Sunteți pe pagina 1din 67

Transistores de efeito de campo

Field Effect Transistor (FET)

slide 1
FETs versus TBJs

Similaridades:
Amplificadores.

Diferenas:
FETs so dispositivos controlados por tenso. TBJs so
dispositivos controlados por corrente.
FETs tm maior impedncia de entrada. TBJs tm ganho mais alto.
FETs so menos sensveis a variaes de temperatura e mais.
adequados para circuitos integrados.
FETs so geralmente mais estticos que TBJs.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 2 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Tipos de FET

JFET: Juno FET.

MOSFET: Transistores de efeito de campo metal-xido-


semicondutor.

D-MOSFET: MOSFET tipo depleo.

E-MOSFET: MOSFET tipo intensificao.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 3 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Construo do JFET

H dois tipos de JFETs:


o de canal n
o de canal p

O canal n o mais amplamente usado


dos dois.

JFETs tm trs terminais:


O dreno (D) e a fonte (S, do ingls
source) so conectados pelo canal n

O porta (G, do ingls gate) conectado por material do tipo p.


Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 4 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Operao JFET: a ideia bsica

A operao JFET pode ser comparada


de uma torneira.
A fonte o acmulo de eltrons no polo
negativo da tenso dreno-fonte.
O dreno da deficincia de eltron (ou
lacunas) no polo positivo da tenso
aplicada.
A porta controla a largura do canal n e,
consequentemente, o fluxo de cargas da
fonte ao dreno.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 5 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Caractersticas da operao JFET

H trs condies bsicas de operao para um JFET:

VGS = 0 V, VDS aumentando para um valor positivo

VGS < 0 V, VDS em algum valor positivo

Resistor controlado por tenso

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 6 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Caractersticas do JFET: VGS=0V

Trs coisas acontecem quando VGS = 0 V e


a VDS aumenta de 0 V a uma tenso
positiva:
O tamanho da regio de depleo entre a
porta do tipo p e o canal n aumenta.

Aumentar o tamanho da regio de depleo


diminui a largura do canal n, que aumenta sua
resistncia.

Mesmo que a resistncia do canal n esteja


aumentando, a corrente da fonte ao dreno (ID)
ao longo do canal n est aumentando porque a
VDSDevices
Electronic est aumentando.
and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 7 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Caractersticas do JFET: pinch-off

Se a VGS = 0 V e a VDS aumenta


continuamente para uma tenso mais
positiva, um ponto alcanado onde a
regio de depleo fica to grande que
estrangula o canal.

Isso sugere que a corrente no canal (ID)


cai para 0 A, mas isso no acontece:
medida que a VDS aumenta, a ID tambm
aumenta. Entretanto, uma vez que o pinch-
off ocorre, aumentos subsequentes na VDS
no fazem com que a ID aumente.
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 8 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Caractersticas do JFET: saturao

No ponto do pinch-off:

o Qualquer aumento adicional da


VDS no produz nenhum aumento
na ID. No pinch-off, a VDS recebe
o nome de Vp.

o A ID est em saturao ou em
seu valor mximo, e referida
como IDSS..

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 9 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Caractersticas de operao da JFET

medida que a VGS se torna mais negativa, a regio de depleo


aumenta.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 10 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Caractersticas de operao da JFET

medida que a VGS se torna mais negativa:


O JFET passa por um pinch-off quando em baixa tenso (VP).
A ID diminui (ID < IDSS) mesmo quando a VDS aumenta.
A ID cai, por fim, a 0 A. O valor de VGS que faz com que isso ocorra
denominado VGS(off).

Observe que a altos nves


de VDS o JFET atinge uma
situao de ruptura. A ID
aumenta incontrolavelmente
se VDS > VDSmax, e provvel
que o JFET seja destrudo.
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 11 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Transistor controlado por tenso

A regio esquerda do pinch-


off chamada de regio hmica.

O JFET pode ser usado como


um resistor varivel, no qual a
VGS controla a resistncia dreno-
fonte (rd).

ro
rd
VGS
2 medida que a VGS se torna mais negativa, a
1 resistncia (rd) aumenta.
VP
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 12 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
JFETs de canal p

O JFET de canal p se comporta da


mesma forma que o JFET de canal n.
A diferenas so que as polaridadades
de tenso e as direes das correntes
so reversas.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 13 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Caractersticas do JFET de canal p

medida que a VGS se torna mais positiva:


O JFET passa por um pinch-off
quando uma baixa tenso (VP).

A regio de depleo aumenta, e


a ID diminui (ID < IDSS).

A ID cai, por fim, a 0 A (quando


VGS = VGSoff)
Observe tambm que a altos nveis de VDS o JFET atinge uma situao de
ruptura: a ID aumenta incontrolavelmente se VDS > VDSmx.
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 14 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Smbolos do JFET para o canal n

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 15 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Caractersticas de transferncia do JFET

As caractersticas de transferncia de entrada e sada do JFET no


so to simples quanto as do TBJ.

TBJ: indica a relao entre IB (entrada) e IC (sada).

JFET: a relao entre VGS (entrada) e ID (sada) um pouco mais


complicada:

2
V
ID I
DSS 1 V
GS

P

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 16 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Curva de transferncia do JFET

Este grfico mostra o valor de ID para um dado valor de VGS.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 17 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Transformando a curva de transferncia
do JFET em grfico
Utilizando os valores de IDSS e Vp (VGS(desligado)) encontrados em
uma folha de dados, a curva de transferncia pode ser colocada em
um grfico conforme os passos a seguir:

1. Resolvendo a equao para VGS = 0 V: ID = IDSS

2. Resolvendo a equao para VGS = VGS(desligado): ID = 0 A

2
V
ID I GS
DSS 1 V
P

3. Resolvendo a equao para VGS = 0 V at VGS(desligado): 0 A < ID < IDSS


Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 18 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Transformando a curva de transferncia
do JFET em grfico
Esboce a curva de transferncia definida por IDSS=12mA e Vp=-6V.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 19 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Transformando a curva de transferncia
do JFET em grfico
Esboce a curva de transferncia para um dispositivo de canal p, com
IDSS=4mA e Vp=3V .

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 20 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Folha de dados (JFETs)

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 21 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Encapsulamento e identificao dos
terminais

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 22 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
MOSFETs

MOSFETs tm caractersticas similares s dos JFETs e


caractersticas adicionais que fazem deles muito teis.

H dois tipos de MOSFETs:

Tipo depleo
Tipo intensificao

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 23 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Construo do MOSFET tipo depleo

O dreno (D) e a fonte (S) se


conectam s regies de tipo n. Essas
regies esto conectadas pelo canal n.
Esse canal n est conectado Porta
(G) por uma fina camada isolante de
dixido de silcio (SiO2).

O material de tipo n fica sobre um


substrato de tipo p que pode ter uma
conexo terminal adicional chamada
de substrato (SS).
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 24 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Operao MOSFET bsica

Uma MOSFET tipo depleo pode operar de dois modos:


Modo depleo
Modo intensificao

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 25 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Operao no modo depleo (D-MOSFET)

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 26 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Operao no modo depleo (D-MOSFET)

As caractersticas so similares s do JFET.

Quando VGS = 0 V, ID = IDSS

Quando VGS < 0 V, ID < IDSS

A frmula utilizada para colocar em 2


V
grfico a curva de transferncia para um ID I
DSS 1 V
GS

P
JFET tambm se aplica ao D-MOSFET:
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 27 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Operao no modo intensificao
(D-MOSFET)
VGS > 0 V, a ID aumenta alm da IDSS (ID > IDSS)

A frmula utilizada para transformar em grfico a curva de


transferncia ainda se aplica:

2
V
ID I
DSS 1 V
GS

P

Observe que a VGS positiva agora


Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 28 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
MOSFET tipo depleo de canal p

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 29 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Smbolos de MOSFET tipo D

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 30 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Folha de dados

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 31 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Contruo do MOSFET tipo intensificao

O dreno (D) e a Fonte (S) se conectam


s regies de tipo n. Essas regies so
conectadas por um canal n.

A Porta (G) se conecta ao substrato tipo


p por uma fina camada isolante de dixido
de silcio (SiO2).

No h canal.
O material de tipo n fica sobre um
substrato tipo p que pode ter uma conexo
terminal chamada de Substrato (SS).
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 32 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Operao MOSFET tipo intensificao

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 33 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Operao MOSFET tipo intensificao

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 34 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Operao MOSFET tipo intensificao

O MOSFET tipo intensificao (E-MOSFET) opera somente no


modo intensificao.
VGS sempre positiva.
medida que a VGS aumenta, a ID aumenta.
medida que a VGS se mantm constante e a VDS aumentada, a ID
satura (IDSS) e o nvel de saturao (VDSsat) alcanado.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 35 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Curva de transferncia do MOSFET tipo
intensificao
Para determinar a ID dada a VGS:

ID k (VGS VT )2

onde:
VT = a tenso limiar do
E-MOSFET
k, uma constante, pode ser
determinada com a utilizao de
valores de um ponto especfico
e a frmula: VDSsat pode ser calculada utilizando-se:

ID(ON)
k VDSsat VGS VT
(VGS(ON) VT)2
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 36 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
MOSFETs tipo intensificao de canal p

O MOSFET tipo intensificao de canal p similar sua cpia de


canal n, exceto pelo fato que as polaridades de tenso e as correntes
so reversas.
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 37 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Smbolos MOSFET

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 38 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Folha de dados

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 39 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Manuseio de MOSFETs

MOSFETs so muito sensveis eletricidade esttica.


Por causa da camada muito fina de SiO2 entre os terminais externos
e das camadas do dispositivo, nenhuma descarga eltrica pequena
pode produzir uma conduo indesejada.

Proteo
o Sempre carregue-o em uma bolsa sensvel a esttica.
o Sempre utilize uma tira esttica ao manusear MOSFETS.
o Coloque dispositivos de tenso limitada entre a ponta e a fonte,
como diodos Zener, para limitar qualquer tenso transiente.
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 40 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Tabela-resumo

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 41 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Circuitos de polarizao FET comum

Circuitos de polarizao JFET


o Polarizao fixa
o Autopolarizao
o Polarizao com divisor de tenso

Circuitos de polarizao MOSFET tipo depleo


o Autopolarizao
o Polarizao com divisor de tenso

Circuitos de polarizao MOSFET tipo intensificao


o Configurao com realimentao
o Polarizao com divisor de tenso
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 42 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
FETs de canal p

Para os FETs de canal p so utilizados os mesmos clculos e


grficos, exceto pelo fato de que as polaridades de tenso e as
direes das correntes so reversas.

Os grficos so imagens espelhadas dos grficos do canal n.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 43 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Relaes bsicas de corrente

Para todos os FETs:


IG 0 A I D IS

Para JFETS e MOSFETs tipo depleo:


2
V
ID IDSS 1 GS
VP

Para MOSFETs tipo intensificao:


ID k (VGS VT )2

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 44 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Configurao com polarizao fixa

VDS VDD I D RD
VS 0 V
VD VDS
VG VGS
VGS VGG

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 45 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Configurao com polarizao fixa

VDS VDD I D RD
VS 0 V
VD VDS
VG VGS
VGS VGG

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 46 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Configurao com autopolarizao

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 47 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Clculos de autopolarizao

VGS ID RS
1. Escolha um valor para ID < IDSS e utilize o valor componente de RS para calcular
a VGS. Coloque no grfico o ponto identificado por ID e VGS e trace uma linha da
origem do eixo at esse ponto.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 48 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Clculos de autopolarizao

VGS ID RS
1. Escolha um valor para ID < IDSS e utilize o valor componente de RS para calcular
a VGS. Coloque no grfico o ponto identificado por ID e VGS e trace uma linha da
origem do eixo at esse ponto.
2. Coloque a curva de transferncia no grfico
utilizando a IDSS e a VP (VP = |VGSdesligado| em
folhas especficas) e alguns pontos como a
VGS = VP / 4 e a VGS = VP / 2 etc.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 49 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Clculos de autopolarizao

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 50 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Clculos de autopolarizao

VGS ID RS
1. Escolha um valor para ID < IDSS e utilize o valor componente de RS para calcular
a VGS. Coloque no grfico o ponto identificado por ID e VGS e trace uma linha da
origem do eixo at esse ponto.
2. Coloque a curva de transferncia no grfico
utilizando a IDSS e a VP (VP = |VGSdesligado| em
folhas especficas) e alguns pontos como a
VGS = VP / 4 e a VGS = VP / 2 etc.
O ponto Q est localizado onde a primeira linha
interseciona a curva de transferncia. Utilizando o
valor de ID no ponto Q (IDQ):
VDS VDD ID (RS RD ) VS ID RS VD VDS VS VDD VRD
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 51 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Polarizao com divisor de
tenso

IG = 0 A

ID responde s mudanas
em VGS.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 52 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Clculos de polarizao com divisor de
tenso
VG igual tenso ao longo do resistor
divisor R2:

R2VDD
VG
R1 R2

Utilizando a Lei de Kirchhof:

VGS VG ID RS

O ponto Q estabelecido colocando-se no grfico uma linha que intersecione a


curva de transferncia.
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 53 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Ponto Q divisor de tenso

Trace no grfico a linha que


definida por estes dois pontos:

VGS = VG, ID = 0 A

VGS = 0 V, ID = VG / RS

Depois de colocar no grficos a


IDSS, a VP e os valores calculados de
ID, trace a curva de transferncia.

O ponto Q est localizado onde a linha interseciona a curva de


transferncia 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Electronic Devices and Circuit Theory
Boylestad
slide 54 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Clculos de polarizao com divisor de
tenso

Utilizando o valor de ID no ponto Q, resolva a equao para


outros valores no circuito de polarizao com divisor de voltage:

VDS VDD ID (RD RS )


VD VDD IDRD
VS IDRS

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 55 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Circuitos de polarizao MOSFET tipo
depleo
Circuitos de polarizao
MOSFET tipo depleo so
similares quelas utilizadas
para polarizaes JFETs. A
nica diferena que os
MOSFETs tipo depleo
podem operar com valores
positivos de VGS e com
valores de ID que excedem
a IDSS.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 56 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Ponto Q de autopolarizao (D-MOSFET)

Coloque no grfico a linha que definida por


estes dois pontos:

VGS = VG, ID = 0 A
ID = VG /RS, VGS = 0 V

Trace no grfico a curva de transferncia


utilizando a IDSS, a VP e os valores calculados de
ID.
O ponto Q est localizado onde a linha
interseciona a curva de transferncia. Utilize o
valor de ID no ponto Q para resolver a equao
para os outros valores do circuito.
Esses so os mesmos passos utilizados para analisar os circuitos de
autopolarizao JFET.
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 57 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Polarizao com divisor de tenso (D-
MOSFET)
Trace no grfico a linha que definida por estes dois pontos:
VGS = VG, ID = 0 A
ID = VG/RS, VGS = 0 V

Trace no grfico a curva de transferncia utilizando a IDSS, a VP e os


valores calculados de ID.
O ponto Q est localizado onde a linha interseciona a curva de
transferncia. Utilize o valor de ID no ponto Q para resolver a
equao para outras variveis no circuito.
Esses so os mesmos passos utilizados para analisar circuitos de
polarizao JFET com divisor de tenso.
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 58 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Polarizao com divisor de tenso (D-
MOSFET)

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 59 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Circuitos de polarizao MOSFET tipo
intensificao
A curva de transferncia para o MOSFET tipo intensificao
muito diferente daquela de um JFET simples ou de um MOSFET tipo
depleo.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 60 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Circuitos de polarizao com
realimentao (E-MOSFET)

IG 0 A
VRG 0 V
VDS VGS
VGS VDD IDRD

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 61 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Ponto Q de polarizao com
realimentao (E-MOSFET)
Trace a linha no grfico que definida por estes dois pontos:

VGS = VDD, ID = 0 A
ID = VDD / RD , VGS = 0 V

Utilizando esses valores da folha de dados, trace no grfico a curva


de transferncia:

VGSTh , ID = 0 A
VGS(on), ID(on)

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 62 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Ponto Q de polarizao com
realimentao (E-MOSFET)

O ponto Q est localizado Utilizando o valor de ID no


onde a linha e a curva de ponto Q, resolva a equao para
transferncia se encontram. outras variveis no circuito.
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 63 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Polarizao com divisor de
tenso
Trace a linha e a curva de transferncia
no grfico para encontrar o ponto Q
utilizando estas equaes:

R2VDD
VG
R1 R2
VGS VG ID RS
VDS VDD ID (RS RD )

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 64 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Ponto Q de polarizao com
divisor de tenso (E-MOSFET)
Trace a linha no grfico utilizando
VGS = VG , ID = 0 A
ID = VG / RS , VGS = 0 V
Utilizando estes valores da folha de dados, trace a curva de
transferncia no grfico:
VGSTh, ID = 0 A
VGS(on) , ID(on)

O ponto onde a linha e a curva de transferncia se cruzam o ponto Q.


Utilizando o valor de ID no ponto Q, resolva a equao para outros
valores.
Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 65 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
FETs de canal p

Para os FETs de canal p so utilizados os mesmos clculos e


grficos, exceto pelo fato de que as polaridades de tenso e as
direes das correntes so reversas.

Os grficos so imagens espelhadas dos grficos do canal n.

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 66 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved
Aplicaes

Resistor de tenso controlada


Voltmetro de JFET
Timer network
Fiber optic circuitry
MOSFET relay driver

Electronic Devices and Circuit Theory 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 67 Upper Saddle River, New Jersey 07458 All Rights Reserved

S-ar putea să vă placă și