La germanita es un mineral del grupo II (sulfuros), segn la clasificacin de Strunz.

Es un sulfuro
de cobre, hierro y germanio, elemento ste del que toma su nombre. Hay yacimientos en
Namibia, y la antigua Unin Sovitica.

Se obtiene de yacimientos de plata, zinc y cobre. Los nicos minerales rentables para la
extraccin del germanio son la germanita (69% de Ge) y garnierita (7-8% de Ge); adems est
presente en el carbn, la argirodita y otros minerales. La mayor cantidad, en forma de xido
(GeO2), se obtiene como subproducto de la obtencin del zinc o de procesos de combustin
de carbn (en Rusia y China se encuentra el proceso en desarrollo).

La purificacin del germanio pasa por su tetracloruro que puede ser destilado y luego es
reducido al elemento con hidrgeno o con magnesio elemental.

Con pureza del 99,99%, para usos electrnicos se obtiene por refino mediante fusin por zonas
resultando cristales de 25 a 35 mm usados en transistores y diodos; con esta tcnica las
impurezas se pueden reducir hasta 0,0001 ppm.

El desarrollo de los transistores de germanio abri la puerta a numerosas aplicaciones

electrnicas que hoy son cotidianas. Entre 1950 y a principios de los 70, la electrnica
constituy el grueso de la creciente demanda de germanio hasta que empez a sustituirse por
el silicio por sus superiores propiedades elctricas. Actualmente la gran parte del consumo se
destina a fibra ptica (cerca de la mitad), equipos de visin nocturna y catlisis en la
polimerizacin de plsticos, aunque se investiga su sustitucin por catalizadores ms
econmicos. En el futuro es posible que se extiendan las aplicaciones electrnicas de las
aleaciones silicio-germanio en sustitucin del arseniuro de galio especialmente en las
telecomunicaciones sin cable.

Adems se investigan sus propiedades bactericidas ya que su toxicidad para los mamferos es
escasa.

La fusin por zonas es un mtodo que permite purificar los lingotes de un semiconductor. Se
basa en que las impurezas se disuelven en el semiconductor fundido. Luego, si una zona
fundida avanza por el lingote, las impurezas se irn concentrando en ella, quedando a su paso
el semiconductor purificado.

La fusin por zonas se realiza en un crisol de cuarzo que se mueve con respecto a una bobina
de induccin, por la que circula corriente de radiofrecuencia que induce corrientes de Foucault
en el semiconductor, llegando a fundirlo, por efecto Joule. Al ir avanzando la bobina, la zona
fundida tambin lo hace, arrastrando consigo las impurezas, mientras el semiconductor se
recristaliza al enfriarse. Se suelen realizar varias pasadas y, al final, se corta el extremo que
contiene las impurezas acumuladas. Mediante este mtodo se consigue una concentracin de
impurezas en el lingote tratado, que puede llegar a ser menor de una parte por milln.

La bobina suele estar construida con tubo de cobre, por cuyo interior circula agua para
refrigerarla.

No todas las impurezas se eliminan fcilmente. El oxgeno, por ejemplo, es muy difcil de
separar del silicio. Por ello se procura que la purificacin qumica previa no aada oxgeno. La
mayor o menor facilidad para separar los tomos de un elemento determinado se llama ndice
de segregacin de ese elemento. Cuanto mayor sea, ms fcil es que la fusin por zonas
separe este elemento.