Diodos Semiconductores

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Diodo Ideal
+ -
A K

Id VAK

p n
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 Introducing.

p n

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Diodo Ideal
Cuando se combinan materiales tipo n y tipo p,
existe una distribucin de carga, algunos de los
electrones libres en la estructura brincan a
travs de la junta pn y se recombinan con los
huecos libres del material tipo p, similarmente
los huecos del material tipo p, se combinan con
los electrones del material tipo n
Se forma una regin llamada de Agotamiento,
este trmino es debido a que la regin cerca de
la junta pn se encuentra agotada de
transportadores de carga (huecos y electrones)

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 Semiconductor a Temperatura
Ambiente

En realidad, la regin de agotamiento

es demasiado pequea en
comparacin con las dimensiones de
las regiones p y n, aqu se exager su
tamao solo para propsitos
demostrativos

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Polarizacin Directa
Forward Bias
p n

Vdc
El diodo se comporta como un conductor
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 Polarizacin Inversa
Reverse Bias
Regi n

p n
de
a gota mi ento

{
El diodo se comporta como un aislante
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Junta pn sin voltaje

ID
IS

p n

Regin de
Agotamiento
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 Polarizacin directa
ID
IS

p n

Regin de
Agotamiento

+V-
ID IS = I
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Polarizacin inversa
ID
IS

p n

Regin de
Agotamiento

-V+
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 Barrera potencial intrnseca
kT N a N d Na Nd
Vbi = ln = VT ln 2
q ni 2 ni

k=es la constante de Boltzmann

T=temperatura absoluta
Na=Concentracin de aceptadores
Nd=Concentracin de donadores
VT=Voltaje trmico

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Corriente Inversa
Reverse Current
Cuando recin se conecta el diodo inversamente, el flujo
es transicional y se establece durante un pequesimo
instante de tiempo
La regin de agotamiento crece, la disponibilidad de
portadores mayoritarios decrece
El campo elctrico entre los iones positivos y negativos
se hace ms fuerte hasta que el potencial en la zona de
agotamiento iguala el voltaje de polarizacin
La corriente de transicin cesa casi en su totalidad, solo
permanece una pequea corriente circulando en sentido
inverso
Esta corriente por lo general se ignora para clculos
prcticos

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 Capacitancia de la junta en
polarizacin inversa

V
C j = C jo 1 + R
Vbi
Cjo es la capacitancia de la junta cuando
se le aplica un voltaje=0

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Regin de Avalancha
Reverse Breakdown
Normalmente la corriente inversa es muy pequea, sin
embargo si el voltaje inverso aplicado es muy grande
hasta llegar al valor de Voltaje de Ruptura (Breakdown
Voltage) la corriente en sentido inverso se incrementar
dramticamente
El voltaje inverso cuando es muy alto, imparte energa a
los portadores minoritarios libres de manera que se
aceleran a travs de la regin p colisionando con
tomos con suficiente energa como para sacar
electrones de valencia fuera de rbita mandndolos a la
banda de conduccin

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 Si un electrn colisiona con dos electrones
de valencia, los nmeros se multiplican
rpidamente
Como los electrones tienen mucha
energa, cruzan la regin de agotamiento
y la regin n en vez de combinarse con los
huecos.
La multiplicacin de electrones de
conduccin se conoce como avalancha

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Curva Caracterstica
Diodo Ideal
ID
IF
+
vD
- vR vF
IR

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 Circuitos Equivalentes
ID

vD

Diodo Ideal

R Limit

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Modelo ideal del diodo

R Limit R Limit
iD
iD=0

Polarizacin Directa Polarizacin Inversa

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 Modelo prctico

ID

V v vD

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Modelo prctico
Vg

R Limit R Limit
iD iD=0

Polarizacin Directa Polarizacin Inversa

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 Modelo Completo

ID
Rd

V Rd V vD

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Modelo completo
Rr

Vg
Rd

R Limit R Limit
iD iD=0

Polarizacin Directa Polarizacin Inversa

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 Relacin entre la corriente y el
voltaje del Diodo
Ecuacin de Shockley
qv D
Esta expresin

iD = I o e
1
nkT aplica mientras no
se exceda al

voltaje de ruptura

Donde:
iD=Corriente en el diodo (amperes)
vD=diferencia de potencial a travs del diodo(volts)
Io=Corriente Inversa de Saturacin
q= Carga del Electrn, 1.6x10-19 J/V
k=Constante de Boltzmann, 1.31x10-23
T=Temperatura Absoluta (Kelvins)
n= Constante emprica entre 1 y 2

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La corriente Inversa de Saturacin IO es

una funcin del dopado, la geometra del
diodo y la temperatura
La constante emprica n, puede variar de
acuerdo a los niveles de voltaje y
corriente, y depende del arrastre, difusin
y la recombinacin de portadores
Si n=1, el valor de nVT=26mV
Si n=2, el valor de nVT=52mV

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 Definiendo:

kT
VT = = 26mV
q
Entonces:

vD
iD = I o e T 1
nV

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Operando a Temperatura Ambiente

vD
iD I o e T
nV

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 Relacin Voltaje-Corriente en el
Diodo
ID
vD
iD I o e T
nV

v vD
vD
iD = I o e T 1
nV

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vD
nVT
diD I O [e ]
=
dvD nVT
Eliminando la Funcin exponencial
vD
iD
e nVT
= +1
IO
Substituyendo en la pendiente

diD iD + I O
=
dvD nVT
Finalmente:

nVT nV
rd = T
iD + I O iD
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 Resistencia Dinmica

nVT nVT
rd =
iD + I O iD

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Operacin del Diodo

ID
Regin de polarizacin
inversa Regin de polarizacin
directa
Voltaje de
Rup tura

0.7 vD
Corriente de
Fuga

Regin de
Avalancha

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 Operacin del diodo
Conforme se trata de exceder 0.7V, la corriente
se incrementa rpidamente
El voltaje mnimo para obtener una corriente
notable es 0.7V (diodos de silicio), y 0.3 (diodos
de germanio)
Corriente de fuga: Corriente pequea, que
circula cuando el diodo se polariza
inversamente
Voltaje de Ruptura: Lmite de voltaje inverso
que soporta el diodo, si se excede este voltaje,
el diodo entra en la regin de avalancha y
puede destruirse

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Efectos de temperatura

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 Capacitancia intrnseca
Modelo del Diodo en ac
(Polarizacin directa)
CD

Cj

ID rd

CJ: Capacitancia debido a la junta pn

CD: Capacitancia de difusin
A bajas frecuencias los efectos
capacitivos son relativamente pequeos

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Efecto de la capacitancia

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