Tem de cas la disciplina DLA

- anul universitar 2017 / 2018

SUBIECTUL 1 (5 pct.)
n baza celor discutate la prima edin de aplicaii, densitile de purttori la
echilibru ntr-o jonciune semiconductoare sunt definite de relaiile:

no c E Ec f E dE N c F1 / 2 Fc
Ec

(1.1)
po v Ev E 1 f E dE N v F1 / 2 Fv
0
Ev

unde
1
f E (1.2)
E EF
1 exp
k BT
este probabilitatea de ocupare a strilor energetice (distribuia Fermi-Dirac), c i v sunt
densitile de stri energetice pe unitatea de energie, definite (pentru un material
semiconductor de volum) de relaia:
3
1 2 m c ,v 2
c ,v E E (1.3)
2 2 2
Nc i Nv sunt densitile efective de purttori n banda de conducie, respectiv de valen,
F1/2(F) este integrala Fermi-Dirac, definit de relaia:
2
F1 / 2 F d (1.4)
0 exp F 1
iar mrimile Fc i Fv sunt date de relaiile:
E F Ec Ev E F
F , F (1.5)
c
k BT v
k BT
Se cere:
a) s se demonstreze a doua egalitate din relaiile (1.1) i
b) s se determine expresiile densitilor efective de purttori Nc i Nv.

SUBIECTUL 2 (3 pct.)
Conform celor discutate tot la prima edin de aplicaii, n cazul aproximaiei
Boltzmann (adic pentru E EF >> kBT n banda de conducie, respectiv EF E >> kBT
n banda de valen), distribuia Fermi-Dirac i integrala Fermi-Dirac pot fi aproximate
astfel:
E EF
f E Boltzmann exp (2.1)
k BT
 c ,v
F1 / 2 Fc ,v Boltzmann d c ,v exp Fc ,v
2

0 exp c ,v Fc ,v
(2.2)

Se cere s se demonstreze ultima egalitate din relaia (2.2).

SUBIECTUL 3 (5 pct.)
Se consider un semiconductor GaAs nedopat la temperatura ambiant (Tamb = 300 K)
i la echilibru termodinamic. S se determine diferena dintre nivelul energetic Emax la
care distribuia electronilor n banda de conducie atinge valoarea sa maxim i limita
benzii de conducie Ec.

SUBIECTUL 4 (3 pct.)
S se demonstreze relaia de definiie a indicelui de refracie de grup efectiv:
'
dneff
n g ,eff 0 neff
'
0 0 (4.1)
d
0

Indicaie: Se va ine cont de faptul c indicele de refracie efectiv neff depinde de

lungimea de und, iar ng = c0/vg, unde vg este viteza de grup a undei, definit de
relaia vg d d .

SUBIECTUL 5 (3 pct.)
Pornind de la condiia de faz a cavitii pentru o diod laser Fabry-Perot:
'
2neff N L
N N 0,1, 2,... (5.1)
N
relaie care definete lungimile de und asociate modurilor longitudinale ale cavitii,
unde N este ordinul modului longitudinal, L este lungimea cavitii, iar neff(N) este
indicele de refracie efectiv al modului de ordin N, s se demonstreze c ecartul modal
m N N 1 este dat de relaia:

2N
m (5.2)
2n g ,eff N L
unde ng,eff este indicele de refracie de grup efectiv definit la subiectul 4.
Indicaie: Se va folosi calculul diferenial, inndu-se cont i de faptul c N >> 1.

SUBIECTUL 6 (6 pct.)
n figura de mai jos este ilustrat structura unei diode laser Fabry-Perot cu dubl
heterojonciune de tip BH (buried heterostructure). Regiunea activ a acestei diode laser
este realizat dintr-un compus semiconductor cuaternar de tip In 1-xGaxAsyP1-y care are
banda interzis mai mic dect cea a compusului InP (Eg,InP = 1.35 eV la temperatura
ambiant). Presupunnd c recombinrile electron-gol din regiunea activ au loc ntre
niveluri energetice situate foarte aproape de limitele Ec i Ev ale benzilor de conducie i,
respectiv, valen, s se determine valorile fraciilor atomice x i y ale galiului, respectiv
arseniului din compusul In1-xGaxAsyP1-y astfel nct dioda laser s emit un fascicul de
fotoni cu lungimea de und n vid de 1520 nm.

Indicaie: Se vor folosi informaiile disponibile la pag. 23-25 din notiele de curs aferente
capitolului 2. Se recomand folosirea unui program de calcul matematic.

SUBIECTUL 7 (5 pct.)
Se consider o diod laser acordabil de tip 3S-DBR pentru care se cunosc urmtorii
parametri:
- lungimea de und de emisie: 0 = 1.55 m;
- lungimea seciunii active: La = 300 m;
- lungimea seciunii de control al fazei: Lp = 250 m;
- lungimea seciunii Bragg: LB = 450 m;
- coeficientul de cuplaj n regiunea Bragg: = 40 cm-1;
- indicele de refracie efectiv n regiunea activ: neff,a = 3.3;
- dispersia indicelui de refracie n regiunea activ la 0: dneff,a/d = -0.02 m-1;
- indicele de refracie efectiv n regiunea de control al fazei: neff,p = 3.1;
- dispersia ind. de refracie n reg. de control al fazei la 0: dneff,p/d = -0.01 m-1;
- indicele de refracie efectiv n regiunea Bragg: neff,B = 3.1;
- dispersia indicelui de refracie n regiunea Bragg la 0: dneff,B/d = -0.01 m-1.
S se determine ecartul modal m al diodei laser.