NOIUNI DE FIZICA DETECTORILOR NUCLEARI

Procesul fundamental al interaciunii radiaiilor nuclere cu material, este dat de

faptul c energia implicat n procesul de interaciune este mai mare dect energia
de legtur a electronilor din atom i poate genera schimbri sau transformri n
structura atomilor componeni ai substanei.
mecanismele de interaciune a radiaiilor nucleare cu materia care stau la baza
deteciei acestora, sunt ionizarea i emisia/conversia luminii

Mecanismul de Tip de detector Mediul Nr.electroni/fotoni

interaciune liberi per cm
Ionizare Gazoi gaze nobile, <10
hidrocarburi
Solizi siliciu, germaniu <10
Camere cu bule hidrogen lichid urme de bule
Emisie/conversie Scintilatori sticl, plastic ~102
de lumin Fotomultiplicatori cadmium, pamnturi ~103
rare
Detectori Cerenkov gaz, plastic ~102
 Parametrii unui detector de radiaii

Sensibilitatea -numrul minim de cuante/particule detectate pentru un anumit

cmp de radiaie (capacitatea acestuia de a detecta i msura radiaiile de interes n
prezena zgomotelor i a semnalelor cauzate de alte radiaii).
Rezoluie energetic -precizia cu care detectorul poate msura energia radiaiei i
capacitatea de discernere ntre diferite tipuri de radiaii observate, pentru un fascicul
monoenergetic dat.
Funcia de rspuns - relaia dintre energia iniial a cuantei/particulei i
intensitatea impulsului de ieire. Dac nimea impulsului sau aria acestuia crete
liniar cu energia depozitat n materialul detectorului - detectori spectrometrici. Dac
dau acelai impuls pentru oricare particul detectat (numrtori).
Eficiena-fraciunea de radiaii din numrul incident, care este nregistrat de
detector. Aceast caracteristic are dou componente: eficiena intrinsec (fraciune
de particule/cuante care interacioneaz cu volumul detectorului i este detectat) i
eficiena geometric (unghiul solid sub care este observat sursa)
Timpul de rspuns- durata dup care detectorul genereaz un impuls n urma
interaciunii unei cuante de radiaie cu materialul sensibil al acestuia.
Timpul mort- intervalul de timp dintre nregistrarea a dou cuante/particule (timpul
n care detectorul nu nregistreaz). Acest caracteristic este dat printr-o valoare
medie.
 Ionizare Scintilaie

Tip detector G-M Proporional Semicon. NaI:Tl Plastic

Rspuns fixat liniar liniar liniar liniar
Rezoluie nu 10-15% 0.2-0.3% 5-10% 15-20%
Timp de rspuns 100s 30-50ns 100ns 100ns 1-2ns
Timp mort 300s 100ns 1-10s 1s 10ns
Eficien , >90% >90% ~100% ~100% ~100%
MeV 1-2% 1-2% 20-80% 30-100% 5-15%
keV ~10% ~10% 100% joas joas
 detectori cu gaz
Detectori de ionizare
detectori solizi (cu semiconductori)

Proces de generare de sarcini (ioni pozitivi i negativi, electroni i goluri)

Ep -energia total pierdut n detector

sarcin electric generata
-eficacitatea de colectare
w-energia formrii unei perechi de
Q = 1.60 10 19 E p w 1 sarcin
(depinde de tipul i natura materialului
detectorului)
Q
curentul generat - puls de sarcin i=
t
printr-o rezisten (rezisten de sarcin) - produce un puls de tensiune

Q
V = R
t
constituie un semnal pentru preamplificator
Detectori cu gaz - generare de perechi de ioni - energia efectiv de formare a
unei perechi de ioni 35.5 eV
Micarea electronilor liberi i a ionilor din gaz sub influena unui cmp electric (E)
[viteza de drift (v)], induce pe electrozii detectorului, un semnal de curent electric.
qe 1 E
v= E= - mobilitatea electronilor la presiune (p) dat
m p p

Ionii formai, se vor deplasa ctre anod (ionii negativi) respectiv ctre catod (ionii
pozitivi), conducnd la formarea unor pulsuri de sarcin.
Colectarea sarcinilor generate ntr-un detector cu gaz, este puternic dependent
de cmpul electric (tensiunea) aplicat
 Camera de ionizare
Incint umplut cu gaz n care se gsesc doi electrozi

Tensiune continu cu valori cuprins ntre 100-500 V

condensator de capacitate C, care stocheaz o sarcin: Q=CV
2 2
Energia stocat W = C V Q
= Intensitatea curentului - invers
2 2C proporional de ptratul distanei dintre
q0V
Curentul colectat i= 2 ( + + ) electrozi i de presiunea gazului -
d P colectarea sarcinii se face prin
integrare sau adunare iar curentul total
este msurat n funcie de timp
 Contorul proporional
Tensiune aplicat mai mare (300-600 V) - multiplicare a sarcinilor M=exp(r)
- coeficient Townsend - depinde de natura gazului i de energia ionilor
pentru un raport E/p dat, depinde liniar de presiune
E
= f ( ) p
p

semnalul este obinut prin colectarea sarcinilor ionilor

pozitivi.

i=
q0
V P
( ) q
E +2 + + E 2 = 0 E +2 +
V P
sarcina total colectat n unitatea de timp


t
q 0 +V 1 + 2 +V t
dt ' q0
Q(t ) = = ln
r2 r 2 + 2 +V
2
r2 2 r2
0
p ln 1 2 ln r1 p ln
r2 r r1
r1 p ln 1
r1
 Contorul Geiger- Mller

Regimul de funcionare - zona superioar a contorilor proporionali

Gazul constituent al tuburilor Geiger-Mller - un gaz nobil cu potenial de

ionizare mare (n special, argon sau heliu), aflat la presiune mai joas
dect presiunea atmosferic

gaze de stingere (molecule organice -alcooli) - stoprea efectului Tanwsend prin

absorbia radiaiilor X caracteristice produse n procesul de ciocnire a ionilor
pozitivi cu peretele catodului si previne generarea de noi ionizri ca urmare a
mprtierii ionilor pozitivi pe perii catodului.
 Detectorii cu semiconductori

Semiconductorii - materiale cu rezistivitatea cuprins ntre cea a conductorilor (de

exemplu cupru 10-8 m ) i cea a izolatorilor (rezistivitatea cuarului: 1012 m). Valorile
tipice ale acestora sunt de 103 m pentru siliciu i de 0.6 m pentru germaniu

Donor de tip n - atom pentavalent (de exemplu fosforul) - formeaz patru legturi
rmnnd un electron slab legat plasat pe un nivel energetic aproape de banda de
valen
Acceptor tip p - atom trivalent (de exemplu borul) - o legatur rmne nesatisfcut,
obinndu-se un gol (impuritate de tip p) anihilat de un electron
Unirea suprafeelor celor dou tipuri de structuri se obtine o jonciune p-n
 Nivele energetice n semiconductori de tip n i

(a) separai

(b) n contact (jonciune)

Gradul de ocupare a nivelelor energetice - este dat de distribuia Fermi-Dirac

1
f D (E) =
E EF EF este nivelul Fermi
1 + exp
kT
Rezistivitatea - depinde de concentraia electronilor liberi (nn) i a gourilor(np)
i de mobilitatea acestora

1 EC E f
= nn = N C exp
e(nn n + n p p ) kT
E f EC
n p = N V exp
kT

NC,V i EC,V -densitile de stri i energiile din banda de conducie si valen

grosimea barierei depinde de rezistivitate, tensiunea aplicat i mobilitatea

purttorilor de sarcin,

d = (2 s V )
1
2

Interaciunea unei radiaii nucleare cu semiconductorul, genereaz electroni n

banda de conducie i goluri n banda de valen care vor fi colectai i transformai
n semnal ca urmare a scderii rezistivitaii jonciunii.
 n funcie de numrul de perechi de sarcin formate (care sunt dependente de
energia radiaiei), avem intensiti diferite ale impulsurilor nregistrate. Identificarea
tipului de paricule se face conform relaiei Bethe( pierderea de energie)
dE
E = const . M Z 2
dx
Dou tipuri de materiale semiconductoare: Siliciu si Germaniu
Tipuri :
Barier de suprafa (SSB) - monocristale subiri din siliciu pur de tip n cu
rezistivitate mare (103cm), pe feele cruia care sunt depuse dou contacte de aur
i aluminiu
Diode PIN - suprapunerea a trei straturi semiconductoare, respectiv tip p, intrinsec i
i tip n (PIN).
Detectori Si(Li) prin driftarea atomilor de litiu n structura cristalin a
semiconductorului de tip p, atomii de litiu cedeaz un electron in banda de conducie
i devin ioni. Detectori pe baz de drift de atomi de litiu sunt de tip Si(Li) si Ge(Li).
puriti nalte - (detectori hiper-puri tip HPGe sau HPSi) nu necesit rcire permanent.

Geometria tipic a unui detector cu semiconductor

 Detectori cu scintilaie

Fundamentul detectorilor cu scintilaie - fenomenul de generare de lumin vizibil

sau ultraviolet (scintilaie) ca urmare a ineraciunii radiaiei ionizante cu unele
substane

Procesul const n tranziiile dintre strile excitate a nivelelor electronice n starea

fundamental

Materialele scintilatoare - substante organice sau anorganice aflate n stare solid,

lichid sau gazoas

Scintilatori organici

Detectori

Scintilatori anorganici
 Scintilatori organici

nivele de interes sunt cele ale moleculelor individuale

n funcie de nivele ntre care are loc tranziia

fluorescen S 01 S 0 n

fosforescen T01 S 0 n

fluorescen ntrziat - S1n T1n

 Caracteristici ale scintilatorilor organici

Material Densitatea max (nm) Constanta de Intensitatea

(g/cm2) dezexcitare (ns) relativ
Antracen 1.25 440 32 100

Stilben 1.16 410 6 60

Plastic 1.06 350-450 3-5 28-48

Lichid 0.86 355-450 2-8 27-49

Organic Plastic Lichid

 Scintilatori anorganici

monocristale ionice (de obicei sruri alkaline)

structura elctronic format din banda de valen i banda de conducie.
intermediar - banda interzis cu o valoare destul de mare (de circa 5 eV).

defecte sau impuriti controlate (activatori) n structura cristalului (n mod obinuit

taliu) conduce la formarea unor nivele energetice n banda interzis

La trecerea unei radiaii prin materialul cristalin, se creaz excitoni (perechi electron-
gol) cu propria structur de benzi, care se pot mica liber n cristal. Interaciunea
acestora perechi electron-gol cu atomii activatori (Tl) duce la excitarea nivelelor
electronice ale acestora din urm. Prin dezexcitare se emite o scintilaie
 Principalele cristale de scintilatori anorganici
Densitatea max (nm) Timp dezexcitare Fotoni per
Material (g/cm2) (ns) MeV
NaI(Tl) (20C) 3.67 415 230 38000
NaI pur (-196C) 3.67 303 60 76000
CsI(Na) 4.51 420 630 39000
CsI(Tl) 4.51 540 800 60000
CsI pur 4.51 315 16 2300
BaF2 4.9 310 630 10000
CsF 4.64 390 2 2500
CeF3 6.16 340 27 4400
Lu2SiO5(Ce) 7.4 420 40 30000
 Fotomultiplicatorul

conversie a luminii emise de scintilator n impuls electric

principale componente - tub vidat
fotocatod
electrozi de focalizare
multiplicator de electroni (sistem de dinode)
anod colector