Equipo 1

DIODO RECTIFICADOR
Los diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la electricidad
solo en un sentido. La flecha del smbolo del diodo muestra la direccin en la cual
puede fluir la corriente. Los diodos son la versin elctrica de la vlvula o tubo de
vaco y al principio los diodos fueron llamados realmente vlvulas.

El diodo rectificador es uno de los mecanismos de la familia de los diodos ms

sencillos. El nombre diodo rectificador deriva de su aplicacin, la cual reside en
separar los ciclos positivos de una seal de corriente alterna. Si se aplica al diodo
una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en
forma directa; de esta manera, permite el paso de la corriente elctrica. Pero durante
los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello, evita
el paso de la corriente en tal sentido. Durante la fabricacin de los diodos
rectificadores, se consideran tres factores: la frecuencia mxima en que realizan
correctamente su funcin, la corriente mxima en que pueden conducir en sentido
directo y las tensiones directa e inversa mximas que soportarn.
Los diodos rectificadores son usados en fuentes de alimentacin para convertir la
corriente alterna (AC) a corriente continua (DC), un proceso conocido como
rectificacin. Tambin son usados en circuitos en los cuales han de pasar grandes
corrientes a travs del diodo. Todos los diodos rectificadores estn hechos de silicio
y por lo tanto tienen una cada de tensin directa de 0,7 V

Hay varias maneras de conectar los diodos para construir un rectificador y convertir
la AC en DC. El puente rectificador es una de ellas y est disponible en
encapsulados especiales que contienen los cuatro diodos requeridos. Los puentes
rectificadores se clasifican por su mxima corriente y mxima tensin inversa.
Tienen cuatro pines o terminales: los dos de salida de DC son rotulados con + y -,
los de entrada de AC estn rotulados con el smbolo ~.

Su construccin est basada en la unin PN siendo su principal aplicacin como

rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas
temperaturas (hasta 200C en la unin), siendo su resistencia muy baja y la corriente
en tensin inversa muy pequea. Gracias a esto se pueden construir diodos de
pequeas dimensiones para potencias relativamente grandes, desbancando as a
los diodos termoinicos desde hace tiempo. Sus aplicaciones van desde elemento
indispensable en fuentes de alimentacin como en televisin, aparatos de rayos X y
microscopios electrnicos, donde deben rectificar tensiones altsimas. En fuentes
de alimentacin se utilizan los diodos formando configuracin en puente (con cuatro
diodos en sistemas monofsicos), o utilizando los puentes integrados que a tal
efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el proceso de diseo de una
placa de circuito impreso. Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del
nivel de potencia que tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de
plstico. Por encima de este valor el encapsulado es metlico y en potencias ms
elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este
a un radiador y as ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas
corrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos integrados

Una de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de

alimentacin; aqu, convierten una seal de corriente alterna en otra de corriente
directa. Los diodos rectificadores se usan principalmente en: circuitos rectificadores,
circuitos fijadores, circuitos recortadores, diodos volantes.
Dependiendo de las caractersticas de la alimentacin en corriente alterna que
emplean, se les clasifica en monofsicos, cuando estn alimentados por una fase
de la red elctrica, o trifsicos cuando se alimentan por tres fases. Atendiendo al
tipo de rectificacin, pueden ser de media onda, cuando slo se utiliza uno de los
semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos semiciclos son
aprovechados.

Los rectificadores monofsicos con diodos son de tres tipos:

1. De media onda: Cuando slo se utiliza uno de los semiciclos de la corriente.Es el

tipo ms bsico de rectificador es el rectificador monofsico de media onda
constituido por un nico diodo entre la fuente de alimentacin alterna y la carga.

2. De onda completa y punto medio: Donde ambos semiciclos son aprovechados.

Un rectificador de onda completa convierte la totalidad de la forma de onda de
entrada en una polaridad constante (positiva o negativa) en la salida, mediante la
inversin de las porciones (semiciclos) negativas (o positivas) de la forma de onda
de entrada. Las porciones positivas (o negativas) se combinan con las inversas de
las negativas (positivas) para producir una forma de onda parcialmente positiva
(negativa).
3. De puente de Graetz. Se trata de un rectificador de onda completa en el que, a
diferencia del anterior, slo es necesario utilizar transformador si la tensin de salida
debe tener un valor distinto de la tensin de entrada

Equipo 2

DIODO ZENER

Qu es un diodo?
Un diodo es un componente electrnico que permite el paso de la corriente "solo en
un sentido".

El diodo Zener
Es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas
de rupturas
Por su inventor Dr. Clarence Melvin Zener
Es parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes

Diodo Zener
Son diodos que estn diseados para mantener un voltaje constante en su terminal,
llamado Voltaje o Tensin Zener (Vz) cuando se polarizan inversamente, es decir
cuando est el ctodo con una tensin positiva y el nodo negativa. Un Zener en
conexin con polarizacin inversa siempre tiene la misma tensin en sus extremos.

Caractersticas
 Si a un diodo Zener se le aplica una corriente en polarizacin directa toma
las caractersticas de un diodo rectificador bsico
Pero si se le suministra corriente elctrica de ctodo a nodo el diodo solo
dejara pasar un voltaje constante

Funcionamiento
Cuando lo polarizamos inversamente y llegamos a Vz el diodo conduce y mantiene
la tensin Vz constante, aunque nosotros sigamos aumentando la tensin en el
circuito. La corriente que pasa por el diodo Zener en estas condiciones se llama
corriente inversa (Iz).
Mientras la tensin inversa sea inferior a la tensin Zener, el diodo no
conduce, solo conseguiremos tener la tensin constante Vz, cuando est
conectado a una tensin igual a Vz o mayor.

Ruptura
En este caso el efecto se produce cuando el entorno de la juntura, en ambos lados,
se contamina con muy alta concentracin de impurezas.

Ruptura por efecto avalancha

El efecto avalancha ocurre en diodos donde un lado de la juntara est fuertemente
dopado respecto del otro.
Para qu sirve un diodo Zener?
Estos diodos se utilizan como reguladores de tensin o voltaje para determinadas
tensiones y resistencias de carga. Con un Zener podemos conseguir que a un
componente (por ejemplo, un altavoz) siempre le llegue la misma tensin de forma
bastante exacta.
Otro uso del Zener es como elemento de proteccin de un circuito para que nunca
le sobrepase una determinada tensin a la carga del circuito.

Tipos de diodos Zener

Actualmente se pueden encontrar diodos Zener de valores Vz desde 0,2V hasta
200V y de Pz hasta los 50 vatios.
Hay principalmente dos variedades de Zener, los ZD o ZDP que son los europeos
y los 1N que son americanos

Equipo 3

Diodo tnel

Qu es un diodo tnel?
El diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin PN, en el cual se produce el
efecto tnel, originando una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la
caracterstica corriente-tensin.
El diodo tnel fue inventado por el Dr. Leo Esaki en 1957, en 1973 recibi el premio nobel
por haber descubierto el efecto tnel, efecto usado en los diodos.

Descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto
tnel, de los portadores de carga a lo largo de la zona de deplexin en la unin.

Los diodos tnel se construyen con arseniuro de germanio o galio, dopadas las
regiones p y n, mucho ms que en un diodo rectificador convencional. Este
dopado excesivo produce una regin de empobrecimiento extremadamente
estrecha.

El dopado excesivo permite conduccin con todos los voltajes en inversa, de modo
que no se presenta el efecto de ruptura como en el diodo rectificador
convencional

Curva caracterstica del diodo tnel

Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tnel empieza a conducir (la
corriente empieza a fluir)

Si se sigue aumentado esa tensin la corriente aumentara hasta llegar un punto

despus del cual la corriente disminuye.

La corriente continuara disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un valle.

 Despus volver a incrementarse. En este ocasin la corriente continuara
aumentando conforme aumenta la tensin

Aplicaciones

Los diodos tnel son resistentes a los efectos de campos magnticos, altas temperaturas y
radioactividad.

Debido a la baja demanda de potencia, se utilizan en receptores de FM.

Son usados en los equipos de comunicacin por satlite

Se pude utilizar un diodo tnel para generar un voltaje senoidal con solo una fuente de
CD

Aunque el uso de los diodos tnel en sistemas de alta frecuencia actuales se han detenido
dramticamente debido a la disponibilidad de tcnicas de fabricacin de dispositivos
alternos en su sencillez, linealidad, bajo consumo de potencia y confiabilidad, aseguran su
continuidad de uso y aplicacin.

Equipo 4

DIODO VARACTOR
EQUIPO 4

Smbolo de diodo varactor

CONCEPTO
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa
su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus
extremos.
FUNCIONAMIENTO
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa
su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus
extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensado
variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a
500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.
Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas
constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia
de muy bajo valor hmico, lo que conforma un condensador de elevadas prdidas.
Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que
aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como
un condensador con muy bajas prdidas. Si aumentamos la tensin de polarizacin
inversa las capas de carga del diodo se espacian lo suficiente para que el efecto se
asemeje a una disminucin de la capacidad del hipottico condensador (similar al
efecto producido al distanciar las placas de un condensador estndar).
La capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. Si la tensin aplicada al
diodo aumenta la capacitancia disminuye, Si la tensin disminuye la capacitancia
aumenta.
APLICACIN
La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a
complejos sistemas mecnicos de condensador variable en etapas de sintona en
todo tipo de equipos de emisin y recepcin.
Ejemplo, cuando se acta en la sintona de un viejo receptor de radio se est
variando (mecnicamente) el eje del condensador variable que incorpora ste en su
etapa de sintona; pero si, por el contrario, se acta sobre la ruedecilla o, ms
comnmente, sobre el botn (pulsador) de sintona del receptor de TV a color lo que
se est haciendo es variar la tensin de polarizacin inversa de un diodo varicap
contenido en el mdulo sintonizador del equipo.
CURVA CARACTERISTICA
Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N
cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin
inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de los lados de la
unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen su ancho Wd. La
capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin carga se determina
mediante:
CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A
es el rea de la unin P-N y Wd el ancho de la regin de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de
la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El
pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo
normal de VR para [diodo]s varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de
la polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se determina en forma
aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n
dnde:
K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de
construccin.
VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin
VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin

Equipo 5
DIODO PIN

El fotodiodo PIN fue inventado por Jun-ichi Nishizawa y sus colegas en 1950.

Es una estructura de tres capas, siendo as la intermedia un semiconductor intrnseco, y las

extremas, una de tipo P fuertemente dopada y otra de tipo N igual fuertemente dopada. En pocas
palabras esto quiere decir que es un diodo que presenta una regin P y N altamente conductoras
junto a una zona intrnseca poco conductiva de ah el nombre de sus siglas (PIN).
Un material dopado significa que tendr un mayor nmero de impurezas. Por lo mismo, existir
una menor resistencia al paso de la corriente.

Estos dispositivos son ampliamente utilizados como desplaza dores de fase y conmutadores de
seales de microondas.

Los dispositivos diseados con diodos PIN se destacan por bajas perdidas de insercin y elevado
desempeo en altas frecuencias

Este diodo se puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud de frecuencias de
microondas. se presenta como un corto circuito en sentido directo y como un circuito abierto en
sentido inverso

A frecuencias ms altas el diodo se parece a una resistencia casi perfecta.

Gracias a que hay una gran cantidad de carga almacenada en la regin intrnseca.

A bajas frecuencias, la carga se quita y el diodo se apaga.

Se puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud de frecuencias de

microondas
 FUNCIONAMIENTO

Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que

exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia
muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en
sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de
100 a 1000 V.

POLARIZCION EN INVERSA

Un condensador de placas paralelas se crea cuando un diodo PIN se polariza en inversa

este se utiliza a una alta frecuencia de RF y el diodo PIN est en cero. Zero sesgada es
equivalente a 100 MHz y una frecuencia de relajacin dielctrica se producir cuando por
debajo de 20 MHz. La curva muestra la variacin de capacitancia.

POLARIZACION EN DIRECTO

Cuando el diodo PIN se polariza de manera directa este se comporta como una resistencia
variable.

La resistencia directa de la regin intrnseca disminuye con el aumento de corriente.

APLICACIONES

LIMITADORES DE RF

Un limitador impide la sobrecarga permitiendo que las seales de RF por debajo de cierto
umbral puedan pasar, pero las seales ms grandes que superan el umbral sean
atenuadas de modo gradual.

Resistencia Variable.

Protector de sobre voltaje.

Atenuador.

En circuitos de potencia.
Equipo 6

DIODO SCHOTTKY
llamado as en honor al fsico alemn Walter H. Schottky, es un
dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los
estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos
de 5 mm de dimetro)

Un diodo Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo

con un semiconductor. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N,
debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. La
parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo.
En una deposicin de aluminio
(3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran
haca el metal, creando una regin de transicin en la ensambladura.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de
ambos materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la
de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo
necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V).
El diodo Schottky, utiliza un metal como el aluminio (Al) o el platino (Pt) en contacto
con un cristal semiconductor de silicio (Si) menos dopado que el empleado en la
fabricacin de un diodo normal.
Esta unin le proporciona caractersticas de conmutacin muy rpida durante los
cambios de estados que ocurren entre la polarizacin directa y la inversa, lo que
posibilita que pueda rectificar seales de muy altas frecuencias, as como suprimir
valores altos de sobrecorriente en circuitos que trabajan con gran intensidad de
corriente.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral
valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los
diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V

La principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensin,

en las cuales las cadas en los rectificadores son significativas.
el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones en circuitos de alta
velocidad como en computadoras. En estas aplicaciones se necesitan grandes
velocidades de conmutacin y su poca cada de voltaje en directo causa poco gasto
de energa.
Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que
deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 milln de ciclos por
segundo).

Desventaja
El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en
sentido de la flecha).
El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente
(VCRR).
Nos podemos dar cuenta que el diodo Schottky tiene un segmento muy especial
dentro de la electrnica y sus aplicaciones y es especficamente el de trabajar a
altas frecuencias de hasta 300MHz, eliminando picos de corriente y en conmutacin
altsima, con bajos niveles de tensin, umbral bajo y, debido a su construccin,
tiempos de respuesta mucho ms rpidos.

Equipo 7
Diodo avalancha

Introduccin
El diodo avalancha es un dispositivo semiconductor que vale su funcionamiento de la
ruptura por efecto avalancha controlada. Una posible buena analoga para este dispositivo es
el uso de los motores de combustin interna: es una mquina que, mediante el
aprovechamiento de la reaccin explosiva de la gasolina, puede realizar un trabajo, trabajo
que, se utiliza comnmente para accionar los mecanismos de automviles, motosierras y
otras mquinas. As, el efecto avalancha es utilizado en el diodo avalancha como una ventaja
que puede tener mltiples aplicaciones y permiten utilizarlo como inductor de ruido RF,
protector de circuitos contra sobretensiones, o generadores de ruido blanco.
El presente resumen incluye informacin sobre el efecto avalancha, el propio diodo
avalancha, su curva caracterstica, algunos de los modelos comerciales existentes y sus
aplicaciones.
Efecto avalancha
Este efecto surge cuando la tensin inversa en un diodo incrementa y supera la tensin
nominal de ruptura del diodo. Una corriente de portadores minoritarios aparece en la zona de
deplexin, la cual puede terminar por destruir la unin p-n.
De manera general, el efecto se describe de la siguiente manera; al aumentar la tensin
inversa:
1. Los portadores minoritarios se mueven con mayor rapidez.
2. Luego, colisionarn con los tomos del cristal.
3. Si dichos portadores adquieren la energa suficiente, pueden liberar a otros electrones
de valencia.
4. Los electrones liberados ahora pueden liberar a ms electrones de valencia.
5. Se produce una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente
conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensin.

Figura 1. Los electrones libres pueden ionizar a los tomos del cristal.
 Figura 2. El efecto avalancha se da como una progresin geomtrica en el tiempo de razn 2.

Qu es el diodo avalancha?
Es un dispositivo semiconductor diseado especialmente para trabajar en tensin
inversa, en tal condicin, su ctodo es positivo con respecto a su nodo.

Figura 3. Polarizacin inversa.

El diodo avalancha es un diodo diseado para funcionar mediante la ruptura por

avalancha en un voltaje de polarizacin inversa especificado.
Se caracteriza por estar poco dopado.
La unin de un diodo de avalancha est diseada para evitar concentracin de
corriente en los puntos calientes, de modo que el diodo no se daa en la ruptura.
La ruptura por avalancha se debe a que los portadores minoritarios se aceleran lo
suficiente como para ionizar la red cristalina de silicio, produciendo ms portadores que a su
vez crean ms ionizacin.
Debido a que la ruptura por avalancha es uniforme a travs de toda la unin, el cambio
de la corriente es casi constante con el cambio del voltaje aplicado.
Tensin de ruptura
En el diodo avalancha, las tensiones de ruptura varan: mientras que en unos diodos
es de hasta 50 1000 V, en otros modelos suele tener valores desde 4 V.
Curva caracterstica del diodo avalancha
La curva caracterstica del diodo avalancha no vara mucho de la de un diodo
rectificador. De hecho, en polarizacin directa, el diodo avalancha funciona como un
rectificador de mala calidad, puesto que su dopaje es escaso. En polarizacin inversa, el diodo
avalancha conduce la corriente desde los -6 V hasta -50 -1000 V, segn el modelo que se
trate.

Figura 4. Curva caracterstica del diodo avalancha. Las lneas delgadas representan I. La interpretacin de la cantidad
mayor de corriente antes de llegar a la tensin de ruptura y II. La baja tensin de ruptura que tienen algunos diodos
avalancha.

Modelos comerciales
La serie 1N5059 a 1N5062 es la ms comn, consiste en diodos avalancha con
terminales axiales.
 Figura 5. Diodo 1N5059
Figura 6. Diodo avalancha de alta tensin,
cuenta con un disipador de calor. Figura 7. Diodo avalancha de
recuperacin rpida.

Figura 8. Diodo avalancha SMD.

Aplicaciones del diodo avalancha

La aplicacin tpica del diodo avalancha es la proteccin de circuitos electrnicos
contra sobretensiones.
Los diodos avalancha generan ruido de radio frecuencia, por lo que pueden utilizarse
como:
1. Fuentes de ruido en los analizadores de antenas.
2. Generadores de ruido blanco.

Figura 9. Arriba, la relacin entre la amplitud del voltaje y el muestreo del ruido blanco. Abajo, generadores de ruido
basados en diodos avalancha.

El diodo IMPATT (acrnimo de IMPact Ionization Avalanche Transit Time, o

Tiempo de Trnsito por Avalancha con Ionizacin por Choque) es un diodo avalancha
optimizado para la generacin de ondas con esta frecuencia.
Comparacin con el diodo Zener
Tanto el diodo avalancha como el diodo Zener est diseado para funcionar en
polarizacin inversa.
Mientras que el diodo avalancha se forma de materiales muy poco dopados, el diodo
Zener posee muchas impurezas pentavalentes y trivalentes. Al alcanzar la ruptura, la cada
de voltaje es mayor en el diodo avalancha, lo que proporciona una mejor proteccin contra
sobretensiones que un simple diodo Zener.
El diodo avalancha tiene un coeficiente de temperatura positivo, mientras que en el
diodo Zener, este es negativo. Cuando el coeficiente de temperatura es positivo, al aumentar
la temperatura, la tensin inversa de ruptura aumenta (se acerca a cero), mientras que al ser
positivo, dicha la tensin disminuye (se aleja de cero).

Coeficiente de temperatura positivo. Coeficiente de temperatura negativo.

Conclusiones
1. El diodo avalancha vale su funcionamiento de la ruptura por efecto avalancha
controlada (como en un motor de combustin interna, su funcionamiento se basa en
explosiones controladas).
2. Cualquier diodo que funcione de dicha forma puede considerarse un diodo
avalancha.
3. Son poco comunes, por lo que es difcil conseguirlos.
4. En polarizacin directa pueden funcionar como rectificadores; en inversa y en
tensin de ruptura, sus aplicaciones varan entre la proteccin contra sobretensiones
e induccin de ruido de radiofrecuencia.
5. Su curva caracterstica no difiere tanto de la de un diodo rectificador o un Zener, salvo
en el voltaje de ruptura, que puede ser muy bajo en algunos modelos o, en la corriente
inversa, que puede ser mostrada como mayor que la de cualquier otro diodo.
6. Algunos diodos tienen su tensin de ruptura muy pequea.

Equipo 8
FOTODETECTORES

Se llama fotodetector a cualquier dispositivo que responde con una seal elctrica frente al
estmulo de una seal luminosa. Los fotodetectores se clasifican en dos grandes grupos: -
Fotodetectores trmicos: la absorcin de luz origina un aumento de temperatura que, a su vez, da
lugar a la variacin de algn otro parmetro que origina la seal elctrica. Dichos detectores
responden a la cantidad total de energa luminosa que incide por unidad de tiempo (siempre que
el material absorba todas las radiaciones con igual eficacia).

- Fotodetectores fotnicos: la absorcin de cada fotn da lugar a algn tipo de suceso cuntico
que origina una seal elctrica proporcional al nmero de fotones incidentes por unidad de
tiempo, independientemente de su energa. Dado que la mayor parte de estos sucesos cunticos
tienen un umbral de energa E0, este tipo de detectores no responden para longitudes de onda
mayores que 0=h/E0. La expresin prctica sera: 0(m)=1.2398/E0(eV).

FOTOCONDUCTIVIDAD

Se llama efecto de conductividad el cambio de conductividad que se produce en un

semiconductor como consecuencia de la presencia de portadores fuera de equilibrio, excitados
por la absorcin de luz por parte del semiconductor. Nos referiremos aqu nicamente a la
fotoconductividad debida a la absorcin intrnseca de luz.

FOTODIODOS

4.1.- EFECTO FOTOVOLTAICO

No existe ninguna diferencia esencial entre la estructura bsica de una clula solar y la de un
fotodiodo. Desde el punto de vista de la aplicacin, la nica diferencia est en que en el fotodiodo
se busca el mximo de linealidad y el mnimo tiempo de respuesta y ruido mientras que en la
clula solar se busca obtener el mximo de energa y rendimiento. El efecto fotovoltaico se
produce en ambos casos al iluminar la barrera de potencial existente entre las zonas p y n. La
figura muestra el esquema de banda de una unin p-n bajo iluminacin. En ausencia de
iluminacin, el equilibrio trmico se alcanza mediante intercambio de portadores mayoritarios, lo
que conlleva la aparicin de una zona de carga de espacio y de un campo elctrico interno que se
opone al movimiento de los portadores mayoritarios. El equilibrio trmico se alcanza cuando la
corriente de arrastre originada por el campo de la unin compensa la corriente de difusin

- FOTODIODOS P-I-N

Cuando se busca una respuesta rpida, la solucin ms conveniente consiste en eliminar la zona
neutra, lo que se consigue mediante una estructura p-i-n, en la que, entre dos zonas p y n muy
delgadas, se sita una zona de semiconductor intrnseco mucho ms gruesa. En dicha zona
intrnseca habr un campo uniforme, por no existir carga de espacio. Si el grosor de la zona
intrnseca es d, en equilibrio trmico, el campo ser, aproximadamente E=Eg/ed. En polarizacin
inversa, el campo ser E=V/d.
3 Fotodiodos p n

Una unin p n inversamente polarizada consiste en una regin conocida como regin de
agotamiento o regin de empobrecimiento, que est desprovista de portadores de carga libres y
dentro de la cual se establece un fuerte campo elctrico que se opone al flujo de electrones del
lado n al lado p (y al flujo de huecos del lado p al lado n). Cuando dicha unin p n es iluminada
con luz en un lado, figura 4.2, se crean pares electrn hueco por medio de la absorcin ptica.

Debido al fuerte campo elctrico existente, los electrones y los huecos generados dentro de la
regin de agotamiento se aceleran en direcciones opuestas y son arrastradas hacia los lados n y p,
respectivamente . El flujo resultante de corriente es proporcional a la potencia ptica incidente.
De esta manera, una unin p n polarizada inversamente acta como un fotodetector y se le
denomina fotodiodo p n.