Propriedades Eletrnicas

Pedro A. P. Nascente

Universidade Federal de So Carlos

Departamento de Engenharia de Materiais
13565-905 So Carlos, SP
E-mail: nascente@ufscar.br
Conduo Eltrica

Portadores de carga:
Eltron m = 9,11x10-31 kg
q = - 1,6x10-19C
Buraco eletrnico (eltron ausente na nuvem
eletrnica) q = + 1,6x10-19C
nions e ctions atuam como portadores de carga
negativos e positivos, respectivamente, nos materiais
inicos. A valncia de cada on determina a carga
(positiva ou negativa) em mltiplos de 1,6x10-19C.
Lei de Ohm: V = IR
V em volts (V), I em ampre (A) e R em ohm ().
R depende da geometria da amostra. A resistividade,
, uma propriedade que no depende da geometria
do material: =R.A/l ( em .m)
l o comprimento e A a rea da amostra.
Condutividade: = -1 ( em -1.m-1)
= n q ; n a densidade de portadores de carga (em
m-3), a mobilidade do portador (em m2/(V.s)) e q a
carga (em C). = v/E e E = V/l; v a velocidade mdia
dos portadores, ou velocidade de deriva, (em m/s) e E
a intensidade do campo eltrico (em V/m).
No caso em que os portadores de carga negativos e
positivos contribuem para a conduo,
= nn qn n + np qp p
q = Zi x 1,60x10-19 C
Zi a magnitude da valncia.
Diferena de potencial aplicada a um fio metlico.

W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering

Circuito para medir a condutividade eltrica.
J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers
Velocidade de deriva do eltron versus tempo.

W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering

 Fluxo de eltrons: J = n q v

W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering

J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers
Resistividade Eltrica dos Materiais

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

Condutores

cond 107 -1.m-1

A condutividade expressa por: = ne qe e
A resistividade eltrica de um metal puro pode ser
dada pela soma de dois termos: um componente
trmico, T, e um componente residual, r:
total = T + r
O componente trmico vem das vibraes dos tomos
em torno de suas posies de equilbrio na rede
cristalina. Com o aumento da temperatura, os tomos
vibram cada vez mais e as ondas elsticas excitadas
termicamente (fnons) espalham os eltrons de
conduo, causando um decrscimo no caminho livre
mdio e nos tempos de relaxao entre as colises,
ou seja, provocando a diminuio da mobilidade dos
eltrons de conduo.

O componente residual da resistividade eltrica dos

metais puros pequeno e causado por imperfeies
estruturais, tais quais discordncias, contornos de
gro e tomos de impurezas. O componente residual
quase independente da temperatura e s
significativo a baixas temperaturas.
A resistividade eltrica em funo da temperatura para
vrios metais.
W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering
Variao da resistividade eltrica de um metal em funo
da temperatura absoluta.

W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering

Para muitos metais a temperaturas acima de -200 oC, a
resistividade eltrica varia quase linearmente com a
temperatura:
= Ta [1 + (T - Ta)]
o coeficiente de temperatura da resistividade e Ta
a temperatura ambiente.
J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers
Os elementos de liga adicionados aos metais puros
causam o espalhamento adicional dos eltrons de
conduo, aumentando a resistividade eltrica dos
metais puros:
= 0 (1 + x), x << 1
0 a resistividade do metal puro e uma constante
para um certo sistema.
 Efeito de pequenas adies de vrios elementos na
resistividade eltrica do cobre temperatura ambiente.
W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering
Efeito de adies de zinco ao cobre puro na
resistividade eltrica do cobre.

W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering

Variao na resistividade eltrica com a composio
para o sistema ouro-cobre.

J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers

Bandas de Energia

Princpio de Excluso de Pauli: no pode haver mais

que um eltron ocupando um mesmo estado. Cada
orbital pode ser ocupado por dois eltrons com spins
opostos. No caso do tomo de sdio, o orbital mais
externo, 3s, est parcialmente preenchido por um
nico eltron.

Quatro nmeros qunticos descrevem um estado:

n,l,ml e ms.
Diagrama dos nveis de energia para um tomo de sdio
isolado.

J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers

Molcula hipottica de Na4

Os 4 eltrons mais externos no podem ocupar um

mesmo orbital e esto dispersos em quatro nveis 3s
ligeiramente diferentes (lei de Hund), resultando em
uma banda estreita parcialmente preenchida. A
mobilidade dos eltrons entre os tomos adjacentes
alta.
Diagrama dos nveis de energia para uma molcula
hipottica de Na4.

J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers

Uma extenso desse efeito visto no sdio slido. Os
eltrons de caroo no se envolvem diretamente na
ligao e seus diagramas de energia no se alteram
significativamente. Entretanto, o grande nmero de
tomos envolvidos (NA) produz um nmero
igualmente grande de disperses dos nveis mais
externos, resultando em uma banda de energia
pseudo-contnua. Como nos casos de Na atmico
(isolado) e da molcula hipottica Na4, a banda 3s est
parcialmente preenchida, permitindo uma alta
mobilidade dos eltrons de valncia atravs do sdio
slido.
Diagrama dos nveis de energia para o sdio slido.

J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers

Alargamento dos nveis de energia quando um nmero
grande de tomos idnticos da primeira fileira da tabela
peridica se aproximam mutuamente.
Os metais so bons condutores eltricos porque sua
banda de valncia est apenas parcialmente
preenchida.
temperatura de 0 K os nveis de energia na banda de
valncia esto completamente preenchidos at a
metade da banda e completamente vazios acima. O
nvel de Fermi, EF, representa a energia do estado
preenchido mais alto na banda de energia a 0 K. A
funo de Fermi, f(E), representa a probabilidade de
ocupao de um nvel de energia, E (0 f(E) 1).
Para T 0, a funo de Fermi :
f(E) = [e(E EF)/KT + 1]-1
A funo de Fermi descreve o preenchimento relativo
dos nveis de energia. A 0 K, todos os nveis esto
completamente preenchidos at o nvel de Fermi, EF, e
completamente vazios acima de EF.
J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers
A T 0 K, a funo de Fermi indica a promoo de
alguns eltrons acima de EF.

J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers

Os metais so bons condutores porque a agitao
trmica suficiente para promover eltrons acima do
nvel de Fermi.

No caso de um isolante, h um intervalo (gap) de

energia, Eg, entre as bandas de valncia e conduo.
Eg = 5,6 eV para o diamante
Estruturas de bandas eletrnicas de alguns metais a 0 K:
(a) do sdio, a banda 3s est preenchida parcialmente;
(b) do magnsio, onde existe uma superposio entre a
banda 3s cheia e a banda 3p vazia; (c) do alumnio, onde
a banda 3s est cheia e sobrepe-se com a banda 3p
parcialmente preenchida.

W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering

Estrutura de bandas eletrnicas dos materiais isolantes:
a BV preenchida est separada da BC vazia por um
intervalo (gap) relativamente grande (> 2 eV).

W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering

Variao da funo de Fermi com a temperatura para um
metal tpico (com EF = 5 eV). Observe que a faixa de
energia sobre a qual f(E) cai de 1 a 0 igual a poucas
vezes kT.
J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers
Comparao da funo de Fermi com a estrutura de
banda de energia para um isolante.

J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers

Para os semicondutores, a 300 K ocorre uma
promoo significativa de eltrons da banda de
valncia banda de conduo. Os buracos so
produzidos na BV em igual nmero aos eltrons na
BC. O silcio tem um valor intermedirio de
condutividade eltrica entre o valor dos metais e
aquele dos isolantes. Eg = 1,1 eV para o silcio.
E E F = Eg
A 300 K, f(E) = 4,6x10-48 para o diamante
f(E) = 4,4x10-10 para o silcio
Comparao da funo de Fermi com a estrutura de
banda de energia para um semicondutor.

J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers

Isolantes

10-10 < < 10-16 -1.m-1

A densidade dos portadores de carga muito pequena

devido ao gap da banda. Um pequeno grau de
condutividade devido aos eltrons associados s
impurezas do material. Pode tambm ser o resultado
do transporte inico.
Bandas de energia dos eltrons.

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

Semicondutores

10-4 < < 104 -1.m-1

Eg < 2 eV

Os semicondutores intrnsecos possuem um nmero

de eltrons de conduo igual ao nmero de buracos.
= n q (e + b)
n a densidade de eltrons de conduo (= densidade
de buracos), e a mobilidade dos eltrons e b, dos
buracos.
Os semicondutores extrnsecos possuem pequenas
quantidades controladas de impurezas.

J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers

Observa-se que e > b. O movimento de um buraco
eletrnico em uma certa direo representa um eltron
de valncia movendo-se em sentido contrrio. O
movimento cooperativo dos eltrons de valncia,
representado por b, um processo inerentemente
mais lento do que o movimento dos eltrons de
conduo, representado por e.
Semicondutores Intrnsecos e Elementares

O semicondutor intrnseco no necessita da adio de

impurezas para ter caractersticas semicondutoras. A
condutividade a soma das contribuies dos
portadores de carga negativos e positivos:
= nn qn n + np qp p
Para o semicondutor intrnseco, nn = np. Logo,
= n q (e + b)

Semicondutores intrnsecos e elementares: Si, Ge, Sn,

B e Te.
A condutividade eltrica aumenta com o aumento da
temperatura para o semicondutor intrnseco. O
nmero de portadores de carga depende da
superposio da cauda da curva da funo de Fermi
com as bandas de valncia e conduo.
n exp [- Eg / (2 k T)
Fator 2: A promoo trmica produz 2 portadores de
carga (par eltron-buraco).
e e b diminuem ligeiramente com o aumento da
temperatura. Entretanto, o aumento exponencial de n
domina a dependncia de com T:
Variao da condutividade eltrica com a temperatura
para o silcio.

J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers

Efeito do aumento da temperatura na funo de Fermi.

J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers

 = 0 exp [- Eg / (2 k T)]
0 uma constante pr-exponencial.
ln = ln 0 - Eg / (2 k T)

Grfico de Arrhenius da condutividade eltrica para o

silcio.
J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers
Concentraes de portadores em semicondutores
puros.
T. Fischer, Materials Science for Engineering Students
Semicondutores Extrnsecos e Elementares

A semiconduo extrnseca resulta de adies de

impurezas conhecidas como dopantes. O processo de
adicionar-se esses componentes chamado de
dopagem. Existem dois tipos de semiconduo
extrnseca: tipo n, em que predominam os portadores
de carga negativos, e tipo p, na qual os portadores de
carga positivos predominam.
O semicondutor intrnseco, como o silcio, tem quatro
eltrons de valncia. O fsforo um dopante do tipo n
porque tem cinco eltrons de valncia. O eltron extra
pode facilmente tornar-se um eltron de conduo.

W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering

O boro um dopante do tipo p devido a seus trs
eltrons de valncia. Esta deficincia de um eltron,
comparando-se aos quatro eltrons de valncia do
silcio, pode produzir facilmente um buraco (um
portador de carga positivo).

W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering

Semicondutores do Tipo n

A adio de um tomo do grupo VA em um cristal do

grupo IVA afeta a estrutura da banda de energia do
semicondutor. O eltron extra que no usado na
ligao produz um nvel doador, Ed, prximo banda
de conduo. A barreira de energia para formar um
eltron de conduo, Eg Ed, muito menor que no
material intrnseco, Eg.
Bandas de energia para um semicondutor extrnseco do
tipo n.

W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering

O tomo doador de impureza do grupo VA, ao perder
um eltron, torna-se ionizado e adquire uma carga
positiva.

W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering

Os eltrons de conduo fornecidos pelos tomos
doadores so os portadores de carga muito mais
numerosos. A condutividade expressa por:
= n q e
n o nmero de eltrons devido aos tomos
dopantes. Para semicondutores do tipo n temos:
= 0 exp [-(Eg Ed) / (k T)]
Nos semicondutores extrnsecos, a ativao trmica
produz um nico portador de carga, ao invs dos dois
produzidos nos semicondutores intrnsecos.
O grfico de Arrhenius ln x 1/T para um
semicondutor do tipo n apresenta uma faixa de
exausto, devida aos nveis doadores. Todos os
eltrons extras (correspondentes aos tomos do
grupo VA que foram ionizados) foram promovidos
banda de conduo.
J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers
Semicondutores do Tipo p

Na adio de um tomo do grupo IIIA a um

semicondutor intrnseco, h apenas trs eltrons de
valncia, ou seja, um a menos que o necessrio
ligao aos quatro tomos adjacentes. Em
consequncia, a estrutura de banda do semicondutor
apresenta um nvel aceitador prximo banda de
valncia. Um eltrons de valncia do semicondutor
pode ser facilmente promovido ao nvel aceitador,
gerando um buraco (portador de carga positivo).
Bandas de energia para um semicondutor extrnseco do
tipo p.

W.F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering

A condutividade expressa por:
= n q b
n o nmero de buracos.
A equao de Arrhenius para os semicondutores do
tipo p :
= 0 exp [- Ea / (K T)]
O grfico ln x 1/T para um semicondutor do tipo p
apresenta uma faixa de saturao, devida ocupao
de todos os nveis aceitadores (= no de tomos do
grupo IIIA). Como no caso do tipo n, a baixas
temperaturas o semicondutor extrnseco e a altas
temperaturas o semicondutor intrnseco.
J.F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers
Electron Energy

Conduction
Band

Donors
+ +

+ + + + Acceptors
Valence
Band

Intrinsic n Type p - Type

Mobile electrons, + Mobile holes, + stationary electrons, holes

Eltrons e buracos em semicondutores.

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

Semicondutores Compostos

Um grande nmero de compostos formados por

elementos prximos ao grupo IVA na tabela peridica
so semicondutores. Muitos deles tm a estrutura de
ZnS, que uma estrutura semelhante do diamante,
com ctions e nions alternando-se. Eletronicamente
estes compostos tm, na mdia, carter do grupo IVA.
Os compostos III-V so do tipo MX, sendo M um
elemento de valncia 3+ e X um elemento de valncia
5+. De modo semelhante, os compostos II-VI
combinam elementos de valncias 2+ e 6+.
Os compostos III-V e II-VI puros so semicondutores
intrnsecos. Eles podem ser dopados e tornam-se
extrnsecos.

Exemplos:
III-V: BP, AlSb, GaP, GaAs, InP, InAs e InSb.
II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgSe e HgTe.
Resistividade de Si e GaAs dopados.

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

Dispositivos Semicondutores

Retificador um dispositivo eletrnico que permite o

fluxo de corrente em apenas uma direo. Pode
transformar corrente alternada em corrente direta.
Juno retificadora p-n feita de um nico pedao de
semicondutor, que dopado de forma a ficar do tipo n
de um lado e do tipo p do outro.
Transistor consiste de duas junes p-n vizinhas,
formando o emissor, a base e o coletor, e atua como
um amplificador.
Separated
p and n type
Semiconductors

p n Junction

Juno p - n

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

Reverse Bias
No current

Forward Bias
Current flows

Retificador eltrico.

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

As caractersticas corrente voltagem de uma juno p-n
para os fluxos para frente e reverso.
W.D. Callister Jr, Materials Science and Engineering: an Introduction
Voltagem em funo do tempo para a alimentao a uma
juno p-n.

W.D. Callister Jr, Materials Science and Engineering: an Introduction

Esquema de um transistor de juno do tipo p-n-p.

W.D. Callister Jr, Materials Science and Engineering: an Introduction

Transistor do tipo p-n-p: (a) sem potencial aplicado e (b)
amplificao da voltagem.

W.D. Callister Jr, Materials Science and Engineering: an Introduction

Transistor de juno bipolar.

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

Transistor MOSFET (metal-oxide semiconductor field
effect transistor).

W.D. Callister Jr, Materials Science and Engineering: an Introduction

 Chip na placa me.

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

Pastilha de silcio com dimetro de 300 mm contendo
circuitos integrados.

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

Oxidize the wafer Shaping the
Apply photoresist oxide

Apply mask
Illuminate

Develop
Photoresist

Etch the oxide

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

Interconectores (aps remoo de SiO2).

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

Empacotamento (packaging).

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

Epitaxia por feixe molecular (MBE).

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students

Pastilha integrando um sensor MEMS (micro electro-
mechanical systems) e os circuitos.

T. Fischer, Materials Science for Engineering Students