Sunteți pe pagina 1din 15

Introducere

Comutatorul stare solid este inima convertoare de putere zilele noastre. Convertoare de
putere au multe aplicaii, de exemplu tensiunea de alimentare pentru motoare i linii de
transmisie. n funcie de cererile de comutare de frecven i putere a transformat, alegerea
schimbrilor trece de la MOSFETs de putere pentru putere redus, frecvene ridicate la
poarta Tiristoare (GTO) pentru putere mare si frecvente joase. Criteriile de selecie sunt de
comutare pierderi minime globale, protecia pasiv a construit-in mpotriva conditii de
circuit extraordinare, probleme de fiabilitate pe termen lung, i, desigur, preul a
comutatorului.
Pierderile minime generale pentru comutatorul sunt determinate de compromis ntre static
(la stat) pierderile i de comutare (n special turn-off) pierderile, iar este problema cea mai
mare parte acoperite de acest raport.
GTO a fost deja nlocuit n mare msur n cazul n tensiunea dispozitiv de blocare este
mai mic dect 4500V ctre IGBT plan. nlocuitori pentru GTO pentru dispozitive cu
tensiuni mai mari de blocare au fost solicitate n ultimii ani, n principal din cauza
circuitelor complexe necesare pentru a conduce, dar i pentru c mecanismul de oprire a
GTO folosit pentru a fi uor diferit i mai mult lossy stat direct din domeniu. Foarte
recent, hard-driven GTO, numit GCT, a schimbat comportamentul de oprire a GTO, care a
adus pierderile turn-off stabilite pentru acest dispozitiv, i, prin urmare, n principal,
scumpe limitele de circuit de conducere acest dispozitiv astzi.
Un candidat pentru nlocuirea GTO investigate astzi este planar izolat Gate Bipolar
Transistor (IGBT), din cauza tehnologiei sale de fabricaie n mod rezonabil simplu, sa
built-in de protecie mpotriva condiiilor de scurtcircuit i simplitatea circuitelor necesare
pentru a conduce. Dezavantajul IGBT de astzi este c modulation1 conductivitate este
prea mic n partea catod a dispozitivului, ceea ce duce la o partajare optimizat ne-a
static (de la stat) si comutare pierderi n aparat. Nivelurile plasmatice la limitele sunt
corelate cu eficiena injectarea prezentei tip purttor, adic electronii la catod i gurile la
anod, i, astfel, se poate referi, de asemenea, la creterea injectarea electroni al
dispozitivului.
IGBT Trench-gated (TIGBT) permite o astfel de cretere a eficienei de injecie, conducnd
spre o distribuie de plasm comparabil cu GTO, ns cu preul unei mai complex, si astfel
mai scumpe, tehnologie, precum i pierderea transmite de nalt tensiune caracteristic de
saturaie curent -biased ntlnite n IGBT; o caracteristic care este utilizat de designerii de
circuit de protecie scurtcircuit.
Cnd permind comutarea dispozitivelor lipsite built-in de protecie scurtcircuit, MOS-
gated thyris- structuri TOR (MGTs) devin interesante, deoarece acestea ofer un mijloc de
cretere a modulrii conductivitate la marginea catod (prin adugarea unui electron
emitoare de jonciune), pentru a cost tehnologiilor sczute i simplu circuitele unitate de
IGBT, n timp ce nu neaparat a avea un scurtCircuit Safe Operating Area (SCSOA)
comparable to the IGBT. There is a large number of MGTs reported in the literature: EST,
BRT, MCCT, MCT, FiBS, MGCT, IGTH, as well as re- lated structures with slightly
modified names. This work is aimed at evaluating the feasibility of a few of the reported
MGTs for application in a 4000V, clamped inductive load switching environment, and to
compare the properties of these devices to the planar and trench IGBT.
Inchiderea dispozitivelor de putere bipolare
Un dispozitiv bipolar in-stat pe are electroni i goluri injectate in ea din pri opuse (numit
catod i anod, respectiv), care sprijin o plasm conductoare, n care concentraiile gaura i
electroni sunt egale. Tensiunea n aceast regiune bipolar depinde concentraia de guri i
electroni, adic concentraia plasmatic, ci i pe raportul dintre curentul de electroni pentru
curent gaura, deoarece electronii au o mobilitate mai mare dect guri. Prin urmare,
tensiunea pe-stat vor fi mai mici pentru un dispozitiv cu o densitate de curent de electroni
mai mare la un total de raportul actual densitate, adic un electron eficien mai mare de
injectare la catod. Eficiena injecie electroni se reflect n nivelul plasmatic pe partea
catodului, ceea ce nseamn c, dac proprietile anodului sunt meninute constante, se
poate solicita dispozitivul optim de privirea de la nivelul plasmatic la catod.

Pe de alt parte, distribuia de plasm pe stat determin pierderile turn-off a aparatului. n


aceast lucrare, un model analitic, innd seama de importanta fizica in timpul perioadei de
tensiune cretere de comutare inductive a fost dezvoltat, pentru a analiza modul n care
plasma pe stat afecteaz pierderile turn-off. Modelul calculeaz creterea dependent de
timp tensiune pentru o tiv inducie comutate dispozitiv bipolar, cu injecie de electroni
ntrerupt la t = 0. Expresia obinut este comparat cu simularea la dou densiti de
curent diferite n figura 1 (a), i deoarece poate fi vzut, acordul este acceptabil. n figura 1
(b), modelul analitic este aplicat la dou distribuii diferite plasma pe-stat, cu exact acelai
coninut de ncrcare, reprezentnd dispozitive cu emitori bune i rele de electroni.
Conform modelului, distribuirea plasma corespunztoare unei emitator electron bun
genereaz pierderi mai mici la fiecare punct de timp dect un emitator de electroni ru,
prezentate n figura 1 (b). Timpul dup atingerea tensiunii de prindere, nu este tratat aici,
adic comutarea curentului dioda i faza-coada actual a IGBT. Se poate spune, totui, c
plasma rmas dup tensiunea fixare se ajunge va determina lungimea i amplitudinea
coada curente, i c dispozitivul ajunge tensiunea de prindere I va avea taxa mai stocate,
adic emitor electroni ru este mai ru, de asemenea, n acest sens.

Pentru dispozitivele fr un control complet al emisiilor de electroni, de exemplu BRT,


electronii pot fi injectate n timpul creterii tensiunii continue. Efectul de electroni injectai
la oda cath- provoac abatere de comportament ideal prezentat mai sus. n prezena
avalanche- ncrcare generate, electronii vor fi introduse, de asemenea aproape de
contactul catodic. Astfel electronii injectat ncetini rata de cretere de tensiune, i n limita,
unul sau ambele aceste dou procese ncetinete creterea tensiunii la zero, ajunge astfel la
o nou condiie staionar fr transformat aparatul - care duce la funcionarea defectuoas
a circuit sau dispozitiv de distrugere n cel mai ru caz. Limita este numit Safe zona de
operare Reverse-Bias (RBSOA). n general, atunci cnd trecerea la tensiuni mult sub
dispozitivele de blocare tensiune static, RBSOA este determinat de dispozitivul de
blocare-up de tiristoare parazitare sau principale, iar la trecerea tensiuni mai aproape de
tensiune nominal, avalansa dinamic limiteaz dispozitivul.
(a) (b)
4000 4000 0.07
3500 3500

Accumulated losses [J/cm2 ]


0.06
Anode voltage [V]

Anode voltage [V]


3000 3000
0.05
2500 2500
0.04
2000 2000
L
0.03
1500 1500 o
1000 0.02 s
1000
500 0.01 s
500
0 0.0 e
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 0 s
time [s] 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
time [s]
(
Figura 1:
(a) V (t) urme de modelul analitic i de simulri turn-off de 10 i r
40A / cm2 vs 3600V. i
(b) Urmele modelului analitic aplicat dou butions plasm la stat distri- cu acelai coninut g
total de ncrcare. h
t
)

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT V


o
IGBT a fost prezentat n 1980, combinnd pierderea low-turn off i controlul uor al l
MOSFET de putere cu joas tensiune la stat asociat cu dispozitive bipolare. Caracteristicile t
IGBT sunt impedana mare de intrare (control de tensiune), funcionarea stabil n timpula
turn-off din cauza controlului asupra MOS injectarea de electroni i posibilitatea de nalt g
tensiune de saturaie curent. IGBT este disponibil pe pia astzi pentru blocarea tensiunie
pana la 4500V; un IGBT cu mai mult de 6000V tensiune de blocare este de ateptat n
(
viitorul apropiat, iar dezavantajul cel mai sever de IGBT n acest interval de tensiune este
l
de nalt tensiune de la stat, comparativ cu tiristoare, din cauza injectare electroni prea
e
sczut a MOSFETs n-canal . f
Toate dispozitivele electrice moderne de ctigat din avantajul reducerii eficienei emitor t
de anod, respectiv minimizarea curentul gaura la un total raport curent n dispozitiv. )
Conceptul emitor transparent, poate fi aplicat oricrui tip de dispozitiv cu controlul
comutare pe partea catodului, i invers fr blocarea capacitate. In ultimii ani, controlul
vietii local prin iradiere particul pretenios a intrat scena dispozitiv de alimentare, ceea ce
face posibil optimizarea distribuiei plasm n dispozitivul de alimentare, precum i pentru
a minimiza i mai mult eficiena anod emitor.
Tehnologia Planar de astzi starea de IGBT de art pentru tensiune mare (mai mult de
tensiune de blocare 2500V) cerere sunt realizate cu un p difuzie dublu este prezentat n
figura 2 (a).Limea celulei IGBT este larg, peste 50 m, lungimea canalului de
aproximativ 4 m, iar adnc p-Baza care -base n jonciune aproximativ 8 m.Lat de celule-
teren este utilizat pentru dou motive; n primul rnd pentru a minimiza efectul JFET, i n
al doilea rnd, pentru a reduce densitatea de canal pentru a obine o densitate de curent de
saturaie sczut. Duble p-straturi au fost utilizate n tehnologia planar a oferi un
compromis ntre tensiunea de prag (doparea canal) i sensibilitatea la dispozitivul de
blocare-up al tiristorului parazitare format ntre n + sursa buna si anod p + -emitter
(rezistena foaiealcombinate p-straturi).
IGBT are proprieti excelente de comutare datorit controlului simpl a electronului
injecia de reglaj pentru MOSFET n-canal. n timpul lucrrilor n acest proiect, simulari,
oprii de succes au fost efectuate pn la 175A / cm2 fa de 4000V, care corespunde o
putere pornit de 700kW / cm2, care este dincolo de ceea ce este fezabil ntr-un dispozitiv
real. La mare curent densiti tiristor parazitare format ntre n + sursa buna si p + -emitter
pot pricepe, care limiteaz capacitatea de manipulare curent. Chiar dac acest lucru nu a
fost o problem n timpul simulrilor efectuate n cursul acestei lucrri, este o problem
bine-cunoscut pentru dispozitive reale.

pcnp nn pc pc
+aba
e b
-m ea n
a a
a
e
m
nsg ufnt mb
n
tuf
itt itt t
uf
o
hfe o itt
erh o
b eoa fe
b h
e
fe H
oa d d d
rrut ro orr
e
dsre d d e e o
yeec e e l
e e
g g
p a a
b
t t
e a
c e
r b c
h p a
r
a i
Figura 2: Proiect
n+ de IGBTe plane astzi la stnga (a). La mijloc (b), un posibil candidat
n ch
pentru urmatoarea
e generatie
r de IGBT plane cu celule minimizate. La dreapta (c), o celul
IGBT cu un JFET implant" adugat este redactat, care mbuntete caracteristicile nainte
l an
de (a) i (b), dar
ne s-ar putea
J da probleme cu stabilitatea cosmic-ray.
F
l E
Tehnologia Trench
Th cretere
T rapid tensiune pe-stat de IGBT cu tensiunea mai mare de
blocare a dus inla dezvoltarea
i IGBT dependente-an. Prin alinierea MOS-canalele IGBT
vertical (a se vedea
ne
figuram3), mai multe mecanisme contribuie la creterea injecia de
p
electroni la catod.
r l
a
EfectulgaJFET este eliminat,
n inversat sau redus, n funcie de cum se definete.
t
Deoarece
te nu exist nici o interaciune ntre adiacente regiunilor p-colector din
"
TIGBT, ox interpretarea itive intu- al efectului JFET din IGBT plan este pierdut, i
n
astfel TIGBT
id - ar fi mai bine nelese fr aceast concepie.
b
ae,
Geometria
s
TIGBT
h foreaz orificiile de mulimea mpreun pe colectare prin
i
care nivelul
e plasmatic
g
este crescut.
h
Prile laterale ie fundul tranee prelungi durata stratului de inversiune i
r electronic din ntreaga ntreaga an - stratul de inversiune /
facilitarea injecie
de acumulare poatec fi spus s acioneze ca n + -emitter de un tiristor.
h
a
Curentul gaura nlungul n-MOS canal voin prejudecat MOSFET i crete curentul
n
tron elec-, iare acest fenomen este accentuat n TIGBT datorit geometriei tranee
n flux direcia gurii
l

d
o
p
n
g
,

s
h
Combinaia acestor o efecte duce la o distribuie plasma tiristor ca n TIGBT, Totui, este
r
dificil s se fac t distincia efectele acestor mecanisme separat. Urmtoarele influenele de
design de pe-stat epe poate observa:
r

Adncimea anului
c trebuie s fie ct mai mare posibil. Tehnologia limiteaz adncimea
h
an. a
n
n
Distana dintre porile
e an urmeaz s fie reduse la minimum, limitat de dispo- critice
mensiuni ale tehnologiei.
l
S
m
Limeaa Trench este maximizarea, cel puin n limitele direct tehnologie fezabil, limitate
l
de capacitatea de a umple tranee cu oxid i polisiliciu materiale poarta.
l
e
r
Calitatea de canal este deosebit de dificil s se menin, datorit procesului de gravur
an, i are
m o influen mare asupra proprietilor pe-stat.
i
n
i
m
a
p-base

p-base
p-base

l c c
Dtrench

aW a
gate

gate
gate

gate
gate

gate

gate
gate

d W n t
t -tc
n source

i h
rb ho o
m
e ea ol d
n nsdl e
s ce e
c
i h a
o
n n w t
s w - ih
n i b do
- d ed
e u
b
f e
(a)
a (b) (c)
s q f q
e u e u
a a
Figura 3: Dezvoltarea r
structurii
tranees IGBT. (a) Structura convenional cu fiecares
i
an contactat pentru a catod.
p (b) conceptul IEGT, cu o fraciune a degetelor colectori
t -
conectate la catod. (c) mbuntirea
- structurii
r IEGT cu radical a scazut Poarta- t
e
colector capacitate de conectare e an neutilizate metalul catodic.
electrozi r
m n
c e
i h n
t c
t t h
e h
i
r n
- n
o -
a
u b
n t
o a
d r s
e a e
t
i n
o -
b
1 u
/
3 f
f
n e
- r
b
a p
s -
e e
n m
- i
u t
f e
f r
e
r a
n
p o
Structuri tiristoare MOS controlate
- d
n aceast lucrare, ase structuri tiristoare eMOS-controlate diferite au fost investigate e
m
folosind de simulare, i anume emitor Switched
i Tiristori Tiristori (EST), Base Rezistena
controlat (BRT), Tiristori Dual-Poarta MOS-controlat
t (DGMCT), dual MOS-dependente de
control Tiristori (dm GCT), Base-cuplat izolatet Poarta Tiristori (BCIGTH) i ntreruptor
e
bipolar filamentarea-insensibil (gogoa). rExist numeroase alte structuri raportate n
literatura de specialitate, dar aceste cinci structuri sunt reprezentative pentru diferitele
a
concepte aplicabile altor structure. n
EST a fost dat o mulime de atenie, i au ofost propuse cteva variante diferite ale structurii
fundamentale. Principiile de funcionare nu d difer de MCCT i ITT. Turn-off de pe EST
e
este foarte IGBT-cum ar fi, de exemplu, curentul de electroni de la catod este complet
controlat de un MOSFET, care s conduc la un comportament stabil-turn off. Dezavantajul
cel mai grav pentru EST este caracteristicile prezentate la densiti de curent mici. Bine-
cunoscut este faptul c EST are o cdere de tensiune mai mic dect restul dispozitivelor
bazate pe tiristor, iar la mici densiti de curent nainte EST prezint un Snap-spate
pronunat. Ca tensiunea DC-link este crescut, densitatea de curent trebuie s fie redus
pentru a constrnge puterea de comutare, i, prin urmare rele proprietile nainte de EST la
densiti de curent mici joac un rol mai mare pentru tensiuni mai mari. Concluzia este c
EST pur i simplu nu prezint o mbuntire destul de mare fa de IGBT s fie interesant
la 4000V tensiune DC-link, dei trecerea de EST este stabil i de ncredere.

c
nan
tc
+ B
rp
+
p
h
sA eC
oo b
m
un
d ia
c
r-ts
ce t n
o
ep e
e
b r
ga
ean
la b
s
Figura 4: Principiile geometria i funcionare to ale u EST. N + -emitter este
celulei
lmd
conectat dinamic la catod prin canalul e
ie MOS n, care asigur
f un seif turn-off. Din pcate,
e
provoac, de asemenea, o cdere de e ttensiune n plus fdin cauza rezistenei canal de pe-
stat. D t e
e r
r
BRT este dezvoltat din structura MCT baz, i este un tiristor adevrat fr o rezisten
serie MOSFET. Prin urmare, BRT are un mare potenial pentru joas tensiune pe-stat.
Pentru turn-off, BRT se bazeaz pe eficiena MOSFETs p-canal pentru a sparge stat tiristor
fixat, ceea ce ridic ntrebri cu privire la stabilitatea turn-off. Ca i n cazul cu MCT, prob-
leme apar atunci cnd mai multe dispozitive simple sunt comutate n paralel, din cauza
variaiilor mici induse de procesul dintre celulele cauza partajare ne-chiar curent a
celulelor, aa-numitul punerea fila- curent. n timpul acestor lucrri, transforma-off simulri
de dou structuri BRT cu proprieti tiristor variate au fost efectuate. Prin utilizarea un
design tiristoare accentuat, proprietile on-stat poate fi mbuntit la costul de
performan turn off ru. Prin urmare, de asemenea, o slab tor integrat thyris- fost simulat
pentru a stabili dac stabil turn-off ar putea fi atins. In figura 5, ieirea din simulri ale
tiristor slabe este prezentat, i se poate observa c i acest design are probleme ntrerupere
de aprare de electroni, nainte de tensiune fixare se ajunge la o 75A / cm2 de oprire ulation
sim-. Inutil s mai spunem, structura tiristor bine arat capacitatea de oprire mai ru, i nu
complet pentru a porni 50A / cm2 off versus 4000V. n timpul acestor lucrri, o structur ar
putea fi realizat, care a artat proprieti mai bune dect IGBT chiar i la densiti de curent
mai mici.
(b) (c)
20 6

Cathode electr. curr. density [A/cm2]


30--75A/cm2 vs. 4000V
turn-off of a 42mm cell-pitch BRT
n ce Ci dig

Anode voltage [kV]


pb CD A
an 0
+a dnatt vapn
anode 4
sse-ht ete
oemboe rtem b
u adr eiu
r se r tf t
Be ef
re
r
-20

2
-40 Electron current, 30A/cm2
Electron current, 50A/cm2
Electron current,
-60 75A/cm2 Voltage trace,
75A/cm2
0
0 2e-6 4e-6 6e-6 8e-6 1e-5
time [s]

Figura 5: (a) Principiile de funcionare ale BRT. Injecie de electroni este iniiat de poarta (A),
care se transform tiristor pe (BC). La rndul su, off, tensiunea de poarta este inversat, iar
curentul gaura este transportat prin canalul MOS de mai jos poarta si prin intermediul
ramificaia (D).

DMGCT este o dezvoltare n continuare a principiului EST, adic s lase curentul


emitor printr-o serie MOSFET nainte de a intra tiristor integrat. Principala diferen
este aceea c o MOSFET p-canal este utilizat, i astfel o ohmice lua plutitor (FOC)
trebuie s fie utilizate pentru a transforma curentul gaura n curent de electroni.
Conceptul permite deviere minim p-baz gaura curentul din tiristor precum lungimi
minime de canal pentru seria MOSFET, prin urmare DMGCT are o bun tensiune la
stat dect EST. Deoarece curentul emitor este complet controlat de prejudecat poarta,
DMGCT motenete funcionarea stabil turn-off a EST, i are, de asemenea s se
constate c nu tiristor parazitare este integrat n design. Preul care trebuie pltit pentru
aceste caracteristici este introducerea Foc,
adic un strat metalic al doilea, care trebuie s fie izolat din catod, ceea ce duce
masuri suplimentare de proces i creterea costurilor de producie. n aceast lucrare,
simulrile de pn la 100A / cm2 au fost efectuate fr nici o injecie de electroni
parazitare. O problem care a fost observat, totui, este un vrf foarte ascuit cmp
electric la poarta de oxid - siliciu interfa substrat MOSFET p-canal n timpul
descrcarea dispozitivului, datorit unei combinaii de o prejudecat poarta pozitiv n
timpul turn-off i cantitatea mare de gauri provenind din plasma de la stat. Acest lucru
ar putea duce la probleme de patologica poarta de fiabilitate ntr-un dispozitiv real,
dei singura consecin n timpul simulrii a fost o cantitate foarte mic de avalan
generat taxa n substrat de siliciu.

BCIGTH este o variant a IGTH, care este la rndul su, nu difer, n principiu, la
BRT.BCIGTH are un mecanism unic turn de pe acest site este activa la un anumit
voltaj colector-emitor, mai degrab dect la un anumit curent. Prin urmare, este lipsit
blocrii mare i curentul desfurarea BRT.Snap-spate este nc acolo, dar cu aproape
zero actual, ceea ce face ca dispozitivul mai uor pentru a porni-on n paralel.
Deoarece mecanismul de oprire nu difer, n principiu, de BRT, acelai curent
controlabil maxim ru este de ateptat n acest caz, de asemenea. n figura 6 este afiat
(b), incapacitatea de a transforma-off curent de electroni deja la 50A / cm2. La 75A /
cm2

dispozitivul nu opri. Preul pentru o mai bun turn-pe proprietile este pltit prin
introducerea o curea de metal, care, la fel ca n cazul DMGCT, ridic costurile de
producie ale dispozitivului.Nice turn-on, cu toate acestea, nu justific capacitatea ru-
turn off BCIGTH.
6 (b)
2 0

Cathode electron current density [A/cm ]


30A/cm

2
(a)

Anode voltage [kV]


E sour cath D n+
4 2
p 50A/cm
ce ode A emitt -20
collect
or panode n er
C
stemitter
n- Bbuff p
r
base erbase 2
a 75A/cm2 -40
p
g Voltage traces
a Current traces
0
t -60
0 2 4 6
e time [s]

Figura 6: (a) principiile de structur i funcionare ale BCIGTH. Potenialul n p-baz


(B) este cuplat prin intermediul canalului n MOS la n -base potenial (A), care declaneaz
tiristor la o anumit tensiune, mai degrab dect la un anumit curent. (b) Nerespectarea pentru
BCIGTH a opri curent de electroni atunci cnd oprirea 50 i 75A / cm2.

Cele FIBS a fost introdus in 1991, pentru a depi problemele cu filamentarea curent
asociata cu structuri tiristoare MOS-dependente. n figura 7 sunt afiate principiile
geometriei i funcionare a gogoa. Designul dopaj complex a catodului face necesar
s se foloseasc o cretere epitaxial de siliciu ca unul proces pas, care este foarte
scump. Cele FIBS funcioneaz n conformitate cu aceleai principii ca EST, dar are o
serie de avantaje fata de strmoul su. n primul rnd, n + sursa buna este izolat i,
prin urmare, nu parazitare declic-up pot aprea. n al doilea rnd, p-baz nu are nicio
legtur statice la catod, i astfel ntreaga curentul gaura constituie curentul de baz
pentru tranzistorul de sus npn a tiristorului, i astfel la stat este foarte sczut n
comparaie cu EST. n al treilea rnd, MOSFETs n-canal de alimentare n + -emitter pot
fi ambalate mai dens, care mbuntete, de asemenea, statul-pe. Rezultatul este c
FIBS arat, de fapt, cel mai bun de tensiune on-stat a tuturor investigate dispozitive de
densitatea de curent mici aplicabile comutarea la 4000V.
Cele FIBS poate fi condus cu unul sau dou semnale poarta, adic cu sau fr
posibilitatea de nalt tensiune de saturaie curent. n cadrul prezentei anchete, a fost
folosit doar un semnal poarta, iar FIBS sa dovedit a opri 125A / cm2 fa de 4000V
fr injectare de electroni parazitare. Desigur, trecerea 500kW / cm2 va provoca
avalan dinamic semnificativ i, eventual, duce la insuficienta turn-off, dar acest efect
este prezent n toate dispozitivele de putere - intrinseci robusteea-turn off al FIBS este
excelent.

DGMCT este o variant a MCT convenional, care a fost prima raportat tiristor MOS controlate. Diferena
este posibilitatea de nalt tensiune de saturaie curent de funcionarea unui al doilea poarta. Principiile
geometrice i funcionarea DGMCT sunt afiate n figura
c
g at
a is n
p + h
t nolso oB
e +ate
ur d
B Dioce
m e
it
n g
-t aC A
nbe t
buff
ano ar e
p
ersp A
de e
eb
m
itt
Figura 7: Principiile structura i afuncionarea gogoa. Gogoa este operat n acelai mod ca EST,
er
cu excepia introducerii unui al doilea poart, care pot fi controlate n mod independent, i
s
ndeprtarea tiristorului parazitare.
e

8 (a). Principiile de funcionare nu difer mult de la BRT, dar mai complex proiectare catod
doping izolate p-baza de contact catod. Acesta este motivul pentru care un tiristor adevrat
pe stat poate fi obinut cu MCT. La rndul su, off, cu toate acestea, MCT se bazeaz pe
MOSFET p-canal pentru descrcarea p-baz i rupe stat tiristor fixat, oferind MCT un
minim curent maxim controlabil ca n cazul BRT i BCIGTH. Structura simulat are cele
mai bune proprietati nainte de toate structurile investigate la densiti de curent ridicate, i
aproape cel mai bun la densiti de curent mai mici, dar curentul maxim controlabil este
prea mic. Simulrile arat c DGMCT nu turn-off curentul de electroni de la 75A / cm2.
Pentru DGMCT, un experiment cu 20 de celule paralele a fost realizat la 15A / cm2. Unul
dintre celulele au avut o n uor perturbate + -emitter, iar mprirea actual a celulelor au
fost studiate. n figura 8 (b), debutul filamentarea curent este afiat atunci cnd oprirea
numai 15A / cm2.

Concluzie
Caracteristicile nainte de toate dispozitivele simulate sunt afiate n figura 9.
lifetimechosen pentru comparaie Wass de electroni i 28 s pentru guri, iar tensiunile
poarta au fost de 15 V, dup caz. Gama actual este ales la mai puin de 200A / cm2,
deoarece nici un dispozitiv de comutare ar supravieui curenti mai mari de 4000V. La acest
nivel de curent redus, orice eventual nalt tensiune de saturaie curent nu arat cu date
tensiuni poarta, dar posibilitatea ca aceast funcie exist pentru majoritatea dispozitivelor.
Deoarece proprietile anod au fost meninut constant pentru toate dispozitivele,
tensiunile de pe-stat vor fi stabilite in intregime de proprietile catodice. Dup cum se
poate observa, n FIBS arat cel mai bine tensiunea pe-stat sub 200A / cm2, care este
oarecum surprinztor datoreaz MOSFET serie inerent proiectarea gogoa. Acesta poate fi
explicat prin densitatea mare de n-canale furnizeaz electroni la n + -emitter, i faptul c
tiristor este complet ne-scurtcircuitat la-stat pe. Pe msur ce crete densitatea de curent,
dispozitivele fr MOSFET serie n proiectarea va avea un mult mai bun de tensiune on-
stat dect ceilali.
n figura 10, tensiunea pe stat este mapat la axa x i energia turn off corespunztoare este
reprezentat pe axa y pentru toate dispozitivele simulate. Curbele de comer-off, unde neral
(a) (b)
40

Anode current density [A/cm2 ]


ng D cat
at Bho 30
e n- de
C bas pg A
pnanode
buffer
emitter P
e ate
20 e
r
t
u
10 r
b
e
0
0 2 4 6 8d
time [s]
c
e
Figura 8: (a) Structura DGMCT i principiile sale de funcionare.DGMCT este l
operat ntr-un mod similar cu BRT, dar ramificaia static este plasat n interiorul nl
+ -emitter. Cele dou pori nu pot fi operate cu acelasi semnal poarta. (b) La-set de ,
redistribuire curent ntr-un experiment cu 19 normale si 1 perturbate celule.
a
Experimentul a fost de a opri 15A / cm2 fa de 4000V. r
e
a
200
1

N
o
150 r
m
Current density [A/cm2]

a
b L l
c if
100 i e c
g ti
t m e
h e l
d : l
8 ,
50 g +
m 2
c u a
t s r
e
0 b a
0r 5 10 15
t Onstate voltage [V] 1
9
Figura 9: O comparaie da tensiunilor de pe-stat ale tuturor structurilor simulate. Se poate
m I
observa c, dei FIBS areg o rezisten serie MOSFET, caracteristicile transmite ale acestui
n
aparat este cel mai bun sub
c 200A / cm2. La densiti de curent mai mari, cu toate acestea,
i
t va fi mai bine.
dispozitivele tiristor pure t
e i
s a
t l
i
i z
g
b
e
t d

t c
g r
b r
t
e
F n
i t
B
S r
densitatea de curent la comparaia era 30A / cm2, ceea ce este un mod normal de e
fezabil de funcionare la comutarea mpotriva 4000V. Un dispozitiv este judecat dupd
cum nchis pentru punctul zero curba sa vine n acest compromis, deoarece aceasta i
sugereaz cele mai mici pierderi totale. n majoritatea cazurilor, relaia compromis poates
fi ghicit de tensiunea pe stat la 30A / cm2 din figura 9, cu o excepie de BRT, care aratt
r
cel mai ru relaia compromis, chiar dac tensiunea pe stat la 30A / cm2 este mai mic i
dect cel puin IGBT. Motivul pentru aceasta este incapacitatea de a transforma-off b
curentul de electroni, nainte de tensiune de prindere este atins, care poate fi vzut n u
figura 5. Deoarece aparatul nu se oprete ca o IGBT, relaia comer-off este mai ru t
dect cea determinat prin tensiunea pe-stat. i
0.60 o
n

0.50
Eoff [J/cm2]

0.40

0.30
b
0.20 c
i
g
0.10 t
0 2 4 6 8 10
h
onstate voltage [V]
b
Figura 10: Compromisul dintre tensiune pe-stat i transforma-off pierderi ale dispozitivelor
r
simulate.
t
Dac toate dispozitivele ar avea aceeai tehnologie, i aceeai SOA, alegerea dispozitivului ar fi
sarcina simpla de a alege cel cu cea mai mic pe stat la nivelul actual anticipat, pentru care d
motiv este explicat n seciunea 2. g
Aa cum sa artat, dispozitivele de tip MCT simulat (BRT, DG-MCT i BC-IGTH) au un MCC m
redus i sunt fiabile atunci cnd a trecut n paralel, care pune un semn de ntrebare n faa c
aplicabilitatea acestora n 4000V comutare inductiv. Desigur, un designer de circuit ar putea t
determina ca circuitul sa ofer condiii de comutare n cadrul acestor limite, care robusteea
pentru condiii deosebite nu joac un rol. n acest caz, dispozitivele cu dificulti de cotitur pe d
mai puin de dou ori curentul prospectarea ar putea fi o opiune bun. Deoarece aceste circuite m
sunt rareori ntlnite, dispozitivele mai robuste va lua cea mai mare parte a pieei. g
Dispozitivele de tip EST simulate (EST, FIBS si DMGCT) au dovedit a fi rezistente la un punct c
in care avalan dinamic i auto-nclzire asociat al limitei siliciu dispozitivul, adic la un nivel t
de densitate de putere n jurul 400kW / cm2.
EST este usor fabricat cu procesul-IGBT ca, pe care ar trebui s o competitor pentru IGBT face.
Printre dezavantajele, atacantul de completare snap-back, i discutabile pe stat.

e
s