UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

CURSO: ELECTRNICA ANALGA

FASE III

PRESENTADO POR:

YUNIS JOSE MADRID GUTIERREZ

CC 1193456497

TUTOR

GRUPO:

NOVIEMBRE DE 2017
 INTRODUCCIN

Dentro de esta temtica correspondiente a la unidad tres, se manejan diferentes conceptos

relacionados con Diodos, Transistores y Amplificadores Operacionales, estas temticas nos
han ayudado a desarrollar las diferentes etapas correspondientes a la construccin de una
fuente reguladora de voltaje con todas sus caractersticas fundamentales como son los
amplificadores operacionales diseo de circuito regulador de tensin, elementos de control
de carga, caractersticas del transistor Darlinton N6059, este ltimo siendo fundamental
para la construccin de dicha fuente se procede a realizar los diferentes clculos de valores
de resistencia de carga, y por ltimo la proteccin que puede brindar este dispositivo para
los diferentes dispositivos en el que se empleara dicha fuente
EL ELEMENTO DE CONTROL

El amplificador operacional no tiene la propiedad de poder manejar grande corrientes en su

salida es por ello que al disear un circuito regulador de tensin se emplean transistores
como elementos para el control de la carga, los transistores ofrecen la solucin para lograr
tener corrientes altas en la carga.
Para el diseo de la fuente de alimentacin se solicita se emplee un transistor Darlington y
en las libreras de componentes de PSpice se cuenta con el transistor Darlington cuyo
nmero de referencia es 2N6059 es necesario comprobar si este transistor es adecuado
usarlo en el diseo del regulador serie teniendo en cuenta los parmetros de la hoja de
caractersticas dada por el fabricante frente a los requerimientos del diseo.

3.1 De la hoja caracterstica del Transistor 2N6059 completar la siguiente tabla:

LC Hfe VCEO Ptot IB

12A Min 100 v 100 v 150 W 0.2A

3.2 Teniendo en cuenta que se requiere una corriente de carga IL= 920mA y se conoce
tambin el voltaje de salida regulado calcular el valor de la resistencia de carga R L.
Formula:
v
Rl=
I

8v 8v
Rl= = =8,7
920 mA 0.920 mA

RL

8.69
3.3 con el objetivo de conocer si el transistor 2N6059 soporta la potencia que se disipara
para una corriente de carga de 800mA o calcular el valor de la potencia disipada en el
transistor teniendo en cuenta las siguientes formulas:

PD= VCE IL

VCE = VS - Vsal

Datos:

IL=920mA

Vsal=8v

VS =18.6v

Primero hayamos el valor de VCE.

VCE=18.6v-8v=10,6v

VCE=10,6v

Ahora procedemos a encontrar el valor de PD.

PD=10.6v*0.92mA

PD=9,68w

PD

9,68w
3.4 Luego ya se puede afirmar si el transistor 2N6059 es apto para usarse en la prctica o
no justifique su respuesta:

S No

Debido a que el valor calculado tericamente es inferior al soportado por el transistor

2N6059, segn tabla del fabricante.

LA PROTECCIN CONTRA CORTO CIRCUITO

Finalmente con el objetivo de proteger los dispositivos que conforman la fuente de

alimentacin es necesaria la implementacin de alguna tcnica de proteccin contra corto
circuito, es por ello que se usara el arreglo de limitacin constante de corriente el cual para
este diseo limitara 1.35Amperios la mxima corriente a circular en la carga lSL
3.5 Calcule el valor de Rlim:

Formula:
VE
Isl=
LC

Datos:

Voltaje base emisor VE = 0.7 V

Limitacin de corriente LC = 1.4
0,7
Isl= =0.51 A
1.35

RLim

0.51 A

3.6. Explique cmo funciona esta tcnica de proteccin y cul es su principal desventaja.

R/. En nuestro sistema el limitador de corriente constante est formado por un

lim
transistor Q2 y la resistencia .
R
lim
La corriente de carga atreves de la resistencia crea una cada de voltaje
R
entre la base y el emisor del transistor Q2. Cuando la corriente alcanza un valor
lim
mximo predeterminado la cada en la resistencia basta para polarizar en
R
directo la unin base-emisor del transistor Q2, hacindolo conducir.

Por lo que hace que la corriente de base y la corriente del emisor del transistor Q1
disminuyan, y as se controla la corriente de carga para que no pase de un valor
mximo predeterminado.
.