DESARROLLO EXPERIMENTAL EXPERIMENTO 1.

IDENTIFICACIN DE
TERMINALES Y PRUEBA DE DIODOS.

a) Por observacin, identifique el nodo y Ctodo de los distintos diodos que est utilizando,
dibuje y anote sus observaciones.

Ilustracin 1 Identificacin de nodo y Ctodo

b) Empleando un MULTIMETRO ANALGICO, como primera prueba, en la funcin de

OHMS compruebe el inciso anterior, conectando el hmetro en los extremos del diodo en
polarizacin directa y polarizacin inversa, como se indica en la figura 1, reportando en cada
caso la resistencia medida.

Como se observa en la captura se presenta una variacin en los valores de resistencia debido a
la polarizacin en la que se encuentra el diodo.
c) Con un MULTIMETRO DIGITAL en funcin de "DIODO", realice la medicin del voltaje de
conduccin (V0) en polarizacin directa y polarizacin inversa de cada elemento.

Diodo 1n4007

Polarizacin Directa: 0.569 V

Polarizacin Inversa: 0V
 EXPERIMENTO 2. CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO
SEMICONDUCTOR.
a) Arme el circuito que se muestra en la figura 2, utilizando un diodo de Silicio, Verificando
que los instrumentos se conecten en la polaridad indicada.

b) Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensin de la fuente V1 en incrementos

de 0.1 volts hasta que el diodo alcance su voltaje de conduccin, anote los valores de VD e ID,
en la tabla 1

0
0.1

0.2

0.3

0.4
0.5

0.6

0.7

0.8
 0.9

V 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

ID 0 314.385nA 2.487uA 17.49uA 121.24uA 837.84uA 5.769mA 38.88mA
VD 0 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV 600mV 700mV

V 0.8 0.9 1
ID 232.16 mA 938.56mAA 2.303A
VD 799.99mV 899.99mV 999.99mV
c) Invierta la polaridad del diodo y repita el inciso anterior.

0.1

0.2

0.3
0.4

0.5

0.6

0.7
 0.8

0.9

V 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

ID 0 45.57nA 52.25uA 53.30nA 53.54nA 53.66nA 53.76nA 53.86nA
VD 0 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV 600mV 700mV

V 0.8 0.9 1
ID 53.98nA 54.07nA 54.16nA
VD 800mV 900mV 1V
d) Realice el procedimiento del inciso b, con una de carga RL de 1 K, como se muestra en la
figura 3, mida el voltaje del diodo VD, la corriente ID, registre sus datos en la tabla 2

0.1

0.2

0.3
0.4

0.5

0.6

0.7
 0.8

0.9

V 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

ID 0 312.12 2.37uA 13.47uA 47.95uA 106.63uA 179.66uA 260.45uA
nA
VD 0 99.68m 197.62mV 286.56mV 352.04m 393.36mV 420.33mV 439.5mV
V V

V 0.8 0.9 1
ID 345.79uA 434.03uA 524.26uA
VD 454.20mV 465.96mV 475.73mV
e) Repita el inciso b y c, empleando el Diodo Emisor de Luz (LED), como se muestra en la figura
3 y anote las mediciones en la tabla 3

Directa

0 0

0.1

0.2

0.3

0.4
0.5

0.6

0.7

0.8
 0.9

V 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

ID 0 99.92pA 199.84pA 302.76pA 405.23pA 516.24pA 655.03pA 917.38pA
VD 0 100mV 200mV 300mV 400mV 499.99mV 599.99V 699.9mV

V 0.8 0.9 1
ID 1.55nA 3.63nA 10.82nA
VD 799.99mV 899.99mV 999.98mV

Inversa

0 0

0.1
0.2

0.3

0.4

0.5
0.6

0.7

0.8

0.9

1
 V 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
ID 0 101.30p 197.06pA 305.31pA 399.68pA 505.15pA 599.52pA 699.44pA
A
VD 0 100mV 200mV 300mV 400mV 499.99mV 599.99V 699.9mV

V 0.8 0.9 1
ID 799.36pA 899.28pA 1.01nA
VD 799.99mV 899.99mV 999.99mV

f) Construya las grficas de la curva caracterstica de los diodos en polarizacin directa con los
valores obtenidos de las tablas anteriores.

Literal b

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Literal d

VOLTAJE DE DIODO E INTENSIDAD DE

DIODO
Series1 Series2

600

500

400

300

200

100

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
-100

Literal e

12000

10000

8000

6000

4000

2000

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

Series1 Series2
g) Arme el circuito de la figura 4, utilizando un diodo de Germanio.
 EXPERIMENTO 3. CARACTERIZACIN DE UN DIODO ZENER EN
POLARIZACIN INVERSA.
a) Seleccione el diodo Zener de 10 volts y construya el circuito que se muestra en la figura 5.

b) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar los 15

volts, y obtenga los valores VAB indicados en la parte superior de la tabla 4 y anote los valores
de la corriente ID correspondiente a cada voltaje VAB indicado.

c) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar los 15

volts, y obtenga los valores ID indicados en la parte media de la tabla 4 y anote los valores de
voltaje VAB correspondiente a cada valor de la corriente ID indicado.

0 0

2
3

5
6

8
9

10
11

12

13
14

15
Voltaje de fuente V1 V ab Id

0 0 0

1 1 - 1223 nA

2 2 -222.045 nA

3 3 -444.089 nA

4 4 0

5 4.93 69.12 uA

6 4.99 1 mA

7 5.017 1.982 mA

8 5.027 2.972 mA

9 5.035 3.965 mA

10 5.041 4.95 mA

11 5.045 5.954 mA

12 5.047 5.95 mA

13 5.053 7.947 mA

14 5.056 8.94 mA

15 5.09 9.94 mA
 EXPERIMENTO 4. CARACTERIZACIN DE UN DIODO ZENER EN
POLARIZACIN DIRECTA
a) Arme el circuito como se muestra en la figura 5.

b) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar los 15

volts, obtenga los valores VAB indicados en la parte superior de la tabla 5, anote los valores
de corriente ID correspondiente a cada valor de voltaje VAB indicado y obtenga el valor de la
resistencia del diodo RZ.

0.1

0.2
0.3

0.4
 0.5

0.6

V 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 1

ID 0 16.801 19.22nA 21.583 nA 24.092nA 30.203 nA 209.77 nA 216.85uA
nA
VD 0 99.97 199.97 299.94 399.72 499.96 599.78mV 783.143
mV mV mV mV mV mV
 EXPERIMENTO 5. CARACTERISTICAS DEL DIODO DE GERMANIO EN
FRECUENCIAS ALTAS.
a) Utilice el diodo de Germanio y construya el circuito que se muestra en la figura 6.

b) Ajuste la salida del generador a una seal senoidal de 5 VPP, partiendo de 10 Hz, realice
incrementos en la frecuencia hasta un mximo de 20 MHz.

c) Con el osciloscopio, observe y registre el voltaje pico de la seal de salida obtenida en la

resistencia, realice 10 lecturas a diferentes frecuencias.

1
2

4
5

7
8

10
d) Remplace el diodo de germanio por el diodo de Silicio y repita los incisos b y c, anote sus
observaciones para cada caso.

2
3

5
6

8
CUESTIONARIO

1. Qu son los materiales semiconductores intrnsecos y extrnsecos?

2. Qu significa polarizacin directa y polarizacin inversa de un diodo?

3. Cul es la importancia de los semiconductores?

4. Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores.

5. Explique qu pasa si se aumenta el voltaje de polarizacin inversa a un diodo semiconductor

y se tiene una sobrecarga.

6. Investigue cuatro tipos de diodos y describa el funcionamiento brevemente.

7. Describa el comportamiento de un diodo ideal

8. Explique cmo afecta la temperatura a un material semiconductor.

9. Explique que es la regin ZENER.

10. Qu es resistencia esttica y resistencia dinmica?

11. Describa la electroluminiscencia en un LED.

12. Cules son las diferencias entre un diodo de germanio y un diodo de silicio.

13. Explique la respuesta de conduccin de corriente de un semiconductor sujeto a frecuencias

altas.