UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

SISTEMAS DIGITALES III

TEMA:
PROYECTO Memoria SRAM

DOCENTE:
ING. CESAR E. MALAGA CHAVEZ

INTEGRANTES:

DEL CARPIO BERNEDO FABIANA

MATSUSHITA SALAS HIROSHI
PINTO GUILLEN VANESSA

Arequipa Per
2017
 Emulador de memoria SRAM de 8x8 Registros

PROCESO DE DISEO

Una memoria SRAM es ms rpida que una memoria RAM, pero es muy cara y por
ello suele ser poco utilizada, para poder implementar un emulador de una memoria
SRAM, necesitamos conocer las caractersticas fsicas, elctricas, y tcnicas de
esta, para as poder disear e implementar el emulador adecuadamente, y lograr
el mismo funcionamiento de una memoria SRAM, a un precio ms econmico.

Arquitectura externa de la memoria SRAM

1. Tarjeta: es una placa plstica sobre la cual estn soldados los

componentes de la memoria.
2. Chips: son mdulos de memoria voltil SRAM.
3. Conector (80 terminales): base de la memoria que se inserta en
la ranura especial para SRAM.
4. Muesca: indica la posicin correcta dentro de la ranura de
memoria.

Caractersticas de una memoria SRAM

1. Una memoria SRAM se clasifica en niveles:

Memoria L1: Opera a la misma velocidad del microprocesador, viene

integrada dentro del mismo y eso la hace costosa.
Memoria L2: Viene en forma de tarjetas de memoria con el objeto de
poder ser insertada en un tipo de ranura Slot. Funciona a la frecuencia de
trabajo de la motherboard.
 Memoria L3: Se agiliza el acceso a datos e instrucciones que no fueron
localizadas en la memoria L1 y L2. De no estar el dato buscado en
ninguna de las 3, entonces se tendr que acceder a la memoria RAM.

2. Son de poco uso porque su costo es elevado.

3. Se insertan en una ranura especial y cuentan con 80 pines.
4. Son memorias muy veloces, pero tienen poca capacidad de
almacenamiento.
5. Pueden ser insertadas otras memorias en la tarjeta principal.
6. Estn en la categora de lectura/escritura.
7. Su borrado es elctrico.
8. Es alterable por byte.
9. Son voltiles.
10. Su aplicacin tpica es en las memorias cache.

Funcionamiento de las memorias SRAM

La celda de memoria se carga de corriente elctrica alta cuando indica el

valor.
La celda de memoria se carga de corriente elctrica baja cuando indica
el valor.
Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la
informacin se pierde.
Este tipo de celdas no se descargan mientras la computadora est
encendida, por ello son sumamente rpidas ya que no presentan el
fenmeno de "refrescar" memoria de las memorias DRAM.

Ventajas

Velocidad de acceso alta.

Solo necesita estar energizada para la retencin de datos.
Son ms fciles de disear.
Es ms rpida y fiable que la memoria DRAM.

Desventajas

Menor capacidad porque cada celda de almacenamiento requiere ms

transistores.
Mayor costo por bit.
Mayor consumo de potencia.
Baja densidad.
Parmetros de las memorias

Capacidad de almacenamiento: La unidad prctica para medir

la capacidad de almacenamiento de una memoria SRAM es el Kilobyte
(KB) y el Megabyte (MB).
Tiempo de acceso (tacc): Es el tiempo que transcurre para que la memoria
SRAM d un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en
nanosegundos (nseg).

Aplicaciones

Es utilizada para agilizar la velocidad de acceso a datos en una

computadora.
Evita el acedo del microprocesador a la memoria RAM.
Almacena datos e instrucciones utilizados por el microprocesador.
Descripcin de nuestra memoria:
Como se podr aprecias a continuacin, en el diagrama, nuestra memoria se basa
en el uso de 3 Circuitos Integrados importantes para la implementacin del mismo,
los cuales son:
El 74138, el cual es un decodificador de 3:8, con el que se nos permitir
cumplir con el objetivo de nicamente usar 3 lneas de direccin para la
seleccin de los 8 registros del sistema.

El uso del integrado 74245, que es el buffer de carga y activacin del sistema
de registro al que se le cargara la informacin para mantener adems el
circuito activo cuando se seleccione la direccin que deseamos, adems
de impedir que los registros de memoria sean reemplazados por error con
algn otro valore ingresado.

El uso del integrado 74138, el cual ser nuestro banco de memoria en s, ya

que se basa en el uso de flipflops tipo D, el cual almacenar los datos
ingresados para posteriormente obtenerlos si lo deseamos, adems de
ayudarnos a displayarlos a pesar de cambiar de posicin en el registro.
DIAGRAMA
Anexos