Guia de Practicas de Electrónica Analógica 2

UNIVERSIDAD DEL AZUAY
FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGIA

GUIA DE PRACTICAS DE LABORATORIO
ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRNICA
Asignatura: Tema: Practica N0: 1

Electrnica Analgica 2 Transistores en zona de
Conmutacin, Saturacin y
Corte.
Docente: N0 de horas: 3 Revisin Director Escuela:
Ing. Esteban Coello M. Fecha:
Objetivos de la prctica:
- Realizar el diseo y los clculos de los parmetros necesarios para la
operacin del transistor BJT.
- Comprobar en la prctica las zonas de operacin del transistor.
Equipos y materiales:
- 1 potencimetro de 100k.
- 1 transistor 2N3904
- 1 motor 5V dc.
- 1 rel de 5V
- 1 fuente 5V dc.
- Multmetro.
- Cable multipar.
- Pinzas y cortafro.
- Protoboard.
Procedimiento :
Parte A: Comandar motor de 5V dc
1- Medir la Ic mxima de saturacin del motor conectndolo directo a la fuente.

2- Medir el hfe del transistor que se va a utilizar para la prctica (2n3904).
3- Con la Ic mxima calcular la Ib de saturacin y la multiplicar por la garanta.
4- Calcular la Rb y armar el circuito, comprobar su funcionamiento

comprobando los valores medidos con los valores calculados en una tabla.
5- Analizar el comportamiento del circuito colocando la resistencia variable y

dando valores por encima y por debajo del valor calculado. Obligar al
transistor a trabajar en las distintas zonas de trabajo y tabular resultados.
6- Graficar la recta de carga y el punto de trabajo de los diferentes puntos

analizados.
7- Visualizar el VCE en el osciloscopio al operar con un motor, explicar su
1
comportamiento e investigar la explicacin. Definir los
rangos de resistencia de base para cada zona de trabajo del transistor.
Parte B: Comandar un rel
1- Medir la Ic mxima de saturacin del motor conectndolo directo a la fuente.

2- Medir el hfe del transistor que se va a utilizar para la prctica (2n3904).
3- Con la Ic mxima calcular la Ib de saturacin y la multiplicar por la garanta.
4- Calcular la Rb y armar el circuito, comprobar su funcionamiento

comprobando los valores medidos con los valores calculados en una tabla.
5- Analizar el comportamiento del circuito colocando la resistencia variable y

dando valores por encima y por debajo del valor calculado. Obligar al
transistor a trabajar en las distintas zonas de trabajo y tabular resultados.
6- Graficar la recta de carga y el punto de trabajo de los diferentes puntos

analizados.
7- Visualizar el VCE en el osciloscopio al operar con un motor, explicar su

comportamiento e investigar la explicacin. Definir los rangos de resistencia
de base para cada zona de trabajo del transistor.
Referencias bibliogrficas:
BOYLESTAD, Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Dcima edicin, 2009.
Pearson Prentice Hall. Mxico.
HAIT, KEMMERLY, DURBIN, Anlisis de Circuitos en Ingeniera, Sptima edicin, 2007. McGraw-
Hill Interamericana. Mxico.
2

Electrnica Analgica 2 Detector de luz mediante
Transistor y LDR.
- Realizar el diseo y los clculos de los parmetros necesarios para la
operacin de un interruptor activado por luz.
- Comprender la funcionalidad del transistor BJT.
- 1 potencimetro de 10k.
- 1 resistencia de 10k.
- 1 LDR
- 1 transistor 2N3904.
- 1 LED de 5V.
- 1 rel de 5V.
- 1 fuente 5V dc.
- Multmetro.
- Cable multipar.
- Protoboard.
Procedimiento :
1- Establecer los valores del LDR con o sin luz como parmetros necesarios
para el diseo.
2- Disear el circuito y calcular los parmetros del circuito para operar en la
zona de corte y saturacin.
3- Armar el circuito y calibrar la sensibilidad del potencimetro para operar
conforme al diseo, comprobar los parmetros de voltaje y corriente
conforme al clculo y tabular los valores..

3

Electrnica Analgica 2 Polarizacin de un MOSFET
Docente: N0 de horas: 1,5 Revisin Director Escuela:
- Entender el funcionamiento del transistor MOSFET.
- Definir la zona de trabajo del MOSFET.
- 1 MOSFET IRFZ540.
- 1 motor de DC.
- 1 fuente 5V dc.
- Multmetro.
- Cable multipar.
- Protoboard.
Procedimiento :
Arranque de un motor mediante un MOSFET.
1- Analizar la hoja de datos del MOSFET (IRF540), disear el circuito para

activar a un motor.
2- Realizar los clculos correspondientes con la Id mxima.
3- Medir los parmetros de Id (corriente de drenador), Vds y el voltaje Vgs y
compararlos con los calculados.
4- Analizar el funcionamiento y determinar la zona de trabajo del dispositivo
utilizado.


4
Electrnica Analgica 2 Inversin de giro de un
motor DC (Puente H con
MOSFETs)
Docente: N0 de horas: 1,5 Revisin Director Escuela:
- Disear una aplicacin prctica para inversin de giro de un motor de DC
con transistores MOSFET.
- Analizar el funcionamiento del transistor MOSFET.
- 4 MOSFET IRF530.
- 1 motor de DC.
- 1 fuente 5V dc.
- 2 pulsantes
- 2 resistecias 1k 0.25W
- Multmetro.
- Cable multipar.
- Protoboard.
Procedimiento :
Inversin de rotacin de un motor de DC mediante transistores MOSFET.
1- Investigar el principio de funcionamiento de un puente H y disear un

circuito inversor de rotacin utilizando transistores MOSFET (IRF530).
2- Armar el circuito y comprobar su funcionamiento.
3- Medir los parmetros de los diferentes semiconductores en el gate, drain
source, corrientes Id y tabularlos.
4- Analizar el funcionamiento y resumir el funcionamiento en base a la
experiencia.



Electrnica Analgica 2 Fuente conmutada
5
- Disear una aplicacin prctica para fuentes de alimentacin de DC.
- Comprender el funcionamiento de una fuente conmutable con la utilizacin
de un transistor MOSFET.
- 1 MOSFET IRFZ540.
- 1 inductancia 1mH
- 1 diodo
- 1 capacitor 35V 100uF
- 1 fuente 5V dc.
- Multmetro.
- Generador de funciones (opcional circuito generador con CI 555)
- Cable multipar.
- Protoboard.
Procedimiento :
Fuente de DC conmutable mediante transistores MOSFET.
1- Investigar el principio de funcionamiento del circuito propuesto (fuente

conmutada) entender su funcionamiento.
2- Armar el circuito y comprobar su funcionamiento, conectando el generador
de funciones al gate del transistor MOSFET (variar frecuencia 1 khz a 10 10
khz) si se quiere puede utilizarse un CI 555.
3- Medir los parmetros de salida de voltaje DC en el condensador y
tabularlos.
4- Medir las seales presentes en el inductor, Vds, V en el condensador y
resumir el funcionamiento en base a la experiencia.
6



Electrnica Analgica 2 Polarizacin de los MOSFET
- Entender el funcionamiento de los transistores MOSFET canal N y canal P.
- Definir la zona de trabajo de los transistores MOSFET.
7
- 1 MOSFET IRFZ530. (Canal N)
- 1 MOSFET IRFZ5305. (Canal P)
- 1 resistencia 100k 0.25W
- 1 resistencia 1.2k 0.25W
- 1 resistencia 2.2k 0.25W
- 1 resistencia 660 0.25W
- 1 resistencia 1k 0.25W
- 1 fuente 5V, 12V, 18V dc.
- Multmetro.
- Cable multipar.
- Protoboard.
Procedimiento :
Polarizacin fija
Autopolarizacin
Polarizacin por Divisor de Voltaje MOSFET
1. Investigar los tipos de polarizacin del MOSFET: Polarizacin fija, Auto

Polarizacin y Polarizacin por divisor de voltaje para canal N y canal P.
2. Calcular los parmetros de los circuitos (Id, Vgs, Vds, Vg, Vrd, Vrs) de
polarizacin: Polarizacin fija, Auto Polarizacin y Polarizacin por divisor de
voltaje.
3. Armar los circuitos y medir los parmetros Id, Vgs, Vds, Vg, Vrd, Vrs para
compararlos con los calculados, tabular los resultados.
8
4. Analizar el funcionamiento y determinar el
punto de trabajo de cada dispositivo utilizado.


Guia de Practicas de Electrónica Analógica 2

Încărcat de

Informații document

Descriere originală:

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Guia de Practicas de Electrónica Analógica 2

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

UNIVERSIDAD DEL AZUAY

FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGIA

Asignatura: Tema: Practica N0: 1

Parte A: Comandar motor de 5V dc

1- Medir la Ic mxima de saturacin del motor conectndolo directo a la fuente.

3- Con la Ic mxima calcular la Ib de saturacin y la multiplicar por la garanta.

4- Calcular la Rb y armar el circuito, comprobar su funcionamiento

5- Analizar el comportamiento del circuito colocando la resistencia variable y

6- Graficar la recta de carga y el punto de trabajo de los diferentes puntos

7- Visualizar el VCE en el osciloscopio al operar con un motor, explicar su

Parte B: Comandar un rel

1- Medir la Ic mxima de saturacin del motor conectndolo directo a la fuente.

3- Con la Ic mxima calcular la Ib de saturacin y la multiplicar por la garanta.

4- Calcular la Rb y armar el circuito, comprobar su funcionamiento

5- Analizar el comportamiento del circuito colocando la resistencia variable y

6- Graficar la recta de carga y el punto de trabajo de los diferentes puntos

7- Visualizar el VCE en el osciloscopio al operar con un motor, explicar su

Asignatura: Tema: Practica N0: 2

BOYLESTAD, Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Dcima edicin, 2009.

UNIVERSIDAD DEL AZUAY

Asignatura: Tema: Practica N0: 3

Arranque de un motor mediante un MOSFET.

1- Analizar la hoja de datos del MOSFET (IRF540), disear el circuito para

BOYLESTAD, Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Dcima edicin, 2009.

UNIVERSIDAD DEL AZUAY

Inversin de rotacin de un motor de DC mediante transistores MOSFET.

1- Investigar el principio de funcionamiento de un puente H y disear un

BOYLESTAD, Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Dcima edicin, 2009.

UNIVERSIDAD DEL AZUAY

Asignatura: Tema: Practica N0: 5

Fuente de DC conmutable mediante transistores MOSFET.

1- Investigar el principio de funcionamiento del circuito propuesto (fuente

BOYLESTAD, Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Dcima edicin, 2009.

UNIVERSIDAD DEL AZUAY

Asignatura: Tema: Practica N0: 6

Polarizacin por Divisor de Voltaje MOSFET

1. Investigar los tipos de polarizacin del MOSFET: Polarizacin fija, Auto

BOYLESTAD, Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Dcima edicin, 2009.

S-ar putea să vă placă și