es/dspace/bitstream/10045/23718/1/LII-
P1__Simulador.pdf
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Boylestad, R. L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico: PEARSON EDUCACIN.
Instruments, N. (5 de Junio de 2017). Opciones de evaluacin de multisim. Obtenido de
http://www.ni.com/multisim/try/esa/
John W. Eaton, D. B. (3 de Junio de 2017). GNU Octave version 4.2.0 manual: a high-level interactive language for
numerical computations. Obtenido de URL http://www.gnu.org/software/octave/doc/interpreter/
Rosario, U. T. (24 de Mayo de 2017). Transistores de Efecto de Campo. Obtenido de
https://www.frro.utn.edu.ar/repositorio/catedras/electrica/3_anio/electronica_1/apuntes/Transistor%20de%2
0Efecto%20de%20Campo.%20-%20fets_2002.pdf
Sevilla, D. d. (23 de Mayo de 2013). Departamento de Ingeniera Electrnica/Universidad de Sevilla. Obtenido de
http://www.gte.us.es/ASIGN/CE_2A/
University, H. G. (24 de Mayo de 2017). Curvas Caractersticas del JFET. Obtenido de http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbasees/Electronic/fet.html#c4
Vasco, U. d. (24 de Mayo de 2017). TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. Obtenido de
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf
Vigo, D. d. (24 de Mayo de 2017). Dispositivos Electrnicos II. Obtenido de
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEII/Practica2-enunciado.pdf
Experimento 10
Complutense, U. (24 de Mayo de 2017). CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL. Obtenido de
https://cv3.sim.ucm.es/access/content/group/portal-uatducma-
43/webs/material_original/Diapos/TEMA04.pdf
Rosario, U. T. (24 de Mayo de 2017). Transistores de Efecto de Campo. Obtenido de
https://www.frro.utn.edu.ar/repositorio/catedras/electrica/3_anio/electronica_1/apuntes/Transistor%20de%
20Efecto%20de%20Campo.%20-%20fets_2002.pdf