BTS Systmes Electroniques 1

Amplification Linaire Transistor Bipolaire

1 - Structure gnrale dun circuit damplification :

Signal amplifier X1 X2
Charge
Amplificateur
(Bas niveau) (Haut niveau)

Source de puissance

(Fournie par E0)

v
X Lamplification ne concerne que le signal alternatif.
i

Signal continu : POLARISATION (point de repos)

Signal alternatif : AMPLIFICATION (point de fonctionnement qui se dplace autour de sa position de repos)

X2
Lamplification est LINEAIRE si A, le gain de lamplificateur se met sous la forme : A = .
X1
X2
On parle de SATURATION si X1 augmente mais X2 reste constant, dans ce cas A .
X1

2 - Diffrents types damplificateurs :

Ces types sont fonction de la nature de X1 et X2. Il existe quatre types damplificateurs

2-1 Amplificateur de tension X 1 = v1 ; X 2 = v 2 et A = Av .

Lamplificateur de tension est idal si :

v 2 = Av . e g .
e g Ri
v1 = e g si rg pp Ri .
rg + Ri
A v1 R L
v2 = v Av v1 si Ro pp R L
Ro + R L
Donc v 2 = Av . e g si les deux conditions
prcdentes sont respectes.

Page 1/19
 BTS Systmes Electroniques 1

2-2 Amplificateur de courant X 1 = i1 ; X 2 = i2 et A = Ai .

Lamplificateur de courant est idal si :

i L = Ai . i g .

On a : iL = v2 .
RL

v1 v1 v1 Ri R
Donc : i g = + = 1+ = i1 1 + i i1 si rg ff Ri .
rg Ri Ri
rg rg

v2 v 2 v2 RL RL
Ai .i1 = + = 1+ = iL 1 + i L si Ro ff R L
Ro R L R L Ro Ro

Donc i L = Ai . i g si les deux conditions prcdentes sont respectes.

2-3 Amplificateur transconductance X 1 = v1 ; X 2 = i2 et A = gm (La TRANSCONDUCTANCE).

Lamplificateur transconductance est idal

si : i L = g m . e g .

e g Ri
v1 = e g si rg pp Ri
rg + Ri

iL = v2 .
RL

v2 v2 v2 RL RL
g m . v1 = + = 1+ = iL 1 + i L si Ro ff R L
Ro R L R L Ro Ro

Donc i L = g m . e g si les deux conditions prcdentes sont respectes.

Page 2/19
 BTS Systmes Electroniques 1

2-4 Amplificateur transrsistance X 1 = i1 ; X 2 = v 2 et A = Rm .(La TRANSRESISTANCE).

Lamplificateur transrsistance est idal

si : v 2 = Rm . i g .

v1 v1 v1 R R
ig = + = 1 + i = i1 1 + i i1 si rg ff Ri .
rg Ri Ri rg
rg

Rmi1 R L
v2 = Rmi1 si Ro pp R L .
Ro + R L

Donc v 2 = Rm . i g si les deux conditions prcdentes sont respectes.

3 - Paramtres considrer pour lutilisation dun Transistor Bipolaire en alternatif:

3-1 Les capacits de jonction

Si la jonction est polarise en sens direct C D : Capacit de diffusion.

Si la jonction est polarise en sens inverse CT : Capacit associe la charge despace.

Avec C D ff CT .

Dans le Transistor Bipolaire :

J BE est polarise en sens direct donc prsence dune capacit Cbe

J BC est polarise en sens inverse donc prsence dune capacit Cbc

Donc on aura : Cbe ff Cbc avec pour ordre de grandeur : Cbe 100 pF et Cbc 2 3 pF .
1
Ces capacits ont une impdance .
C

1 1
En continu : , et en B.F, est trs leve.
C C

Ces capacits sont en parallle sur des rsistances plus faibles et de ce fait peuvent tre ngliges, sauf dans le
cas dune utilisation haute frquence (F>1Mhz), o elles prennent une relles importance.

Page 3/19
 BTS Systmes Electroniques 1

3-2 La transconductance g m du transistor.

Pour avoir une amplification linaire, on considre dans le cas gnral des signaux alternatifs de faible
amplitude par rapport aux valeurs de repos.

Dans chaque branche du circuit, il existera un signal composite :

I c (t ) = I C 0 + i c (t ) = I C 0 + I c (t ) = I C 0 + dI c (t ) .

Vce (t ) = VCE 0 + v ce (t ) = VCE 0 + Vce (t ) = VCE 0 + dVce (t ) .

I c (t )

ic ( t )
I B
P0 I B0
I C0
t

V CE 0

V ce ( t )

v ce (t )

Montage fondamental pour amplification Transistor Bipolaire :

I C 0 + ic ( t )
Pour lamplification, on ne considrera que les
I B 0 + ib ( t ) grandeurs alternatives, ici :
V CE 0 + v ce ( t )
Tension dentre vbe ( t ) et Courant de sortie
ic (t ) .
V BE 0 + vb e ( t )

Page 4/19
 BTS Systmes Electroniques 1

ic (t ) I c dI c (t )
Par dfinition la transconductance g m du transistor Bipolaire est gale : g m = = =
vbe (t ) Vbe dVbe (t )
g m est dtermine graphiquement partir de la tangente au point de repos de la caractristique
I c (t ) = f (Vbe (t )) .

Remarque :

La valeur de g m dpend de la position du point de repos, donc de I C0 .

On admet que pour la polarisation I C 0 = I E 0 .
Vbe ( t )
VT
J BE est polarise en sens direct donc I c (t ) I e (t ) = I S . e

VBE 0 V BE 0
VT VT dVbe (t ) dI c (t ) I C0
I C0 I S . e et comme dI c (t ) repos = I S . e gm = =
VT repos
dVbe (t ) repos
VT
On ne peut pas utiliser g m pour faire un calcul de polarisation ; cette grandeur est seulement utilisable avec
des grandeurs alternatives.

4 - Etude des gnralits sur le montage Emetteur Commun :

4-1 Circuit type

I c (t ) = I C 0 + i c (t ) = I C 0 + I M sin t avec I M pp I C 0 Pour amplification linaire.

Vce(t)=VCE0 + vce(t)=VCE0 +VM sint avec VM ppVCE0 Pour amplificat ion linaire.

I c (t )

R1
RC

CI I b (t )
E0
rg I e (t )
V2 ( t )
V1 (t )
+ R2 RE
eg CE
-

Page 5/19
 BTS Systmes Electroniques 1

4-2 Les deux circuits considrer pour les calculs :

Lamplification tant linaire, on peut utiliser le thorme de superposition. On traite dune part la composante
continue, et dautre part la composante alternative. Il faut donc considrer deux circuits, et deux schmas
quivalents diffrents.

4-2-1 Schma quivalent pour la composante continue :

Cest le circuit considrer pour faire le calcul

I C0
de la polarisation. On remplace tous les
R1 RC condensateurs par des circuits ouverts
1 1
= .
I B0 C 0
V CE 0
IC0
E0
rg
I E0

+ R2 RE
eg

Equation de la Droite de Charge Statique (DCS) :

1 E0
E 0 = ( RC + R E ) I C + VCE I C = VCE +
RC + R E RC + RE

4-2-2 Schma quivalent pour la composante alternative :

On remplace les
ic ( t ) condensateurs par des
R1 RC
courts-circuits (Attention
ic ( t ) la valeur de limpdance
Avec RB=R1//R2
la frquence de travail), et
ib ( t ) ib ( t ) la source de tension
v c e (t )
rg
continue E 0 par ses
rg
ie ( t )
ie ( t ) variations dE 0 . Le cas
v be ( t ) RC
+ R2 + RB chant, on tiendra compte
eg eg
de la rsistance interne.
- - Si la source de tension
continue est
convenablement dcouple pour la frquence de travail, alors dE 0 = 0 .

Le signal alternatif ne voit pas la mme maille en sortie que le signal continu. RE disparu.

Equation de la Droite de Charge Dynamique (DCD) :

Lcriture de la loi dOhm dans la maille de sortie conduit :

dVce (t ) = RC . dI c (t ) , donc vce(t)=RC.ic(t) .

dI c (t ) 1
La droite de charge dynamique passe par le point de repos P0 et a pour pente =
dVce (t ) RC

Page 6/19
 BTS Systmes Electroniques 1

Pour tracer la DCD, on dtermine K qui est lintersection avec laxe VCE .

I c (t )

1
DCD pente On passe de P0 K par une
R
variation I c ( t ) = I C 0 ,
C

E0
RC + R E
variation correspondant
P0
IC 0 Vce (t ) = RC I c (t ) = RC I C 0
1
DCS pente
RC + RE

0 K E0
VCE 0 V ce ( t )
VC E 0 RC I C 0 RE IC 0

Equation complte :

dI c (t ) 1 1 1
= donc dI c (t ) = dVce (t ), d'o I c (t ) = V (t ) + cte
dVce (t ) RC RC RC ce

Dtermination de la constante :

1 VCE 0
On crit que la DCD passe par P0 VICE
C0
, cest dire I c ( t ) = V (t ) + I C 0 +
0
RC ce RC

4-3 Attaque en courant - Attaque en tension :

On travaille sur le circuit vu par le signal alternatif.

ic (t )

R1 R R iT
C
ic ( t )

ib ( t ) ib (t )
v ce (t)
rg rg

+ R + R v be ( t )
2 B R C
eg eg

- -

Page 7/19
 BTS Systmes Electroniques 1

Attaque en courant :

R iT
ic ( t )
Source de NORTON

ib ( t ) eth
v ce ( t ) ig =
rth

rth ff RiT
ig v be ( t )
rt h RC
vbe v v 1 1 vbe
ig = + ib = be + be = vbe + = ib
rth rth RiT rth RiT RiT

Attaque en tension :

R iT
ic ( t )
Source de Thvenin eg RB rg RB
eth = et rth = rg / / RB =
rg + RB rg + RB
ib (t )
v ce ( t )
rth pp RiT
rth
eth = rthib + vbe or vbe = RiT ib
+ vbe ( t)
R C
e th
donc eth = (rth + RiT )ib RiT ib eth = vbe
-

Page 8/19
 BTS Systmes Electroniques 1

Comparaison :

Pour lattaque en courant, on considre ib qui introduit une faible distorsion sur la tension de sortie v ce .

I c (t )

i c (t )
P0 I
IC0 B3
t

I B2

I B1 DCD
I B 0 V CE 0

Ib (t) V ce ( t )

ib ( t )
t v ce ( t )
(Distorsion car lgre pente)

V BE 0
t
t

V be ( t )

Pour lattaque en tension, on considre vbe qui introduit une distorsion notable par le passage de vbe ib , et
qui sajoute celle de lattaque en courant.

I c (t)

i c (t )
I B 3
t
IC0 P0
I B 2

I B1 DCD
I B 0 V CE 0

Ib (t) V ce (t )

ib ( t )
t

V BE v ce ( t )
0

t t
(Grande Distorsion car non linarit)

V be ( t )

Page 9/19
 BTS Systmes Electroniques 1

4-4 Ecrtage :
Tension de sortie TOTALE : Vce ( t ) = VCE 0 + v ce ( t )
Sous linfluence du signal alternatif, le point de fonctionnement quitte sa position de repos P0 et se dplace sur
1
la DCD, de pente .
RC
Les limites de son dplacement (pour une amplification) sont M1 et M2.
Pour viter le phnomne dcrtage, il faut choisir le point de repos P0 au milieu du segment M1M2.

Il y a deux types dcrtages :

I c(t ) Ecrtage p ar Saturatio n I c (t) Ecrtag e pa r Blocag e

DCD pente
1 M1
R C 1
DCD pente
R C
M1
E0 E0
RC + R E RC + R E
1 1
P0 DCS pente P0 DCS pente
RC + R IC0 RC + RE
I C0 E

M M2
2

0 VCE 0 E0 0 VCE 0 E
V ce ( t ) 0 V ce ( t )
VCE 0 RC I C 0 RE I C 0 VCE 0 RC I C 0 RE I C 0

VCESAT
VCESAT

4-5 Influence de la frquence dutilisation :

R1 R C

C I

E 0
rg
V S O R T IE

+ R 2 R E
eg C E

-
Dans un montage Transistor Bipolaire, on trouve :

Les capacits des jonctions du transistor : Cbe et Cbc .

Les capacits du montage : C E et C I . (On a le choix de la valeur)

Page 10/19
 BTS Systmes Electroniques 1

Gain en tens ion

BF ou M F
A 0

HF
TBF

f1 Ici on nglige f2 Pris e en compte Frquence

Prise en compte
des capacits C I , C E et C be , C bc de C be , C bc
extrieures C I et C E

f 1 et f 2 : frquences de coupure.

En Basse Frquence (B.F) : f1 f f2 1 et 1 et 1 et 1 trs faibles .

Cbe Cbc CE CI

En Trs Basse Frquence (T.B.F) :

1 1 1 1
f f1 et reste trs grands, et et ne sont plus trs faibles.
Cbe Cbc CE CI

En Haute Frquence (H.F) :

1 1 1 1
f f2 et ne sont plus trs grands , et et restent trs faibles.
Cbe Cbc CE CI

4-6 Etablissement dun Schma quivalent BF (ou MF) du Transistor Bipolaire :

4-6-1 Paramtres Hybrides (En alternatif)

Equation de fonctionnement du transistor en alternatif :

Il existe donc par dfinition 4 paramtres hybrides :

vbe = hie ib + hre v ce (1)
h11 = hie , h21 = h fe , h12 = hre , h22 = hoe
ic = h fe ib + hoe v ce (2)

Dtermination des paramtres hybrides : On peut les dterminer en fonction du point de repos.
? Si v ce = 0 , alors Vce ( t ) = 0 donc Vce ( t ) = Cte = VCE 0 (Point de repos)

vbe Vbe (t )
De (1) on tire : hie = = : hie est donc analogue une rsistance.
ib v ce = 0
I b (t ) V
ce =VCE 0

ic I c (t )
De (2) on tire : h fe = = : h fe est donc sans unit cest le GAIN en COURANT.
ib vce = 0
I b ( t ) V
ce =VCE 0

Page 11/19
 BTS Systmes Electroniques 1

? Si ib = 0 , alors I b ( t ) = 0 donc I b ( t ) = Cte = I B 0 (Point de repos)

vbe Vbe (t )
De (1) on tire : hre = = : hre est donc sans unit.
v ce ib = 0
Vce (t ) Ib = I B 0

ic I c (t ) 1
De (2) on tire : hoe = = : hoe est donc analogue une admittance. est la
v ce ib = 0
Vce (t ) Ib = I B 0
hoe
rsistance de sortie.

4-6-1-a : Dtermination graphique des paramtres hybrides

Les paramtres h fe et hoe seront

I c(t) dtermins partir de la caractristique
de sortie.

I c ( t ) I C 3 I C1
h fe = h fe =
I b (t ) V I B 3 I B1
IC3 I B 3 ce =VCE 0

Ic(t)
IC0 I = IB0 I c ( t )
B 2
hoe = trs faible
V ce ( t ) Vce (t ) Ib = I B 0
IC1 I B1
1
car est leve.
hoe
V CE 0 V ce (t )

Les paramtres hie et hre seront dtermins partir de la caractristique dentre.

V be ( t )

V BE VCE 3 Vbe (t )
3 hie = . hie pas trs
I b ( t ) V
V be ( t ) ce =VCE 0

lev.
V BE 0 VCE 2 = V CE 0

Ib (t) Vbe (t )
hre = , donc
V BE 1 VCE 1 Vce (t ) I
b = I B0

VBE 3 VBE 1
hre = est trs faible si
VCE 3 VCE 1

I B 0 Ib (t) Vbe (t ) pp Vce (t )

Page 12/19
 BTS Systmes Electroniques 1

4-6-1-b : Schma quivalent du transistor en alternatif

vbe = hie ib + hre v ce Source de Thvenin pour le circuit dentre.

ic = h fe ib + hoe v ce Source de Norton pour le circuit de sortie qui se comporte en source de courant.

ib ic
B C

h ie
1
v be + ho e v ce
h re v c e h fe i b
-
E E

4-6-1-c : Ordre de grandeur des paramtres hybrides :

En toute rigueur les paramtres hybrides varient avec le point de repos.

hre 104 donc, vbe = hieib + hrevce hieib car hre vce pp hieib

Do le schma le plus utilis : (Vrai le type de transistor PNP ou NPN)

E-C
ib ic C
B

1
v be hie ho e v ce R L
h fe i b

E E

1 1
Si RL pp avec 105
hoe hoe

E-C
ib ic C
B

v be hie v ce R L
h fe i b

E E

Page 13/19
 BTS Systmes Electroniques 1

hie qqk (1 3 k ) , vbe = hieib et ic = h feib or comme ic = gmVbe

h fe
alors, gm = , ce qui conduit au schma suivant :
hie
E-C

B ib ic C

v be hie v ce
g m v be

E E

5 - Les Montages Amplificateurs :

5-1 Le montage Emetteur Commun (Vrai)

R1 R C
C 0 Les trois condensateurs du montage
sont choisis de faon se comporter
C comme des courts-circuits la plus
I
basse frquence de travail de
V 2 E 0 lamplificateur.
rg
V1 R L

+ R 2 R E
eg C E

Schma quivalent du montage en alternatif :

i1
iL

rg

+
eg

Page 14/19
 BTS Systmes Electroniques 1

En utilisant les paramtres hybrides on obtient :

ib ic
B C

rg
RB = R1//R2 1
+ v1 hie h oe v2 Rch=RC//RL
eg h fe i b
-
E E
Ce circuit permet de calculer la valeur des amplifications en courant et en tension.

Travail demand :
v2
Calculer lamplification en tension Av = ; (Rponse : Av =gm Rch )
v1 1+ Rchhoe
v2
Calculer lamplification en tension (composite) Avc = ; (Rponse : Avc = v2 v1 = Av RB // hie )
eg v1 eg rg +(RB // hie)

Calculer lamplification en courant Ai = iL ; (Rponse : Ai =

h fe Rch )
ib RL(1+ Rchhoe)
iL
Calculer lamplification en courant (composite) Aic = ; (Rponse : Aic = iL ib = Ai RB // hie )
ig ib ig hie
Calculer la rsistance dentre du montage RiM = v1 ; (Rponse : RiM = RB // hie )
i1
Calculer la rsistance de sortie du montage RoM = v2 ; (Rponse : RoM = Rc )
iL eg =0 1+ Rc hoe
En rsum :
Amplification leve en tension et en courant ; Dphasage de entre lentre et la sortie.

5-2 Le montage Emetteur Commun charge rpartie.

R1 R C
C 0

C I

V 2 E 0
rg
V1 R L

+ R 2 R E
eg

Page 15/19
 BTS Systmes Electroniques 1

Schma quivalent du montage en alternatif :

R B = R1 / / R 2

V 2
rg
V1 RC / / R L

+ RB
R E
eg

En utilisant les paramtres hybrides on obtient :

B ib ic C

1
hie v ce
rg v be h oe
eg
ib
h fe i b
+ RB ic
v2 RC / / RL
- ib + ic
v1
RE ve

E
5-3 Le montage Base Commune

R1 R C C 0

C B

E 0 C I
V 2
R L

R 2 R rg
E

V1
+
eg

-
Les trois condensateurs du montage sont choisis de faon se comporter comme des courts-circuits la plus
basse frquence de travail de lamplificateur.

Page 16/19
 BTS Systmes Electroniques 1

Schma quivalent du montage en alternatif :

R1 R C

iL

V 2
R L

R 2 R rg
E

V1
+
eg

-
En utilisant les paramtres hybrides on obtient :
h fe bi

ig ie = i1 ic ic C Rch=Rc//RL
E
iL
rg 1
ib

+ RE h oe RC v2 RL
v1 h ie
eg
-
B
Ce circuit permet de calculer la valeur des amplifications en courant et en tension.

Travail demand :
1
Si ncessaire, on considrera que est suffisamment grand pour pouvoir crire : ic h fe ib . Ce qui permet
hoe
1
donc de ngliger le courant qui circule dans .
hoe

v2
Calculer lamplification en tension Av = ; (Rponse : Av = gm Rch )
v1
iL iL Rchh fe
Calculer lamplification en courant Ai = = ; (Rponse : Ai = iL ic = )
i1 ie ic ie ( Rc + L)+(1+ h fe)
R
v1 v1
Calculer la rsistance dentre RiT = = ( sur lmetteur ) ; (Rponse : RiT = hie )
i1 ie 1+ h fe
Calculer la rsistance de sortie RoT = v2 ( sur le collecteur ) ; (Rponse : RoT = 1 +
r'g (hie + h fe ) )
ic eg = 0 hoe r'g +hie hoe
En rsum :
Amplification leve en tension, Amplification en courant 1 ;
Rsistance dentre faible et de sortie leve.

Page 17/19
 BTS Systmes Electroniques 1

5-4 Le montage Collecteur Commun

R1

C I

C E 0
0
rg
V1

+ R 2 R
eg
E V 2 R L

-
Les deux condensateurs du montage sont choisis de faon se comporter comme des courts-circuits la plus
basse frquence de travail de lamplificateur.

Schma quivalent du montage en alternatif :

R1

rg
V1 iL

+ R 2 R E
eg V 2 R L

-
En utilisant les paramtres hybrides on obtient :

hie ib Rch=RE//RL
B ie E

rg
RB 1 RE
+ v1 h fe i b v2 RL
h oe
eg
-
C
Ce circuit permet de calculer la valeur des amplifications en courant et en tension.

Page 18/19
 BTS Systmes Electroniques 1

Travail demand :
1
Si ncessaire, on considrera que est suffisamment grand pour pouvoir crire : ic h fe ib . Ce qui permet
hoe
1
donc de ngliger le courant qui circule dans .
hoe
v2
Calculer lamplification en tension Av = ; (Rponse : Av =1+ 1 )
v1 gm Rch
iL (1+h fe)RE
Calculer lamplification en courant Ai = ; (Rponse : Ai = iL ie = )
ib ie ib (RE + RL)
v1 h fe RE RL )
Calculer la rsistance dentre RiT = ( sur la Base ) ; (Rponse : RiT =hie +
ib RE + RL
hie(rg // RB)
Calculer la rsistance de sortie RoT = v2 ( Vue sur lmetteur ) ; (Rponse : RoT = )
ie eg = 0 1+ h fe
En rsum :
Amplification en tension 1 , Amplification en courant leve ;
Rsistance dentre leve et de sortie faible.

Page 19/19