Laseri cu semiconductori

Spre deosebire de atomi i molecule unde micarea electronilor de valen este localizat ntr-un
domeniu mic, de ordinul 10-8cm, n corpul solid ele se pot deplasa n tot volumul macroscopic,
trecnd de la atom la atom prin reea cristalin. Dup caracterul lor micarea electronilor de valen
n cristale ocup o poziie intermediar ntre micarea n cadrul atomului i deplasarea electronilor
liberi n vid. n atomi, electronii pot avea numai anumite valori bine determinate ale energiei,
formnd un ansamblu de nivele energertice discrete. Electronii liberi, dinpotriv, se pot mica cu
orice energie, formnd un spectru energetic continu, valoarea energiei poate varia de la zero la
infinit ( starea atomului ionizat ). Electronii puternic legai de nucleu n straturile interioare rmn
localizai n atomi individuali. Electronii externi, de valen, sunt legai mult mai puin de nucleu i
se pot deplasa aproape liber n reea cristalin trecnd de la atom la atom. Valorile posibile ale
energiei acestori electroni formeaz un domeniu cvasicontinu- zone energetice, constnd dintr-un
numr foarte mare de nivele apriopiate. Zona energetic este cu att mai larg cu ct electronul este
mai slab legat de atom. Caracterul zonal al spectrului energetic, al strilor electronice n cristale, a
permis lmurirea multor probleme fundamentale ale corpului solid i nainte de toate a exixtenei
metalelor, semiconductoarelor i dielectricilor, la care, la aceeai valoare a distanei interatomice i a
energiei de interaciune, conductibilitatea electric difer cu 25 ordine de mrime, ( de la ~ 10 6
ohm-1cm- 1 pentru metale la ~ 10-19 ohm-1cm-1 pentru dielectrici ).
Zona complet ocupat n cristale se numete zona de valen, iar cea ocupat parial sau complet
goal, zona de conducie.
n cristale nemetalice micarea termic aduce o parte a electronilor din zona de valen n cea de
conducie. Din acest motiv numai la temperatura de zero absolut corpul devine izolator ideal. Dac
la T 0, lrgimea intervalulului dintre zona ocupat i cea vacant acest interval se numete fant
energetic sau zona interzis- este mare ( civa ev,) atunci concentraia electronilor n zona de
conducie este mic i cristalul rmne dielectric la toate temperaturile reale. Dac ns zona
interzis este destul de ngust ( 1 ev ), conductibilitatea ia valori semnificative chiar i la
temperatura camerei. Asemenea corpuri sunt semiconductoare.
Proprietile electrice, optice, mecanice inclusiv cele termice i magnetice sunt determinate de
electrionii de valen. Din aceast cauz teoria zonal ce trateaz legile de micare ale electronilor
de valen, joac un rol fundamental n fizica corpului solid.

1
Fiecare zon const dintr-un numr foarte mare de nivele energetice foarte apropiate ntre ele. Se
poate arta c numrul nivelelor este de ordinul numrului de atomi dintr-un semiconductor.
Conform principiului lui Pauli, pe fiecre nivel energetic nu pot sta mai mult de un singur electron. n
acest caz, probabilitatea de populare f(E) a oricrei stri este zona de conductie

1 F
determinat de statistica Fermi- Dirac, f ( E ) EF , unde F este zona interzis
e KT
1
nivelul Fermi care are urmtorul sens: zona de valent

1 pentruE F
la T =0, f (E) .
0 pentruE F

Prin urmare, nivelul Fermi indic hotarul dintre nivelele complet ocupate i cele neocupate la T = 0.
La un semiconductor nedegenerat nivelul Fermi se afl n zona interzis Dac printr-un mod
oarecare electronii din zona de valen ajung n cea de conducie se obine o inversare a populaiei
i exist popsibilitatea emisiei stimulate.
zona de
n figura alturat este reprezentat schema energetic
electroni E2
Fc
a unui semiconductor la care se gsesc electroni n conducie

zona de conducie, deci populaii inversate. FC i FV,
zona interzis
hv
conform definiiei nivelului Fermi sunt nivelele Fermi
n zona de conducie respectiv n cea de valen. zona de goluri E1
Fv
Electroni n zona de conducie pot sta un timp foarte valent

scurt, ele revin n zona de valen unde se

recombin cu golurile, tranziia ntre dou nivele oarecare E2 i E1 este nsoit de emisia unui foton
de energie, hv E 2 E1 .
Fenomenul de elctroluminiscen ntr-o jonciune pn a fost observat pentru prima dat de
ctre Heynes J.R. i Briggs H.B. Ei au studiat emisia luminiscent a jonciunii la trecerea unui
curent intens n direcia de conducie. Electronii se micau n zona de conducie iar golurile n cea de
valen, la recombinare se emite radiaie. n cazul germaniului maximul de emisie s-a obinut la
lungimea de und de 1,77 m, n cazul siliciului 1,22 m.
n 1958 Aigrain P. a artat c emisia de recombinare a electronoilor cu goluri la injectarea lor prin
zona interzis poate fi folosit pentru inversare de populaii. Folosirea acestei emisii pentru
obinerea diodei laser a fost studiat n lucrrile lui: Dumke, Basov i Krohlin i alii. Lucrrile

2
acestori autori au condus repede la realizarea jonciunii n (GaAs), cu un randament nalt, care a
servit ca baz obinerii primului laser cu semiconductor. Era necesar obinerea unui rezonator
corespunztor. Emisia stimulat n (GaAs) a obinut independent unul de altul grupurile conduse de
Hall R.N. ; Nathan M.I. ; Quist T.M.
Pentru generare de radiaie laser trebuie ca: numrul de fotoni emii stimulat > numrul de atomi
absorbii, adic,
Bqf C (1 f V ) Bqf V (1 f C ) , de unde rezult f c f v , adic,

1 1
E2 Fc
E1 Fv , de unde condiia de emisie stimulat devine,
e KT
e KT

FC FV > E2- E1.

La un semiconductori de tip p respectiv n puternic dopai cu acceptor respectiv donori ( 10 18
acceptor sau donor la 1 cm3 ) nivelul Fermi la tip p cade n zona de valen a semiconductorului de
tip n. Dac jonciunii nu se aplic o
p
tensiune, FP i Fn sunt pe aceai orizontal n

(figura alturat a). Dac la jonciune p-n se

aplic o tensiune direct V, atunci ntre cele FP Fn
dou nivele apare o deplasare, F eV i
ca urmare n stratul de baraj apare o
fig.a
inversare de populaie, respectiv emisia
stimulat deoarece condiia este ndeplinit,
saltul de nivel Fermi este F~ Eg, unde Eg
Fn
este lrgimea zonei interzise (fig.b), Eg

Dioda lui Hall avea o form aproximativ hv

FC
cubic cu latura 0,4 mm, lucrnd la
temperatura azotului lichid, alimentat cu fig.b

un curent n impulsuri de durata microsecundei, densitate de curent 20.000 A/cm2, lungimea de und
a radiaiei laser emise 842 nm. Sub pragul de excitare, lrgimea liniei de emisie este de 125
Angstrom, la emisia stimulat aceasta se reduce la 15 A 0 . Domeniul efectiv de emisie n laserul cu
semiconductor a fost mic aproximativ 100x100 m2 la o grosime de civa m, acest domeniu
corespunde cu domeniul de jonciune p-n. Divergena fasciculului 150, gradul de monocromacitate
mult mai slab fa de alte tipuri de laseri obinui pn la acea dat ( solide sau cu gaz ).

3
Dup Hall, repede au fost obinute i alte tipuri de laseri cu semiconductori care emit n domeniul
vizibil.
n figura alturat este prezentat o diod laser
monojonciune
innd seama de dimensiunea stratului de baraj, de strat metalic

ordinul micronului, fenomenul de difraie face ca

divergena fasciculului emergent s fie mare.
Corectarea formei fasciculului de ieire se face cu un P

sistem special de lentile. n

Pierderile n substana de lucru sunt mari datorate jonctiune

mai multor fenomene, cea ce duce la un curent de

prag mare Pentru a micora densitatea de curent radiatie laser
de prag la un laser cu semiconductor monojonciune p-n, se poate mbunti reflexia suprafeelor
cavitii, micornd astfel pierderile prin reflexie. ns prin aceasta va avea loc o puternic absorie
a undei fundamentale cea ce duce la o densitate de curent de prag mare. O exploatare ndulengat la
temperatura camerei se poate face numai prin micorarea curentului de prag pn la 103A/cm2. Un
asemenea prag mic i o funcionare ndelungat se poate realiza cu dubl heterojonciune. n figura
alturat este prezentat o heterojonciune, unde variind
metal
GaAs-p
concentraia x de la 0 la 0,4 , poate fi variat lungimea de und a
AlxGa(1-x) As-p
radiaiei emise ntre 0,84 0,64 m. Un asemenea laser la
temperatura camerei are un randament de ~ 30 %. AlxGa(1-x)As-n
Cavitatea rezonant de regul este de tip oglinzi plan- paralele GaAs- n
metal
format chiar de cele dou fee lustruite ale semiconductorului.
n principiu nu este nevoie de depunerei pe aceste suprafee deoarece indicele de refracie la GaAs
de exemplu este aproximativ 4 cea ce duce la un coeficient de reflexie de 36%.

Conf.dr. t.Levai