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Semiconductor
Departamento de Electrnica
Curso 2010/11
2010/11
ndice
Introduccin
Clasificacin de las memorias
El chip de memoria
Estructura interna de una
memoria Memorias RAM estticas
Cronogramas de acceso
Memorias RAM dinmicas
Memorias ROM
Memorias PROM
Memorias E/EEPROM Expansin de memorias
Memorias FLASH Mapas de memoria
Gestin de la memoria
Ordenacin de datos en
memoria
Introduccin: Concepto
Palabra M-1
3
Introduccin: Capacidad
Bus de direcciones
Bus de control n
R/W, CS,
OE
5
Introduccin: Buses (II/II)
Operacin de escritura:
Se sita en el bus de direcciones la posicin donde se quiere escribir.
Se introduce el dato por el bus de datos.
Se aplica la orden de escritura mediante las lneas de control.
Registro de Registro de
direccin datos
101 Matriz de memoria 10001101
organizada en bytes
0 1 1 0 0 0 0 1 0
1 1 0 1 0 0 0 1 1
Decodificador
2 0 1 0 0 1 0 1 0
3 1 1 0 0 0 0 0 1
4 1 1 1 0 1 0 0 0
5 1 0 0 0 1 1 0 1
Bus de 6 0 1 1 1 0 0 1 0 Bus de datos
direcciones 7 1 0 0 0 0 0 0 0
CS Escritura
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Introduccin: Lectura
Operacin de lectura:
Se sita en el bus de direcciones la posicin de donde se quiere leer.
Se aplica la orden de lectura.
En el bus de datos se dispone de la informacin almacenada.
Registro de Registro de
direccin datos
011 Matriz de memoria 11000001
organizada en bytes
0 1 1 0 0 0 0 1 0
1 1 0 1 0 0 0 1 1
Decodificador
2 0 1 0 0 1 0 1 0
3 1 1 0 0 0 0 0 1
4 1 1 1 0 1 0 0 0
5 1 0 0 0 1 1 0 1
Bus de 6 0 1 1 1 0 0 1 0 Bus de datos
direcciones 7 1 0 0 0 0 0 0 0
Lectura CS
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Introduccin: Caractersticas
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Clasificacin de las memorias
Memorias de Memorias de
acceso aleatorio desplazamiento
ROM
Estticas
PROM
EPROM
Dinmicas
EEPROM
FLASH
NVRAM
PLDs
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Clasificacin de las memorias: RAM (I/IV)
RAM
RAM dinmica
Esttica
(DRAM)
(SRAM)
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Clasificacin de las memorias: RAM (II/IV)
Se clasifican en:
Memorias estticas (SRAM):
El elemento de almacenamiento en un flip-flop.
Almacena datos de forma indefinida siempre que exista alimentacin.
Ventajas: Alta velocidad de acceso y bajo consumo.
Inconveniente: Poca capacidad.
Memorias dinmicas (DRAM):
El elemento de almacenamiento en un condensador.
Es necesario recargar los condensadores, en caso contrario se pierde la
informacin. Este proceso se denomina refresco. Requiere un CI adicional.
Ventajas: Integracin grande y bajo precio.
Inconveniente: Necesidad de refresco.
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Clasificacin de las memorias: RAM (III/IV)
Memorias SRAM: Ms rpida que la Celdas de
DRAM. Menor almacenamiento
capacidad que la mediante flip-flop
SRAM asncrona: DRAM. Se emplea a
menudo como
Su funcionamiento no est sincronizado con memoria cach
el reloj del sistema. SRAM
SRAM SRAM
SRAM sncrona de rfaga: asncrona sncrona de
Est sincronizada con la seal de reloj del No sincronizada rfagas
con reloj del Sincronizada con
sistema para operar ms rpidamente. sistema reloj del sistema
Las seales (direcciones, datos, control) se
capturan en unos registros internos
sincronizados con la seal de reloj.
Existen dos subtipos: de flujo directo (sin
registro en lneas de datos) y con pipeline
(Con registro en las lneas de datos).
Modo rfaga: permite leer hasta 4 posiciones
de memoria consecutivas.
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Clasificacin de las memorias: RAM (IV/IV)
Memorias DRAM:
Ms lenta que la Celdas de
FPM DRAM (Fast Page Mode): SRAM. Mayor almacenamiento
Se basa en la mayor probabilidad que existe de acceder capacidad que la mediante
a posiciones consecutivas. SRAM. Se emplea condensador. Debe
como memoria refrescarse
La direccin de fila se fija, y se incrementa la de principal
columna.
El acceso es ms rpido que en modo aleatorio puro. DRAM
ROM
Memoria
de slo
lectura
PROM
PROM
ROM Borrable
ROM Borrable
programable mediante luz
de mscara elctricamente
(PROM) ultravioleta
(EEPROM)
(UV EPROM)
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Clasificacin de las memorias: ROM (II/II)
ROM de mscara:
Se graba en el momento de fabricarla.
Bajo precio para grandes series.
La clula de memoria es un transistor.
PROM (Programmable):
Programable en el laboratorio.
No se puede reprogramar.
EPROM (Erasable Programmable):
PROM en la que se puede borrar su contenido y volver a programarla.
Existen dos tipos:
UV EPROM (Ultra Violet EPROM): Hay que extraerlas del circuito final para borrarlas y
reprogramarlas.
EEPROM (Electrically EPROM): Se pueden programar elctricamente, incluso en el
mismo circuito final.
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El chip de memoria: Terminales de una memoria
Vcc GND
A0 D0
A1 D1
Am-2 Dn-2
Am-1 Dn-1
CS
R/W
OE
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El chip de memoria: Control del chip
Interior del chip Exterior
Circuito de lectura
Terminal
Circuito de escritura de datos
Di
CS
OE
L L X On Triestate Escritura
L H L Triestate On Lectura
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Estructura interna de una memoria (I/IV)
Elementos: Opcionalmente:
Matriz de clulas bsicas Lgica de seleccin
Organizacin por filas y columnas Circuitos adicionales que conectados al
Facilita el diseo con muchas clulas bus de direcciones permiten seleccionar
(activar) otros chips a travs de CS
Decodificadores de filas y columnas
Permiten la seleccin de una posicin Terminales de E/S
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Estructura interna de una memoria (II/IV)
RAM 64Kx1 DI
(CY7C187)
INPUT BUFFER
A12
ROW DECODER
SENSE AMPS
A13
A14
A15 256x256
A0 ARRAY DO
A1
A2
A3
CE
POWER
COLUMNDECODER DOWN
WE
A10
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A11
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Estructura interna de una memoria (III/IV)
RAM 256Kx4
(CY7C106B)
INPUT BUFFER
A1
ROW DECODER
A2 I/O3
SENSE AMPS
A3
A4 I/O2
A5 512 x 512 x 4
A6 ARRAY
A7 I/O1
A8
A9 I/O0
POWER
COLUMN DOWN
DECODER CE
WE
A 10
A 12
A 13
A 14
A 15
A 16
A 17
A0
A 11
OE
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Estructura interna de una memoria (IV/IV)
RAM 2Kx8
(CY7C128A)
I/O0
INPUTBUFFER
I/O1
A10
A9
ROW DECODER
I/O2
A8
SENSE AMPS
A7 I/O3
128x16x8
A6 ARRAY
A5 I/O4
A4 I/O5
CE I/O6
POWER
WE COLUMN
DOWN
DECODER
OE I/O7
A3 A2 A1 A0
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Cronogramas de acceso: notacin
Notacin:
Alta impedancia
Estado de alta impedancia
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Cronogramas de acceso: lectura (RAM/ROM)
Tiempo de acceso de lectura: tiempo mnimo desde que se inicia la
lectura hasta que el dato est en los terminales.
Tiempo de ciclo de lectura/escritura: tiempo mnimo entre dos inicios
de lectura/escritura.
Tiempo acceso de lectura Tiempo de ciclo lectura
Tiempo de ciclo de lectura
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Cronogramas de acceso: escritura (RAM)
Tiempo de acceso de escritura: tiempo mnimo desde inicio de
operacin hasta que el dato se almacena.
Tiempo de ciclo de escritura (tWC)
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Memorias RAM estticas: el chip (I/II)
+Vcc
Datos Datos
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Memorias RAM estticas: el chip (II/II)
Ejemplo de estructura de
Seleccin de fila 0
celdas 4xn.
Seleccin de fila 1
Las celdas de la misma fila
Seleccin de fila 2
comparten la lnea de
seleccin.
La seal R/W indica el Seleccin de fila n
sentido de la operacin.
R/W Buffers de entrada/salida de datos y control
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Memorias RAM estticas: estructura
Ejemplo de estructura de SRAM sncrona de rfaga
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Memorias RAM dinmicas: el chip (I/III)
Fila
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Memorias RAM dinmicas: el chip (II/III)
30
Memorias RAM dinmicas: el chip (III/III)
31
Memorias RAM dinmicas: estructura
Estructura de
una memoria
DRAM.
Las lneas de
direcciones van
multiplexadas.
RAS: validacin de
direccin de fila.
CAS: validacin de
direccin de columna.
Ciclos de lectura,
escritura, modo
pgina y refresco.
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Memorias RAM dinmicas: cronograma (I/III)
Ciclo de lectura
33
Memorias RAM dinmicas: cronograma (II/III)
Ciclo de escritura
34
Memorias RAM dinmicas: cronograma (III/III)
35
Memorias RAM dinmicas: refresco (I/IV)
36
Memorias RAM dinmicas: refresco (II/IV)
Refresco a rfagas y distribuido:
2 ms
Refresco
0 1 2 3 254 255 0
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Memorias RAM dinmicas: refresco (III/IV)
Tipos de refresco:
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Memorias RAM dinmicas: refresco (IV/IV)
Factor de calidad de memorias DRAM:
Porcentaje de tiempo que se dedica a la operacin de refresco. Mejor
cuanto ms bajo.
N ciclos _ de _ refresco _ en _ un _ periodo _ de _ refresco
Factor _ calidad = 100
N ciclos _ de _ memoria _ totales _ en _ un _ periodo _ de _ refresco
Ejemplo:
Periodo de refresco: 2 ms
DRAM de 256 filas
Ciclo de memoria: 200 ns
256
Factor _ calidad = 100 = 2,56%
2 10 3 / 200 10 9
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Memorias ROM: el chip
Fila Fila
+VDD +VDD
40
Memorias ROM: estructura (I/II)
Ejemplo de esquema
de ROM de 16x8 bits
41
Memorias ROM: estructura (II/II)
Ejemplo estructura de
una ROM de 256x4 bits A0
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A1 Decodific. Matriz de memoria
Direccin lneas
A2 de filas a 1
de fila
A3 32 de 32 x 32
A4 filas
A5
Direccin Decodificadores de columnas (4
A6
de columna decodificadores 1 a 8) y circuitos de E/S
A7
Habilitacin E0
de chip E1
Buffers
de salida
O3 O1 O2 O0
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Memorias PROM: el chip
43
Memorias PROM: estructura
Ejemplo de matriz
PROM
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Memorias EPROM: el chip (I/II)
Erasable Programmable Read Only Memory
Son programadas por el usuario
UV EPROM:
Tiene una ventana de cuarzo en el encapsulado.
Exponindola a luz ultravioleta durante unos minutos se elimina
la carga de las puertas de los transistores.
Con el paso del tiempo la luz ambiente puede borrarla.
Necesario extraerla del circuito para borrarla y reprogramarla.
EEPROM:
Se borran mediante impulsos elctricos.
Se pueden reprogramar en el propio circuito final.
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Memorias EPROM: estructura
CE/PMG
Vcc = +5V
&
EN VPP= +5V
OE Vss= Gnd
Memorias EPROM: cronograma
OE tS(A)
th(E)
tS(E)
th(D)
tS(VPP
CE/PGM )
tS(D)
VPP
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Memorias Flash: el chip (I/IV)
Son memorias de lectura/escritura, de alta densidad, no voltiles.
Fuente
49
Memorias Flash: el chip (II/IV)
+VPRO
G
0V
Para almacenar un 1 no se
aaden cargas
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Memorias Flash: el chip (III/IV)
+VREAD
+VRead I
0V 0V
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Memorias Flash: el chip (IV/IV)
+VERASE
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Memorias Flash: estructura
Slo se accede a una lnea en
+V +V
cada acceso
Carga activa
Si el transistor tiene un 1,
Comparador
conduce y la corriente provoca Referencia
cada de tensin en la carga Lnea de bit
activa Seleccin
fila 0 Lnea de bit
La tensin se compara con una
de referencia.
Seleccin
fila 1
Seleccin
fila n
Seleccin Seleccin
columna 0 columna m
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Memorias Flash: comparacin
Tabla comparativa de las memorias Flash respecto a RAM Y ROM
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